CN114023373A - 一种验证nand数据通路正确性的测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及数据传输检测领域，针对NAND flash数据传输中会产生错误的问题，提出了一种可以排除NAND flash自身存储产生错误的测试方法，即首先遍历设定范围内的DQS delay值，并利用NAND flash的寄存器读写操作比较写入与读出的数据，将差异值进行记录，最后通过对差异值的检查结果判定，实现验证NAND flash数据通路是否会产生错误的测试方法。
Description
技术领域
本发明涉及数据传输检测领域，更具体涉及一种验证NAND flash数据通路正确性的测试方法。
背景技术
NAND闪存（NAND flash）是flash存储器的一种，被用作存储介质广泛用于存储设备中。在NAND flash与ddr数据传输过程中往往因为pcb板生产过程中可能产生的差异而产生少量通路错误，这种通路错误又因NAND flash自身特性产生的大量错误难以觉察，从而导致数据不可靠。
由于NAND flash自身特性，数据在其中存储时也会产生错误，在测试数据传输中产生的错误时，必须要排除这些NAND flash自身特性产生的影响。
发明内容
为了解决上述问题，本发明采用了一种针对通路错误进行验证的方法，确认数据传输过程中不会产生错误。
该方案的实现方式如下：
一种验证NAND数据通路正确性的测试方法，包括以下步骤：
a)调整NAND Flash数据采样的延时；
b) 设定测试数据pattern，选取被测通路上的NAND flash target，发送寄存器写命令，写入测试pattern数据。
c)选取被测通路上的NAND flash target，发送寄存器读命令，记录读取的数据，由NAND Flash寄存器比较写入和读出的数据；
d)记录读写数据的差异值并进行结果判定。
优选的，调整NAND Flash数据采样的延时还包括步骤：
选取DQS delay值的遍历范围，并设定初始DQS delay值，NAND Flash寄存器比较写入和读出的数据；
判断是否完成选取DQS delay值范围的遍历，如未完成则继续执行步骤a-c，记录每次的数据差异值，直到遍历完成，对数据差异值的变化曲线进行判定。
优选的，步骤d所述记录差异值通过脚本实现。
优选的，判定测试不通过的依据为有错误或包含不符合测试需求的值。
本发明的有益效果为：
通过利用NAND flash寄存器读写不经过存储单元的特性，排除了NAND flash自身特性产的错误的影响，可以更有效的针对数据通路正确性进行验证。
测试命令均可通过脚本进行自动化，避免了使用示波器、逻辑分析仪等传统方式检查通路正确性的繁琐操作。
测试结果趋势明显，利于分析，同时可批量测试，释放了人力，提高了测试效率。
附图说明
图1为本发明实施例所述方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为了排除NAND flash特性影响，可以通过调整NAND flash数据采样的延时，即调整DQS的delay可以减少部分数据通路错误。同时由于NAND flash寄存器读写不会途径NANDflash存储单元的特性，可以排除NAND flash存储产生的错误。针对这种场景，可以采用以下测试方法：
遍历设定范围内的DQS delay值，
设定待测试的初始DQS delay值。
设定测试数据pattern。
选取被测通路上的NAND flash target，发送register write命令，写入测试pattern数据。
选取被测通路上的NAND flash target，发送register read命令，记录读取的数据。
比较测试pattern与读取的数据之间的差异值。
通过python脚本记录差异值并整理到结果表格中。
判断是否完成选取DQS delay值范围的遍历。如未完成则继续执行寄存器的读写数据比较步骤，直到完成。
遍历完成后，根据记录的数据，观察差异值的变化，确认是否有错误数为0或符合测试需求的值。
如存在错误数为0或符合测试需求的值，则测试通过，否则测试不通过。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种验证NAND数据通路正确性的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)调整NAND Flash数据采样的延时；
b) 设定测试数据pattern，选取被测通路上的NAND flash target，发送寄存器写命令，写入测试pattern数据。
2.c)选取被测通路上的NAND flash target，发送寄存器读命令，记录读取的数据，由NAND Flash寄存器比较写入和读出的数据；
d)记录读写数据的差异值并进行结果判定。
3.根据权利要求1所述的验证NAND数据通路正确性的测试方法，其特征在于，所述调整NAND Flash数据采样的延时还包括步骤：
选取DQS delay值的遍历范围，并设定初始DQS delay值，NAND Flash寄存器比较写入和读出的数据；
判断是否完成选取DQS delay值范围的遍历，如未完成则继续执行步骤a-c，记录每次的数据差异值，直到遍历完成，对数据差异值的变化曲线进行判定。
4.根据权利要求1所述的验证NAND数据通路正确性的测试方法，其特征在于，步骤d所述记录差异值通过脚本实现。
5.根据权利要求1所述的验证NAND数据通路正确性的测试方法，其特征在于，判定测试不通过的依据为有错误或包含不符合测试需求的值。
Priority Applications (1)
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| CN202111317696.7A CN114023373A (zh) | 2021-11-09 | 2021-11-09 | 一种验证nand数据通路正确性的测试方法 |
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Publications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN114023373A (zh) |
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2021
- 2021-11-09 CN CN202111317696.7A patent/CN114023373A/zh active Pending
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