CN114063395A - 用于制造或设置投射曝光设备的方法 - Google Patents

用于制造或设置投射曝光设备的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114063395A
CN114063395A CN202110890294.XA CN202110890294A CN114063395A CN 114063395 A CN114063395 A CN 114063395A CN 202110890294 A CN202110890294 A CN 202110890294A CN 114063395 A CN114063395 A CN 114063395A
Authority
CN
China
Prior art keywords
optimization
mask
wavefront
imaging
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110890294.XA
Other languages
English (en)
Inventor
R.弗雷曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of CN114063395A publication Critical patent/CN114063395A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于制造或设置投射曝光设备的方法，投射曝光装置包括光源、照明系统和投射镜头且用于对掩模的结构进行成像，其中投射镜头包括多个光学部件，光学部件能够被调整以便设置投射曝光设备的成像性质，其中方法包括应该被优化的第一成像性质的确定，其中，出于优化第一成像性质的目的，照明系统的设置和/或掩模的结构和/或投射镜头的至少一个第一可调节光学元件关于其至少一个光学有效表面的一个的形状或关于光学效应进行优化以达到设置工作光的优化波前的目的，其中对照明系统、掩模和/或投射镜头的光学元件的优化被实现为，使得投射曝光设备的操纵波前的至少一个其他操纵器在第一成像性质的优化期间设置在其操纵范围的中央位置。

Description

用于制造或设置投射曝光设备的方法
本专利申请要求德国专利申请DE 10 2020 209 784.4的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
发明背景
技术领域
本发明涉及用于制造或设置投射曝光设备的方法，该投射曝光设备包括光源、照明系统和投射镜头并且用于成像掩模的结构，特别地涉及用于优化成像性质的方法。
背景技术
在微光刻中，投射曝光设备用于为微电子或微系统技术制造微结构或纳米结构的部件。由于对应部件的小型化进展，需要以合适的方式可靠地对具有甚至更小尺寸的结构进行成像。因此，已经使用的是，使用极紫外光(EUV光)操作的投射曝光设备以进一步改进对应投射曝光设备的分辨率。
此外，进一步已知与投射曝光设备的照明系统的合适照明设置的设置有关和与掩模的结构的设计有关的优化方法，以便能够可靠地成像具有最小可能结构宽度和小结构间隔的结构。这样的优化方法在分辨率增强技术(RET)的标题下是已知的，并且在美国专利US9 588 438 B2和US9 041 908 B2中进行描述，其公开内容在此明确并完全并入本申请的公开内容中.
这些描述的文件特别地描述源掩模优化(SMO)方法、源掩模透镜优化(SMLO)方法、源掩模光瞳优化(SMPO)方法、掩模波前优化(MWO)方法、源掩模波前优化(SMWO)方法和源掩模偏振波前优化(SMPWO)方法，它们也用于本发明的方法中。因此，本发明表示上述美国专利中描述的方法的发展。
发明内容
发明目的
因此，本发明的目的是在投射曝光设备的成像性质中获得进一步改进。在该过程中，对应的方法应该能够以合理的费用容易且可靠地实施。
技术方案
该目的是通过具有权利要求1的特征的用于制造或设置投射曝光设备的方法来实现。本发明的有利配置是从属权利要求的主题。
本发明提出最初确定应该优化的第一成像性质。
作为示例，第一成像性质可以包括对掩模相关的像差的校正的优化，特别是由于结构宽度或结构间隔而对关键结构成分的成像的优化或对某些结构的分辨率的优化或对像差校正的优化。
最初，优化照明系统的设置以优化第一成像性质。替代地或附加地，同样可以优化掩模的结构以优化第一成像性质。此外，替代地或附加地，通过投射镜头的至少一个第一可调光学元件优化工作光的波前，其中投射镜头的第一可调光学元件在其至少一个光学有效表面中的一个光学有效表面的形状或其光焦度方面进行优化。
首先，可以针对第一成像性质的该优化实行模拟和/或计算，其中能够使用现有技术的各种方法。在该情况下，可以使用对应的分辨率增强技术(RET)，如上面引用的美国专利中所描述。特别地，可以使用光学邻近校正(OPC)、相移掩模(PSM)的应用、亚分辨率辅助特征(SRAF)的应用、源掩模优化(SMO)、源掩模透镜优化(SMLO)、源掩模光瞳优化(SMPO)、掩模波前优化(MWO)、源掩模波前优化(SMWO)和源掩模偏振波前优化(SMPWO)的方法。
此外，照明系统和/或掩模和/或投射镜头的光学元件关于第一成像性质被优化为使得，此外，用于操纵波前的至少一个操纵器、优选地投射曝光装置的多个或所有操纵器，在第一成像性质的优化期间被设置在它们相应操纵范围的中央位置，该操纵器不用于设置照明系统和/或投射镜头的第一可调光学元件。因此，照明系统和/或掩模和/或投射镜头的第一可调节光学元件在附加操纵器被设置到操纵范围的中央位置中的边界条件下进行优化。这实现的是，在第一成像性质的优化之后，最大操纵范围可用于波前的进一步操纵以达到校正其他成像性质的目的。特别地，如果在投射曝光设备的操作期间引入附加像差，例如由于光学元件加热，这使得可以通过进一步操纵波前来校正所述附加像差。
在第一成像性质的优化期间可以用于优化波前的投射镜头的至少一个光学元件可以是反射镜，其光学有效表面，即反射镜表面的形状被更改。特别地，对应的光学元件可以是可形变反射镜，其具有促进反射镜表面的形状改变的致动器。此外，用于操纵波前的投射镜头的光学元件也可以是折射光学元件，其光学有效表面的形状和/或其折射率例如通过局部加热等被更改。
如果在优化第一成像性质期间使用可形变反射镜，则可形变反射镜或对应的致动器可以被设置为使得，在设置光学有效表面、即反射镜表面的形状之后，对于优化的第一成像性质，致动器出现在与形变范围相关的中央位置，使得可形变反射镜的连续形变在致动器的最大致动范围内是可能的。
投射曝光设备的用于操纵波前的其他操纵器(其在第一成像性质的优化期间被设置在操纵范围的中央位置)可以是其他光学元件，所述其他光学元件可以在移动范围内更改它们的位置和/或对准以达到操纵波前的目的。在EUV投射曝光设备的情况下，这些可以是例如投射镜头的其他反射镜，该反射镜在它们的位置和/或对准方面是可更改的。
为了能够在第一成像性质的优化期间将其他操纵器设置在操纵范围的中央位置，方法还可以包括捕获所有操纵器以及确定操纵器的整个操纵范围的步骤。
可以为了各种像差，特别是根据各种泽尼克多项式，确定其他操纵器的操纵范围。
附图说明
附图仅示意性地示出
图1中，EUV投射曝光设备的示意图；
图2中，根据本发明的方法的流程图；
图3中，可形变反射镜的示意图，如可以用于图1的投射曝光设备；
图4中，图1的EUV投射曝光设备的照明设置的光瞳平面中的强度分布的示意图；
图5中，图1的投射曝光设备中使用的具有亚分辨率辅助结构的掩模的一部分的示意图；以及
图6中，图1的投射曝光设备的根据泽尼克多项式的各种像差的操纵范围的示意图。
具体实施方式
根据示例性实施例的以下详细描述，本发明的其他优点、特性和性质将变得显而易见。然而，本发明不限于这些示例性实施例。
图1示出了本发明可以用于生产或设置的EUV投射曝光设备1的示意图。图1中图示的EUV投射曝光设备1包括光源单元2和照明系统3和投射镜头4，通过它们掩模5的结构以缩小的方式成像在晶片6上。照明系统3包括场分面反射镜7和光瞳分面反射镜8、以及第一望远镜反射镜9和第二望远镜反射镜10以及偏转反射镜11，通过它们准备光源2的EUV光以照明掩模5。
投射镜头4包括六个反射镜12至17，其中这些反射镜中的一个可以实施为第一可调节光学元件，例如具有可形变反射镜的形式，使得可以通过设置反射镜的表面形状在投射镜头4中生成EUV光的期望波前，使得促进掩模5在晶片6上的优化成像。
图2示出了根据本发明的用于设置投射曝光设备1的方法的顺序。
首先，确定要优化的第一成像性质，例如对要优化的掩模的某些结构进行成像或者当对掩模上的相邻结构进行成像时对所谓的邻近效应的校正，如在光学邻近校正的情况下(OPC)。
为此，模拟和计算最初确定照明系统中应采用照明设置的何种设置(例如如图4所图示)以及掩模应具有何种结构(例如图5所图示)，以促进第一成像性质的优化或引起所谓的邻近效应的校正。此外，确定用于第一成像性质的这样的优化的最佳波前的可能外观。
在对照明设置、掩模的结构和波前的设置进行模拟和计算之后，确定用于操纵波前的可用操纵器，并且计算操纵器的整个可用操纵范围。
随后，对于投射镜头的第一可调节光学元件，考虑到对照明设置、掩模的结构和所需波前的确定设置而采取该光学元件的对应设置，使得首先通过设置第一可调光学元件和由此生成的波前操纵来确保第一成像性质的优化，其次，将诸如投射曝光设备中存在的其他可调光学元件的其他操纵器设置在它们的操纵范围的中央。
作为示例，如图3所图示的可形变反射镜20可以用作第一可调光学元件。例如，可形变反射镜20可以以在反射镜表面处出现抬高和/或凹陷的方式形变，如通过图3中的轮廓线19所图示。使用该可形变反射镜20和对应反射镜表面的设置，可以将波前操纵为使得该波前对应于波前的确定设置以用于第一成像性质的优化，即，例如用于当对掩模的相邻结构进行成像时校正邻近效应。此外，可形变反射镜还可以被构造或设置为使得用于设置所需形变的致动器位于它们的致动范围的中央位置中，从而可形变反射镜的进一步形变在最大致动范围内是可能的。
同时，投射曝光设备的其他操纵器、特别是投射镜头的其他操纵器被设置在它们的操纵范围的中央位置，从而在这些操纵范围中也确保最大操纵范围。作为示例，如果反射镜14在EUV投射曝光设备1中实施为可形变反射镜20，例如剩余的反射镜12和15至17可以在它们的位置和/或对准方面变化，以便因此生成波前的操纵。
根据本发明的有利实施例，第一可调节光学元件(即可形变反射镜14、20)基于对操纵器的整个可用操纵范围的确定来设置，使得剩余反射镜12和15至17位于它们的操作范围的中央，从而为投射曝光设备的其他操作和其他成像性质的校正提供最多的其他操作选项，例如，如果由于反射镜加热而需要对波前进行适配等。如果操纵范围由反射镜12和15至17的位置和/或对准范围给定，则操纵范围的中央相应地位于相应位置和/或对准范围的中央位置处。
除了可以通过大量致动器在整个反射镜表面之上以某种方式形变的可形变反射镜以外，还可以使用一反射镜，该反射镜的反射镜表面根据本发明的结果成形且相应地被固定。因此，在这样的反射镜的情况下的形状在操作之前被设置，并且在投射曝光设备的操作期间其他成像性质的校正可以通过设置其他操纵器来进行。相比之下，在可形变反射镜作为第一可调节光学元件的情况下，可以在任何需要的时间以可变的方式采取对应的适配。
对于不同像差，图6通过适当叉号示出了在设置根据本发明的投射曝光设备之后根据泽尼克多项式的不同操纵范围以及相应操纵范围中的所设置的波前的位置。从图6可以明显看出，根据本发明的设置实现的是大的操纵范围仍然可用于设置其他成像性质或用于校正在投射曝光设备的操作期间可能出现的其他像差。虽然其他可用的操纵器的全体都被设置为使得如以示例性实施例所示的，要利用其整体操纵的成像性质或像差各自位于操纵范围的中央位置，还可以提供单独的其他操纵器或者还可以各自提供单独的其他操纵器以在操纵范围的对应中央位置中用于成像性质的某些设置或像差的校正。
尽管已经基于示例性实施例详细地描述本发明，但是对于本领域技术人员显而易见的是，本发明不限于这些示例性实施例，而是可以是修改例，从而在没有背离所附的权利要求的保护范围的情况下，可以省略单独特征或者可以实现特征的不同组合类型。特别地，本公开涵盖在各种示例性实施例中所示的单独特征的所有组合，使得仅结合一个示例性实施例描述的单独特征也可以用在其他示例性实施例中或在单独特征的未明确示出的组合中使用。
附图标记列表
1 投射曝光设备
2 光源单元
3 照明系统
4 投射镜头
5 掩模母版或掩模
6 晶片
7 场分面反射镜
8 光瞳分面反射镜
9 第一望远镜反射镜
10 第二望远镜反射镜
11 偏转反射镜
12 第一反射镜
13 第二反射镜
14 第三反射镜
15 第四反射镜
16 第五反射镜
17 第六反射镜
19 轮廓线
20 可形变反射镜
21 光瞳
22 强度最大值
23 结构部件
24 亚分辨率辅助特征(SRAF)

Claims (9)

1.一种用于制造或设置投射曝光设备(1)的方法，所述投射曝光装置包括光源(2)、照明系统(3)和投射镜头(4)并且用于对掩模(5)的结构进行成像，其中所述投射镜头包括多个光学部件，所述光学部件能够被调整以便设置所述投射曝光设备的成像性质，其中所述方法包括应该被优化的第一成像性质的确定，其中，出于优化所述第一成像性质的目的，所述照明系统(2)的设置和/或所述掩模(5)的结构和/或所述投射镜头的至少一个第一可调节光学元件(14)关于其至少一个光学有效表面中的一个光学有效表面的形状或关于光学效应进行优化以达到设置工作光的优化波前的目的，
并且其中对照明系统(2)、掩模(5)和/或所述投射镜头(4)的光学元件(14)的优化被实现为，使得所述投射曝光设备的用于操纵所述波前的至少一个其他操纵器(12，15-17)在所述第一成像性质的优化期间被设置在其操纵范围的中央位置。
2.如权利要求1所述的方法，
其中
所述投射镜头(4)的至少一个光学元件(14)是反射镜，特别是可形变反射镜，或者折射光学元件，所述反射镜的光学有效表面的形状在操作期间被更改或预先被更改，所述折射光学元件的光学有效表面的形状和/或折射率被更改。
3.如权利要求2所述的方法，
其中
用于优化所述第一成像性质的可形变反射镜(14、20)被设置为使得用于所优化的第一成像性质的光学有效表面的形状被设置在关于形变范围的中央位置。
4.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其中
在所述第一成像性质的优化期间，用于操纵所述波前的投射曝光设备的多个、特别是所有的其他操纵器(12，15-17)被设置在它们的操纵范围的中央位置。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其中
所述波前的至少一个其他操纵器是所述投射镜头的光学元件(12，15-17)，其能够出于操纵所述波前的目的在其位置和/或对准方面在移动范围内被更改，其中，在优化所述第一成像性质期间，所述光学元件(12，15-17)布置在所述移动范围的中央位置。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其中
所述第一成像性质的优化包括对掩模相关的像差的校正的优化，特别是由于结构宽度或结构间隔而对关键结构成分的成像的优化或某些结构的分辨率的优化或对像差的校正的优化。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其中
通过包括以下的组的至少一个过程实行所述第一成像性质的优化：分辨率增强技术(RET)、光学邻近校正(OPC)、相移掩模(PSM)的应用、亚分辨率辅助特征(SRAF)的应用、源掩模优化(SMO)、源掩模透镜优化(SMLO)、源掩模光瞳优化(SMPO)、掩模波前优化(MWO)、源掩模波前优化(SMWO)和源掩模偏振波前优化(SMPWO)。
8.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其中
所述方法包括捕获所有其他操纵器以及确定所述操纵器的整个操纵范围的步骤。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其中
为各种像差，特别是根据各种泽尼克多项式，确定所述其他操纵器的操纵范围，其中特别地，所述投射曝光设备的用于操纵波前的其他操纵器在所述第一成像性质的优化期间根据多个像差的泽尼克多项式而设置在所述操纵范围的中央位置。
CN202110890294.XA 2020-08-04 2021-08-04 用于制造或设置投射曝光设备的方法 Pending CN114063395A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020209784.4A DE102020209784A1 (de) 2020-08-04 2020-08-04 Verfahren zur herstellung oder einstellung einer projektionsbelichtungsanlage
DE102020209784.4 2020-08-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114063395A true CN114063395A (zh) 2022-02-18

Family

ID=76807474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110890294.XA Pending CN114063395A (zh) 2020-08-04 2021-08-04 用于制造或设置投射曝光设备的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220043358A1 (zh)
EP (1) EP3951501A1 (zh)
CN (1) CN114063395A (zh)
DE (1) DE102020209784A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116859682A (zh) * 2023-08-31 2023-10-10 光科芯图(北京)科技有限公司 一种掩模的曝光标定装置及方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10146499B4 (de) * 2001-09-21 2006-11-09 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens drei optischen Elementen
DE102008011501A1 (de) * 2008-02-25 2009-08-27 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Betreiben eines Beleuchtungssystems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
NL2007642A (en) 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Optimization flows of source, mask and projection optics.
JP6186352B2 (ja) * 2011-05-30 2017-08-23 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ用の投影露光装置の光学素子を動かす方法
DE102015201020A1 (de) * 2015-01-22 2016-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit Manipulator sowie Verfahren zum Steuern einer Projektionsbelichtungsanlage

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116859682A (zh) * 2023-08-31 2023-10-10 光科芯图(北京)科技有限公司 一种掩模的曝光标定装置及方法
CN116859682B (zh) * 2023-08-31 2023-12-08 光科芯图(北京)科技有限公司 一种掩模的曝光标定装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220043358A1 (en) 2022-02-10
EP3951501A1 (de) 2022-02-09
DE102020209784A1 (de) 2022-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7208953B2 (ja) Ｅｕｖマイクロリソグラフィのための投影レンズ、投影露光装置、及び投影露光方法
KR100506497B1 (ko) 조명장치, 그것을 이용한 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP5768124B2 (ja) マスクによって生じる結像収差の補正を用いて投影露光装置を作動させる方法
JP5071385B2 (ja) 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP5094836B2 (ja) マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置
JP5047544B2 (ja) リソグラフィ投影対物系の補正方法およびリソグラフィ投影対物系
JP2008544531A (ja) 瞳ファセットミラー上に減衰素子を備えた二重ファセット照明光学系
KR20080038087A (ko) 투영 대물 렌즈의 결상 특성을 개선하기 위한 방법, 및그와 같은 투영 대물 렌즈
JP2007013179A5 (zh)
US20100233598A1 (en) Pattern correcting apparatus, mask-pattern forming method, and method of manufacturing semiconductor device
TW201702756A (zh) 微影投射設備的操作方法
WO2007111146A1 (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
CN114063395A (zh) 用于制造或设置投射曝光设备的方法
JP5541604B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5326733B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5182588B2 (ja) オプティカルインテグレータ、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010097975A (ja) 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR20170136447A (ko) 노광 조건의 결정 방법, 컴퓨터 프로그램, 정보 처리 장치, 노광 장치 및 물품 제조 방법
JP5201061B2 (ja) 補正フィルター、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5190804B2 (ja) 減光ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2004311742A (ja) 光学系の調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法
US10955754B2 (en) Microlithographic projection exposure apparatus
JP5187631B2 (ja) 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US8107054B2 (en) Microlithographic projection exposure apparatus
CN117784526A (zh) 掩模图案光学转移的最适化方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20220218