CN114063399B - 光刻对准方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种光刻对准方法及系统。其中光刻对准方法包括：对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息；根据所述对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。本发明中，在进行光刻前通过对对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息，然后根据对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并针对每一待处理区域设定对应的对准参数，从而消除晶圆不同区域之间的差异造成的影响，提高了光刻对准精度，进而提高产品良率。

Description

光刻对准方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，特别是涉及一种光刻对准方法及系统。
背景技术
在将晶圆加工成芯片的生产过程中，会经过光刻、处理、化学机械研磨、离子掺杂等处理工艺，其中任何一个处理工艺都有可能造成晶圆不同区域的表面状况产生差异，例如，晶圆表面高度差异，内嵌图形深度差异，以及图形的对称性差异问题，由于这些差异的存在，可能会导致不同区域对准标记测量出来的结果呈现差异，使得光刻对准精度下降，造成最终光刻的上下层图形出现偏差，导致最终的良率损失。
发明内容
基于此，有必要针对现有技术中因晶圆表面不同区域之间的差异所导致的对准精度降低的问题，提供一种光刻对准方法和系统。
本发明实施例提供了一种光刻对准方法，包括：
对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息；
根据所述对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。
在其中一个实施例中，所述对准信息包括信号强度和残余值。
在其中一个实施例中，所述晶圆的表面具有多个曝光区域，每一所述曝光区域内具有至少一个对准标记。
在其中一个实施例中，所述对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息，包括：
利用波长不同的对准光源对所述对准标记进行照射，获取每一波长下所述对准标记对应的信号强度和波形拟合信息；
根据对应于同一所述波长的所述对准标记的信号强度和所述波形拟合信息，确定在所述波长下每一所述对准标记的量测位置数据；
根据所述量测位置数据和所述对准标记的理论位置数据，计算所述对准标记的残余值。
在其中一个实施例中，所述光刻对准参数包括对准光源的波长；
所述根据所述对准信息对所述晶圆表面划分成多个待处理区域，包括：
对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；
确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为所述相应曝光区域光刻对准所需要的对准光源的波长；
将需要相同的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一所述待处理区域中，并确定每一所述待处理区域的对准光源。
在其中一个实施例中，所述光刻对准参数包括对准光源的波长和光照强度；
所述根据所述对准信息对所述晶圆表面划分成多个待处理区域，包括：
对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；
确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域光刻对准所需要的对准光源的波长；
根据所述对准光源对多个所述曝光区域进行划分，将需要相同波长的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一区域中，形成多个初级划分区域，并确定每一所述初级划分区域的对准光源的波长；
根据每一所述对准标记的信号强度，对同一所述初级划分区域内的多个曝光区域按照预设信号强度范围进行划分以形成所述待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的所述光照强度。
在其中一个实施例中，所述曝光区域的量测位置数据为基于所述波形拟合信息确定的对应于最强的所述信号强度的所述对准标记的测量位置数据。
在其中一个实施例中，所述对准标记的残余值为所述对准标记的量测位置数据与所述对准标记的理论位置数据的标准差。
在其中一个实施例中，当所述信号强度随所述晶圆半径的增大而规律变化时，所述晶圆被划分成多个呈环形的所述待处理区域。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种光刻对准系统，包括：
测量模块，用于对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息；
处理模块，根据所述对准信息对所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。
在其中一个实施例中，所述对准信息包括信号强度和残余值。
在其中一个实施例中，所述晶圆的表面具有多个曝光区域，每一所述曝光区域内具有至少一个对准标记；所述测量模块包括：
探测单元，用于波长不同的光源对所述对准标记进行照射，获取每一波长下所述对准标记对应的信号强度和波形拟合信息；和
计算单元，用于根据对应于同一所述波长的所述对准标记的信号强度和所述波形拟合信息，确定在所述波长下每一所述对准标记的量测位置数据；以及，根据所述量测位置数据和所述对准标记的理论位置数据，计算所述对准标记的残余值。
在其中一个实施例中，所述光刻对准参数包括对准光源的波长；所述处理模块还用于：对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域光刻对准所需要的对准光源的波长；将需要相同的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一所述待处理区域中，并确定每一所述待处理区域的对准光源。
在其中一个实施例中，所述光刻对准参数包括对准光源的波长和光照强度；所述处理模块包括：
第一划分处理单元，用于对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；确定所述曝光区域对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域的光刻对准需要的对准光源的波长；以及，根据所述对准光源对多个所述曝光区域进行划分，将需要相同波长的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一区域中，形成多个初级划分区域，并确定每一所述初级划分区域的对准光源的波长；和
第二划分处理单元，用于根据每一所述对准标记的信号强度，对同一所述初级划分区域内的多个曝光区域按照预设信号强度范围进行划分以形成所述待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光照强度。
综上，本发明提供了一种光刻对准方法及系统。其中光刻对准方法包括：对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息；根据所述对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。本发明中，在进行光刻前通过对对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息，然后根据对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并针对每一待处理区域设定对应的对准参数，从而消除晶圆不同区域之间的差异造成的影响，提高了光刻对准精度，进而提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种光刻对准方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的获取残余值的原理示意图；
图3为本发明实施例提供的晶圆表面信号强度分布示意图；
图4-图6为本发明实施例提供的划分后的待处理区域的形状示意图；
图7为本发明实施例提供的光刻对准系统的电气结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
应当明白，空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
针对目前因晶圆不同区域之间的差异，例如，晶圆表面高度不同，内嵌图形深度不同，以及图形的对称性不同造成光刻对准精度较低的问题，本发明提供了一种光刻对准方法。请参见图1，本发明实施例提供的光刻对准方法包括：
步骤S110，对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息；
步骤S120，根据所述对准信息将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。
本实施例中，在进行光刻前通过对对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息；可以理解，对准信息相同/相似时，即表示两个区域表面状况也相同/相似，该两个区域可利用相同的光刻对准参数进行光刻。因此，基于获取的晶圆的表面参数，本实施例将所述晶圆划分成多个待处理区域，将具有相同/相似对准信息的对准信息的区域划分到同一待处理区域内，并根据实际的对准信息确定该待处理区域的光刻对准参数，从而因消除晶圆不同区域之间的差异造成的影响，提高了光刻对准精度，进而提高产品良率。
在其中一个实施例中，所述对准信息包括信号强度和残余值。可以理解，在标准晶圆加工工艺中，需要用到数十次的光刻步骤，而影响光刻工艺误差的因素，除了光刻机的分辨率之外，对准精度也是十分重要的因素，残余值是反应对准精度的重要指标，因此需要测量晶圆上不同区域的残余值。另外，当晶圆表面状况不同时，其反射信号的信号强度也是不同的，因此同时考虑信号强度对对准精度的影响，可进一步提高对准精度，有利于更合理的对晶圆进行划分，以及针对划分后的每一待处理区域更合理的设定光刻对准参数。
在其中一个实施例中，所述晶圆的表面具有多个曝光区域，每一所述曝光区域内具有至少一个对准标记。
可以理解，在芯片制作过程中，同一晶圆表面多个曝光区域经过相同工艺同时形成多个芯片。一个完整的芯片通常都需要经过数十次以上的光刻，在如此多次的光刻工艺中，除了第一次光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形进行对准，因此需要在每一曝光区域中设置至少一个对准标记，以便进行在对准。此外，对准标记越多，越能提高对准精度。本实施例中，在对晶圆的表面状况进行对准量测时，获取的晶圆的对准信息包括每一曝光区域的信号强度和每一曝光区域的残余值；进一步的，将其信号强度和残余值处于相同或处于同一取值范围内的曝光区域划分成同一待处理区域，并利用相同的光刻对准参数对同一待处理区域内的多个曝光区域进行光刻。
在其中一个实施例中，所述对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息，包括：
利用波长不同的对准光源对所述对准标记进行照射，获取每一波长下所述对准标记对应的信号强度和波形拟合信息；
根据对应于同一所述波长的所述对准标记的信号强度和所述波形拟合信息，确定在所述波长下每一所述对准标记的量测位置数据；
根据所述量测位置数据和所述对准标记的理论位置数据，计算所述对准标记的残余值。
请参见图2，本实施例中，利用多种波长的对准光源对晶圆进行照射，例如波长为λ1、λ2、λ3、…λi等i个对准光源对晶圆分别进行照射。在对晶圆进行照射的过程中，光束经晶圆反射后入射到检测系统中，检测系统根据反射光束获取每一波长下所述对准标记对应的信号强度和波形拟合信息。然后，基于同一波长下的所述对准标记的信号强度和所述波形拟合信息，确定在所述波长下每一所述对准标记的量测位置数据；基于此，当用i个对准光源照射完后，每一对准标记会对应于i个量测位置数据。最后，根据所述量测位置数据和所述对准标记的理论位置数据，计算得到每一对准标记对应的i个残余值。
在其中一个实施例中，所述对准标记的残余值为所述对准标记的量测位置数据与所述对准标记的理论位置数据的标准差。
本实施例中，当用i个光源照射完后，针对每一对准标记，计算所述对准标记的测量位置数据与所述对准标记的理论位置数据的标准差，并将计算出的标准差最为该曝光区域的残余值，如a1，a2，....，a9。残余值越小，说明该曝光区域内图形偏移越小，对准精度越高。
在其中一个实施例中，所述光刻对准参数包括对准光源；
所述根据所述对准信息对所述晶圆表面划分成多个待处理区域，包括：
对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；
确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域光刻对准所需要的对准光源的波长；
将需要相同的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一所述待处理区域中，并确定每一所述待处理区域的对准光源。
本实施例中，利用不同的对准光源照射同一曝光区域时，得到的曝光区域内的对准标记的量测位置数据也不相同，由此可见对准光源的选择对光刻对准也会产生影响。为提高对准精度，本实施例中将需要相同对准光源的曝光区域划分在同一待处理区域中，消除晶圆表面差异对光刻的影响，从而提高对准精度。
在其中一个实施例中，所述光刻对准参数包括对准光源的波长和光照强度；
所述根据所述对准信息对所述晶圆表面划分成多个待处理区域，包括：
对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；
确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域光刻对准所需要的对准光源的波长；
根据所述对准光源对多个所述曝光区域进行划分，将需要相同波长的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一区域中，形成多个初级划分区域，并确定每一所述初级划分区域的对准光源的波长；
根据每一所述对准标记的信号强度，对同一所述初级划分区域内的多个曝光区域按照预设信号强度范围进行划分以形成所述待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的所述光照强度。
请参见图3，根据图3中可以看出，某些晶圆中的中心区域内的对准标记的信号强度小于边缘区域内的对准标记的信号强度，信号强度大致呈随半径增大而增强的趋势。因此，同时基于残余值和信号强度划分晶圆，更加提高划分的精细程度，从而提高对准精度。本实施例中，首先基于残余值对晶圆上的所有曝光区域进行划分，将需要相同波长的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一区域中，形成多个初级划分区域，并确定该初级划分区域所需要的对准光源的波长。然后，根据预设的信号强度范围，将同一所述初级划分区域内的多个曝光区域再进行划分，最终形成所述待处理区域，并确定每一待刻区域的光照强度。利用残余值和信号强度划分出的同一待处理区域中，曝光区域进行光刻所需要的光源和光照强度都是相同的。
此外，在其它一些实施例中，还可以仅根据信号强度对晶圆进行划分，得到多个待处理区域。
在其中一个实施例中，所述对准信息还包括波形相似度。本实施例中，光源扫描晶圆表面，获取和对准标记对应的拟合波形，然后通过相似度算法可得到各对准标记之间的波形相似度。波形相似度越高，说明该曝光区域的对称性越好，偏移量越小，甚至不需要调整光刻对准参数。
本实施例中，在对晶圆划分时，可先将波形相似度高的划分出来，然后再基于残余值和信号强度对波形相似度较差的曝光区域进行划分，这样有利于减少划分出的待处理区域的数量，减少光刻对准参数调整次数，加快光刻工艺进程，同时可以保证对准精度。
在其中一个实施例中，所述曝光区域的量测位置数据为基于所述波形拟合信息确定的对应于最强的所述信号强度的所述对准标记的测量位置数据。
在其中一个实施例中，当所述信号强度随所述晶圆半径的增大而规律变化时，所述晶圆被划分成多个呈环形的所述待处理区域。
请一并参见图3和图4，将检测到的信号强度随半径变化而呈现出规律变化时，可根据预设强度范围将晶圆表面划分为一个中心圆和多个圆环。另外，当对准信息与坐标相关时，可依据坐标对晶圆进行划分，如图5所示。若对准信息中的数据毫无规律可循，还可以自行定义待处理区域，如图6所示。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种光刻对准系统，请参见图7，所述光刻对准系统包括测量模块710和处理模块720。
所述测量模块710用于对晶圆的表面状况进行对准量测，获取所述晶圆的对准信息。
所述处理模块720根据所述对准信息对所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。
本实施例中，所述测量模块710可以包括照射器、掩模支承结构支承和扫描设备，照射器包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件、或其任何组合。掩模支承结构支承(即，承受)图案化装置的重量。它以取决于图案化装置的取向、光刻设备的设计和其他条件(例如，图案化装置是否被保持在真空环境中)的方式保持图案化装置。掩模支承结构可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案化装置。掩模支承结构可以是例如框架或台子，其可以根据需要是固定的或可移动的。掩模支承结构可以确保图案化装置例如关于投影系统处于期望的位置。扫描设备用于获取对准信息，如光电探测器等。
在其中一个实施例中，所述对准信息包括信号强度和残余值。本实施例中，同时考虑残余值和信号强度对对准精度的影响，可进一步提高对准精度，有利于更合理的对晶圆进行划分，以及针对划分后的每一待处理区域更合理的设定光刻对准参数。另外，也可单独依据信号强度或残余值对晶圆进行划分。
此外，在其他一些实施例中，所述对准信息还包括波形相似度。可以理解，在对晶圆划分时，可先将波形相似度高的划分出来，然后再基于残余值和信号强度对波形相似度较差的曝光区域进行划分，这样有利于减少划分出的待处理区域的数量，减少光刻对准参数调整次数，加快光刻工艺进程，同时可以保证对准精度。
在其中一个实施例中，所述晶圆的表面具有多个曝光区域，每一所述曝光区域内具有至少一个对准标记；所述测量模块710包括探测单元711和计算单元712。
探测单元711，用于波长不同的对准光源对所述对准标记进行照射，获取每一波长下所述对准标记对应的信号强度和波形拟合信息。
计算单元712，用于根据对应于同一所述波长的所述对准标记的信号强度和所述波形拟合信息，确定在所述波长下每一所述对准标记的量测位置数据；以及，根据所述量测位置数据和所述对准标记的理论位置数据，计算所述对准标记的残余值。
在其中一个实施例中，所述光刻对准参数包括对准光源的波长和光照强度；所述处理模块720包括第一划分处理单元721和第二划分处理单元722。
所述第一划分处理单元721用于对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域的光刻对准需要的对准光源的波长；以及，根据所述对准光源对多个所述曝光区域进行划分，将需要相同波长的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一区域中，形成多个初级划分区域，并确定每一所述初级划分区域的对准光源的波长。
所述第二划分处理单元722用于根据每一所述对准标记的信号强度，对同一所述初级划分区域内的多个曝光区域按照预设信号强度范围进行划分以形成所述待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光照强度。
本实施例中，计算单元712、第一划分处理单元721和第二划分处理单元722可集成在同一芯片中，例如MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)、CPU(Central ProcessingUnit，中央处理器)、DSP(Digital Signal Processing，数字信号处理)或FPGA(FieldProgrammable Gate Array，可编程逻辑器件)等智能芯片。
在本说明书的描述中，参考术语“其中一个实施例”、“其他实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种光刻对准方法，其特征在于，晶圆的表面具有多个曝光区域，每一所述曝光区域内具有至少一个对准标记，所述光刻对准方法包括：
利用波长不同的对准光源对所述对准标记进行照射，获取每一波长下所述对准标记对应的信号强度和波形拟合信息；
根据对应于同一所述波长的所述对准标记的信号强度和所述波形拟合信息，确定在所述波长下每一所述对准标记的量测位置数据；
根据所述量测位置数据和所述对准标记的理论位置数据，计算所述对准标记的残余值；
根据所述信号强度和所述残余值将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。
2.如权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于，所述根据所述信号强度和所述残余值将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数之后，包括：
利用相同的所述光刻对准参数对同一待处理区域内的多个曝光区域进行光刻。
3.如权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于，所述光刻对准参数包括对准光源的波长；
所述根据所述信号强度和所述残余值对所述晶圆表面划分成多个待处理区域，包括：
对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；
确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域光刻对准所需要的对准光源的波长；
将需要相同的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一所述待处理区域中，并确定每一所述待处理区域的对准光源。
4.如权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于，所述光刻对准参数包括对准光源的波长和光照强度；
所述根据所述信号强度和所述残余值对所述晶圆表面划分成多个待处理区域，还包括：
对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；
确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域光刻对准所需要的对准光源的波长；
根据所述对准光源对多个所述曝光区域进行划分，将需要相同波长的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一区域中，形成多个初级划分区域，并确定每一所述初级划分区域的对准光源的波长；
根据每一所述对准标记的信号强度，对同一所述初级划分区域内的多个曝光区域按照预设信号强度范围进行划分以形成所述待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的所述光照强度。
5.如权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于，所述曝光区域的量测位置数据为基于所述波形拟合信息确定的对应于最强的所述信号强度的所述对准标记的测量位置数据。
6.如权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于，所述对准标记的残余值为所述对准标记的量测位置数据与所述对准标记的理论位置数据的标准差。
7.如权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于，当所述信号强度随所述晶圆半径的增大而规律变化时，所述晶圆被划分成多个呈环形的所述待处理区域。
8.如权利要求7所述的光刻对准方法，其特征在于，所述信号强度随半径增大而增强。
9.一种光刻对准系统，其特征在于，晶圆的表面具有多个曝光区域，每一所述曝光区域内具有至少一个对准标记，所述光刻对准系统包括：
测量模块，包括探测单元及计算单元，所述探测单元用于利用波长不同的对准光源对所述对准标记进行照射，获取每一波长下所述对准标记对应的信号强度和波形拟合信息；所述计算单元用于根据对应于同一所述波长的所述对准标记的信号强度和所述波形拟合信息，确定在所述波长下每一所述对准标记的量测位置数据；以及根据所述量测位置数据和所述对准标记的理论位置数据，计算所述对准标记的残余值；
处理模块，根据所述信号强度和所述残余值对所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数。
10.如权利要求9所述的光刻对准系统，其特征在于，所述根据所述信号强度和所述残余值将所述晶圆划分成多个待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光刻对准参数之后，所述处理模块还包括：
用于利用相同的所述光刻对准参数对同一待处理区域内的多个曝光区域进行光刻。
11.如权利要求9所述的光刻对准系统，其特征在于，所述光刻对准参数包括对准光源的波长；所述处理模块还用于：对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域光刻对准所需要的对准光源的波长；将需要相同的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一所述待处理区域中，并确定每一所述待处理区域的对准光源。
12.如权利要求9所述的光刻对准系统，其特征在于，所述光刻对准参数包括对准光源的波长和光照强度；所述处理模块包括：
第一划分处理单元，用于对同一所述对准标记对应的多个残余值进行比较，确定所述多个残余值中的最小残余值；确定所述对准标记的最小残余值对应的对准光源，并将所述对准光源的波长作为相应曝光区域的光刻对准需要的对准光源的波长；以及，根据所述对准光源对多个所述曝光区域进行划分，将需要相同波长的所述对准光源的所述曝光区域划分到同一区域中，形成多个初级划分区域，并确定每一所述初级划分区域的对准光源的波长；和
第二划分处理单元，用于根据每一所述对准标记的信号强度，对同一所述初级划分区域内的多个曝光区域按照预设信号强度范围进行划分以形成所述待处理区域，并确定每一所述待处理区域对应的光照强度。
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