CN114062930B - 一种电芯极耳异常接触的检测方法、装置和设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电芯极耳异常接触的检测方法、装置和设备，该方法包括：根据标准电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立标准电芯的标准电阻电压变化曲线；根据待检测电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立待检测电芯的目标电阻电压变化曲线；若目标电阻电压变化曲线与标准电阻电压变化曲线的差值在预设时间长度内大于预设阈值，则确定电芯极耳具有虚接故障。本发明提供的技术方案，实现了在电池外部对电芯极耳与电池正负极的接触状况进行检测的功能。

Description

一种电芯极耳异常接触的检测方法、装置和设备

技术领域

本发明涉及电池检测领域，具体涉及一种电芯极耳异常接触的检测方法、装置和设备。

背景技术

极耳，是锂离子电池产品的一种组件。电池分为正极和负极，极耳就是从电芯中将正负极引出来的金属导电体，通俗的说电池正负两极的耳朵是在进行充放电时的接触点。如图1所示，电池极耳与电池内部的正负极接触不良会导致电池容量衰减加快，影响电池性能。而验证电池极耳的接触状况又不能每次都去破坏电池的包装，因此如何在电池外部对电池极耳与电池正负极的接触状况进行检测是亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施方式提供了一种电芯极耳异常接触的检测方法、装置和设备，从而实现了在电池外部对电芯极耳与电池正负极的接触状况进行检测的功能。

根据第一方面，本发明提供了一种电芯极耳异常接触的检测方法，所述方法包括：根据标准电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压建立所述标准电芯的标准电阻电压变化曲线；根据待检测电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压建立所述待检测电芯的目标电阻电压变化曲线；若所述目标电阻电压变化曲线与所述标准电阻电压变化曲线的差值在预设时间长度内大于预设阈值，则确定所述电芯极耳具有虚接故障。

可选地，获取所述标准电芯在一个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压的步骤，包括：计算所述标准电芯的电芯充电能量与电芯充电容量的比值，得到标准电芯的平均充电电压；计算所述标准电芯的电芯放电能量与电芯放电容量的比值，得到所述标准电芯的平均放电电压。

可选地，获取所述待检测电芯在一个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压的步骤，包括：计算所述待检测电芯的电芯充电能量与电芯充电容量的比值，得到待检测电芯的平均充电电压；计算所述待检测电芯的电芯放电能量与电芯放电容量的比值，得到所述待检测电芯的平均放电电压。

可选地，所述建立所述标准电芯的标准电阻电压变化曲线，包括：计算所述标准电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量；将所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量拟合为所述标准电阻电压变化曲线。

可选地，所述建立所述待检测电芯的目标电阻电压变化曲线，包括：计算所述待检测电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量；将所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量拟合为所述目标电阻电压变化曲线。

可选地，所述建立所述标准电芯的标准电阻电压变化曲线，包括：计算所述标准电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量；将所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量以预设倍率缩小；计算所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量与第一周期的电阻电压变化量的差值，得到多个电阻电压增量；将所述标准电芯的多个电阻电压增量拟合为所述标准电阻电压变化曲线。

可选地，所述建立所述待检测电芯的目标电阻电压变化曲线，包括：计算所述待检测电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量；将所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量以预设倍率缩小；计算所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量与第一周期的电阻电压变化量的差值，得到多个电阻电压增量；将所述待检测电芯的多个电阻电压增量拟合为所述目标电阻电压变化曲线。

根据第二方面，本发明提供了一种电芯极耳异常接触的检测装置，所述装置包括：标准曲线单元，用于根据标准电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压建立所述标准电芯的标准电阻电压变化曲线；目标曲线单元，用于根据待检测电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压建立所述待检测电芯的目标电阻电压变化曲线；比对单元，用于若所述目标电阻电压变化曲线与所述标准电阻电压变化曲线的差值在预设时间长度内大于预设阈值，则确定所述电芯极耳具有虚接故障。

根据第三方面，本发明实施例提供了一种电芯极耳异常接触的检测设备，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行第一方面，或者第一方面任意一种可选实施方式中所述的方法。

根据第四方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机从而执行第一方面，或者第一方面任意一种可选实施方式中所述的方法。

本申请提供的技术方案，具有如下优点：

本申请提供的技术方案，结合电芯内阻特性，电芯随着充放电周期的增加，电芯内阻增大，会导致电芯的平均充电电压升高，平均放电电压降低。其之间的差值会随着周期的增加而平稳增加。如果电芯极耳接触不良，会导致检测的电芯内阻变大，从而对应的平均充电电压更高，平均放电电压更低，其之间的差值会更大。因此，根据标准电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立标准电芯的标准电阻电压变化曲线；根据待检测电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立待检测电芯的目标电阻电压变化曲线，在没有极耳接触异常故障(即虚接)时，两条曲线在相同周期内近似相等，若待检测电芯出现极耳接触异常故障，其内阻必然增大，从而对应的目标电阻电压变化曲线会出现陡增趋势，在相同周期内与标准电阻电压变化曲线的差值会出现连续大于预设阈值的情况，从而可以准确的从电池外部检测出电芯极耳的接触状况。

此外，在建立标准电芯和待检测电芯的电阻电压变化曲线时，将各个周期的差值以预设倍率缩小，再计算各个周期的电阻电压变化量与第一周期的电阻电压变化量的差值，得到多个电阻电压增量；将多个电阻电压增量拟合为标准电阻电压变化曲线，使得处理后的曲线在进行比对时，差异更加显著，检测结果更加准确。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：

图1示出了电芯极耳接触异常与接触正常电芯容量衰减情况的比对示例图；

图2示出了本发明一个实施方式中一种电芯极耳异常接触的检测方法的步骤示意图；

图3示出了本发明一个实施方式中目标电阻电压变化曲线和标准电阻电压变化曲线的比对结果示例图；

图4示出了本发明一个实施方式中一种电芯极耳异常接触的检测装置的结构示意图；

图5示出了本发明一个实施方式中一种电芯极耳异常接触的检测设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

请参阅图2，在一个实施方式中，一种电芯极耳异常接触的检测方法，具体包括以下步骤：

步骤S101：根据标准电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立标准电芯的标准电阻电压变化曲线。

步骤S102：根据待检测电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立待检测电芯的目标电阻电压变化曲线。

步骤S103：若目标电阻电压变化曲线与标准电阻电压变化曲线的差值在预设时间长度内大于预设阈值，则确定电芯极耳具有虚接故障。

具体地，结合电芯内阻特性，电芯随着充放电周期的增加，电芯内阻会逐渐增大，会导致电芯的平均充电电压升高，平均放电电压降低。其之间的差值会随着周期的增加而平稳增加。如果电芯极耳接触不良，会导致检测的电芯内阻变大，从而对应的平均充电电压更高，平均放电电压更低，其之间的差值会更大，从而平均充电电压和平均放电电压之间的差值随着充放电周期增加会出现陡增的情况。基于此，可作为检测电芯极耳是否接触完好的标准。在本发明实施例中，首先选用一无故障的标准电芯，计算其多个充放电周期的平均充电电压和平均放电电压，之后计算其每个周期内的平均充电电压和平均放电电压的差值，例如：假设平均充电电压以符号a表示，平均放电电压以符号b表示，标准电芯在前三个充放电周期三组平均充电电压和平均放电电压为[a1，b1]，[a2，b2]，[a3，b3]。计算其各个周期的电压差值作为电阻电压变化量(因平均充/放电电压与电芯内阻大小有关，因此本发明实施例称电压变化量为电阻电压变化量)：c1＝a1-b1，c2＝a2-b2，c3＝a3-b3。最后以周期的先后顺序将c1、c2和c3拟合为标准电阻电压变化曲线。同理，以相同的处理手段获取待检测电芯的目标电阻电压变化曲线。之后，将两条曲线按照周期的周数顺序进行对齐，并将两条曲线进行比对，如果从某一个周期开始，在全部后续周期，或者连续的几个周期之内，都出现目标电阻电压变化曲线减去标准电阻电压变化曲线的差值大于预设阈值的情况，表明目标电阻电压变化曲线在一段时间内出现了陡增现象，从而可以认为待检测电芯的内阻突然变大，是由于电芯极耳处的接线虚接导致的，从而准确的检测出电芯极耳的接触不良的状况。例如，预设时间长度为50个充放电周期，预设阀值为目标电阻电压变化曲线与标准电阻电压变化曲线的差值在50个充放电周期内超过标准电阻电压变化曲线的30％，即预设时间长度每50周判定一次，目标电阻电压变化曲线第50周的电阻电压与第一周的电阻电压值增量百分比与标准电阻电压变化曲线相比大于30％，则确定电芯极耳具有虚接的异常接触故障，依次类推，100周时与50周时判定一次，150周时与100周时判定一次。但是，如果目标电阻电压变化曲线只在某一个周期点出现陡增，暂且不认为电芯极耳接触不良，从而排除因为设备原因或由于外部环境因素不稳定造成的误报，进一步提高检测的准确率。如图3所示，为待检测电芯和标准电芯的电阻电压变化曲线的比对图，待检测电芯极耳处接线的电芯在570周之前曲线增长剧烈，对应的循环相对于接线正常的电芯有衰减加快的趋势；此时其它测试条件不变，电芯极耳处重新接线后，曲线变为正常增长趋势，对应的电芯循环趋势也有所改善，与接线正常电芯趋势一致。

具体地，在一实施例中，获取标准电芯在一个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压，具体包括如下步骤：

步骤一：计算标准电芯的电芯充电能量与电芯充电容量的比值，得到标准电芯的平均充电电压。

步骤二：计算标准电芯的电芯放电能量与电芯放电容量的比值，得到标准电芯的平均放电电压。

具体地，在本实施例中，标准电芯在一个充放电周期内的充电阶段，通过能量公式可知，不论充电过程中电压如何变化，电芯的满容量与电压的乘积即为将电芯电能充满所消耗的能量，因此，将检测得到的电芯能量与检测得到的电芯容量做比值运算，计算出的电压即可视为充电过程中电芯的平均充电电压。同理，针对电芯的放电过程，其放电能量与电芯放电容量的比值即为平均放电电压。

具体地，在一实施例中，获取待检测电芯在一个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压，具体包括如下步骤：

步骤三：计算待检测电芯的电芯充电能量与电芯充电容量的比值，得到待检测电芯的平均充电电压。

步骤四：计算待检测电芯的电芯放电能量与电芯放电容量的比值，得到待检测电芯的平均放电电压。

具体地，具体原理参考步骤一至步骤二的描述，在此不再赘述。

具体地，在一实施例中，上述步骤S102，具体包括如下步骤：

步骤五：计算标准电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到标准电芯各个周期的电阻电压变化量；

步骤六：将标准电芯各个周期的电阻电压变化量拟合为标准电阻电压变化曲线。

具体地，具体原理参考步骤S101至步骤S103的描述，在此不再赘述。

具体地，在一实施例中，上述步骤S103，具体包括如下步骤：

步骤七：计算待检测电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到待检测电芯各个周期的电阻电压变化量。

步骤八：将待检测电芯各个周期的电阻电压变化量拟合为目标电阻电压变化曲线。

具体地，具体原理参考步骤S101至步骤S103的描述，在此不再赘述。

具体地，在另一实施例中，上述步骤S102，具体包括如下步骤：

步骤九：计算标准电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到标准电芯各个周期的电阻电压变化量。

步骤十：将标准电芯各个周期的电阻电压变化量以预设倍率缩小。

步骤十一：计算标准电芯各个周期的电阻电压变化量与第一周期的电阻电压变化量的差值，得到多个电阻电压增量。

步骤十二：将标准电芯的多个电阻电压增量拟合为标准电阻电压变化曲线。

具体地，为了进一步提高拟合的电阻电压变化曲线之间比对的准确率，首先计算得到各个周期的电阻电压变化量，但是该变化量随着内阻的增加逐渐增加的程度也会更高，在周期数非常多时，会使电阻电压变化曲线非常陡峭，不利于阈值的设立与比对。因此将得到的电阻电压变化量按照预设倍率缩小，在本实施例中，缩小的倍率是0.5倍。引用步骤S101～S103的例子，例如：计算出一个周期的电阻电压变化量为a1-b1，那么c1＝(a1-b1)/2。之后，计算标准电芯各个周期的电阻电压变化量与第一周期的电阻电压变化量的差值，得到多个电阻电压增量。例如：按照周期的时间顺序，现有四个周期内的电阻电压变化量为：c1、c2、c3、c4，假设电阻电压增量以符号k表示，那么按照周期递增的时间顺序，电阻电压增量即为：k1＝c1-c1＝0，k2＝c2-c1，k3＝c3-c1，k4＝c4-c1。将上述k1至k4拟合的曲线作为从初始周期开始的标准电阻电压变化曲线，即可在不改变标准电阻电压变化曲线特性的前提下，降低标准电阻电压变化曲线的增幅，为后续曲线之间的误差计算和比较，带来更为准确可靠的结果。

具体地，在另一实施例中，上述步骤S103，具体包括如下步骤：

步骤十三：计算待检测电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到待检测电芯各个周期的电阻电压变化量。

步骤十四：将待检测电芯各个周期的电阻电压变化量以预设倍率缩小。

步骤十五：计算待检测电芯各个周期的电阻电压变化量与第一周期的电阻电压变化量的差值，得到多个电阻电压增量。

步骤十六：将待检测电芯的多个电阻电压增量拟合为目标电阻电压变化曲线。

具体地，基于步骤九至步骤十二相同的方式对目标电阻电压变化曲线进行处理，以便于两条曲线进行比较，提高差值计算的准确度。具体原理参考步骤九至步骤十二的描述，再次不再赘述。

通过上述步骤，本申请提供的技术方案，结合电芯内阻特性，电芯随着充放电周期的增加，电芯内阻增大，会导致电芯的平均充电电压升高，平均放电电压降低。其之间的差值会随着周期的增加而平稳增加。如果电芯极耳接触不良，会导致检测的电芯内阻变大，从而对应的平均充电电压更高，平均放电电压更低，其之间的差值会更大。因此，根据标准电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立标准电芯的标准电阻电压变化曲线；根据待检测电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立待检测电芯的目标电阻电压变化曲线，在无极耳接触异常故障时，两条曲线在相同周期内近似相等，若待检测电芯出现极耳接触异常故障，其内阻必然增大，从而对应的目标电阻电压变化曲线会出现陡增趋势，在相同周期内与标准电阻电压变化曲线的差值会出现连续大于预设阈值的情况，从而可以准确的从电池外部检测出电芯极耳的接触状况。

此外，在建立标准电芯和待检测电芯的电阻电压变化曲线时，将各个周期的差值以预设倍率缩小，再计算各个周期的电阻电压变化量与第一周期的电阻电压变化量的差值，得到多个电阻电压增量；将多个电阻电压增量拟合为标准电阻电压变化曲线，使得处理后的曲线在进行比对时，差异更加显著，检测结果更加准确。

如图4所示，本实施例还提供了一种电芯极耳异常接触的检测装置，该装置包括：

标准曲线单元101，用于根据标准电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压建立标准电芯的标准电阻电压变化曲线，详细内容参见上述方法实施例中步骤S101的相关描述，在此不再进行赘述。

目标曲线单元102，用于根据待检测电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压建立待检测电芯的目标电阻电压变化曲线，详细内容参见上述方法实施例中步骤S102的相关描述，在此不再进行赘述。

比对单元103，用于若目标电阻电压变化曲线与标准电阻电压变化曲线的差值在预设时间长度内大于预设阈值，则确定电芯极耳具有虚接故障。详细内容参见上述方法实施例中步骤S103的相关描述，在此不再进行赘述。

本发明实施例提供的电芯极耳异常接触的检测装置，用于执行上述实施例提供的电芯极耳异常接触的检测方法，其实现方式与原理相同，详细内容参见上述方法实施例的相关描述，不再赘述。

通过上述各个组成部分的协同合作，本申请提供的技术方案，结合电芯内阻特性，电芯随着充放电周期的增加，电芯内阻增大，会导致电芯的平均充电电压升高，平均放电电压降低。其之间的差值会随着周期的增加而平稳增加。如果电芯极耳接触不良，会导致检测的电芯内阻变大，从而对应的平均充电电压更高，平均放电电压更低，其之间的差值会更大。因此，根据标准电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立标准电芯的标准电阻电压变化曲线；根据待检测电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立待检测电芯的目标电阻电压变化曲线，在无极耳接触异常故障时，两条曲线在相同周期内近似相等，若待检测电芯出现极耳接触异常故障，其内阻必然增大，从而对应的目标电阻电压变化曲线会出现陡增趋势，在相同周期内与标准电阻电压变化曲线的差值会出现连续大于预设阈值的情况，从而可以准确的从电池外部检测出电芯极耳的接触状况。

此外，在建立标准电芯和待检测电芯的电阻电压变化曲线时，将各个周期的差值以预设倍率缩小，再计算各个周期的电阻电压变化量与第一周期的电阻电压变化量的差值，得到多个电阻电压增量；将多个电阻电压增量拟合为标准电阻电压变化曲线，使得处理后的曲线在进行比对时，差异更加显著，检测结果更加准确。

图5示出了本发明实施例的一种电芯极耳异常接触的检测设备，该设备包括处理器901和存储器902，可以通过总线或者其他方式连接，图5中以通过总线连接为例。

处理器901可以为中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。处理器901还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片，或者上述各类芯片的组合。

存储器902作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块，如上述方法实施例中的方法所对应的程序指令/模块。处理器901通过运行存储在存储器902中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行处理器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的方法。

存储器902可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储处理器901所创建的数据等。此外，存储器902可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施例中，存储器902可选包括相对于处理器901远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理器901。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

一个或者多个模块存储在存储器902中，当被处理器901执行时，执行上述方法实施例中的方法。

上述电芯极耳异常接触的检测设备具体细节可以对应参阅上述方法实施例中对应的相关描述和效果进行理解，此处不再赘述。

本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，实现的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)、随机存储记忆体(Random Access Memory，RAM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard Disk Drive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid-State Drive，SSD)等；存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。

虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (8)

1.一种电芯极耳异常接触的检测方法，其特征在于，所述方法包括：

根据标准电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立所述标准电芯的标准电阻电压变化曲线；

根据待检测电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压差值建立所述待检测电芯的目标电阻电压变化曲线；

若所述目标电阻电压变化曲线与所述标准电阻电压变化曲线的差值在预设时间长度内大于预设阈值，则确定所述电芯极耳具有虚接故障；

所述建立所述标准电芯的标准电阻电压变化曲线，包括：

计算所述标准电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量；

将所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量拟合为所述标准电阻电压变化曲线；

所述建立所述待检测电芯的目标电阻电压变化曲线，包括：

计算所述待检测电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量；

将所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量拟合为所述目标电阻电压变化曲线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述标准电芯在一个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压的步骤，包括：

计算所述标准电芯的电芯充电能量与电芯充电容量的比值，得到标准电芯的平均充电电压；

计算所述标准电芯的电芯放电能量与电芯放电容量的比值，得到所述标准电芯的平均放电电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述待检测电芯在一个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压的步骤，包括：

计算所述待检测电芯的电芯充电能量与电芯充电容量的比值，得到待检测电芯的平均充电电压；

计算所述待检测电芯的电芯放电能量与电芯放电容量的比值，得到所述待检测电芯的平均放电电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述建立所述标准电芯的标准电阻电压变化曲线，包括：

计算所述标准电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量；

将所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量以预设倍率缩小；

计算所述标准电芯各个周期缩小后的电阻电压变化量与第一周期的电阻电压变化量的差值，得到多个电阻电压增量；

将所述标准电芯的多个电阻电压增量拟合为所述标准电阻电压变化曲线。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述建立所述待检测电芯的目标电阻电压变化曲线，包括：

计算所述待检测电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量；

将所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量以预设倍率缩小；

计算所述待检测电芯各个周期缩小后的电阻电压变化量与第一周期的电阻电压变化量的差值，得到多个电阻电压增量；

将所述待检测电芯的多个电阻电压增量拟合为所述目标电阻电压变化曲线。

6.一种电芯极耳异常接触的检测装置，其特征在于，所述装置包括：

标准曲线单元，用于根据标准电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压建立所述标准电芯的标准电阻电压变化曲线；

目标曲线单元，用于根据待检测电芯在多个充放电周期内的平均充电电压和平均放电电压建立所述待检测电芯的目标电阻电压变化曲线；

比对单元，用于若所述目标电阻电压变化曲线与所述标准电阻电压变化曲线的差值在预设时间长度内大于预设阈值，则确定所述电芯极耳具有虚接故障；

所述建立所述标准电芯的标准电阻电压变化曲线，包括：

计算所述标准电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量；

将所述标准电芯各个周期的电阻电压变化量拟合为所述标准电阻电压变化曲线；

所述建立所述待检测电芯的目标电阻电压变化曲线，包括：

计算所述待检测电芯各个周期内平均充电电压和平均放电电压的差值，得到所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量；

将所述待检测电芯各个周期的电阻电压变化量拟合为所述目标电阻电压变化曲线。

7.一种电芯极耳异常接触的检测设备，其特征在于，包括：

存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行如权利要求1-5任一项所述的方法。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使计算机执行如权利要求1-5任一项所述的方法。

Images