CN114063336A - 黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏 - Google Patents

黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏 Download PDF

Info

Publication number
CN114063336A
CN114063336A CN202010762361.5A CN202010762361A CN114063336A CN 114063336 A CN114063336 A CN 114063336A CN 202010762361 A CN202010762361 A CN 202010762361A CN 114063336 A CN114063336 A CN 114063336A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sacrificial
substrate
patterns
black matrix
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010762361.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114063336B (zh
Inventor
李健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd
Original Assignee
Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd filed Critical Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd
Priority to CN202010762361.5A priority Critical patent/CN114063336B/zh
Priority to US17/203,018 priority patent/US11641761B2/en
Priority to EP21165094.0A priority patent/EP3945610A1/en
Publication of CN114063336A publication Critical patent/CN114063336A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114063336B publication Critical patent/CN114063336B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching

Abstract

本发明提供一种黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏，所述黑矩阵的制作方法包括：提供基板；在所述基板上形成牺牲层，所述牺牲层包括多个牺牲图形；在所述牺牲层上形成遮光膜层，所述遮光膜层包括多个第一遮光图形和多个第二遮光图形，所述第二遮光图形与相邻的第一遮光图形通过所述牺牲图形间隔开；去除所述牺牲层及所述第二遮光图形，形成黑矩阵。通过设置牺牲图形，使第一遮光图形和第二遮光图形间隔设置，使得第二遮光图形能够和牺牲层一起去除，从而实现遮光膜层的图形化，获得位置精度较高的黑矩阵。

Description

黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏。
背景技术
黑矩阵(Black Matrix)是显示领域中常用的一种遮光结构。在黑矩阵的制作过程中，由于黑矩阵的材料为黑色，因而会遮挡对位结构，因而难以对黑矩阵进行准确的对位，导致工艺窗口小，黑矩阵的位置精度低，进而会影响到显示效果。目前主要通过改进材料，并结合不同的曝光对位形式进行改善，但这依赖于材料厂商的开发进度，实际改善效果也有限，而且改变对位方式对设备也有限制。
发明内容
为了解决相关技术中存在的问题，本发明提供一种黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏。
本发明提供一种黑矩阵的制作方法，所述黑矩阵的制作方法包括：提供基板；在所述基板上形成牺牲层，所述牺牲层包括多个牺牲图形；在所述牺牲层上形成遮光膜层，所述遮光膜层包括多个第一遮光图形和多个第二遮光图形，所述第二遮光图形与相邻的第一遮光图形通过所述牺牲图形间隔开；去除所述牺牲层及所述第二遮光图形，形成黑矩阵。
进一步的，在所述基板上形成牺牲层的步骤，包括：在所述基板上涂布负性光刻胶；对负性光刻胶进行局部曝光处理；对未进行曝光处理的负性光刻胶进行腐蚀处理，并去除未进行曝光处理的负性光刻胶，形成所述多个牺牲图形。
进一步的，所述牺牲图形包括第一牺牲图形及位于第一牺牲图形上的第二牺牲图形，所述第一牺牲图形在所述基板上的正投影，位于所述第二牺牲图形在基板上的正投影的内部。
进一步的，所述第一牺牲图形位于相邻的两个第一遮光图形之间，所述第二遮光图形位于所述第二牺牲图形上。
进一步的，在所述基板上形成牺牲层的步骤，包括：在所述基板上形成第一子膜层，所述第一子膜层包括所述多个第一牺牲图形；在所述第一子膜层上形成第二子膜层，所述第二子膜层包括所述多个第二牺牲图形。
进一步的，所述遮光膜层在第一方向上的尺寸小于所述第一牺牲图形在第一方向上的尺寸，所述第一方向为所述基板和所述牺牲层的排列方向。
进一步的，所述黑矩阵的制作方法还包括：在所述牺牲层上形成遮光膜层之后，通过灰化处理工艺去除位于所述第一遮光图形和所述第二遮光图形之间的部分遮光膜层。
进一步的，去除所述牺牲层及所述第二遮光图形的步骤，包括：通过显影液对所述牺牲层进行溶解，清洗并剥离所述牺牲层及所述牺牲层上的第二遮光图形。
进一步的，所述牺牲层的材料包括聚异戊二烯，所述显影液的材料包括二甲苯或四甲基氢氧化铵。
本发明还提供一种彩膜基板的制作方法，所述彩膜基板的制作方法包括：通过如前所述的黑矩阵的制作方法制作黑矩阵；在所述黑矩阵上形成彩膜层，所述彩膜层包括多个色阻，各个所述色阻位于相邻的两个第一遮光图形之间。
进一步的，所述基板包括OLED显示基板或液晶显示基板。
本发明还提供一种黑矩阵，其通过前述任一种黑矩阵的制作方法制作。
本发明还提供一种彩膜基板，所述彩膜基板包括如前所述的黑矩阵。
本发明还提供一种显示屏，所述显示屏包括如前所述的彩膜基板。
本发明还提供一种电子设备，所述电子设备包括如前所述的显示屏。
通过设置牺牲图形，使第一遮光图形和第二遮光图形间隔设置，使得第二遮光图形能够和牺牲层一起去除，从而实现遮光膜层的图形化，获得位置精度较高的黑矩阵。
附图说明
图1是本发明一种实施方式的黑矩阵的制作方法的流程示意图。
图2是本发明基板的剖视示意图。
图3是在基板上形成牺牲层的一种实施方式的剖视示意图。
图4是在牺牲层上形成遮光层的剖视示意图。
图5是在基板上形成遮光层的剖视示意图，其中第一遮光图形和第二遮光图形之间的部分遮光膜层未被去除。
图6是在基板上形成牺牲层的另一种实施方式的剖视示意图。
图7是剥离牺牲层及第二遮光图形的剖视示意图。
图8是本发明一种实施方式的彩膜基板的制作方法的流程示意图。
图9是在黑矩阵上形成色阻的剖视示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施方式进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施方式中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置的例子。
在本发明使用的术语是仅仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本发明。除非另作定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
本发明提供一种黑矩阵的制作方法，所述黑矩阵的制作方法包括：提供基板；在所述基板上形成牺牲层，所述牺牲层包括多个牺牲图形；在所述牺牲层上形成遮光膜层，所述遮光膜层包括多个第一遮光图形和多个第二遮光图形，所述第二遮光图形与相邻的第一遮光图形通过所述牺牲图形间隔开；去除所述牺牲层及所述第二遮光图形，形成黑矩阵。其中，“牺牲层”是指在制作目标膜层(例如遮光膜层)之前形成、且在目标膜层形成之后去除的膜层，即最终产品中不存在牺牲层。牺牲层主要起分隔作用，例如这里用于分隔第一遮光图形和第二遮光图形。“牺牲图形”对应为牺牲层的图形。
请结合图1至图7，本实施方式中，黑矩阵的制作方法包括：
步骤S10：提供基板1。
步骤S20：在所述基板1上形成牺牲层2；其中，所述牺牲层2包括多个牺牲图形20。
步骤S30：在所述牺牲层2上形成遮光膜层3；其中，所述遮光膜层3包括多个第一遮光图形31和多个第二遮光图形32，所述第二遮光图形32与相邻的第一遮光图形31通过所述牺牲图形20间隔开。
步骤S40：去除所述牺牲层2及所述第二遮光图形32，保留所述第一遮光图形31，形成黑矩阵。
请结合图2，本实施方式中，所述基板1和牺牲层2排列的方向为第一方向Y。所述基板1包括沿第一方向Y排列的显示基板11及封装层12，所述显示基板11例如为OLED显示基板。黑矩阵可以实现降低反射的作用，因而在封装层12上形成黑矩阵，可省去圆偏光片结构，即通常所说的POL-less技术(无偏光片技术)，取消圆偏光片可以较大程度地降低OLED显示屏(包括OLED显示基板及黑矩阵)的厚度，设置黑矩阵也有利于提升OLED显示屏的显示亮度和对比度。当OLED显示基板为柔性OLED显示基板时，对厚度的要求更高，因而POL-less技术更加适用于柔性OLED显示屏。
可以理解的是，OLED显示基板能够实现基本的显示功能，其包括阳极、发光结构、阴极等结构，在阳极被电压驱动时能够实现正常显示。在一些实施方式中，显示基板11还可以是液晶显示基板，此时基板未设置封装层12。液晶显示基板可包括阵列基板、液晶层及对置基板等结构，这里的对置基板并不包括(或者说，尚未形成)彩膜基板，黑矩阵的制作方法可用于制作彩膜基板的黑矩阵。在另一些实施方式中，基板1也可以是不具有显示功能的单个膜层，或多个膜层的叠层结构。
请结合图3，所述步骤S20包括：
在所述基板1上形成第一子膜层201，所述第一子膜层201包括多个第一牺牲图形21；
在所述第一子膜层201上形成第二子膜层202，所述第二子膜层202包括多个第二牺牲图形22。
可以理解的是，第一子膜层201和第二子膜层202的形成过程包含了沉积工艺和图形化工艺。
牺牲层2由第一子膜层201和第二子膜层202共同形成，牺牲图形20由第一牺牲图形21及位于第一牺牲图形21上的第二牺牲图形22共同形成，所述牺牲图形20大致呈“T”字形。第一子膜层201和第二子膜层202可以由同种材料制成，也可以分别由不同材料制成。本实施方式中优选不同的材料，例如，第一子膜层201的材质包括负性光刻胶，第二子膜层202可选择常规的有机材料或无机材料。在后续的步骤S40中，在第一子膜层201被特定的显影液溶解后，第二子膜层202及第二遮光图形32可随第一子膜层201一起被剥离。
在步骤S20中，负性光刻胶的曝光部分会产生交联(cross linking)，使其结构加强而不易溶解，而未曝光部分的负性光刻胶则可被常规的显影液(例如正庚烷溶液)溶解，因而未曝光部分的负性光刻胶容易去除。由于负性光刻胶并非由黑色材料制成，因而可通过曝光进行图案化，比较容易获得精度较高且质量较好的图案(pattern)，即第一牺牲图形21及第二牺牲图形22。
请结合图4，所述步骤S30包括：
步骤S31：在所述牺牲层2上形成遮光膜层3；
步骤S32：对所述遮光膜层3进行曝光。
请结合图3及图4，所述第一牺牲图形21位于相邻的两个第一遮光图形31之间，所述第二遮光图形32位于所述第二牺牲图形22上。所述第一牺牲图形21在所述基板1上的正投影，位于所述第二牺牲图形22在基板1上的正投影的内部，也就是说，第一牺牲图形21的周向尺寸小于第二牺牲图形22的周向尺寸，换言之，第一牺牲图形21和第二牺牲图形22在相连的区域存在一定的段差，所述周向垂直于第一方向Y。在遮光膜层3的沉积过程中，被激发的粒子的运动方向是随机的，因而可以到达第二牺牲图形22的下方。
由于第一牺牲图形21和第二牺牲图形22在相连的区域存在段差，因此遮光膜层3在牺牲图形20处(主要为第一遮光图形31的侧表面)会自然断开。请结合图5，如果在牺牲图形20上仍存在少量遮光膜层3A残留，且位于第一遮光图形31和第二遮光图形32之间，可以通过灰化处理工艺来去除位于所述第一遮光图形31和第二遮光图形32之间的这部分遮光膜层。也就是说，在灰化处理工艺后，第一遮光图形31和相邻的第二遮光图形32完全间隔开。可选的，灰化处理工艺可选择等离子灰化处理工艺。
为了避免灰化处理工艺在消除残留的少量遮光膜层3A的同时，也消除了第一遮光图形，进而影响遮光效果，可以适当增大第一遮光图像的厚度(在第一方向Y上的尺寸)。
请结合图6，在另一实施方式中，所述步骤S20包括：
在所述基板1上涂布负性光刻胶；
对负性光刻胶进行局部曝光处理；
对未进行曝光处理的负性光刻胶进行腐蚀处理，并去除未进行曝光处理的负性光刻胶，形成所述多个牺牲图形20。
在本实施方式中，牺牲图形20大致呈倒置的梯形，遮光膜层3在牺牲图形20处(主要为梯形的侧表面)也能够断开，如果第一遮光图形31和第二遮光图形32之间有部分遮光膜层残留，可以通过灰化处理工艺来去除。相比于前述实施方式，本实施方式只需进行一次图形化工艺，有利于简化工艺，降低设备成本。
在其他实施方式中，牺牲图形还可以呈其他下窄上宽(靠近基板的一端窄，远离基板的一端宽)的形状，只要能够将第一遮光图形31和第二遮光图形32间隔开即可。
请结合图7，所述步骤S40包括：通过特定显影液对所述第一牺牲图形21及第二牺牲图形22进行溶解，清洗并剥离第一牺牲图形21、第二牺牲图形22及设置于所述第二牺牲图形22上的第二遮光图形32。
本实施方式中，负性光刻胶可选择能够在特定显影液中溶解的有机感光材料，例如聚异戊二烯。对应的特定显影液的材料包括二甲苯或四甲基氢氧化铵(TMAH)。在显影过程中，二甲苯或四甲基氢氧化铵溶液不会对其他结构造成损伤，例如基板和遮光膜层。当然，负性光刻胶的材质还可以选择聚肉桂酸酯类物、聚烃类物等材料。在其他实施方式中，除负性光刻胶外，牺牲层还可以包含其他牺牲材料，且在后续的步骤S40中与负性光刻胶一起剥离，例如增感剂和溶剂。
容易理解的是，由于第一遮光图形31和相邻的第二遮光图形32完全间隔开，而第二遮光图形32设置于第二牺牲图形22上，因而在第二牺牲图形22被特定的显影液溶解时，会随第一牺牲图形21、第二牺牲图形22一起被剥离。
相邻的两个第一遮光图形31之间形成开口30，所述第一牺牲图形21所在的区域即为所述开口30所在的区域，由于第一牺牲图形21的位置精度较高且质量较好，因此开口30的位置精度较高且质量较好，从而实现了黑矩阵的精确定位，而无需另外设置对位结构(自然也不存在对位机构被黑矩阵遮挡的问题)，有利于提高黑矩阵的位置精度和分辨率，减小不同显示区域因黑矩阵的差异而引起的显示不均的现象，从而提高具有该黑矩阵的显示屏的显示效果。
另一方面，本发明还提供一种彩膜基板的制作方法。请结合图3、图4及图7至图9，所述彩膜基板的制作方法包括：
步骤S10：提供基板1。
步骤S20：在所述基板1上形成牺牲层2；其中，所述牺牲层2包括多个牺牲图形20。
步骤S30：在所述牺牲层2上形成遮光膜层3；其中，所述遮光膜层3包括多个第一遮光图形31和多个第二遮光图形32，所述第二遮光图形32与相邻的第一遮光图形31通过所述牺牲图形20间隔开。
步骤S40：去除所述牺牲层2及所述第二遮光图形32，保留所述第一遮光图形31，形成黑矩阵。
步骤S50：在所述黑矩阵上形成多个色阻，各个所述色阻位于相邻的两个第一遮光图形31之间。需要注意的是，“在所述黑矩阵上形成多个色阻”仅表示色阻在黑矩阵形成后制作，并不表示两者的位置关系。
本实施方式中，色阻为红色色阻41、绿色色阻42或蓝色色阻43。当基板1包括OLED显示基板时，彩膜基板的黑矩阵有利于降低OLED显示屏表面的反射光，彩膜基板的色阻有利于增大OLED显示屏的色域，从而提升OLED显示屏的显示效果。当基板1包括液晶显示基板时，彩膜基板可直接是液晶屏的对置基板(通常还包括衬底、公共电极等结构)的一部分。
此外，本发明还提供一种彩膜基板，所述彩膜基板包括如前所述的黑矩阵。所述彩膜基板通过所述彩膜基板的制作方法制成。
本发明还提供一种显示屏，所述显示屏包括所述彩膜基板及所述显示基板。当所述显示基板11为OLED显示基板时，显示屏对应为OLED显示屏，同时显示屏还包括对所述显示基板11进行封装的封装层12。彩膜基板的黑矩阵有利于降低OLED显示屏表面的反射光，彩膜基板的色阻有利于增大OLED显示屏的色域，从而提升OLED显示屏的显示效果。当显示基板11为液晶显示基板时，显示屏对应为液晶显示屏，通常，液晶显示基板上不设置封装层。
本发明还提供一种电子设备，所述电子设备包括如前所述的显示屏。电子设备例如为手机、平板电脑等具有显示屏的设备。当然，电子设备还包括处理器、存储器、电源组件、通讯组件等元器件，本实施方式不再一一细述。
通过设置牺牲图形，使第一遮光图形和第二遮光图形间隔设置，使得第二遮光图形能够和牺牲层一起去除，从而实现遮光膜层的图形化，获得位置精度较高的黑矩阵。
以上所述仅是本发明的较佳实施方式而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施方式揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施方式，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施方式所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (15)

1.一种黑矩阵的制作方法，其特征在于，所述黑矩阵的制作方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成牺牲层，所述牺牲层包括多个牺牲图形；
在所述牺牲层上形成遮光膜层，所述遮光膜层包括多个第一遮光图形和多个第二遮光图形，所述第二遮光图形与相邻的第一遮光图形通过所述牺牲图形间隔开；
去除所述牺牲层及所述第二遮光图形，形成黑矩阵。
2.根据权利要求1所述的黑矩阵的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成牺牲层的步骤，包括：
在所述基板上涂布负性光刻胶；
对负性光刻胶进行局部曝光处理；
对未进行曝光处理的负性光刻胶进行腐蚀处理，并去除未进行曝光处理的负性光刻胶，形成所述多个牺牲图形。
3.根据权利要求1所述的黑矩阵的制作方法，其特征在于，所述牺牲图形包括第一牺牲图形及位于第一牺牲图形上的第二牺牲图形，所述第一牺牲图形在所述基板上的正投影，位于所述第二牺牲图形在基板上的正投影的内部。
4.根据权利要求3所述的黑矩阵的制作方法，其特征在于，所述第一牺牲图形位于相邻的两个第一遮光图形之间，所述第二遮光图形位于所述第二牺牲图形上。
5.根据权利要求4所述的黑矩阵的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成牺牲层的步骤，包括：
在所述基板上形成第一子膜层，所述第一子膜层包括所述多个第一牺牲图形；
在所述第一子膜层上形成第二子膜层，所述第二子膜层包括所述多个第二牺牲图形。
6.根据权利要求4所述的黑矩阵的制作方法，其特征在于，所述遮光膜层在第一方向上的尺寸小于所述第一牺牲图形在第一方向上的尺寸，所述第一方向为所述基板和所述牺牲层的排列方向。
7.根据权利要求6所述的黑矩阵的制作方法，其特征在于，所述黑矩阵的制作方法还包括：
在所述牺牲层上形成遮光膜层之后，通过灰化处理工艺去除位于所述第一遮光图形和所述第二遮光图形之间的部分遮光膜层。
8.根据权利要求1所述的黑矩阵的制作方法，其特征在于，去除所述牺牲层及所述第二遮光图形的步骤包括：
通过显影液对所述牺牲层进行溶解，清洗并剥离所述牺牲层及所述牺牲层上的第二遮光图形。
9.根据权利要求8所述的黑矩阵的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括聚异戊二烯，所述显影液的材料包括二甲苯或四甲基氢氧化铵。
10.一种彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述彩膜基板的制作方法包括：
通过如权利要求1至9中任一项所述的黑矩阵的制作方法制作黑矩阵；
在所述黑矩阵上形成多个色阻，各个所述色阻位于相邻的两个第一遮光图形之间。
11.根据权利要求10所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述基板包括OLED显示基板或液晶显示基板。
12.一种黑矩阵，其特征在于，所述黑矩阵通过如权利要求1至9中任一项所述的黑矩阵的制作方法制作。
13.一种彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板包括如权利要求12所述的黑矩阵。
14.一种显示屏，其特征在于，所述显示屏包括如权利要求13所述的彩膜基板。
15.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求14所述的显示屏。
CN202010762361.5A 2020-07-31 2020-07-31 黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏 Active CN114063336B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010762361.5A CN114063336B (zh) 2020-07-31 2020-07-31 黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏
US17/203,018 US11641761B2 (en) 2020-07-31 2021-03-16 Black matrix and method for manufacturing the same, and color filter substrate and method for manufacturing the same
EP21165094.0A EP3945610A1 (en) 2020-07-31 2021-03-26 Black matrix and method for manufacturing the same, and color filter substrate and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010762361.5A CN114063336B (zh) 2020-07-31 2020-07-31 黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114063336A true CN114063336A (zh) 2022-02-18
CN114063336B CN114063336B (zh) 2024-03-05

Family

ID=75252342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010762361.5A Active CN114063336B (zh) 2020-07-31 2020-07-31 黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11641761B2 (zh)
EP (1) EP3945610A1 (zh)
CN (1) CN114063336B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5120623A (en) * 1989-12-08 1992-06-09 Nokia Unterhaltungselektronik Gmbh Method of producing a substrate plate for a liquid crystal cell with black matrix areas
KR20150016728A (ko) * 2013-08-05 2015-02-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
US20150378224A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-31 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing the same
CN106773261A (zh) * 2017-01-05 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板的制造方法、彩膜基板和显示面板
CN106773251A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 东旭（昆山）显示材料有限公司 一种彩膜基板及其制备方法以及显示面板和显示器
US20170269424A1 (en) * 2015-09-24 2017-09-21 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for fabricating photoresist pattern, color filter and display device
US20180210281A1 (en) * 2017-01-24 2018-07-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing a display substrate
US20190317363A1 (en) * 2016-12-30 2019-10-17 Tunghsu (Kunshan) Display Material Co., Ltd. Colour filter, display apparatus and method for manufacturing colour filter
CN111383918A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 苏州能讯高能半导体有限公司 一种通孔刻蚀方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5120623A (en) * 1989-12-08 1992-06-09 Nokia Unterhaltungselektronik Gmbh Method of producing a substrate plate for a liquid crystal cell with black matrix areas
KR20150016728A (ko) * 2013-08-05 2015-02-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
US20150378224A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-31 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing the same
US20170269424A1 (en) * 2015-09-24 2017-09-21 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for fabricating photoresist pattern, color filter and display device
CN106773251A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 东旭（昆山）显示材料有限公司 一种彩膜基板及其制备方法以及显示面板和显示器
US20190317363A1 (en) * 2016-12-30 2019-10-17 Tunghsu (Kunshan) Display Material Co., Ltd. Colour filter, display apparatus and method for manufacturing colour filter
CN106773261A (zh) * 2017-01-05 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板的制造方法、彩膜基板和显示面板
US20180210281A1 (en) * 2017-01-24 2018-07-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing a display substrate
CN111383918A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 苏州能讯高能半导体有限公司 一种通孔刻蚀方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3945610A1 (en) 2022-02-02
US11641761B2 (en) 2023-05-02
CN114063336B (zh) 2024-03-05
US20220037626A1 (en) 2022-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100599925B1 (ko) 광간섭 디스플레이 셀과 그 제조방법
US7645649B1 (en) Method for fabricating pixel structure
WO2019210753A1 (zh) Oled显示基板及其制作方法、显示装置
US10101661B2 (en) Multi-layer substrate, preparation method thereof and display device
US10734613B2 (en) Method for manufacturing OLED substrate
US10509254B2 (en) Method for manufacturing display substrate, display substrate, display panel and display apparatus
CN113013211A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
Nishimura et al. Photolithography
CN114063336B (zh) 黑矩阵及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和显示屏
CN109545800B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR101192752B1 (ko) 인쇄판 및 이를 이용한 패터닝 방법
US7638246B2 (en) Photo development apparatus and method for fabricating a color filter substrate using the same
KR100538291B1 (ko) 컬러필터기판의제조방법
JPH08179302A (ja) 多色液晶表示装置の製造方法
US7218464B2 (en) Aligning-assembling method for color wheel
EP0501657B1 (en) Method of manufacturing a colour filter
JP3367081B2 (ja) カラーフィルタの製造方法
CN220140075U (zh) 显示面板、显示屏和电子设备
CN109509780B (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
JP2010231216A (ja) カラーフィルタ製造方法及びカラーフィルタ製造装置
JP2005093407A (ja) プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2004363025A (ja) 冷陰極表示装置の製造方法
JPH10162727A (ja) フラットパネル表示装置の製造方法および製造装置
JPH0327015A (ja) カラー液晶用基板の製造方法
KR100785169B1 (ko) 컬러 필터층 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant