JP2022029532A - スパッタ装置及び成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スパッタ粒子を放出する第1ターゲット及び第2ターゲットと、基板を支持する基板支持部と、前記ターゲットと前記基板との間に配置され、前記スパッタ粒子が通過するスリット部を有するスリットプレートと、を備え、前記スリット部は、前記ターゲット側の第1スリットと、前記基板側の第2スリットと、を有し、前記第2スリットは、該第2スリット内に向かって突出する第1突出部及び第2突出部を有し、前記第1ターゲットから前記スリット部を見た場合、前記第1突出部が隠れるように配置され、前記第2ターゲットから前記スリット部を見た場合、前記第2突出部が隠れるように配置される、スパッタ装置。
【選択図】図1
Description
第1実施形態に係る基板処理装置(スパッタ装置)1について、図1から図2を用いて説明する。図1は、第1実施形態に係る基板処理装置1の断面模式図の一例である。図2は、第1実施形態に係る基板処理装置1のA-A断面模式図の一例である。なお、以下の説明において、水平な一方向をX方向とし、水平かつX方向と直交する方向をY方向とし、垂直方向をZ方向として説明する。
次に、第1実施形態に係る基板処理装置1のスリットプレート20について、図3から図7を用いて説明する。
次に、第2実施形態に係る基板処理装置1のスリットプレート20Aについて、図8及図9を用いて説明する。図8は、第2実施形態に係る基板処理装置1におけるスリットプレート20Aの一例を示す斜視図である。図9は、第2実施形態に係る基板処理装置1におけるスリットプレート20A、ターゲット31a,31b及び基板Wの断面模式図の一例である。
次に、第3実施形態に係る基板処理装置1のスリットプレート20Bについて、図10及図11を用いて説明する。図10は、第3実施形態に係る基板処理装置1におけるスリットプレート20Bの一例を示す斜視図である。図11は、第3実施形態に係る基板処理装置1におけるスリットプレート20B、ターゲット31a,31b及び基板Wの断面模式図の一例である。
次に、第4実施形態に係る基板処理装置1のスリットプレート20Cについて、図12を用いて説明する。図12は、第4実施形態に係る基板処理装置1におけるスリットプレート20C、ターゲット31a及び基板Wの一例を示す斜視図である。なお、図12において、ターゲット31bは、図示を省略している。
20,20A~20C スリットプレート
21 スリット部
21a,21b スリット部形状
210 第1プレート
210C 第1プレートアセンブリ
211 開口部(第1スリット)
212 エッジ(第1エッジ)
213 エッジ(第2エッジ)
220 第2プレート
220C 第2プレートアセンブリ
221 開口部(第2スリット)
222 エッジ(第3エッジ)
223 エッジ(第4エッジ)
226 突出部(第1突出部)
227 突出部(第2突出部)
30a,30b スパッタ粒子放出部
31a,31b ターゲット
40 基板支持部
50 基板移動機構
60 排気装置
70 制御部
80 搬送チャンバ
W 基板
θH 最大入射角
θL 最小入射角
Claims (12)
- スパッタ粒子を放出する第1ターゲット及び第2ターゲットと、
基板を支持する基板支持部と、
前記ターゲットと前記基板との間に配置され、前記スパッタ粒子が通過するスリット部を有するスリットプレートと、を備え、
前記スリット部は、前記ターゲット側の第1スリットと、前記基板側の第2スリットと、を有し、
前記第2スリットは、該第2スリット内に向かって突出する第1突出部及び第2突出部を有し、
前記第1ターゲットから前記スリット部を見た場合、前記第1突出部が隠れるように配置され、
前記第2ターゲットから前記スリット部を見た場合、前記第2突出部が隠れるように配置される、スパッタ装置。 - 前記基板支持部に支持された前記基板をスライド方向に移動させる基板移動機構を備え、
前記第1及び第2ターゲットは、前記基板のスライド方向に並べられ、前記スリット部を指向するように傾斜して配置される、
請求項1に記載のスパッタ装置。 - 前記第1スリットは、前記ターゲットから前記基板に入射する前記スパッタ粒子の入射角の最小入射角を制限し、
前記第2スリットは、前記ターゲットから前記基板に入射する前記スパッタ粒子の入射角の最大入射角を制限する、
請求項1または請求項2に記載のスパッタ装置。 - 前記第1スリットの短手方向の開口幅をW1とし、前記第2スリットの短手方向の開口幅をW2とし、前記第2スリットの前記突出部間の開口幅をW3として、
W2>W1、かつ、W3<W1を満たす、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のスパッタ装置。 - 前記最小入射角をθLとし、前記スリット間の間隔をhとして、
h≧(W1-W3)/(2tanθL)を満たす、
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のスパッタ装置。 - 前記スリットプレートは、
前記第1スリットを有する第1プレートと、前記第2スリットを有する第2プレートと、を有する、
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のスパッタ装置。 - 前記スリットプレートは、
前記第1スリット及び前記第2スリットを有する一体部材で形成される、
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のスパッタ装置。 - 前記スリットプレートは、
間隔を有して配置され前記第1スリットを形成する第1プレートアセンブリと、
間隔を有して配置され前記第2スリットを形成する第2プレートアセンブリと、を有する、
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のスパッタ装置。 - 前記第1スリットは、前記基板のスライド方向と交差する第1エッジ及び第2エッジを有し、
前記第2スリットは、前記基板のスライド方向と交差する第3エッジ及び第4エッジを有し、
前記第1エッジは、前記第2エッジに対向し、
前記第3エッジは、前記第4エッジに対向し、
前記第1突出部は、前記第3エッジから突出し、
前記第2突出部は、前記第4エッジから突出し、
前記第1ターゲットから見た前記スリットプレートの前記スリット部の形状は、前記第1エッジ、前記第2突出部を有する前記第4エッジで規定され、
前記第2ターゲットから見た前記スリットプレートの前記スリット部の形状は、前記第2エッジ、前記第1突出部を有する前記第3エッジで規定される、
請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のスパッタ装置。 - スパッタ粒子を放出する第1ターゲット及び第2ターゲットと、基板を支持する基板支持部と、前記ターゲットと前記基板との間に配置され、前記スパッタ粒子が通過するスリット部を有するスリットプレートと、を備え、前記スリット部は、前記ターゲット側の第1スリットと、前記基板側の第2スリットと、を有し、前記第2スリットは、該第2スリット内に向かって突出する第1突出部及び第2突出部を有し、前記第1ターゲットから前記スリット部を見た場合、前記第1突出部が隠れるように配置され、前記第2ターゲットから前記スリット部を見た場合、前記第2突出部が隠れるように配置される、スパッタ装置の成膜方法であって、
前記第1ターゲットからスパッタ粒子を放出させ、前記基板に選択的に成膜するステップを有する、
成膜装置の成膜方法。 - 前記第2ターゲットからスパッタ粒子を放出させ、前記基板に選択的に成膜するステップを更に有する、
請求項10に記載の成膜装置の成膜方法。 - 前記第1ターゲットと前記第2ターゲットとは、材料が異なる、
請求項10または請求項11に記載の成膜装置の成膜方法。
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