CN114014367B - 一种WO3-x-WS2一维-二维异质结、制备方法及应用 - Google Patents
一种WO3-x-WS2一维-二维异质结、制备方法及应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114014367B CN114014367B CN202111474457.2A CN202111474457A CN114014367B CN 114014367 B CN114014367 B CN 114014367B CN 202111474457 A CN202111474457 A CN 202111474457A CN 114014367 B CN114014367 B CN 114014367B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dimensional
- heterojunction
- speed
- preparation
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 24
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002135 phase contrast microscopy Methods 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007040 multi-step synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G41/00—Compounds of tungsten
- C01G41/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G41/00—Compounds of tungsten
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种WO3‑x‑WS2一维‑二维异质结、制备方法及应用,制备方法包括以下步骤:步骤1:将偏钨酸铵和硫粉放置在化学气相沉积反应腔体的加热区;偏钨酸铵和硫粉之间设置有炉塞;步骤2:将反应腔体填充保护气氛;步骤3:在保护气氛条件下,以10~30℃/min的速率升温至400~700℃,然后以10℃/min的速率升温至1100~1500℃,保温20~40min,随炉冷却至室温,设置在偏钨酸铵一侧的基底上得到所需异质结构;本发明通过制备工艺简单的一步化学气相沉积生长方法构建了WO3‑x‑WS2一维‑二维异质结构,在单层WS2二维纳米片上生长了高度约为7.1nm的WO3‑x一维纳米线;该异质结具有优异的光电探测性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体异质纳米结构,具体涉及一种WO3-x-WS2一维-二维异质结、制备方法及应用。
背景技术
目前异质结纳米结构不仅对晶体生长的基础理论研究有重要的科学意义,而且在微纳电子学领域具有实际的应用价值。目前常见的异质结大部分为一维结构,或者二维结构。然而一维或二维结构性能单一很难满足广泛的应用需求。异质结纳米材料因其材料组分、形状、尺寸以及不同成分之间构成的异质界面所决定的新奇特性。
异质结的制备方法,主要有化学气相沉积、激光烧蚀、模板法即水热法等,上述方法多数采用高温加热、多步法合成或其他复杂的辅助手段。因此需要开发一维-二维特定的异质结结构,并且优化其制备方法。
发明内容
本发明采用一步法在单层WS2二维纳米片上生长了WO3-x一维纳米线得到WO3-x-WS2异质结。
本发明采用的技术方案是:
一种WO3-x-WS2一维-二维异质结的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:将偏钨酸铵和硫粉放置在化学气相沉积反应腔体的加热区;偏钨酸铵和硫粉之间设置有炉塞;
步骤2:将反应腔体填充保护气氛;
步骤3:在保护气氛条件下,以10~30℃/min的速率升温至400~700℃,然后以10℃/min的速率升温至1100~1500℃,保温20~40min,随炉冷却至室温,设置在偏钨酸铵一侧的基底上得到所需异质结构。
进一步的,所述步骤1中偏钨酸铵和硫粉的质量比为10~3000:1~300。
进一步的,所述步骤2先将反应腔体抽真空,然后用氩气填充至常压。
进一步的,所述步骤3中反应条件如下:以15℃/min的速率升温至600℃,然后以10℃/min的速率升温至1450℃,保温40min,随炉冷却至室温。
进一步的,步骤3反应过程中持续以10~60sccm速率填充氩气。
一种制备方法得到的WO3-x-WS2一维-二维异质结,一维WO3-x厚度为7.1nm,呈棒状,x取值为2~3;二维WS2厚度为0.8nm,呈片状。
WO3-x-WS2一维-二维异质结的应用,所述WO3-x-WS2一维-二维异质结构用于制备光探测器。
本发明的有益效果是:
(1)本发明通过制备工艺简单的一步化学气相沉积生长方法构建了WO3-x-WS2一维-二维异质结构,在单层WS2二维纳米片上生长了高度约为7.1nm的WO3-x一维纳米线;
(2)本发明得到的异质结具有优异的光电探测性能,通过测试得到异质结在635nm处获得了5.4×104A/W的超高光响应和高速开关。
附图说明
图1为制备过程方式示意图。
图2为本发明实施例2得到的WO3-x-WS2异质结的AFM图。
图3为本发明实施例2得到的WO3-x-WS2异质结的XPS图。
图4为本发明实施例2得到的WO3-x-WS2异质结的TEM图。
图5为本发明实施例2得到的WO3-x-WS2异质结开关光电流响应时间。
图6为本发明实施例2得到的WO3-x-WS2异质结在不同偏压下的光电流响应。
图7为本发明实施例2得到的WO3-x-WS2异质结的STS图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步说明。
如图1所示,一种WO3-x-WS2一维-二维异质结的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:将将10mg-3g偏钨酸铵和1mg-300mg硫粉放置在化学气相沉积反应腔体的加热区;偏钨酸铵和硫粉之间设置有炉塞;使运载硫元素沿炉塞上方与管壁的空隙通过。
步骤2:确认整个腔体密封良好,抽真空至低于0.01MPa后用氩气填充至常压并将此过程重复三次以严格控制腔体内氧气的浓度。
步骤3:在保护气氛条件下,以10~30℃/min的速率升温至400~700℃,然后以10℃/min的速率升温至1100~1500℃,保温20~40min,随炉冷却至室温,在此期间持续以10~60sccm的速率填充氩气,设置在偏钨酸铵一侧的基底上得到所需异质结构。
实施例1
一种WO3-x-WS2一维-二维异质结的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:1g偏钨酸铵和50mg硫粉放置在化学气相沉积反应腔体的加热区;偏钨酸铵和硫粉之间设置有炉塞;使运载硫元素沿炉塞上方与管壁的空隙通过。
步骤2:确认整个腔体密封良好,抽真空至低于0.01MPa后用氩气填充至常压并将此过程重复三次以严格控制腔体内氧气的浓度。
步骤3:在保护气氛条件下,以15℃/min的速率升温至600℃,然后以10℃/min的速率升温至1450℃,保温40min,随炉冷却至室温,在此期间持续以50sccm的速率填充氩气,设置在偏钨酸铵一侧的基底上得到所需异质结构。
实施例2
一种WO3-x-WS2一维-二维异质结的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:将300mg偏钨酸铵和15mg硫粉放置在化学气相沉积反应腔体的加热区;偏钨酸铵和硫粉之间设置有炉塞;使运载硫元素沿炉塞上方与管壁的空隙通过。
步骤2:确认整个腔体密封良好,抽真空至低于0.01MPa后用氩气填充至常压并将此过程重复三次以严格控制腔体内氧气的浓度。
步骤3:在保护气氛条件下,以15℃/min的速率升温至600℃,然后以10℃/min的速率升温至1450℃,保温40min,随炉冷却至室温,在此期间持续以50sccm的速率填充氩气,设置在偏钨酸铵一侧的基底上得到所需异质结构。
实施例3
一种WO3-x-WS2一维-二维异质结的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:将500mg偏钨酸铵和30mg硫粉放置在化学气相沉积反应腔体的加热区;偏钨酸铵和硫粉之间设置有炉塞;使运载硫元素沿炉塞上方与管壁的空隙通过。
步骤2:确认整个腔体密封良好,抽真空至低于0.01MPa后用氩气填充至常压并将此过程重复三次以严格控制腔体内氧气的浓度。
步骤3:在保护气氛条件下,以15℃/min的速率升温至600℃,然后以10℃/min的速率升温至1450℃,保温40min,随炉冷却至室温,在此期间持续以50sccm的速率填充氩气,设置在偏钨酸铵一侧的基底上得到所需异质结构。
将实施例2得到的样品采用原子力显微镜AFM表征WO3-x-WS2异质结的厚度,用相差显微镜PCM表征WO3-x-WS2的光电性能。用X射线光电子能谱XPS表征W、O、S元素的结合能和价态。用投射电镜TEM表征WO3-x/WS2异质结的晶体结构。用扫描隧道谱表征WO3-x-WS2的带隙。
图2为实施例2得到的WO3-x-WS2为异质结的AFM图,从图中可以看出一维WO3-x厚度为7.1nm,呈棒状。二维WS2厚度为0.8nm,呈片状,并形成了很好的异质结构。
图3为实施例2得到的WO3-x-WS2异质结的XPS图,用来表征WO3-x-WS2异质结元素含量和价态。从图中可以看出,WO3-x-WS2异质结中W离子存在正四价和正五价两个价态。其中O离子和S离子均为负二价。
图4为实施例2得到的WO3-x-WS2异质结的TEM图,从图中可以看出WS2为六方精系,晶面间距为0.27nm,WO3-x晶面间距为0.37nm,并且没有明显的晶格畸变和键无序存在。
将实施例2得到的WO3-x-WS2异质结用相差显微镜PCM表征WO3-x-WS2的光电性能,图5为WO3-x-WS2异质结开关光电流响应时间。图6为WO3-x-WS2异质结在不同偏压下的光电流响应图。从图5中可以看出WO3-x-WS2异质结开关光电流响应时间分别为0.4ms和0.6ms。从图6中可以看出,光电流随着样品偏压的增强而增加,范围在4.57至34.59pA之间。表明光致电子-空穴对更容易产生,并在更大的外部电场下分离。响应度R可通过R=Iph/PA的方程式计算,其中A是测量区域的有效面积。P是激光照明的功率密度,Iph是光电流。在精确测量光斑尺寸后,在偏压从4V降至1V作用下,WO3-x/WS2异质结构的响应度范围为5.43×104~0.72×104A/W。
将实施例2得到的WO3-x-WS2异质结用扫描隧道谱来表征其带隙。图7为WO3-x-WS2异质结的STS数据。从图中可以看出WO3-x、WS2和WO3-x-WS2异质结构的VBs分别为-1.64eV、-0.95eV和-0.67eV。WS2和WO3-x-WS2的CBs分别为0.92ev和0.46ev;该能带结构形成了Ⅱ型异质结构。
本发明通过协同调节S源和生长温度,通过一步化学气相沉积生长方法构建了WO3-x-WS2一维-二维异质结构。在单层WS2二维纳米片上生长了高度约为7.1nm的WO3-x的一维纳米线。用PCM系统测量了WO3-x-WS2异质结的光电探测性能。可以看出WO3-x-WS2异质结在635nm处获得了5.4×104A/W的超高光响应和高速开关(通电:~0.4ms/关断:~0.6ms)。通过原位STS表征,WO3-x、WS2和WO3-x-WS2的带隙分别为2.10ev、1.87ev和1.01ev。WO3-x-WS2异质结构呈现II型能带结构。本发明通过能带对准实现了优异的光探测性能,丰富了TMOs/TMDs异质结构系统。
Claims (7)
1.一种WO3-x-WS2一维-二维异质结的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将偏钨酸铵和硫粉放置在化学气相沉积反应腔体的加热区;偏钨酸铵和硫粉之间设置有炉塞;偏钨酸铵和硫粉的质量比为10~3000:1~300;
步骤2:将反应腔体填充保护气氛;
步骤3:在保护气氛条件下,以10~30℃/min的速率升温至400~700℃,然后以10℃/min的速率升温至1100~1500℃,保温20~40min,随炉冷却至室温,设置在偏钨酸铵一侧的基底上得到所需异质结构;异质结为在单层WS2二维纳米片上生长了WO3-x一维纳米线得到WO3-x-WS2异质结。
2.根据权利要求1所述的一种WO3-x-WS2一维-二维异质结的制备方法,其特征在于,所述步骤1中偏钨酸铵和硫粉的质量比为10~3000:1~300。
3.根据权利要求1所述的一种WO3-x-WS2一维-二维异质结的制备方法,其特征在于,所述步骤2先将反应腔体抽真空,然后用氩气填充至常压。
4.根据权利要求1所述的一种WO3-x-WS2一维-二维异质结的制备方法,其特征在于,所述步骤3中反应条件如下:以15℃/min的速率升温至600℃,然后以10℃/min的速率升温至1450℃,保温40min,随炉冷却至室温。
5.根据权利要求1所述的一种WO3-x-WS2一维-二维异质结的制备方法,其特征在于,步骤3反应过程中持续以10~60sccm速率填充氩气。
6.采用如权利要求1~5所述任一种制备方法得到的WO3-x-WS2一维-二维异质结,其特征在于,一维WO3-x厚度为7.1nm,呈棒状,x取值为2~3;二维WS2厚度为0.8nm,呈片状。
7.如权利要求6得到的WO3-x-WS2一维-二维异质结的应用,其特征在于,所述WO3-x/WS2一维/二维异质结构用于制备光探测器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111474457.2A CN114014367B (zh) | 2021-12-03 | 2021-12-03 | 一种WO3-x-WS2一维-二维异质结、制备方法及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111474457.2A CN114014367B (zh) | 2021-12-03 | 2021-12-03 | 一种WO3-x-WS2一维-二维异质结、制备方法及应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114014367A CN114014367A (zh) | 2022-02-08 |
CN114014367B true CN114014367B (zh) | 2023-12-01 |
Family
ID=80067926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111474457.2A Active CN114014367B (zh) | 2021-12-03 | 2021-12-03 | 一种WO3-x-WS2一维-二维异质结、制备方法及应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114014367B (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105148946A (zh) * | 2015-10-10 | 2015-12-16 | 郑州大学 | 一种二维二硫化钨/一水合三氧化钨横向异质结及其制备方法、应用 |
CN106018480A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-10-12 | 重庆理工大学 | 一种旁热式氨气传感器及制备方法 |
WO2016190818A1 (en) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | Nanyang Technological University | Synthesis and application of tungsten chalcogenide hetero-structured nanomaterials |
CN110808281A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-18 | 北京工业大学 | 一种单层MoS2-WS2横向异质结的制备方法 |
KR20200063767A (ko) * | 2018-11-28 | 2020-06-05 | 충북대학교 산학협력단 | 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법 |
CN111349907A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-06-30 | 厦门大学 | 一种MoS2/WS2垂直异质结的制备方法 |
-
2021
- 2021-12-03 CN CN202111474457.2A patent/CN114014367B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016190818A1 (en) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | Nanyang Technological University | Synthesis and application of tungsten chalcogenide hetero-structured nanomaterials |
CN105148946A (zh) * | 2015-10-10 | 2015-12-16 | 郑州大学 | 一种二维二硫化钨/一水合三氧化钨横向异质结及其制备方法、应用 |
CN106018480A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-10-12 | 重庆理工大学 | 一种旁热式氨气传感器及制备方法 |
KR20200063767A (ko) * | 2018-11-28 | 2020-06-05 | 충북대학교 산학협력단 | 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법 |
CN110808281A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-18 | 北京工业大学 | 一种单层MoS2-WS2横向异质结的制备方法 |
CN111349907A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-06-30 | 厦门大学 | 一种MoS2/WS2垂直异质结的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Polygonal WS2-decorated-graphene multilayer films with microcavities prepared from a cheap precursor as anode materials for lithium-ion batteries;Yongsheng Dong et al.;《Materials Letters》;第73–76页 * |
Transformation/Dissolution Characterization of Tungsten and Tungsten Compounds for Aquatic Hazard Classification;Philippa Huntsman et al.;《Environmental Management》;第498–508页 * |
硫化法在不锈钢基体上制备硫化钨薄膜的研究;杜广煜等;《真空科学与技术学报》;第68-72页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114014367A (zh) | 2022-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Liu et al. | Non-planar vertical photodetectors based on free standing two-dimensional SnS 2 nanosheets | |
Yao et al. | Promoting the performance of layered-material photodetectors by alloy engineering | |
Lim et al. | Stacking of two-dimensional materials in lateral and vertical directions | |
Yang et al. | Broadband photodetection of 2D Bi2O2Se–MoSe2 heterostructure | |
Sutter et al. | 1D wires of 2D layered materials: germanium sulfide nanowires as efficient light emitters | |
CN104746144B (zh) | 一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法 | |
Shi et al. | Synthesis and photoelectric properties of Cu2ZnGeS4 and Cu2ZnGeSe4 single-crystalline nanowire arrays | |
Zhang et al. | Enhanced optoelectronic performance of 3C–SiC/ZnO heterostructure photodetector based on Piezo-phototronic effect | |
Li et al. | Two-dimensional monoelemental germanene nanosheets: facile preparation and optoelectronic applications | |
Li et al. | High-performance photodetectors and enhanced field-emission of CdS nanowire arrays on CdSe single-crystalline sheets | |
Yan et al. | Formation of Ag2S nanowires and Ag2S/CdS heterostructures via simple solvothermal route | |
Shoaib et al. | Controllable Vapor Growth of Large-Area Aligned CdS x Se 1− x Nanowires for Visible Range Integratable Photodetectors | |
Wang et al. | PbI2 nanosheets for photodetectors via the facile cooling thermal supersaturation solution method | |
Liu et al. | Piezoelectric nanogenerator based on a flexible carbon-fiber/ZnO–ZnSe bilayer structure wire | |
Lahewil et al. | Synthesis ZnO nanoclusters micro active area using continues wave blue laser-assisted chemical bath deposition based on UV photodetector | |
Shekari et al. | High-quality GaN nanowires grown on Si and porous silicon by thermal evaporation | |
Chen et al. | Large-area growth of SnS 2 nanosheets by chemical vapor deposition for high-performance photodetectors | |
Ma et al. | Facile method to prepare CdS nanostructure based on the CdTe films | |
Fu et al. | Toward edge engineering of two-dimensional layered transition-metal dichalcogenides by chemical vapor deposition | |
Li et al. | High-yield synthesis of single-crystalline zinc oxide nanobelts and their applications in novel Schottky solar cells | |
Yasir et al. | Synthesis and properties of crystalline thin film of antimony trioxide on the Si (1 0 0) substrate | |
CN114014367B (zh) | 一种WO3-x-WS2一维-二维异质结、制备方法及应用 | |
KR102127024B1 (ko) | 고밀도 정렬된 실리콘 나노와이어 | |
Zhang et al. | Preparation and characterization of WSe2 nano-films by magnetron sputtering and vacuum selenization | |
CN109285900B (zh) | 二维Ga1-xInxSe合金及其制备方法及在制备光电探测中的应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231205 Address after: No. 442, Zhongshan Avenue Middle, Tianhe District, Guangzhou, Guangdong 510599 Patentee after: Guangzhou Kebo Enterprise Management Co.,Ltd. Address before: 10 / F, area a, building 4, No. 200, Tianfu 5th Street, Chengdu hi tech Zone, China (Sichuan) pilot Free Trade Zone, Chengdu, Sichuan 610000 Patentee before: Sichuan Hengrui Tiancheng Technology Co.,Ltd. |