CN116612803B - 一种闪存的测试方法、系统、装置及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种闪存的测试方法、系统、装置及存储介质。该方法包括：获取闪存晶圆中的第一出厂块；对第一出厂块进行功能测试，判断第一出厂块是否为运行坏块；运行坏块用于表征功能测试结果为不通过的出厂块；若第一出厂块为运行坏块，还原第一出厂块的状态为第一状态，在坏块表中标记第一出厂块。本发明实施例通过功能测试，发现运行坏块；并对属于运行坏块的第一出厂块进行状态还原处理，缓解了对运行坏块进行标记带来的易混淆问题，有利于提升测试结果的准确度。因此，本发明实施例能够对闪存晶圆进行功能测试，有利于缓解坏块标记的易混淆问题，提升测试结果的准确度；有利于降低测试成本；可广泛应用于芯片测试技术领域。
Description
技术领域
本发明涉及芯片测试技术领域，尤其是一种闪存的测试方法、系统、装置及存储介质。
背景技术
闪存晶圆在出厂前原厂会将无法正常读、写或擦除的存储块标记为原厂坏块，同时各个模组厂商将晶圆购入后会对闪存进行封装和测试，而由模组厂商测试发现的坏块通常标记为运行坏块。基于上述两种标记，当坏块表尚未生成或者丢失时，再次测试过程中会误以为存在过量的原厂坏块，导致闪存测试失败，从而增加了测试成本。
发明内容
本发明的目的在于至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
为此，本发明的目的在于提供一种可靠的闪存的测试方法、系统、装置及存储介质。
为了达到上述技术目的，本发明实施例所采取的技术方案包括：
一方面，本发明实施例提供了一种闪存的测试方法，包括以下步骤：
本发明实施例的闪存的测试方法，该方法包括：获取闪存晶圆中的第一出厂块；对所述第一出厂块进行功能测试，判断所述第一出厂块是否为运行坏块；所述运行坏块用于表征功能测试结果为不通过的出厂块；若所述第一出厂块为运行坏块，还原所述第一出厂块的状态为第一状态，在坏块表中标记第一出厂块；所述第一状态用于表征所述第一出厂块进行功能测试前的状态。本发明实施例通过功能测试，发现运行坏块；并对属于运行坏块的第一出厂块进行状态还原处理，缓解了对运行坏块进行标记带来的易混淆问题，有利于提升测试结果的准确度。因此，本发明实施例能够对闪存晶圆进行功能测试，有利于缓解坏块标记的易混淆问题，提升测试结果的准确度；有利于降低测试成本。
另外，根据本发明上述实施例的闪存的测试方法，还可以具有以下附加的技术特征：
进一步地，本发明实施例的闪存的测试方法，所述方法还包括：
若所述第一出厂块为运行坏块，对所述第一出厂块进行降规格测试；
若所述第一出厂块的降规格测试的测试结果为通过，更新所述坏块表，更新规格书。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述对所述第一出厂块进行降规格测试这一步骤，包括：
获取所述功能测试的测试温度区间为第一温度区间；
在第二温度区间内，对所述第一出厂块进行读写擦测试，得到降规格测试的测试结果；
其中，所述第二温度区间的下限值大于所述第一温度区间的下限值，所述第二温度区间的上限值小于所述第一温度区间的上限值。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述运行坏块包括读写坏块，所述读写坏块用于表征在数据的读写过程发生错误位的坏块；所述若所述第一出厂块为运行坏块，对所述第一出厂块进行降规格测试这一步骤，包括：
若所述第一出厂块为读写坏块，获取所述功能测试的读温度区间为第三温度区间，获取所述功能测试的写温度区间为第四温度区间；
动态调整所述第三温度区间，对所述第一出厂块进行读测试，直至降规格测试的测试结果为通过；
或者，动态调整所述第四温度区间，对所述第一出厂块进行写测试，直至降规格测试的测试结果为通过。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述功能测试包括读测试、写测试和擦除测试；所述方法还包括：
对所述第一出厂块进行数据写入操作，通过读取所述第一出厂块对应的状态寄存器中的数据，判断所述第一出厂块是否通过写测试；
或者，对所述第一出厂块进行数据擦除操作，通过读取所述第一出厂块对应的状态寄存器中的数据，判断所述第一出厂块是否通过擦除测试；
或者，对所述第一出厂块进行数据读取操作，通过数据纠错规则，判断所述第一出厂块是否通过读测试。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述方法还包括：
获取经原厂测试并标记的闪存晶圆；所述标记用于表征对出厂坏块进行区分的标识；
依次获取闪存晶圆的每个出厂块作为第一出厂块进行功能测试，并根据所述功能测试的测试结果更新所述坏块表。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述方法还包括：
若坏块表丢失或错误，返回所述获取经原厂测试并标记的闪存晶圆这一步骤。
另一方面，本发明实施例提出了一种闪存的测试系统，包括：
第一模块，用于获取闪存晶圆中的第一出厂块；
第二模块，用于对所述第一出厂块进行功能测试，判断所述第一出厂块是否为运行坏块；所述运行坏块用于表征功能测试结果为不通过的出厂块；
第三模块，用于若所述第一出厂块为运行坏块，还原所述第一出厂块的状态为第一状态，在坏块表中标记第一出厂块；所述第一状态用于表征所述第一出厂块进行功能测试前的状态。
另一方面，本发明实施例提供了一种闪存的测试装置，包括：
至少一个处理器；
至少一个存储器，用于存储至少一个程序；
当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行时，使得所述至少一个处理器实现上述的闪存的测试方法。
另一方面，本发明实施例提供了一种存储介质，其中存储有处理器可执行的程序，所述处理器可执行的程序在由处理器执行时用于实现上述的闪存的测试方法。
本发明实施例通过功能测试，发现运行坏块；并对属于运行坏块的第一出厂块进行状态还原处理，缓解了对运行坏块进行标记带来的易混淆问题，有利于提升测试结果的准确度。因此，本发明实施例能够对闪存晶圆进行功能测试，有利于缓解坏块标记的易混淆问题，提升测试结果的准确度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或者现有技术中的技术方案，下面对本发明实施例或者现有技术中的相关技术方案附图作以下介绍，应当理解的是，下面介绍中的附图仅仅为了方便清晰表述本发明的技术方案中的部分实施例，对于本领域的技术人员来说，在无需付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取到其他附图。
图1为本发明提供的闪存的测试方法的一种实施例的流程示意图；
图2为本发明提供的闪存的测试方法的另一种实施例的流程示意图；
图3为本发明提供的闪存的测试系统的一种实施例的结构示意图；
图4为本发明提供的闪存的测试装置的一种实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。对于以下实施例中的步骤编号，其仅为了便于阐述说明而设置，对步骤之间的顺序不做任何限定，实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。
闪存(Flash)晶圆在出厂前原厂会将无法正常读、写或擦除的存储块标记为原厂坏块，同时各个模组厂商将晶圆购入后会对Flash完成封装和测试，而由模组厂商测试发现的坏块标记为运行时坏块，绝大部分的运行时坏块产生的原因是由于存储在Flash block中的数据在读取的时候发生错误Bit，同时错误Bit的数量超过设计纠错能力。当前通过坏块表来维护管理所有坏块。可以理解的是，原厂将坏块的第一个页(page)的主和备用数据区的第一个字节(byte)写入非0xFF数据以用作坏块标识。而运行时坏块产生的过程中也会在相同区域写入类似数据；当坏块表尚未生成或者丢失时，再次测试过程中无法非常准确的判断区分原厂坏块和运行时坏块，继而将大量的运行时坏块误判为原厂坏块，导致Flash测试失败，从而增加了产品成本。
基于此，本发明提出一种闪存的测试方法，旨在通过区分原厂坏块和运行坏块，以提升测试结果的准确度。下面参照附图详细描述根据本发明实施例提出的闪存的测试方法和系统，首先将参照附图描述根据本发明实施例提出的闪存的测试方法。
参照图1，本发明实施例中提供一种闪存的测试方法，本发明实施例中的闪存的测试方法，可应用于终端中，也可应用于服务器中，还可以是运行于终端或服务器中的软件等。终端可以是平板电脑、笔记本电脑、台式计算机等，但并不局限于此。服务器可以是独立的物理服务器，也可以是多个物理服务器构成的服务器集群或者分布式系统，还可以是提供云服务、云数据库、云计算、云函数、云存储、网络服务、云通信、中间件服务、域名服务、安全服务、CDN、以及大数据和人工智能平台等基础云计算服务的云服务器。本发明实施例中的闪存的测试方法主要包括以下步骤：
S100：获取闪存晶圆中的第一出厂块；
S200：对第一出厂块进行功能测试，判断第一出厂块是否为运行坏块；运行坏块用于表征功能测试结果为不通过的出厂块；
S300：若第一出厂块为运行坏块，还原第一出厂块的状态为第一状态，在坏块表中标记第一出厂块；第一状态用于表征第一出厂块进行功能测试前的状态。
可以理解的是，闪存阵列是固态硬盘内部用于承载存储数据的主体；Flash中的存储的数据在系统掉电后不会丢失，再重新上电后，其存储的数据仍在。因此将该类型的存储器称为“非易失存储器”。一颗典型的Flash存储器芯片，其内部的存储空间是按照下列方式来进行组织的：1颗Flash存储器封装体内，包含1个或多个LUN；1个LUN内，包含1个或多个Plane；1个Plane内，包含多个Block；1个Block内，包含有许多Page；1个Page内，包含有多个Byte。
Flash内部总是会有少量的一些块，在出厂时，这些块内带有固有的、无法修复的缺陷、错误，无法正常进行读/写/擦操作。这些块被称作出厂坏块(Factory Bad Block)，用户不能使用这些块进行数据的存储。需要说明的是，每颗Flash的出厂坏块地址都是随机的，通常情况下，每1000个Block中，可能有十个以内的出厂坏块。而固态硬盘之所以能够存储大量的数据，靠的就是电路板上的Flash存储器颗粒阵列。因此，固态硬盘的一个重要功能，就是坏块测试与标记。通常情况下，与芯片出厂时自带的“出厂坏块”相区分，这些在使用过程中出现的坏块，称为“新增坏块”或“使用坏块”或“运行坏块”。
在一些可能的实施方式中，获取第一出厂块，对第一出厂块进行功能测试。可以理解的是，本发明中的第一出厂块用于表征经过原厂测试和标记后的存储块。本发明实施例中，对于标记为正常的出厂存储块，通过本发明提供的闪存的测试方法进行功能测试。具体地，功能测试可以包括rb时间测试、回流焊测试、高低温测试、数据保持测试、读干扰测试、读写测试、复写测试或掉电测试中的至少一种，本发明并不限制功能测试的具体形式。通过功能测试，可以得到第一出厂块是否属于运行坏块。可以理解的是，若第一出厂块的功能测试结果为不通过，则可以判断第一出厂块属于运行坏块。若第一出厂块属于运行坏块，为了与出厂坏块标记进行区分，对第一出厂块进行状态还原，将第一出厂块还原至功能测试前的状态。通过功能还原，第一出厂块中不会保存功能测试的测试数据和测试标记，当对闪存进行再测试时，不会将第一出厂块误认为出厂坏块，从而增加出厂坏块的数量，导致测试结果的不准确。
可以理解的是，为了对第一出厂块属于运行坏块进行标记，将第一出厂块的相关标记写入坏块表。在闪存的使用过程中，通过坏块表进行运行坏块的查询，以忽略运行坏块，环境数据的误存和丢失现象，提升数据存储的安全性能。在一些可能的实现方式中，通过读写擦除的功能测试，若第一出厂块不属于运行坏块，则通过擦除测试，已经将第一出厂块中的测试数据擦除，则不需要对第一出厂块进行其它操作。通过对运行坏块的状态还原，缓解了标记混淆问题，提升了测试结果的准确度，从而，降低了测试成本。
可选地，在本发明的一个实施例中，该方法还包括：
若第一出厂块为运行坏块，对第一出厂块进行降规格测试；
若第一出厂块的降规格测试的测试结果为通过，更新坏块表，更新规格书。
在一些可能的实施方式中，如果第一出厂块在常规的测试环境、使用场景下的测试结果为运行坏块，或者在一个闪存中的运行坏块的数量超过预设阈值时；可以通过降规格的方式，提升闪存中的存储块的可用率。上述过程为：若第一坏块量大于预设阈值，对闪存进行降规格测试；第一坏块量用于表征闪存中的运行坏块的数量。可以理解的是，降规格测试用于表征通过降低测试场景的测试参数，对存储块进行功能测试的过程。具体地，若将测试规格进行一定的降低，能够使一些处于运行坏块的存储块通过功能测试，就能够在一定程度上提升闪存的可用性。示例性地，若在-30度左右的环境温度下，存储块的读写性能无法达到需求；而通过测试，在-10度左右的环境温度下，存储块的读写性能就可以达到需求；同时-10度的环境温度又同时满足相关的测试要求。那么，可以将该闪存的工作温度限定在-10度以上。当然，上述数值属于示例性举例，本发明并不限定具体的测试参数和测试数值。可以理解的是，对于更新后的测试参数，需要对规格书进行更新；同时，在新的测试参数下，坏块表的数量会降低，因此，需要进行再测试，更新坏块表。
可选地，在本发明的一个实施例中，对第一出厂块进行降规格测试这一步骤，包括：
获取功能测试的测试温度区间为第一温度区间；
在第二温度区间内，对第一出厂块进行读写擦测试，得到降规格测试的测试结果；
其中，第二温度区间的下限值大于第一温度区间的下限值，第二温度区间的上限值小于第一温度区间的上限值。
在一些可能的实施方式中，对于规格书限定的测试参数为环境温度情况下的降规格测试，可以将已测试的第一温度区间进行区间缩小，缓解温度区间的限定程度，以提升测试通过率，提升闪存的可用度。通过对第一温度区间的限缩与不断测试，得到可测试通过又符合要求的第二温度区间。
可选地，在本发明的一个实施例中，运行坏块包括读写坏块，读写坏块用于表征在数据的读写过程发生错误位的坏块；若第一出厂块为运行坏块，对第一出厂块进行降规格测试这一步骤，包括：
若第一出厂块为读写坏块，获取功能测试的读温度区间为第三温度区间，获取功能测试的写温度区间为第四温度区间；
动态调整第三温度区间，对第一出厂块进行读测试，直至降规格测试的测试结果为通过；
或者，动态调整第四温度区间，对第一出厂块进行写测试，直至降规格测试的测试结果为通过。
在一些可能的实施方式中，读写过程可以分为数据的写过程和数据的读过程，读过程和写过程的适用温度区间可能不同，即存在跨温读写的情况。本发明实施例针对读写不通过的问题，通过测试温度区间的调整进行降规格测试，最终得到调整后的温度区间。可以理解的是，高低温测试会涵盖四个场景(高温写高温读，高温写低温读，低温写低温度，低温写高温读)，针对不同的场景，可以对读温度区间和写温度区间进行调整测试，得到调整后的温度区间。
可选地，在本发明的一个实施例中，功能测试包括读测试、写测试和擦除测试；方法还包括：
对第一出厂块进行数据写入操作，通过读取第一出厂块对应的状态寄存器中的数据，判断第一出厂块是否通过写测试；
或者，对第一出厂块进行数据擦除操作，通过读取第一出厂块对应的状态寄存器中的数据，判断第一出厂块是否通过擦除测试；
或者，对第一出厂块进行数据读取操作，通过数据纠错规则，判断第一出厂块是否通过读测试。
在一些可能的实施方式中，Flash的常用操作有3种：读、写(即编程)、擦(即擦除)。一般而言，读、写操作都以Page即页为单位，而擦除操作则以Block即块为单位。本发明实施例中的功能测试可以针对上述三个过程进行测试。具体地，首先写入与读相关的预设代码和写地址，触发写测试操作；然后写入随机生成的数据，通过预设代码结束写操作；最后，通过读取读状态寄存器中的数据，与写入的数据进行对比。若两个数量对比结果为一致，则通过读测试。同样，对于擦除测试，示例性地，通过写入与擦除相关的预设代码和预设地址，进行擦除操作；然后读取状态寄存器中的数据，查看数据是否成功擦除，进而得到擦除测试的测试结果。可以理解的是，数据纠错规则，即差错检测和修正(ECC，Error Checking andCorrection)，是一种用于闪存的差错检测和修正算法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错。ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的错误不保证能检测。本发明实施例通过ECC，进行读操作的测试。具体地，读取数据后，通过ECC验证读取数据是否正常。通过功能测试，能够得到存储块是否为坏块，进而实现对闪存的测试。
可选地，在本发明的一个实施例中，该方法还包括：
获取经原厂测试并标记的闪存晶圆；标记用于表征对出厂坏块进行区分的标识；
依次获取闪存晶圆的每个出厂块作为第一出厂块进行功能测试，并根据功能测试的测试结果更新坏块表。
在一些可能的实施方式中，本发明实施例按照顺序，依次获取闪存晶圆中的正常出厂块进行功能测试；若当前出厂块属于运行坏块，参照图2所示的流程图，首先对当前出厂块进行状态还原；然后再进行下一个出厂块的功能测试。通过上述顺序处理过程，将运行坏块中的测试数据和状态数据进行擦除，对运行坏块进行状态还原，缓解了坏块的标记混淆问题。
可选地，在本发明的一个实施例中，该方法还包括：
若坏块表丢失或错误，返回获取经原厂测试并标记的闪存晶圆这一步骤。
在一些可能的实施方式中，若坏块表丢失或产生记录错误，重新对闪存的晶圆进行测试，重新生成坏块表。在重新测试过程中，对运行坏块进行再测试，不会产生坏块标记混淆的问题，提升测试结果的准确度。
综上可知，本发明实施例通过软件手段将Flash筛选过程中写入运行时坏块的测试数据在尚未开始下一个Block的筛选前及时还原测试块状态，保证测试Block第一个page的主和备用数据区与测试前一致，即使未来坏块表丢失或者测试过程意外终止导致坏块表未生成时，也不会在flash中存储非原厂的其它数据，确保flash在第二次测试时不会出现上述的误标识问题，降低了产品成本；同时，能够减少不良品。
其次，参照附图3描述根据本发明实施例提出的一种闪存的测试系统。
图3是本发明一个实施例的闪存的测试系统结构示意图，系统具体包括：
第一模块310，用于获取闪存晶圆中的第一出厂块；
第二模块320，用于对第一出厂块进行功能测试，判断第一出厂块是否为运行坏块；运行坏块用于表征功能测试结果为不通过的出厂块；
第三模块330，用于若第一出厂块为运行坏块，还原第一出厂块的状态为第一状态，在坏块表中标记第一出厂块；第一状态用于表征第一出厂块进行功能测试前的状态。
可见，上述方法实施例中的内容均适用于本系统实施例中，本系统实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。
参照图4，本发明实施例提供了一种闪存的测试装置，包括：
至少一个处理器410；
至少一个存储器420，用于存储至少一个程序；
当所述至少一个程序被所述至少一个处理器410执行时，使得所述至少一个处理器410实现所述的闪存的测试方法。
同理，上述方法实施例中的内容均适用于本装置实施例中，本装置实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其中存储有处理器可执行的程序，处理器可执行的程序在由处理器执行时用于执行上述的闪存的测试方法。
同理，上述方法实施例中的内容均适用于本存储介质实施例中，本存储介质实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。
在一些可选择的实施例中，在方框图中提到的功能/操作可以不按照操作示图提到的顺序发生。例如，取决于所涉及的功能/操作，连续示出的两个方框实际上可以被大体上同时地执行或所述方框有时能以相反顺序被执行。此外，在本发明的流程图中所呈现和描述的实施例以示例的方式被提供，目的在于提供对技术更全面的理解。所公开的方法不限于本文所呈现的操作和逻辑流程。可选择的实施例是可预期的，其中各种操作的顺序被改变以及其中被描述为较大操作的一部分的子操作被独立地执行。
此外，虽然在功能性模块的背景下描述了本发明，但应当理解的是，除非另有相反说明，功能和/或特征中的一个或多个可以被集成在单个物理装置和/或软件模块中，或者一个或多个功能和/或特征可以在单独的物理装置或软件模块中被实现。还可以理解的是，有关每个模块的实际实现的详细讨论对于理解本发明是不必要的。更确切地说，考虑到在本文中公开的装置中各种功能模块的属性、功能和内部关系的情况下，在工程师的常规技术内将会了解该模块的实际实现。因此，本领域技术人员运用普通技术就能够在无需过度试验的情况下实现在权利要求书中所阐明的本发明。还可以理解的是，所公开的特定概念仅仅是说明性的，并不意在限制本发明的范围，本发明的范围由所附权利要求书及其等同方案的全部范围来决定。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干程序用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行程序的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供程序执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从程序执行系统、装置或设备取程序并执行程序的系统)使用，或结合这些程序执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供程序执行系统、装置或设备或结合这些程序执行系统、装置或设备而使用的装置。
计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的程序执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。
在本说明书的上述描述中，参考术语“一个实施方式/实施例”、“另一实施方式/实施例”或“某些实施方式/实施例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施方式，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本发明权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种闪存的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取闪存晶圆中的第一出厂块；所述第一出厂块用于表征经过原厂测试和标记后，且标记为正常的存储块；
对所述第一出厂块进行功能测试，判断所述第一出厂块是否为运行坏块；所述运行坏块用于表征功能测试结果为不通过的出厂块；
若所述第一出厂块为运行坏块，还原所述第一出厂块的状态为第一状态，在坏块表中标记第一出厂块；所述第一状态用于表征所述第一出厂块进行功能测试前的状态。
2.根据权利要求1所述的闪存的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：
若所述第一出厂块为运行坏块，对所述第一出厂块进行降规格测试；
若所述第一出厂块的降规格测试的测试结果为通过，更新所述坏块表，更新规格书。
3.根据权利要求2所述的闪存的测试方法，其特征在于，所述对所述第一出厂块进行降规格测试这一步骤，包括：
获取所述功能测试的测试温度区间为第一温度区间；
在第二温度区间内，对所述第一出厂块进行读写擦测试，得到降规格测试的测试结果；
其中，所述第二温度区间的下限值大于所述第一温度区间的下限值，所述第二温度区间的上限值小于所述第一温度区间的上限值。
4.根据权利要求2所述的闪存的测试方法，其特征在于，所述运行坏块包括读写坏块，所述读写坏块用于表征在数据的读写过程发生错误位的坏块；所述若所述第一出厂块为运行坏块，对所述第一出厂块进行降规格测试这一步骤，包括：
若所述第一出厂块为读写坏块，获取所述功能测试的读温度区间为第三温度区间，获取所述功能测试的写温度区间为第四温度区间；
动态调整所述第三温度区间，对所述第一出厂块进行读测试，直至降规格测试的测试结果为通过；
或者，动态调整所述第四温度区间，对所述第一出厂块进行写测试，直至降规格测试的测试结果为通过。
5.根据权利要求1所述的闪存的测试方法，其特征在于，所述功能测试包括读测试、写测试和擦除测试；所述方法还包括：
对所述第一出厂块进行数据写入操作，通过读取所述第一出厂块对应的状态寄存器中的数据，判断所述第一出厂块是否通过写测试；
或者，对所述第一出厂块进行数据擦除操作，通过读取所述第一出厂块对应的状态寄存器中的数据，判断所述第一出厂块是否通过擦除测试；
或者，对所述第一出厂块进行数据读取操作，通过数据纠错规则，判断所述第一出厂块是否通过读测试。
6.根据权利要求1所述的闪存的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取经原厂测试并标记的闪存晶圆；所述标记用于表征对出厂坏块进行区分的标识；
依次获取闪存晶圆的每个出厂块作为第一出厂块进行功能测试，并根据所述功能测试的测试结果更新所述坏块表。
7.根据权利要求6所述的闪存的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：
若坏块表丢失或错误，返回所述获取经原厂测试并标记的闪存晶圆这一步骤。
8.一种闪存的测试系统，其特征在于，包括：
第一模块，用于获取闪存晶圆中的第一出厂块；所述第一出厂块用于表征经过原厂测试和标记后，且标记为正常的存储块；
第二模块，用于对所述第一出厂块进行功能测试，判断所述第一出厂块是否为运行坏块；所述运行坏块用于表征功能测试结果为不通过的出厂块；
第三模块，用于若所述第一出厂块为运行坏块，还原所述第一出厂块的状态为第一状态，在坏块表中标记第一出厂块；所述第一状态用于表征所述第一出厂块进行功能测试前的状态。
9.一种闪存的测试装置，其特征在于，包括：
至少一个处理器；
至少一个存储器，用于存储至少一个程序；
当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现如权利要求1至7中任一项所述的闪存的测试方法。
10.一种计算机可读存储介质，其中存储有处理器可执行的程序，其特征在于，所述处理器可执行的程序在由处理器执行时用于实现如权利要求1至7中任一项所述的闪存的测试方法。
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