CN114059030A - 溅射装置和成膜方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够提高溅射颗粒的入射角的控制性，且提高膜的均匀性的溅射装置和成膜方法。溅射装置包括：释放溅射颗粒的第一靶材和第二靶材；支承基片的基片支承部；以及隙缝板，其配置在上述靶材与上述基片之间，具有供上述溅射颗粒通过的隙缝部，上述隙缝部具有上述靶材侧的第一隙缝和上述基片侧的第二隙缝，上述第二隙缝具有向该第二隙缝内突出的第一突出部和第二突出部，配置成当从上述第一靶材观察上述隙缝部时，上述第一突出部被遮挡，配置成当从上述第二靶材观察上述隙缝部时，上述第二突出部被遮挡。

Description

溅射装置和成膜方法
技术领域
本发明涉及溅射装置和成膜方法。
背景技术
已知有使从靶材释放的溅射颗粒入射到晶片等基片以进行成膜的溅射装置。
专利文献1公开了一种制膜装置，其包括：膜材料源，其供给构成要在基片上形成的膜的膜材料；真空槽，其规定用于设置上述膜材料源和上述基片的空间，并且能够将上述空间维持为真空的；保持机构，其在上述空间中，以上述基片的至少一部分与上述膜材料源的至少一部分相对的方式保持上述基片；移动机构，其移动上述保持机构以使得上述基片沿一个方向移动；隙缝板，其配置在上述基片与上述膜材料源之间，具有沿作为与上述一个方向交叉的方向的另一方向延伸的开口部，上述开口部的端部在上述隙缝板的面内，从上述另一方向向抑制通过上述开口部的膜材料在上述另一方向上的角度分布的扩展的方向上偏移。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-214123号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
通过一边使基片在规定方向上移动，一边从相对于基片倾斜地配置的靶材释放溅射颗粒，使溅射颗粒经由隙缝部件的开口部到达基片，由此溅射颗粒的入射角被限制，能够形成具有指向性的膜。然而，与从靶材全方位地释放溅射颗粒相对，能够用隙缝部件挑选具有某个范围的指向性的溅射颗粒，因此与基片的滑动方向正交的方向上的膜的均匀性有可能降低。因此，需要提高与基片的滑动方向正交的方向上的膜的均匀性。
本发明的一方面提供能够提高溅射颗粒的入射角的控制性，并提高膜的均匀性的溅射装置和成膜方法。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一方面的溅射装置包括：释放溅射颗粒的第一靶材和第二靶材；支承基片的基片支承部；以及隙缝板，其配置在上述靶材与上述基片之间，具有供上述溅射颗粒通过的隙缝部，上述隙缝部具有上述靶材侧的第一隙缝和上述基片侧的第二隙缝，上述第二隙缝具有向该第二隙缝内突出的第一突出部和第二突出部，配置成当从上述第一靶材观察上述隙缝部时，上述第一突出部被遮挡，配置成当从上述第二靶材观察上述隙缝部时，上述第二突出部被遮挡。
发明效果
依照本发明的一方面，能够提供可适当地调整膜厚分布的溅射装置和成膜方法。
附图说明
图1是第一实施方式的基片处理装置的截面示意图的一例。
图2是第一实施方式的基片处理装置的A-A截面示意图的一例。
图3是表示第一实施方式的基片处理装置中的隙缝板、靶材和基片的一例的立体图。
图4是第一实施方式的基片处理装置中的第一板和第二板的俯视图的一例。
图5是第一实施方式的基片处理装置中的隙缝板、靶材和基片W的B-B截面示意图的一例。
图6是俯视第一实施方式的基片处理装置中的隙缝板的图的一例。
图7是表示从第一实施方式的基片处理装置中的各靶材观察到的隙缝部的形状的俯视图的一例。
图8是表示第二实施方式的基片处理装置中的隙缝板的一例的立体图。
图9是第二实施方式的基片处理装置中的隙缝板、靶材和基片W的截面示意图的一例。
图10是表示第三实施方式的基片处理装置中的隙缝板的一例的立体图。
图11是第三实施方式的基片处理装置中的隙缝板、靶材和基片W的截面示意图的一例。
图12是表示第四实施方式的基片处理装置中的隙缝板、靶材和基片的一例的立体图。
附图标记说明
1 基片处理装置
20、20A～20C 隙缝板
21 隙缝部
21a、21b 隙缝部形状
210 第一板
210C 第一板组件
211 开口部(第一隙缝)
212 边缘(第一边缘)
213 边缘(第二边缘)
220 第二板
220C 第二板组件
221 开口部(第二隙缝)
222 边缘(第三边缘)
223 边缘(第四边缘)
226 突出部(第一突出部)
227 突出部(第二突出部)
30a、30b 溅射颗粒释放部
31a、31b 靶材
40 基片支承部
50 基片移动机构
60 排气装置
70 控制部
80 输送腔室
W 基片
θH 最大入射角
θL 最小入射角。
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。在各图中，存在对相同的构成部分标注相同的附图标记，省略重复说明的情况。
<第一实施方式>
使用图1至图2，对第一实施方式的基片处理装置(溅射装置)1进行说明。图1是第一实施方式的基片处理装置1的截面示意图的一例。图2是第一实施方式的基片处理装置1的A-A截面示意图的一例。此外，在以下的说明中，将水平的一个方向设为X方向，将水平且与X方向正交的方向设为Y方向，将垂直方向设为Z方向来进行说明。
基片处理装置1包括处理腔室10、隙缝板20、溅射颗粒释放部30a、30b、基片支承部40、基片移动机构50和排气装置60。基片处理装置1例如是PVD(物理气相沉积)装置，是在处理腔室内，使从溅射颗粒释放部30a、30b释放的溅射颗粒(成膜原子)附着到载置于基片支承部40的半导体晶片等基片W的表面，进行成膜的溅射装置。
处理腔室10具有上部开口的腔室主体10a和以封闭腔室主体10a的上部开口的方式设置的盖体10b。盖体10b的侧面形成为倾斜面。处理腔室10的内部成为进行成膜处理的处理空间S。
在处理腔室10的底部形成有排气口11。在排气口11连接有排气装置60。排气装置60包括压力控制阀和真空泵。处理空间S由排气装置60真空排气到规定的真空度。
在处理腔室10的顶部插入有用于将气体导入处理空间S内的气体导入口12。在气体导入口12连接有气体供给部(未图示)。从气体供给部供给到气体导入口12的溅射气体(例如，非活性气体)，被导入到处理空间S内。
在处理腔室10的侧壁形成有用于送入送出基片W的送入送出口13。送入送出口13由闸门14开闭。处理腔室10与输送腔室80相邻地设置，通过打开闸门14，使得处理腔室10与输送腔室80连通。输送腔室80内被保持为规定的真空度，在其中设置有用于对处理腔室10送入送出基片W的输送装置(未图示)。
隙缝板20构成为大致板状的部件，水平地配置在处理空间S的高度方向的中间位置。隙缝板20的边缘部固定于腔室主体10a的侧壁。隙缝板20将处理空间S划分为第一空间S1和第二空间S2。第一空间S1是隙缝板20上方的空间。第二空间S2是隙缝板20下方的空间。
在隙缝板20具有使溅射颗粒通过的隙缝部21。隙缝部21在隙缝板20的板厚方向(Z方向)上贯通。隙缝部21以图中的水平的一个方向即Y方向为长边方向而形成得细长。隙缝部21的Y方向的长度形成得比基片W的直径长。此外，对于隙缝板20和隙缝部21，使用图3等在后文进行说明。
溅射颗粒释放部30a具有靶材31a、靶材保持件32a、绝缘部件33a、电源34a、磁体35a和磁体扫描机构36a。此外，溅射颗粒释放部30b包括靶材31b、靶材保持件32b、绝缘部件33b、电源34b、磁体35b和磁体扫描机构36b。
靶材31a、31b由包含要成膜的膜的构成元素的材料构成，可以是导电性材料，也可以是电介质材料。此外，靶材31a、31b可以是相同的材料，也可以是不同的材料。
靶材保持件32a、32b由具有导电性的材料构成，配置在隙缝板20上方，经由绝缘部件33a、33b安装到处理腔室10的盖体10b的倾斜面的彼此不同的位置。在图1所示的例子中，靶材保持件32a、32b隔着隙缝部21设置在彼此相对的位置，但是不限于此，可以设置在任意位置。靶材保持件32a、32b以靶材31a、31b相对于隙缝部21位于斜上方的方式保持靶材31a、31b。
电源34a、34b分别电连接到靶材保持件32a、32b。在靶材31a、31b是导电性材料的情况下，电源34a、34b可以是直流电源，在靶材31a、31b是介电性材料的情况下，可以是高频电源。在电源34a、34b是高频电源的情况下，经由匹配器连接到靶材保持件32a、32b。通过对靶材保持件32a、32b施加电压，溅射气体在靶材31a、31b周围解离。然后，解离了的溅射气体中的离子撞击到靶材31a、31b，使作为其构成材料的颗粒的溅射颗粒从靶材31a、31b释放。
磁体35a、35b配置在靶材保持件32a、32b的背面侧，构成为能够由磁体扫描机构36a、36b在Y方向上往复运动(摆动)。磁体扫描机构36a、36b具有例如引导件37a、37b和驱动部38a、38b。磁体35a、35b由引导件37a、37b引导而能够在Y方向上往复运动。驱动部38a、38b使磁体35a、35b沿引导件37a、37b往复运动。
解离了的溅射气体中的离子被磁体35a、35b的磁场吸引，撞击到靶材31a、31b。磁体扫描机构36a、36b使磁体35a、35b在Y方向上往复运动，由此离子撞击到靶材31a、31b的位置，换言之，释放溅射颗粒的位置发生变化。
基片支承部40设置于处理腔室10的腔室主体10a内，经由支承销41水平地支承基片W。基片支承部40能够由基片移动机构50在水平的一个方向即X方向上直线地移动。因此，由基片支承部40支承的基片W通过基片移动机构50在水平面内直线移动。基片移动机构50具有多关节臂部51和驱动部52，通过用驱动部52驱动多关节臂部51，使基片支承部40能够在X方向上移动。
即，磁体35a、35b的移动方向(Y方向)与基片W的移动方向(X方向)正交。此外，在基片W的移动方向(X方向)上观察时，溅射颗粒释放部30a和溅射颗粒释放部30b配置于两端。
控制部70由计算机构成，控制基片处理装置1的各构成部，例如电源34a、34b、驱动部38a、38b、驱动部52、排气装置60等。控制部70具有由实际进行它们的控制的CPU构成的主控制部、输入装置、输出装置、显示装置和存储装置。在存储装置中设置有存储介质，存储介质存储有由基片处理装置1执行的各种处理的参数，并且保存有用于控制由基片处理装置1执行的处理的程序，即处理方案。控制部70的主控制部调用存储于存储介质中的规定的处理方案，基于该处理方案使基片处理装置1执行规定的处理。
下面，对第一实施方式的基片处理装置1中的成膜方法进行说明。
首先，在将处理腔室10内的处理空间S排气后，从气体导入口12向处理空间S导入溅射气体(例如，非活性气体)以调节到规定压力。
接着，使基片支承部40位于基片交接位置，打开闸门14，用输送腔室的输送装置(未图示)将基片W载置在基片支承部40(支承销41上)。接着，使输送装置返回输送腔室80，关闭闸门14。
接着，控制部70控制基片移动机构50(驱动部52)，使基片支承部40上的基片W在X方向上移动，并且控制溅射颗粒释放部30a、30b(电源34a、34b、驱动部38a、38b)，使溅射颗粒从靶材31a、31b倾斜地释放。
此处，溅射颗粒的释放是通过从电源34a、34b对靶材保持件32a、32b施加电压，在靶材31a、31b周围解离了的溅射气体中的离子撞击到靶材31a、31b来实现的。此外，通过用磁体扫描机构36a、36b使磁体35a、35b在Y方向上往复运动，而离子撞击到靶材31a、31b的位置，换言之，释放溅射颗粒的位置发生变化。
从溅射颗粒释放部30a、30b的靶材31a、31b倾斜地释放的溅射颗粒，通过形成于隙缝板20的隙缝部21而倾斜地入射到基片W，沉积在基片W上。
此处，在基片W的表面形成有槽等凹凸部。基片处理装置1一边使基片W在输送方向上移动，一边使溅射颗粒从靶材31a释放以进行成膜，在基片W的凸部的角部从一个方向选择性地成膜。之后，基片处理装置1一边使基片W在输送方向上移动，一边使溅射颗粒从靶材31b释放以进行成膜，从基片W的凸部的不同方向选择性地成膜。由此，能够在基片W的凸部选择性地成膜。
另外，靶材31a、31b的材质可以是相同的材料，也可以是不同的材料。
<第一实施方式的隙缝板20>
下面，使用图3至图7，对第一实施方式的基片处理装置1的隙缝板20进行说明。
图3是表示第一实施方式的基片处理装置1中的隙缝板20、靶材31a和基片W的一例的立体图。此外，在图3中，省略了靶材31b的图示。此外，用虚线箭头表示从靶材31a辐射的溅射颗粒的轨迹301a、302a的一例。
隙缝板20具有第一板210和第二板220。第一板210配置在靶材31a、31b侧。第二板220配置在基片W侧。第一板210具有开口部(第一隙缝)211。第二板220具有开口部(第二隙缝)221。第一板210和第二板220被配置成开口部211和开口部221上下(Z方向)地重叠。此外，隙缝板20的隙缝部21具有形成于第一板210的开口部211和形成于第二板220的开口部221。从靶材31a释放的溅射颗粒如虚线箭头所示，通过开口部211和开口部221而沉积在基片W上。
下面，使用图4，进一步说明第一板210的开口部211和第二板220的开口部221。图4是第一实施方式的基片处理装置1中的第一板210和第二板220的俯视图的一例。
图4的(a)是第一板210的俯视图的一例。此外，在图4的(a)中，用虚线表示将靶材31a、31b投影到第一板210上的位置。此外，用双点划线表示由基片移动机构50输送的基片W的一例。此外，用双点划线表示由基片移动机构50输送的基片W的输送路径的轨迹500的一例。
开口部211具有由在Y方向上延伸的边缘212、213和在X方向上延伸的边缘214、215形成的大致长方形形状。此外，开口部211具有以Y方向为长边方向、以X方向为短边方向的大致长方形形状。边缘212、213是与基片W的输送路径的轨迹500交叉的边缘。此外，边缘(第一边缘)212形成于比隙缝部21的中心靠靶材31a侧的位置。边缘(第二边缘)213形成于比隙缝部21的中心靠靶材31b侧的位置。边缘212和边缘213相对地配置。边缘214、215是在与基片W的输送方向相同的方向上延伸的边缘，形成于比基片W的输送路径的轨迹500靠外侧的位置。此外，将边缘212、213间的宽度，换言之，基片W的输送方向(X方向)上的开口部211的宽度(开口部211的短边方向的开口宽度)设为W1。
图4的(b)是第二板220的俯视图的一例。此外，用双点划线表示由基片移动机构50输送的基片W的一例。此外，用双点划线表示由基片移动机构50输送的基片W的输送路径的轨迹500的一例。
开口部221具有由在Y方向上延伸的边缘222、223和在X方向上延伸的边缘224、225形成的大致长方形形状。此外，开口部221具有以Y方向为长边方向、以X方向为短边方向的大致长方形形状。边缘222、223是与基片W的输送路径的轨迹500交叉的边缘。此外，边缘(第三边缘)222形成于比隙缝部21的中心靠靶材31a侧的位置。边缘(第四边缘)223形成于比隙缝部21的中心靠靶材31b侧的位置。边缘222和边缘223相对地配置。边缘224、225是在与基片W的输送方向相同的方向上延伸的边缘，形成于比基片W的输送路径的轨迹500靠外侧的位置。此外，将边缘222、223间的宽度，换言之，基片W的输送方向(X方向)上的开口部221的最大宽度(开口部221的短边方向的开口宽度)设为W2。开口部221的最大宽度W2形成得比开口部211的宽度W1大(W1＜W2)。
此外，在边缘222的Y方向(与基片W的输送方向正交的方向)的中央部形成有突出部(第一突出部)226。突出部226例如通过以从边缘222向开口部221突出的方式形成，来调整开口部221的开口形状(开口面积)。此外，在边缘223的Y方向(与基片W的输送方向正交的方向)的中央部形成有突出部(第二突出部)227。突出部227例如通过以从边缘223向开口部221突出的方式配置，来调整开口部221的开口形状(开口面积)。此外，将突出部226、227间的宽度，换言之，基片W的输送方向(X方向)上的开口部221的最小宽度设为W3。开口部221的最小宽度W3形成得比开口部211的宽度W1小(W3＜W1)。
图5是第一实施方式的基片处理装置1中的隙缝板20、靶材31a、31b和基片W的B-B截面示意图的一例。此外，用虚线箭头表示从靶材31a辐射的溅射颗粒的轨迹301a、302a的一例。用虚线箭头表示从靶材31b辐射的溅射颗粒的轨迹301b、302b的一例。
溅射颗粒的轨迹301a是从靶材31a的释放溅射颗粒的面的中心位置经过边缘212入射到基片W的表面的溅射颗粒的轨迹。此处，将垂直于基片W的表面的轴设为z轴。此外，将z轴与轨迹301a所成的角度设为θL。即，角度θL是从靶材31a入射到基片W的溅射颗粒的入射角中的最小入射角。
此处，将基片W的输送方向(X方向)上的从开口部211的边缘212至靶材31a的释放溅射颗粒的面的中心位置的水平距离设为xe。此外，将从第一板210的上表面至靶材31a的释放溅射颗粒的面的中心位置的高度设为hT。利用水平距离xe和高度hT，由式(1)表示最小入射角θL。
tanθL＝hT/xe……(1)
此外，溅射颗粒的轨迹302a是从靶材31a的释放溅射颗粒的面的中心位置经过边缘223入射到基片W的表面的溅射颗粒的轨迹。此处，将z轴与轨迹302a所成的角度设为θH。即，角度θH是从靶材31a入射到基片W的溅射颗粒的入射角中的最大入射角。
同样地，溅射颗粒的轨迹301b是从靶材31b的释放溅射颗粒的面的中心位置经过边缘213入射到基片W的表面的溅射颗粒的轨迹。此处，z轴与轨迹301b所成的角度是从靶材31b入射到基片W的溅射颗粒的入射角中的最小入射角。
此外，溅射颗粒的轨迹302b是从靶材31b的释放溅射颗粒的面的中心位置经过边缘222入射到基片W的面的溅射颗粒的轨迹。此处，z轴与轨迹302b所成的角度是从靶材31b入射到基片W的溅射颗粒的入射角中的最大入射角。
即，第一板210的开口部211规定从靶材31a、31b入射到基片W的溅射颗粒的入射角中的最小入射角θL。此外，第二板220的开口部221规定从靶材31a、31b入射到基片W的溅射颗粒的入射角中的最大入射角θH。
此处，将第一板210的上表面与第二板220的上表面之间的间隔设为h。当满足式(2)的关系时，从靶材31a观察，边缘222成为隙缝板20(第一板210)的影子。
H≥(W1－W3)/(tanθL)……(2)
图6是俯视第一实施方式的基片处理装置1中的隙缝板20而得的图的一例。在图6所示的例子中，从第二板220的边缘222突出的突出部226比第一板210的边缘212更突出。
此处，将基片W的输送方向(X方向)上的突出部226从边缘222突出的突出量设为P1。当满足式(3)的关系时，从靶材31a观察，突出部226成为隙缝板20(第一板210)的影子。
P1≤htanθL……(3)
图7是表示第一实施方式的基片处理装置1中的从各靶材31a、31b观察到的隙缝板20的隙缝部21的形状的俯视图的一例。此处，以隙缝板20满足式(2)和(3)的关系的情况为例进行说明。
图7的(a)表示从靶材31a观察隙缝板20的隙缝部21时的隙缝部形状21a。此处，边缘212a与从靶材31a观察到的边缘212在第二板220的上表面的投影一致。如图7的(a)所示，从靶材31a观察，边缘222和突出部226被遮挡。在隙缝部形状21a中，基片W的输送方向(X方向)上的最大宽度W4是边缘212a与边缘223之间的间隔。
图7的(b)表示从靶材31b观察隙缝板20的隙缝部21时的隙缝部形状21b。此处，边缘213a与从靶材31b观察到的边缘213在第二板220的上表面的投影一致。如图7的(b)所示，从靶材31b观察，边缘223和突出部227被遮挡。在隙缝部形状21b中，基片W的输送方向(X方向)上的最大宽度W5是边缘213a与边缘222之间的间隔。
以上，依照第一实施方式的基片处理装置1，通过调整边缘212和边缘223，能够调整从靶材31a入射到基片W的溅射颗粒的入射角的范围。此外，通过调整边缘213和边缘222，能够调整从靶材31b释放到基片W的溅射颗粒的入射角的范围。
另外，依照第一实施方式的基片处理装置1，调整从靶材31a的入射角的边缘212、223与调整从靶材31b的入射角的边缘213、222不同。因此，能够独立地调整从靶材31a入射到基片W的溅射颗粒的入射角的范围和从靶材31b入射到基片W的溅射颗粒的入射角的范围。即，当调整从靶材31a入射到基片W的溅射颗粒的入射角的范围时，能够防止对从靶材31b入射到基片W的溅射颗粒的入射角的范围造成影响。当调整从靶材31b入射到基片W的溅射颗粒的入射角的范围时，能够防止对从靶材31a入射到基片W的溅射颗粒的入射角的范围造成影响。由此，第一实施方式的基片处理装置1的隙缝板20能够提高入射角的调整的控制性。
另外，在基片处理装置1中，从靶材31a、31b全方位地释放溅射颗粒，通过了隙缝板20的隙缝部21的溅射颗粒入射到在输送方向(X方向)上移动的基片W。因此，在与基片W的输送方向(X方向)正交的方向(Y方向)上，产生入射量的不均匀。具体而言，在Y方向上，中央部的由于溅射颗粒沉积而形成的膜厚较厚，外侧的膜厚较薄。
与之相对，在从靶材31a通过隙缝部21(隙缝部形状21a)而沉积在基片W的溅射颗粒中，由于在边缘223的中央部形成突出部227，能够使Y方向上的中央部的溅射颗粒的入射量减少。由此，能够提高Y方向上的中央部与外侧的膜厚的均匀性。此外，在从靶材31b通过隙缝部21(隙缝部形状21b)而沉积在基片W的溅射颗粒中，通过在边缘222的中央部形成突出部226，能够减少Y方向上的中央部的溅射颗粒的入射量。由此，能够提高Y方向上的中央部与外侧的膜厚的均匀性。
另外，依照第一实施方式的基片处理装置1，调整由来自靶材31a的溅射颗粒得到的膜厚的均匀性的突出部226，与调整由来自靶材31b的溅射颗粒得到的膜厚的均匀性的突出部227不同。因此，能够独立地调整由来自靶材31a的溅射颗粒得到的膜厚的均匀性和由来自靶材31b的溅射颗粒得到的膜厚的均匀性。
换言之，从靶材31b观察，突出部227被遮挡。因此，调整突出部227以调整由来自靶材31a的溅射颗粒得到的膜厚的均匀性时，能够防止对由来自靶材31b的溅射颗粒得到的膜厚的均匀性造成影响。同样地，从靶材31a观察，突出部226被遮挡。因此，调整突出部226以调整由来自靶材31b的溅射颗粒得到的膜厚的均匀性时，能够防止对由来自靶材31a的溅射颗粒得到的膜厚的均匀性造成影响。由此，第一实施方式的基片处理装置1的隙缝板20能够提高膜厚的均匀性的调整的控制性。
另外，虽然将突出部226、227作为形成于第二板220的开口部221的突出部进行了说明，但是不限于此，也可以形成于第一板210的开口部211。此外，突出部226、227优选设置在靠近基片W的一侧，此处在第二板220的开口部221。关于膜厚相对于突出部226、227的突出量的变动量，从基片W到突出部226、227的高度方向的间隔越长，变动量越大。因此，通过在靠近基片W的一侧，此处在第二板220的开口部221形成突出部226、227，能够提高膜厚的均匀性的调整的分解度。
另外，虽然以由两个板(第一板210、第二板220)构成的隙缝板为例，对隙缝板20的形状进行了说明，但是不限于此。
<第二实施方式的隙缝板20A>
下面，使用图8和图9，对第二实施方式的基片处理装置1的隙缝板20A进行说明。图8是表示第二实施方式的基片处理装置1中的隙缝板20A的一例的立体图。图9是第二实施方式的基片处理装置1中的隙缝板20A、靶材31a、31b和基片W的截面示意图的一例。
隙缝板20A由较厚的板部件形成。隙缝板20A具有在板厚方向上贯通的隙缝部21。在隙缝部21的上表面侧形成开口部211。在隙缝部21的下表面侧，在基片W的输送方向(X方向)上扩径，形成开口部221。
<第三实施方式的隙缝板20B>
下面，使用图10和图11，对第三实施方式的基片处理装置1的隙缝板20B进行说明。图10是表示第三实施方式的基片处理装置1中的隙缝板20B的一例的立体图。图11是第三实施方式的基片处理装置1中的隙缝板20B、靶材31a、31b和基片W的截面示意图的一例。
隙缝板20B形成有板部和从板部向上突出的凸起部。隙缝板20B具有在板厚方向上贯通板部和凸起部的隙缝部21。在隙缝部21的上表面侧形成开口部211。在隙缝部21的下表面侧，在基片W的输送方向(X方向)上扩径，形成开口部221。
<第四实施方式的隙缝板20C>
下面，使用图12，对第四实施方式的基片处理装置1的隙缝板20C进行说明。图12是表示第四实施方式的基片处理装置1中的隙缝板20C、靶材31a和基片W的一例的立体图。此外，在图12中，对于靶材31b省略其图示。
隙缝板20C具有第一板组件210C和第二板组件220C。第一板组件210C具有配置成同一平面状的两个板。两个板在基片W的输送方向(X方向)上隔开间隔地配置，在其间形成开口部211。此外，第二板组件220C具有配置成同一平面状的两个板。两个板在基片W的输送方向(X方向)上隔开地配置，在其间形成开口部221。
以上，对基片处理装置1进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式等，在权利要求书中记载的本发明的主旨的范围内，能够进行各种变形、改良。
将基片处理装置1作为包括两个靶材31a、31b的基片处理装置进行了说明，但是不限于此。也可以是包括三个以上的靶材的结构。

Claims (12)

1.一种溅射装置，其特征在于，包括：
释放溅射颗粒的第一靶材和第二靶材；
支承基片的基片支承部；以及
隙缝板，其配置在所述靶材与所述基片之间，具有供所述溅射颗粒通过的隙缝部，
所述隙缝部具有所述靶材侧的第一隙缝和所述基片侧的第二隙缝，
所述第二隙缝具有向该第二隙缝内突出的第一突出部和第二突出部，
配置成当从所述第一靶材观察所述隙缝部时，所述第一突出部被遮挡，
配置成当从所述第二靶材观察所述隙缝部时，所述第二突出部被遮挡。
2.如权利要求1所述的溅射装置，其特征在于：
包括基片移动机构，其使支承于所述基片支承部的所述基片在滑动方向上移动，
所述第一靶材和所述第二靶材在所述基片的滑动方向上排列，以面向所述隙缝部的方式倾斜地配置。
3.如权利要求1或2所述的溅射装置，其特征在于：
所述第一隙缝限制从所述靶材入射到所述基片的所述溅射颗粒的入射角的最小入射角，
所述第二隙缝限制从所述靶材入射到所述基片的所述溅射颗粒的入射角的最大入射角。
4.如权利要求1～3中任一项所述的溅射装置，其特征在于：
将所述第一隙缝的短边方向的开口宽度设为W1，将所述第二隙缝的短边方向的开口宽度设为W2，将所述第二隙缝的所述突出部间的开口宽度设为W3时，
满足W2＞W1且W3＜W1。
5.如权利要求1～4中任一项所述的溅射装置，其特征在于：
将所述最小入射角设为θL，将所述隙缝间的间隔设为h时，
满足h≥(W1－W3)/(2tanθL)。
6.如权利要求1～5中任一项所述的溅射装置，其特征在于：
所述隙缝板包括：
具有所述第一隙缝的第一板；和
具有所述第二隙缝的第二板。
7.如权利要求1～5中任一项所述的溅射装置，其特征在于：
所述隙缝板由具有所述第一隙缝和所述第二隙缝的一体部件形成。
8.如权利要求1～5中任一项所述的溅射装置，其特征在于：
所述隙缝板包括：
第一板组件，其具有间隔地配置并形成所述第一隙缝；和
第二板组件，其具有间隔地配置并形成所述第二隙缝。
9.如权利要求1～8中任一项所述的溅射装置，其特征在于：
所述第一隙缝具有与所述基片的滑动方向交叉的第一边缘和第二边缘，
所述第二隙缝具有与所述基片的滑动方向交叉的第三边缘和第四边缘，
所述第一边缘与所述第二边缘相对，
所述第三边缘与所述第四边缘相对，
所述第一突出部从所述第三边缘突出，
所述第二突出部从所述第四边缘突出，
从所述第一靶材观察到的所述隙缝板的所述隙缝部的形状，由所述第一边缘和具有所述第二突出部的所述第四边缘规定，
从所述第二靶材观察到的所述隙缝板的所述隙缝部的形状，由所述第二边缘和具有所述第一突出部的所述第三边缘规定。
10.一种成膜装置的成膜方法，其特征在于：
所述成膜装置是溅射装置，包括：
释放溅射颗粒的第一靶材和第二靶材；
支承基片的基片支承部；以及
隙缝板，其配置在所述靶材与所述基片之间，具有供所述溅射颗粒通过的隙缝部，
所述隙缝部具有所述靶材侧的第一隙缝和所述基片侧的第二隙缝，
所述第二隙缝具有向该第二隙缝内突出的第一突出部和第二突出部，
配置成当从所述第一靶材观察所述隙缝部时，所述第一突出部被遮挡，
配置成当从所述第二靶材观察所述隙缝部时，所述第二突出部被遮挡，
所述成膜方法包括使溅射颗粒从所述第一靶材释放，在所述基片选择性地成膜的步骤。
11.如权利要求10所述的成膜装置的成膜方法，其特征在于：
还包括使溅射颗粒从所述第二靶材释放，在所述基片选择性地成膜的步骤。
12.如权利要求10或11所述的成膜装置的成膜方法，其特征在于：
所述第一靶材和所述第二靶材的材料不同。
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