CN114008739A - 衬底处理装置 - Google Patents
衬底处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114008739A CN114008739A CN202080045507.2A CN202080045507A CN114008739A CN 114008739 A CN114008739 A CN 114008739A CN 202080045507 A CN202080045507 A CN 202080045507A CN 114008739 A CN114008739 A CN 114008739A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- protruding
- center
- distance
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 111
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 53
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 29
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000010517 secondary reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/03—Mounting, supporting, spacing or insulating electrodes
- H01J2237/036—Spacing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及一种衬底处理装置,包括第一电极和第二电极,第一电极和第二电极的位置可以考虑热膨胀系数的差异而提前调整,使得即使在处理期间第一电极和第二电极出现热膨胀的情况下也防止通过第一电极和第二电极之间的接触所产生的短路。即使在第一电极和第二电极由于处理期间温度的上升而出现热膨胀的情况下,本发明的衬底处理装置也可以防止第一电极和第二电极之间的短路,并且可以在用于处理大衬底的衬底处理装置中维持薄膜的均匀性。
Description
技术领域
本公开涉及一种衬底处理装置,更具体地涉及考虑热膨胀系数的差异而设计的衬底处理装置,以便防止电极之间的短路。
背景技术
通常,需要在衬底上设置薄膜层、薄膜电路图案,或光学图案,以便制造半导体器件、平板显示器、太阳能电池或光伏电池等。就此而言,执行衬底处理工艺,例如,将由特定材料形成的薄膜沉积在衬底上的沉积工艺、使用感光材料来选择性曝光薄膜的光刻工艺,以及通过选择性地去除薄膜的曝光部分来形成图案的蚀刻工艺。
使用衬底处理装置来执行这样的衬底处理工艺。现有技术中的衬底处理装置包括在其中处理衬底的腔体、支撑衬底的基座以及布置在基座之上的电极单元。现有技术中的衬底处理装置通过经由电极单元向衬底供应气体来执行衬底处理工艺。
现有技术中的衬底处理装置的电极单元包括:第一电极,其包括朝向衬底突出的多个突出电极;以及第二电极,其设有突出电极延伸通过的插孔。突出电极被设计为位于插孔的中心。
在衬底处理装置中执行的衬底处理工艺期间,腔体中的温度上升,并且第一电极和第二电极由于温度的上升而热膨胀。通常,更靠近由加热器加热的基座的第二电极与第一电极相比具有更高的温度。这样的温度差导致第一电极和第二电极之间的热膨胀的差别。
由于第一电极和第二电极之间的热膨胀系数的差异,在这样的处理期间,突出电极的中心可能不与插孔的中心对准。此外,随着热膨胀系数之差在从第一电极和第二电极的中心区域到边缘区域的方向上增加,突出电极的中心和插孔的中心之间的未对准程度可以在从中心区域到边缘区域的方向上增加,使得突出电极和插孔可以接触彼此,从而产生短路。
在第一电极和第二电极之间产生的这样的短路可能是有问题的,因为可能未将射频(RF)电力提供到衬底处理装置中,并且可能在衬底处理工艺期间不会产生均匀薄膜。
发明内容
各个实施例涉及一种衬底处理装置,其包括:第一电极,具有朝向衬底突出的多个突出电极;以及第二电极,设有突出电极延伸通过的多个插孔。对突出电极和插孔的位置进行调整,使得即使在第一电极和第二电极由于处理期间温度的上升而热膨胀的情况下也可以防止通过第一电极和第二电极之间的接触所产生的短路。突出电极的中心与插孔的中心对准,使得可以从第一电极和第二电极均匀地喷射工艺气体。
在实施例中,一种衬底处理装置可以包括:处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;第一电极,其被布置在处理腔内并且包括面向衬底并且朝向衬底突出的多个突出电极;以及第二电极,其被布置在处理腔内并且设有突出电极所插入的多个插孔。第二电极可以具有中心区域、围绕中心区域的外围区域以及围绕外围区域的边缘区域。突出电极可以被插入插孔中,使得:在中心区域中突出电极的中心与插孔的中心对准,在外围区域中在远离中心区域的方向上突出电极的中心与插孔的中心间隔第一距离,以及在边缘区域中在远离中心区域的方向上突出电极的中心与插孔的中心间隔第二距离。第一距离可以短于第二距离。
在另一个实施例中,一种衬底处理装置可以包括:处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;第一电极,其被布置在处理腔内并且包括面向衬底并且朝向衬底突出的多个突出电极;以及第二电极,其被布置在处理腔内并且设有突出电极所插入的多个插孔。
第二电极可以具有中心区域、围绕中心区域的外围区域以及围绕外围区域的边缘区域。突出电极可以被插入插孔中,使得在从中心区域到边缘区域的方向上,突出电极的中心与插孔的中心间隔增加。
在又一个实施例中,一种衬底处理装置可以包括:处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;第一电极,其被布置在处理腔内并且包括面向衬底并且朝向衬底突出的多个突出电极;以及第二电极,其被布置在处理腔内并且设有突出电极所插入的多个插孔。第二电极可以具有中心区域、围绕中心区域的外围区域以及围绕外围区域的边缘区域。突出电极的外部圆周表面和插孔的内部圆周表面之间的最短距离可以在从第二电极的中心区域到边缘区域的方向上减小。
在又一个实施例中,一种衬底处理装置可以包括:处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;第一喷射板,其被布置在处理腔内并且包括面向衬底并且朝向衬底突出的多个突出喷嘴;以及第二喷射板,其被布置在处理腔内并且设有突出喷嘴所插入的多个插孔。第二喷射板可以具有中心区域、围绕中心区域的外围区域以及围绕外围区域的边缘区域。突出喷嘴可以被插入插孔中,以便:在中心区域中与插孔的中心对准,在外围区域中在远离中心区域的方向上与插孔的中心间隔第一距离,以及在边缘区域中在远离中心区域的方向上与插孔的中心间隔第二距离。第一距离可以短于第二距离。
在又一个实施例中,一种衬底处理装置可以包括:处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;第一喷射板,其被布置在处理腔内并且包括面向衬底并且朝向衬底突出的多个突出喷嘴;以及第二喷射板,其被布置在处理腔内并且设有突出喷嘴所插入的多个插孔。第二喷射板可以具有中心区域、围绕中心区域的外围区域以及围绕外围区域的边缘区域。突出喷嘴可以被插入插孔中,以便在从中心区域到边缘区域的方向上与插孔的中心间隔增加。
在再一个实施例中,一种衬底处理装置可以包括:处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;第一喷射板,其被布置在处理腔内并且包括面向衬底并且朝向衬底突出的多个突出喷嘴;以及第二喷射板,其被布置在处理腔内并且设有突出喷嘴所插入的多个插孔。第二喷射板可以具有中心区域、围绕中心区域的外围区域以及围绕外围区域的边缘区域。突出喷嘴的外部圆周表面和插孔的内部圆周表面之间的最短距离可以在从第二喷射板的中心区域到边缘区域的方向上减小。
在根据本公开的衬底处理装置中,在第二电极的中心区域中突出电极的中心位于插孔的中心,并且在第二电极的中心区域以外的区域中在从第二电极的中心区域到边缘区域的方向上突出电极的中心的位置更偏离插孔的中心。因此,即使在第一电极和第二电极由于处理期间温度的上升而热膨胀的情况下,也可以防止通过第一电极和第二电极之间的接触产生短路。此外,可以在用于处理大衬底的衬底处理装置中维持薄膜的均匀性。
在根据本公开的另一个衬底处理装置中,即使在第一喷射板和第二喷射板由于处理期间温度的上升而热膨胀的情况下,突出喷嘴的中心也可以与插孔的中心对准。因此,从第一喷射板和第二喷射板均匀地喷射工艺气体,使得可以在用于处理大衬底的衬底处理装置中维持薄膜的均匀性。
附图说明
图1是示出根据本公开的衬底处理装置的实施例的剖视图。
图2是示出根据图1中示出的实施例的衬底处理装置的部分A在热膨胀之前的放大图。
图3是示出根据图1中示出的实施例的衬底处理装置的部分A在热膨胀之后的放大图。
图4是示出根据图1中示出的实施例的衬底处理装置在热膨胀之前、沿线B-B所取的平面图。
图5是示出图4中的部分C的放大图。
图6是示出根据图1中示出的实施例的衬底处理装置在热膨胀之后、沿线B-B所取的平面图。
图7是示出图1中示出的衬底处理装置的另一个实施例在热膨胀之前、沿线B-B所取的平面图。
图8是示出图1中示出的衬底处理装置的另一个实施例在热膨胀之后、沿线B-B所取的平面图。
图9是示出图1中示出的衬底处理装置的另一个实施例在热膨胀之前、沿线B-B所取的平面图。
图10是示出图1中示出的衬底处理装置的另一个实施例在热膨胀之后、沿线B-B所取的平面图。
图11是示出图1中示出的衬底处理装置的另一个实施例的部分A在热膨胀之前的放大图。
图12是示出图1中示出的衬底处理装置的另一个实施例的部分A在热膨胀之后的放大图。
具体实施方式
在衬底处理装置中的处理期间,第二电极(即,下电极)的温度典型地高于第一电极(即,上电极)的温度。因此,由于该温度差,第一电极和第二电极具有热膨胀系数的差异。
在处理之前,在第一电极的突出电极和第二电极的插孔之间维持预定的距离。然而,由于这样的差异,在处理之后,突出电极和插孔之间的距离可能不均匀。在热膨胀的显著差异的情况下,突出电极可能接触插孔,从而产生短路。
根据本公开,为了防止以上描述的问题,考虑第一电极的突出电极和第二电极的插孔之间的热膨胀的差异,通过在处理之前调整突出电极和插孔之间的距离来布置突出电极和插孔。因而,在热膨胀之后,突出电极的中心可以与插孔的中心对准。
由于热膨胀系数与温度和长度成比例,在第一电极和第二电极的中心区域热膨胀不显著,但是在从中心区域到边缘区域的方向上径向地增加。
因此,可以布置第一电极和第二电极,使得在第一电极和第二电极的中心区域中突出电极的中心位于插孔的中心,并且在从第一电极和第二电极的中心区域到边缘区域的方向上突出电极的中心更偏离插孔的中心。
将在以下参考附图详细地描述本公开的示例性实施例。
图1是示出根据本公开的实施例的衬底处理装置的剖视图。
根据图1,根据本公开的衬底处理装置100包括处理腔110、基座120、腔体盖130以及面向基座120的气体喷射模块140。气体喷射模块140包括第一电极141和第二电极142。
处理腔110提供执行衬底处理工艺的反应空间101。在这里,处理腔110的下表面的一部分与排空反应空间101的出口(未示出)相通。
基座120被布置在处理腔110内并且支撑多个衬底S或单个大衬底S。通过延伸通过处理腔110的下表面的中央部分的支撑轴(未示出)来支撑基座120。在这里,通过布置在处理腔110的下表面上的波纹管(未示出)对从处理腔110的下表面暴露在外面的支撑轴进行密封。此外,可以通过驱动单元(未示出)使基座120向上或向下移动。在一些情况下,可以通过对驱动单元的驱动来使基座120旋转。
腔体盖130被布置为覆盖处理腔110的顶部并且密封反应空间101。腔体盖130支撑包括第一电极141(即,上电极)以及第二电极142(即,下电极)的气体喷射模块140。气体喷射模块140被插入腔体盖130中并且可拆卸地耦接到腔体盖130。
可以在腔体盖130的上表面上设置用于向处理腔110内的气体喷射模块140供应第一气体和第二气体的第一气源(未示出)和第二气源(未示出)。
第一气源(未示出)通过第一供气管道151向气体喷射模块140供应反应气体(即,第一气体)。反应气体指等离子形成气体或用于二次反应的气体。例如,反应气体可以包含氢(H2)、氮(N2)、氧(O2)、二氧化氮(N2O)、氨(NH3)、水(H2O)、臭氧(O3)等。
第二气源(未示出)通过第二供气管道152向气体喷射模块140供应源气体(即,第二气体)。源气体指包含要形成薄膜的主要成分的气体。例如,源气体可以是硅(Si)、钛族元素(例如,Ti、Zr和Hf)、铝(Al)等的气体。
用于供应等离子电力的等离子电源(未示出)可以布置在处理腔110外部。
气体喷射模块140的第一电极141和第二电极142可以可拆卸地耦接到处理腔的顶部以便面向基座120。
第一电极141可以用作第一喷射板以将第一气体喷射到反应空间中,而第二电极141可以用作第一喷射板以将第一气体喷射到反应空间中。
第一电极141包括多个突出电极141a,多个突出电极141a被布置在处理腔内并且朝向衬底S突出。
第一电极141可以设有多个第一气体喷射孔141b,通过多个第一气体喷射孔141b,可以将通过第一供气管道151a从第一气源151供应的第一气体喷射到衬底S。
尽管图1示出第一气体喷射孔141b图示为设于突出电极141a中,但在某些情况下,第一气体喷射孔141b可以不设于突出电极141a中,而是设于第一电极141的突出电极141a以外的部分中。
在这种情况下,第一气体可以被喷射到衬底S或可以根据突出电极141a的长度,从突出电极141a和插孔142a之间来喷射。
第一电极141的结构可以具有多边型板、圆板等的形状。突出电极141a可以与第一电极141集成或可从第一电极141拆卸,并且可以连接到第一电极141以具有与第一电极141相同的电压。
第二电极142可以设有多个第二气体喷射孔142b,通过多个第二气体喷射孔142b,可以将通过第二供气管道152a供应的第二气体喷射到衬底S。
第二电极142的结构可以具有多边型板、圆板等的形状。第二电极142可以被设于处理腔内并且具有突出电极141a延伸通过的多个插孔142a。
图2和3是根据图1中示出的实施例的衬底处理装置的部分“A”的放大图,而图4和6是根据图1中示出的实施例的衬底处理装置沿线B-B所取的平面图。
图2至6涉及包括第一电极和第二电极的电极的实施例,其中,为了简化附图并且便于描述,没有示出第一气体喷射孔141b和第二气体喷射孔142b中的任何一个。稍后将描述涉及包括第一气体喷射孔141b和第二气体喷射孔142b的气体喷射板的实施例。
参考图2,在根据本公开的衬底处理装置中,可以理解,突出电极141a可位于第二电极142的中心区域中的插孔142a的中心,但是在从第二电极142的中心区域到边缘区域的方向上形成为更偏离插孔142a的中心朝向插孔142a的内部圆周表面的外部。
如上所述,突出电极141a的位置被设置为在从第二电极的中心区域到边缘区域的方向上更偏离插孔142a的中心。因此,在由于该工艺而导致的热膨胀完成之后,如图3中所示的,突出电极141a可以位于插孔142a的中心,从而防止突出电极141a和插孔142a之间的短路。
参考图4和5,根据本公开的衬底处理装置的第二电极142包括中心区域CA、围绕中心区域CA的外围区域PA以及围绕外围区域PA的边缘区域EA。
在中心区域CA中,突出电极141a被插入插孔142a中,使得突出电极141a的中心与插孔142a的中心对准。
在外围区域PA中,突出电极141a被插入插孔142a中,使得在远离中心区域CA的方向上,突出电极141a的中心与插孔142a的中心间隔第一距离d1。
在边缘区域EA中,突出电极141a被插入插孔142a中,使得在远离中心区域CA的方向上,突出电极141a的中心与插孔142a的中心间隔第二距离d2。
在这里,考虑根据温度和长度的热膨胀系数的差异,可以将第一距离设置为小于第二距离。
也就是说,在根据实施例的衬底处理装置中,突出电极141a被插入插孔142a中,使得在从中心区域CA到边缘区域EA的方向上,突出电极141a的中心与插孔142a的中心间隔增加。
此外,在根据实施例的衬底处理装置中,突出电极141a被插入插孔142a中,使得位于中心区域CA对面的每一个插孔142a的内部圆周表面部分与对应的突出电极141a的外部圆周表面部分之间的距离在从中心区域CA到边缘区域EA的方向上减小。
同时,外围区域PA包括第一外围区域PA1和第二外围区域PA2。
在第一外围区域PA1中,突出电极141a被插入插孔142a中,使得在远离中心区域CA的方向上,突出电极141a的中心与插孔142a的中心间隔第一距离d1。
在第二外围区域PA2中,突出电极141a被插入插孔142a中,使得在远离中心区域CA的方向上,突出电极141a的中心与插孔142a的中心间隔第三距离d3。
在这里,考虑根据温度和长度的热膨胀系数的差异,可以将第一距离d1设置为等于或小于第三距离d3。
同时,边缘区域EA包括第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2。
在第一边缘区域EA1中,突出电极141a被插入插孔142a中,使得在远离中心区域CA的方向上,突出电极141a的中心与插孔142a的中心间隔第二距离d1。
在第二边缘区域EA2中,突出电极141a被插入插孔142a中,使得在远离中心区域CA的方向上,突出电极141a的中心与插孔142a的中心间隔第四距离d1。
在这里,考虑根据温度和长度的热膨胀系数的差异,可以将第二距离d2设置为等于或小于第四距离d1。
根据本公开,第一距离d1可以被定义为在第一外围区域PA1中突出电极141a和插孔142a之间的中心至中心距离,第二距离d2可以被定义为在第一边缘区域EA1中突出电极141a和插孔142a之间的中心至中心距离,第三距离d3可以被定义为在第二外围区域PA2中突出电极141a和插孔142a之间的中心至中心距离,并且第四距离d4可以被定义为在第二边缘区域EA2中突出电极141a和插孔142a之间的中心至中心距离。
在这里,考虑根据温度和长度的热膨胀系数的差异,可以将第三距离d3设置为等于或小于第二距离d2并且小于第四距离d4。
在根据本公开的衬底处理装置中,第二电极的区域被划分为中心区域CA、第一外围区域PA1和第二外围区域PA1以及第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2。突出电极141a的位置被设置为在从中心区域CA到第一外围区域PA1和第二外围区域PA1以及到第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2的方向上更偏离插孔142a的中心。因此,在由于工艺导致的热膨胀完成之后,如图6中所示突出电极141a可以位于插孔142a的中心,从而防止突出电极141a和插孔142a之间的短路。
图7示出在热膨胀之前具有矩形板的形状的第一电极141和第二电极142,而图8示出在热膨胀完成之后的第一电极141和第二电极142。
图9示出在热膨胀之前具有圆板的形状的第一电极141和第二电极142,而图10示出在热膨胀完成之后的第一电极141和第二电极142。
尽管图4至10示出突出电极141a和插孔142a分别具有圆形截面,但突出电极141a和插孔142a不限于此,并且可以具有各种其他形状,诸如矩形形状。
图11是示出图1中示出的衬底处理装置的另一个实施例的部分A在热膨胀之前的放大图,而图12示出在热膨胀之后的部分A。
图2和3涉及包括第一电极和第二电极的电极的实施例,而图11和12示出气体喷射板的实施例,该气体喷射板包括第一气体喷射孔141b和第二气体喷射孔142b并且将气体喷射到反应空间中。
除了第一电极用作包括第一气体喷射孔141b和突出喷嘴141a的第一喷射板141并且第二电极用作包括插孔142a和第二气体喷射孔(未示出)的第二喷射板142之外,图11的结构与图2的结构相同。
在下文中,将参考图11和12以及图4至6来描述本公开的另一个实施例。
根据本公开的另一个实施例的衬底处理装置包括:处理腔110,其提供执行衬底处理工艺的反应空间;第一喷射板141,其被布置在处理腔内并且包括面向衬底S并且朝向衬底S突出的多个突出喷嘴141a;以及第二喷射板142,其被布置在处理腔内并且被设有突出喷嘴141a被插入到其中的多个插孔142a。
第二喷射板142包括中心区域CA、围绕中心区域CA的外围区域PA以及围绕外围区域PA的边缘区域EA。
在中心区域CA中,突出喷嘴141a被插入插孔142a中以便与插孔142a的中心对准。
在外围区域PA中,突出喷嘴141a被插入插孔142a中,以便在远离中心区域CA的方向上与插孔142a的中心间隔第一距离d1。
在边缘区域EA中,突出喷嘴141a被插入插孔142a中,以便在远离中心区域CA的方向上与插孔142a的中心间隔第二距离d2。
在这里,考虑根据温度和长度的热膨胀系数的差异,可以将第一距离d1设置为小于第二距离d2。
也就是说,在根据本公开的另一个实施例的衬底处理装置中,突出喷嘴141a被插入插孔142a中,使得在从中心区域CA到边缘区域EA的方向上,突出喷嘴141a的中心与插孔142a的中心间隔增加。
此外,在根据本公开的另一个实施例的衬底处理装置中,突出喷嘴141a被插入插孔142a中,使得位于中心区域CA对面的每一个插孔142a的内部圆周表面部分与对应的突出喷嘴141a的外部圆周表面部分之间的距离在从中心区域CA到边缘区域EA的方向上减小。
此外,尽管图2中示出的突出电极141a和图11中示出的突出喷嘴141a典型地被插入插孔142a中,但根据处理条件,可以不将突出电极141a和突出喷嘴141a插入插孔142a中。
甚至在突出喷嘴141a没有被插入插孔142a中的情况中,当由于热膨胀使突出喷嘴的位置偏离插孔142a的中心时,可能不形成具有均匀质量的薄膜。因此,在如本公开中的处理之前需要调整突出喷嘴的位置的过程。
如以上阐述的,在根据本公开的衬底处理装置中,考虑根据电极的温度和与第二电极的中心的距离的热膨胀的差异,在中心区域中突出电极位于第二电极的插孔的中心并且在从中心区域到边缘区域的方向上位于更偏离中心的位置。
因此,在本公开中,在热膨胀完成之后,突出电极的中心与插孔的中心对准,使得可以防止突出电极和插孔之间的短路,从而在衬底处理装置中维持薄膜的均匀性。
尽管已经详细地描述了本发明的示例性实施例,但本领域技术人员将理解,在不背离所附权利要求所限定的本公开的范围和精神的情况下,各种修改、添加和置换是可能的。
Claims (15)
1.一种衬底处理装置,包括:
处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;
第一电极,被布置在所述处理腔内,以及所述第一电极包括面向所述衬底并且朝向所述衬底突出的多个突出电极;以及
第二电极,被布置在所述处理腔内,以及所述第二电极设有所述突出电极所插入的多个插孔,
其中,所述第二电极具有中心区域、围绕所述中心区域的外围区域以及围绕所述外围区域的边缘区域,
其中,所述突出电极被插入所述插孔中,使得:在所述中心区域中所述突出电极的中心与所述插孔的中心对准,在所述外围区域中在远离所述中心区域的方向上所述突出电极的中心与所述插孔的中心间隔第一距离,以及在所述边缘区域中在远离所述中心区域的方向上所述突出电极的中心与所述插孔的中心间隔第二距离,以及
其中,所述第一距离短于所述第二距离。
2.一种衬底处理装置,包括:
处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;
第一电极,被布置在所述处理腔内,以及所述第一电极包括面向所述衬底并且朝向所述衬底突出的多个突出电极;以及
第二电极,被布置在所述处理腔内,以及所述第二电极设有所述突出电极所插入的多个插孔,
其中,所述第二电极具有中心区域、围绕所述中心区域的外围区域以及围绕所述外围区域的边缘区域,以及
其中,所述突出电极被插入所述插孔中,使得在从所述中心区域到所述边缘区域的方向上,所述突出电极的中心与所述插孔的中心间隔增加。
3.一种衬底处理装置,包括:
处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;
第一电极,被布置在所述处理腔内,以及所述第一电极包括面向所述衬底并且朝向所述衬底突出的多个突出电极;以及
第二电极,被布置在所述处理腔内,以及所述第二电极设有所述突出电极所插入的多个插孔,
其中,所述第二电极具有中心区域、围绕所述中心区域的外围区域以及围绕所述外围区域的边缘区域,以及
其中,所述突出电极的外部圆周表面和所述插孔的内部圆周表面之间的最短距离在从所述第二电极的所述中心区域到所述边缘区域的方向上减小。
4.一种衬底处理装置,包括:
处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;
第一喷射板,被布置在所述处理腔内,以及所述第一喷射板包括面向所述衬底并且朝向所述衬底突出的多个突出喷嘴;以及
第二喷射板,被布置在所述处理腔内,以及所述第二喷射板设有所述突出喷嘴所插入的多个插孔,
其中,所述第二喷射板具有中心区域、围绕所述中心区域的外围区域以及围绕所述外围区域的边缘区域,
其中,所述突出喷嘴被插入所述插孔中,使得:在所述中心区域中与所述插孔的中心对准,在所述外围区域中在远离所述中心区域的方向上与所述插孔的中心间隔第一距离,以及在所述边缘区域中在远离所述中心区域的方向上与所述插孔的中心间隔第二距离,以及
其中,所述第一距离短于所述第二距离。
5.一种衬底处理装置,包括:
处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;
第一喷射板,被布置在所述处理腔内,以及所述第一喷射板包括面向所述衬底并且朝向所述衬底突出的多个突出喷嘴;以及
第二喷射板,被布置在所述处理腔内,以及所述第二喷射板设有所述突出喷嘴所插入的多个插孔,
其中,所述第二喷射板具有中心区域、围绕所述中心区域的外围区域以及围绕所述外围区域的边缘区域,以及
其中,所述突出喷嘴被插入所述插孔中,使得在从所述中心区域到所述边缘区域的方向上与所述插孔的中心间隔增加。
6.一种衬底处理装置,包括:
处理腔,被配置为提供处理衬底的反应空间;
第一喷射板,被布置在所述处理腔内,以及所述第一喷射板包括面向所述衬底并且朝向所述衬底突出的多个突出喷嘴;以及
第二喷射板,被布置在所述处理腔内,以及所述第二喷射板设有所述突出喷嘴所插入的多个插孔,
其中,所述第二喷射板具有中心区域、围绕所述中心区域的外围区域以及围绕所述外围区域的边缘区域,以及
其中,所述突出喷嘴的外部圆周表面和所述插孔的内部圆周表面之间的最短距离在从所述第二喷射板的所述中心区域到所述边缘区域的方向上减小。
7.根据权利要求1至6中之一所述的衬底处理装置,其中,所述处理腔具有室温。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述外围区域包括第一外围区域和第二外围区域,以及
其中,所述突出电极被插入所述插孔中,使得:在所述第一外围区域中在远离所述中心区域的方向上所述突出电极的中心与所述插孔的中心间隔所述第一距离,以及在所述第二外围区域中在远离所述中心区域的方向上所述突出电极的中心与所述插孔的中心间隔第三距离,以及
其中,所述第一距离等于或短于所述第三距离。
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置,其中,所述边缘区域包括第一边缘区域和第二边缘区域,以及
其中,所述突出电极被插入所述插孔中,使得:在所述第一边缘区域中在远离所述中心区域的方向上所述突出电极的中心与所述插孔的中心间隔所述第二距离,以及在所述第二边缘区域中在远离所述中心区域的方向上所述突出电极的中心与所述插孔的中心间隔第四距离,以及
其中,所述第二距离等于或短于所述第四距离。
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置,其中,所述第三距离等于或短于所述第二距离并且短于所述第四距离。
11.根据权利要求4所述的衬底处理装置,其中,所述外围区域包括第一外围区域和第二外围区域,以及
其中,所述突出喷嘴被插入所述插孔中,使得:在所述第一外围区域中在远离所述中心区域的方向上与所述插孔的中心间隔所述第一距离,以及在所述第二外围区域中在远离所述中心区域的方向上与所述插孔的中心间隔第三距离,以及
其中,所述第一距离等于或短于所述第三距离。
12.根据权利要求11所述的衬底处理装置,其中,所述边缘区域包括第一边缘区域和第二边缘区域,以及
其中,所述突出喷嘴被插入所述插孔中,使得:在所述第一边缘区域中在远离所述中心区域的方向上与所述插孔的中心间隔所述第二距离,以及在所述第二边缘区域中在远离所述中心区域的方向上与所述插孔的中心间隔第四距离,以及
其中,所述第二距离等于或短于所述第四距离。
13.根据权利要求12所述的衬底处理装置,其中,所述第三距离等于或短于所述第二距离并且短于所述第四距离。
14.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中,所述突出电极的外部圆周表面与所述插孔的内部圆周表面之间的最短距离是所述突出电极的外部圆周表面与位于所述中心区域对面的相应插孔的内部圆周表面之间的距离。
15.根据权利要求6所述的衬底处理装置,其中,所述突出喷嘴的外部圆周表面与所述插孔的内部圆周表面之间的最短距离是所述突出喷嘴的外部圆周表面与位于所述中心区域对面的相应插孔的内部圆周表面之间的距离。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190079657A KR20210003620A (ko) | 2019-07-02 | 2019-07-02 | 기판처리장치 |
KR10-2019-0079657 | 2019-07-02 | ||
PCT/KR2020/007614 WO2021002605A1 (ko) | 2019-07-02 | 2020-06-11 | 기판처리장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114008739A true CN114008739A (zh) | 2022-02-01 |
Family
ID=74100944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080045507.2A Pending CN114008739A (zh) | 2019-07-02 | 2020-06-11 | 衬底处理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220275514A1 (zh) |
JP (1) | JP2022538805A (zh) |
KR (1) | KR20210003620A (zh) |
CN (1) | CN114008739A (zh) |
TW (1) | TW202103252A (zh) |
WO (1) | WO2021002605A1 (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020000658A1 (en) * | 1999-02-03 | 2002-01-03 | Osamu Kuwabara | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN101512708A (zh) * | 2006-08-30 | 2009-08-19 | 坦普罗尼克斯公司 | 具有均匀间隙的近间隔电极 |
CN101552183A (zh) * | 2008-04-03 | 2009-10-07 | Tes股份有限公司 | 等离子体处理设备 |
US20110086513A1 (en) * | 2006-10-16 | 2011-04-14 | Lam Research Corporation | Upper electrode backing member with particle reducing features |
CN104253205A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 三星电子株式会社 | 半导体发光器件和其制造方法 |
US20150303037A1 (en) * | 2012-12-27 | 2015-10-22 | Moohan Co., Ltd. | Substrate Processing Apparatus |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6883733B1 (en) * | 2002-03-28 | 2005-04-26 | Novellus Systems, Inc. | Tapered post, showerhead design to improve mixing on dual plenum showerheads |
US20040261712A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-12-30 | Daisuke Hayashi | Plasma processing apparatus |
US7387738B2 (en) * | 2003-04-28 | 2008-06-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of surface oxides by electron attachment for wafer bumping applications |
KR100752525B1 (ko) * | 2006-03-02 | 2007-08-29 | 주식회사 아토 | 파워가 인가되는 가스분리형 샤워헤드 |
US8375890B2 (en) * | 2007-03-19 | 2013-02-19 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for capacitively coupled plasma vapor processing of semiconductor wafers |
JP2010103455A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
KR101160906B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2012-06-28 | 최대규 | 용량 결합 플라즈마 반응기 |
-
2019
- 2019-07-02 KR KR1020190079657A patent/KR20210003620A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-06-11 WO PCT/KR2020/007614 patent/WO2021002605A1/ko active Application Filing
- 2020-06-11 CN CN202080045507.2A patent/CN114008739A/zh active Pending
- 2020-06-11 JP JP2021574823A patent/JP2022538805A/ja active Pending
- 2020-06-11 US US17/624,565 patent/US20220275514A1/en active Pending
- 2020-07-02 TW TW109122374A patent/TW202103252A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020000658A1 (en) * | 1999-02-03 | 2002-01-03 | Osamu Kuwabara | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN101512708A (zh) * | 2006-08-30 | 2009-08-19 | 坦普罗尼克斯公司 | 具有均匀间隙的近间隔电极 |
US20110086513A1 (en) * | 2006-10-16 | 2011-04-14 | Lam Research Corporation | Upper electrode backing member with particle reducing features |
CN101552183A (zh) * | 2008-04-03 | 2009-10-07 | Tes股份有限公司 | 等离子体处理设备 |
US20150303037A1 (en) * | 2012-12-27 | 2015-10-22 | Moohan Co., Ltd. | Substrate Processing Apparatus |
CN104253205A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 三星电子株式会社 | 半导体发光器件和其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210003620A (ko) | 2021-01-12 |
JP2022538805A (ja) | 2022-09-06 |
TW202103252A (zh) | 2021-01-16 |
WO2021002605A1 (ko) | 2021-01-07 |
US20220275514A1 (en) | 2022-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8236134B2 (en) | Gas distributor and apparatus using the same | |
KR200476554Y1 (ko) | 경사진 상부면을 가진 고온 에지 링 | |
US20090165722A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
TWI407505B (zh) | Plasma chemical reactor | |
US7988813B2 (en) | Dynamic control of process chemistry for improved within-substrate process uniformity | |
JP6915002B2 (ja) | シャドーフレームを除去するためのガス閉じ込め装置アセンブリ | |
US8506710B2 (en) | Apparatus for fabricating semiconductor device | |
KR20080048243A (ko) | 플라즈마 화학기상 증착장치 | |
CN114008739A (zh) | 衬底处理装置 | |
KR100777466B1 (ko) | 피처리 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한플라즈마 식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치 | |
US20220285135A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR20080060763A (ko) | 기판 지지 장치 및 기판 식각 장치 | |
KR102113624B1 (ko) | 표시패널 제조장치 | |
KR101529669B1 (ko) | 기판처리장치 | |
US20080087220A1 (en) | Plasma Processing Apparatus and Multi-Chamber System | |
US20230386796A1 (en) | Substrate treatment apparatus | |
KR100791995B1 (ko) | 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치 | |
CN101440524A (zh) | 一种等离子化学反应器 | |
KR200387871Y1 (ko) | 반도체 및 액정패널 제조설비용 디퓨저 | |
KR101091090B1 (ko) | 플라즈마 화학 기상 증착 장치 | |
CN113811978B (zh) | 用于平板显示器的大面积高密度等离子体处理腔室 | |
KR100832335B1 (ko) | 기판 지지 장치 및 플라즈마 식각 장치 | |
KR100450286B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 화학기상증착 장치 | |
KR100712225B1 (ko) | 정전척 | |
KR20230106398A (ko) | 기판지지장치 및 기판처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |