CN113985941B - 温度控制方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

温度控制方法、装置、设备及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN113985941B
CN113985941B CN202111267260.1A CN202111267260A CN113985941B CN 113985941 B CN113985941 B CN 113985941B CN 202111267260 A CN202111267260 A CN 202111267260A CN 113985941 B CN113985941 B CN 113985941B
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
temperature rise
electronic device
target electronic
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111267260.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113985941A (zh
Inventor
王彤彤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qingdao Suiyun Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Goertek Techology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goertek Techology Co Ltd filed Critical Goertek Techology Co Ltd
Priority to CN202111267260.1A priority Critical patent/CN113985941B/zh
Publication of CN113985941A publication Critical patent/CN113985941A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113985941B publication Critical patent/CN113985941B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Abstract

本发明公开了一种温度控制方法、装置、设备及存储介质，属于电子设备控制技术领域。本发明通过获取目标电子器件的当前工作温度，并判断当前工作温度是否超过预警温度，在当前工作温度未超过预警温度时，获取目标电子器件的温升参数，在温升参数满足预警条件时，获取目标电子器件的当前运行状态，根据当前运行状态确定对应的散热策略，并根据散热策略对目标电子器件进行散热。由于本发明是通过监测工作温度和温升参数是否正常，若温升参数满足预警条件，则发送预警信号，并进行降温，解决了电子器件的温度预警和温度控制具有滞后性的缺陷，有效避免了因温度过高导致电子器件损坏和数据丢失的问题。

Description

温度控制方法、装置、设备及存储介质
技术领域
本发明涉及电子设备控制技术领域，尤其涉及一种温度控制方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
随着电子设备功能的多样化发展，电子设备的电源能耗也越来越大，电子设备能耗的增加会导致电子设备内部元件发热严重，导致内部元件因温度过高而损坏。因此需要对电子设备的内部温度进行实时监测和控制，避免电子设备因能耗增加导致发热严重，进而导致数据丢失和设备损坏。目前市面上的电子设备只能对瞬时温度进行反馈，当电子设备内部元件温度变化过快时无法及时采取预警和降温措施，电子设备的保护措施滞后导致内部元器件损坏和数据丢失。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种温度控制方法、装置、设备及存储介质，旨在解决现有技术中电子器件的温度预警和温度控制措施滞后，导致电子器件损坏和数据丢失的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种温度控制方法，所述方法包括以下步骤：
获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度；
在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数；
在所述温升参数满足预警条件时，获取所述目标电子器件的当前运行状态；
根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热。
可选地，所述在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数之后，所述方法还包括：
根据所述温升参数确定所述目标电子器件在预设采样周期内的温升幅值，并判断所述温升幅值是否超过预设幅值阈值；
在所述温升幅值超过预设幅值阈值时，判定所述温升参数满足预警条件。
可选地，所述根据所述温升参数确定所述目标电子器件在预设采样周期内的温升幅值，并判断所述温升幅值是否超过预设幅值阈值之后，所述方法还包括：
在所述温升幅值未超过预设幅值阈值时，根据所述温升参数确定所述目标电子器件在所述预设采样周期内的当前温升加速度；
判断所述当前温升加速度是否超过预设加速度阈值；
在所述当前温升加速度超过预设加速度阈值时，判定所述温升参数满足预警条件。
可选地，所述判断所述当前温升加速度是否超过预设加速度阈值之后，所述方法还包括：
在所述当前温升加速度未超过预设加速度阈值时，获取上一采样周期的温升加速度，并判断所述当前温升加速度是否超过所述上一采样周期的温升加速度；
在所述当前温升加速度超过所述上一采样周期的温升加速度时，检测所述目标电子器件在所述预设采样周期内是否存在工况模式切换；
若未存在工况模式切换，则判定满足预警条件。
可选地，所述获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度之前，所述方法还包括：
获取目标电子器件的工况模式信息，根据所述工况模式信息确定所述目标电子器件的温度参数，所述温度参数包括所述预警温度、预设幅值阈值和预设加速度阈值中的至少一种。
可选地，所述根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热之后，所述方法还包括：
实时检测所述目标电子器件的温升参数是否恢复至正常范围；
若是，则停止对所述目标电子器件供电。
可选地，所述散热策略至少包括以下一项：
降低所述目标电子器件的功耗；
提升所述目标电子器件对应的散热风扇的风扇转速。
此外，为实现上述目的，本发明还提出一种温度控制装置，所述温度控制装置包括：
温度获取模块，用于获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度；
温升获取模块，用于在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数；
预警发送模块，用于在所述温升参数满足预警条件时，获取所述目标电子器件的当前运行状态；
散热策略模块，用于根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热。
此外，为实现上述目的，本发明还提出一种温度控制设备，所述温度控制设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的温度控制程序，所述温度控制程序配置为实现如上文所述的温度控制方法的步骤。
此外，为实现上述目的，本发明还提出一种存储介质，所述存储介质上存储有温度控制程序，所述温度控制程序被处理器执行时实现如上文所述的温度控制方法的步骤。
本发明通过获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度，在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数，在所述温升参数满足预警条件时，获取所述目标电子器件的当前运行状态，根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热。由于是通过先判断当前工作温度是否超过预警温度，再获取目标电子器件的温升参数，在温升参数满足预警条件时对目标电子器件进行散热，通过对目标电子器件的工作温度和温升参数的获取，解决了电子器件的温度预警和温度控制具有滞后性的缺陷，有效避免了因温度过高导致电子器件损坏和数据丢失的问题，提升了用户的使用体验。
附图说明
图1是本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的温度控制设备的结构示意图；
图2为本发明温度控制方法第一实施例的流程示意图；
图3为本发明温度控制方法第二实施例的流程示意图；
图4为本发明温度控制方法第三实施例的流程示意图；
图5为本发明温度控制方法第四实施例的流程示意图；
图6为本发明温度控制装置第一实施例的结构框图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参照图1，图1为本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的温度控制设备结构示意图。
如图1所示，该温度控制设备可以包括：处理器1001，例如中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU)，通信总线1002、用户接口1003，网络接口1004，存储器1005。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如无线保真(Wireless-Fidelity，Wi-Fi)接口)。存储器1005可以是高速的随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)，也可以是稳定的非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)，例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。
本领域技术人员可以理解，图1中示出的结构并不构成对温度控制设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
如图1所示，作为一种存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及温度控制程序。
在图1所示的温度控制设备中，网络接口1004主要用于与网络服务器进行数据通信；用户接口1003主要用于与用户进行数据交互；本发明温度控制设备中的处理器1001、存储器1005可以设置在温度控制设备中，所述温度控制设备通过处理器1001调用存储器1005中存储的温度控制程序，并执行本发明实施例提供的温度控制方法。
需要说明的是，所述温度控制设备可应用于带发热芯片的电子产品，例如智能手表、智能手环、VR设备、智能门铃或智能音响等电子产品。所述温度控制设备用于防止电子产品内的发热芯片出现过热风险。
本发明实施例提供了一种温度控制方法，参照图2，图2为本发明一种温度控制方法第一实施例的流程示意图。
本实施例中，所述温度控制方法包括以下步骤：
步骤S10：获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度。
应当理解的是，本实施例方法的执行主体可以是具有数据处理、网络通信以及程序运行功能的计算服务设备，例如服务器以及电脑等，或者是其他能够实现相同或相似功能的温度控制设备，本实施例对此不加以限制。
需要说明的是，所述目标电子器件可以是需要进行温度控制获取温度预警的电子设备内部的电子元件，目标电子器件可以是电子设备内部的中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU)或图形处理器(Graphics Processing Unit，GPU)，也可以是电子设备内部其他需要控制其温度的元件、芯片等，本实施例不加以限定。所述当前工作温度可以是电子设备内部的电子器件或电子元件在运行时的实时温度。所述预警温度可以是用于防止电子元件或电子器件因温度过高损坏而设置的温度阈值，电子器件在高负载时会出现发热严重的情况，而高温会导致电子器件烧毁，为了防止电子器件因高温损坏，预先根据不同电子器件的温度阈值设置对应的预警温度，预警温度可以是80°、100°或120°等，也可以是其它温度，本实施例不加以限定。
应当理解的是，在具体实现过程中，可在电子元件内部设置有热敏二极管，该热敏二极管通过电子设备内部的主板与温控电路连接，将感应到的温度数据传输给温控电路，再通过主板内的逻辑运算电路计算电子元件的内核工作温度。
在具体实现中，温度控制设备通过热敏二极管和温控电路获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度，若当前工作温度未超过预警温度，则继续对目标点器件进行温度监控，若当前工作温度超过预警温度，则进行温度预警，提醒用户需要对目标电子器件进行降温。
步骤S20：在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数。
需要说明的是，所述温升参数可以是目标电子器件在指定采样周期内温度上升的参数，温升参数包括温升幅值和/或温升加速度。其中，温升幅值可以是在指定采样周期内目标电子器件温度上升的差值，例如，采样周期为1s时，温升幅值ΔT(K)为：ΔT＝Ts-Ts-1。温升加速度可以是温度上升的快慢速度，例如，采样周期为1s时，温升加速度aT(℃/s2)为aT＝(Ts-Ts-1)/Δt2。
应当理解的是，目标电子器件在工作时，工作温度通过热明电阻传输至温控电路，温控电路获取瞬时监控数据，在当前工作温度未超过预警温度时，通过温控电路内部逻辑运算得到预设采样周期内的温升参数，并判断温升参数是否满足预警条件。
步骤S30：在所述温升参数满足预警条件时，获取所述目标电子器件的当前运行状态。
需要说明的是，所述预警信号可以是在温度过高或温升参数过大时，向目标电子器件发送的温度预警信号，预警信号可以是声音信号或图像信号，也可以是其它类型的信号。温度控制设备可以通过连接蜂鸣器或其他音频设备发送声音预警信号，也可以通过连接图像显示设备发送图像预警信号，本实施例不加以限定。
应当理解的是，目标电子器件处于高负载状态时，温度上升的速度过快导致温度监控电路采集到的温度存在滞后性，因此通过温升参数来判断目标电子器件的工作温度上升情况，在温度上升过快，即温升参数过大时，温升参数满足预警条件，发送预警信号至目标电子器件。
在具体实现中，在当前工作温度未超过预警温度时，实时获取目标电子器件在预设采样范围内的温升参数，在温升参数满足预警条件时，获取目标电子器件的当前运行状态，在温升参数不满足预警条件时，获取目标电子器件在预设采样周期内的温升加速度的变化情况，若温升加速度增加，则检测目标电子器件在预设采样周期内是否存在工况模式切换，若未存在工况模式切换，则判定目标电子器件需要进行温度预警和温度控制。
步骤S40：根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热。
需要说明的是，所述散热策略可以是控制目标电子器件温度的策略，散热策略可以是降低目标电子器件的功耗、增加散热风扇的转速或增加目标电子器件对应的半导体散热器的功率，也可以是其他降低目标电子器件温度的散热策略，本实施例不加以限定。
应当理解的是，若温升参数满足预警条件，则需要根据当前运行状态确定对应的散热的策略，以降低目标电子器件的温度，不同的运行状态对应的散热策略不同，根据不同的散热策略将目标电子器件的功耗降低，并将目标电子器件对应的散热风扇转速升高，例如，根据当前运行状态对应的散热策略，将目标电子器件的功耗降低至初始功耗的80％、60％或30％等，将散热风扇转速提升至最高转速的60％、80％或100％，本实施例不加以限定。目标电子器件的初始功耗由目标电子器件的硬件参数决定，散热风扇最高转速由散热风扇的硬件参数决定。
本实施例通过获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度，在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数，在所述温升参数满足预警条件时，获取所述目标电子器件的当前运行状态，根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热。由于是通过先判断当前工作温度是否超过预警温度，再获取目标电子器件的温升参数，在温升参数满足预警条件时对目标电子器件进行散热，通过对目标电子器件的工作温度和温升参数的获取，解决了电子器件的温度预警和温度控制具有滞后性的缺陷，有效避免了因温度过高导致电子器件损坏和数据丢失的问题，提升了用户的使用体验。
进一步地，为了对目标电子器件的温度进行精准检测，上步骤S10之前，所述方法还包括：
获取目标电子器件的工况模式信息，根据所述工况模式信息确定所述目标电子器件的温度参数，所述温度参数包括所述预警温度、预设幅值阈值和预设加速度阈值中的至少一种。
需要说明的是，所述工况模式信息可以是目标电子器件处于不同工况模式时的功耗信息，根据不同工况模式时的功耗信息确定对应的预警温度、预设幅值阈值和预设加速度阈值。
应理解的是，目标电子器件处于低功耗模式时对应的预警温度、预设幅值阈值和预设加速度阈值均低于目标电子器件处于高功耗模式时对应的预警温度、预设幅值阈值和预设加速度阈值。
进一步地，为了对目标电子器件的温度进行控制，防止器件损坏，上述步骤S40之后,所述方法还包括：
实时检测所述目标电子器件的温升参数是否恢复至正常范围；
若是，则停止对所述目标电子器件供电。
需要说明的是，所述正常范围可以是低于预警条件的温度上升范围，在正常范围中目标电子器件的工作温度低于预警温度、目标电子器件的温升幅值低于幅值阈值、目标电子器件的温升加速度低于加速度阈值。
在具体实现中，实时检测所述目标电子器件的温升参数是否恢复至正常范围，若是，则判定通过散热策略无法对目标电子器件进行有效散热降温，因此需要停止对所述目标电子器件供电，以防止目标电子器件因温度过高而损坏。若目标电子器件的温升参数恢复至正常范围，则继续对目标电子器件进行温度监控。
进一步地，为了对目标电子器件进行有效散热，上述散热策略至少包括以下一项：
降低所述目标电子器件的功耗；
提升所述目标电子器件对应的散热风扇的风扇转速。
需要说明的是，所述目标电子器件的功耗可以是功率的损耗，目标电子器件的功耗越高，工作温度就越高，温度上升越快。例如，目标电子器件处于高能耗模式时功耗大，导致工作温度高，温度上升快。目标电子器件处于低能耗模式时功耗小，工作温度低，温度上升慢。所述风扇转速可以是目标电子器件对应的散热风扇的旋转速度，风扇转速越快，散热风扇对目标电子器件的散热效果越好。
参考图3，图3为本发明一种温度控制方法第二实施例的流程示意图。
基于上述第一实施例，在本实施例中，所述步骤S20之后还包括：
步骤S201：根据所述温升参数确定所述目标电子器件在预设采样周期内的温升幅值，并判断所述温升幅值是否超过预设幅值阈值。
需要说明的是，预设采样周期可以是周期性测量过程温度变量信号的系统中相邻两次实测之间的时间间隔。预设采样周期可以是1s、2s或3s等，也可以是其他时间周期。所述温升幅值可以是在预设采样周期内随时间上升的温度幅度差值，例如，在1s的采样周期内，目标电子器件的工作温度从55℃上升至85℃，温升幅值ΔT(K)为：ΔT＝85℃－55℃＝30℃。
步骤S202：在所述温升幅值超过预设幅值阈值时，判定所述温升参数满足预警条件。
需要说明的是，所述预设幅值阈值可以是目标电子器件的温升幅值的预警临界值，例如，预设幅值阈值为30°时，若目标电子器件的工作温度在预设采样周期内从50℃上升至85℃，则判定此时的温升幅值为35℃超过预设幅值阈值30℃。
应当理解的是，若温升幅值超过预设幅值阈值，则判定此时目标电子器件在预设采样周期内的工作温度变化过大，此时判定温升参数满足预警条件，需要发送预警信号至目标电子器件。
在具体实现中，在所述温升幅值超过预设幅值阈值时，判定所述温升参数满足预警条件，若温升幅值未超过预设幅值阈值，则获取目标电子器件在预设采样周期内的当前温升加速度，并判断当前温升加速度是否超过预设加速度阈值。
本实施例通过根据所述温升参数确定所述目标电子器件在预设采样周期内的温升幅值，并判断所述温升幅值是否超过预设幅值阈值，在所述温升幅值超过预设幅值阈值时，判定所述温升参数满足预警条件。由于是通过确定目标电子器件在预设采样周期内的温升幅值，并判断温升幅值是否超过预设幅值阈值，进一步地确定温升参数是否满足预警条件，通过温升幅值对目标电子器件的温度变化进行及时监测，有效避免了因温度过高导致电子器件损坏和数据丢失的问题，提升了用户的使用体验。
参考图4，图4为本发明一种温度控制方法第三实施例的流程示意图。
基于上述第二实施例，在本实施例中，所述步骤S201之后还包括：
步骤S2011：在所述温升幅值未超过预设幅值阈值时，根据所述温升参数确定所述目标电子器件在所述预设采样周期内的当前温升加速度。
需要说明的是，所述当前温升加速度可以是目标电子器件在预设采样周期内工作温度上升的快慢，例如，预设采样周期1s内温升加速度aT(℃/s2)为aT＝(Ts-Ts-1)/Δt2。
步骤S2012：判断所述当前温升加速度是否超过预设加速度阈值。
需要说明的是，所述预设加速度阈值可以是目标电子器件的温升加速度的预警临界值，例如，目标电子器件在预设采样周期1s内的工作温度从40℃上升至100℃，因此当前温升加速度为60℃/s2，若预设加速度阈值为50℃/s2，则当前温升加速度超过预设加速度阈值。
步骤S2013：在所述当前温升加速度超过预设加速度阈值时，判定所述温升参数满足预警条件。
在具体实现中，在所述当前温升加速度超过预设加速度阈值时，判定所述温升参数满足预警条件，向目标电子器件发送温度预警，若当前温升加速度未超过预设加速度阈值，则获取目标电子器件上一采样周期的温升加速度，并判断当前温升加速度是否超过上一采样周期的温升加速度，若当前温升加速度超过上一采样周期的温升加速度，则检测目标电子器件在预设采样周期内是否存在工况模式切换。
本实施例通过在所述温升幅值未超过预设幅值阈值时，根据所述温升参数确定所述目标电子器件在所述预设采样周期内的当前温升加速度，判断所述当前温升加速度是否超过预设加速度阈值，在所述当前温升加速度超过预设加速度阈值时，判定所述温升参数满足预警条件。由于是通过判断当前温升加速度是否超过加速度阈值，确定温升参数是否满足预警条件，通过温升加速度对目标电子器件的温度变化进行及时监测，有效避免了因温度过高导致电子器件损坏和数据丢失的问题，提升了用户的使用体验。
参考图5，图5为本发明一种温度控制方法第四实施例的流程示意图。
基于上述第三实施例，在本实施例中，所述步骤S2012之后还包括：
步骤301：在所述当前温升加速度未超过预设加速度阈值时，获取上一采样周期的温升加速度，并判断所述当前温升加速度是否超过所述上一采样周期的温升加速度。
需要说明的是，上一采样周期可以是基于当前温升加速度所在的预设采样周期的上一个采样时间周期，例如，采样周期为1s时，目标电子器件的上一采样周期的温升加速度即为前一秒的温升加速度。
应当理解的是，若上一采样周期的温升加速度小于当前温升加速度，则判定温升加速度升高，此时工作温度上升速度增加，若此时工况模式没有发生变化，则判定温升加速度异常，需要发送温度预警至目标电子器件。
步骤302：在所述当前温升加速度超过所述上一采样周期的温升加速度时，检测所述目标电子器件在所述预设采样周期内是否存在工况模式切换。
需要说明的是，所述工况模式可以是目标电子器件的工作运行状态，工况模式可以是节能模式、平衡模式或高性能模式等，也可以是其他目标电子器件的工作运行模式，本实施例不加以限定。
应理解的是，目标电子器件处于不同的工况模式时，工作温度、温升幅值以及温升加速度都不同，例如，当目标电子器件处于高性能模式时的工作温度、温升幅值以及温升加速度均大于节能模式。
在具体实现中，在所述当前温升加速度超过所述上一采样周期的温升加速度时，检测所述目标电子器件在所述预设采样周期内是否存在工况模式切换，若当前温升加速度未超过上一采样周期的温升加速度，则继续对目标电子器件进行温度监控。
步骤303：若未存在工况模式切换，则判定满足预警条件。
需要说明的是，在当前采样周期大于上一采样周期时，判定此时目标电子器件温度上升过快，检测目标电子器件在预设周期内是否存在工况模式切换，若未进行工况模式切换，则判定目标电子器件温度上升异常，需要进行温度预警。
在具体实现中，若目标电子器件在预设采样周期内未存在工况模式切换，则判定满足预警条件，需要进行温度预警，并采取散热策略以对目标电子器件进行降温。若目标电子器件在预设周期内存在工况模式切换，则进一步判定目标电子器件是从高能耗模式切换至低能耗模式，还是从低能耗模式切换高能耗模式，若目标电子器件是从高能耗模式切换至低能耗模式，则判定需要进行温度预警；若目标电子器件是从低能耗模式切换高能耗模式，则无需温度预警。
本实施例通过在所述当前温升加速度未超过预设加速度阈值时，获取上一采样周期的温升加速度，并判断所述当前温升加速度是否超过所述上一采样周期的温升加速度，在所述当前温升加速度超过所述上一采样周期的温升加速度时，检测所述目标电子器件在所述预设采样周期内是否存在工况模式切换，若未存在工况模式切换，则判定满足预警条件。由于是通过对比当前温升加速度和上一采样周期的温升加速度，可以确定温升加速度是否增加，若温升加速度增加，则检测目标电子器件在预设采样周期内是否存在工况切换，若未切换，则判定此时温度上升异常，需要进行温度预警，提前对目标电子器件的温度进行预警，避免了目标电子器件温度上升过快导致损坏的风险，提升了用户的使用体验。
此外，本发明实施例还提出一种存储介质，所述存储介质上存储有温度控制程序，所述温度控制程序被处理器执行时实现如上文所述的温度控制方法的步骤。
由于本存储介质采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少县有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
参照图6，图6为本发明温度控制装置第一实施例的结构框图。
如图6所示，本发明实施例提出的温度控制装置包括：
温度获取模块10，用于获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度；
温升获取模块20，用于在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数；
预警发送模块30，用于在所述温升参数满足预警条件时，获取所述目标电子器件的当前运行状态；
散热策略模块40，用于根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热。
本实施例通过获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度，在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数，在所述温升参数满足预警条件时，获取所述目标电子器件的当前运行状态，根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热。由于是通过先判断当前工作温度是否超过预警温度，再获取目标电子器件的温升参数，在温升参数满足预警条件时对目标电子器件进行散热，通过对目标电子器件的工作温度和温升参数的获取，解决了电子器件的温度预警和温度控制具有滞后性的缺陷，有效避免了因温度过高导致电子器件损坏和数据丢失的问题，提升了用户的使用体验。
进一步地，所述温升获取模块20，还用于根据所述温升参数确定所述目标电子器件在预设采样周期内的温升幅值，并判断所述温升幅值是否超过预设幅值阈值，在所述温升幅值超过预设幅值阈值时，判定所述温升参数满足预警条件。
进一步地，所述温升获取模块20，还用于在所述温升幅值未超过预设幅值阈值时，根据所述温升参数确定所述目标电子器件在所述预设采样周期内的当前温升加速度，判断所述当前温升加速度是否超过预设加速度阈值，在所述当前温升加速度超过预设加速度阈值时，判定所述温升参数满足预警条件。
进一步地，所述温升获取模块20，还用于在所述当前温升加速度未超过预设加速度阈值时，获取上一采样周期的温升加速度，并判断所述当前温升加速度是否超过所述上一采样周期的温升加速度，在所述当前温升加速度超过所述上一采样周期的温升加速度时，检测所述目标电子器件在所述预设采样周期内是否存在工况模式切换，若未存在工况模式切换，则判定满足预警条件。
进一步地，所述温度获取模块10，还用于获取目标电子器件的工况模式信息，根据所述工况模式信息确定所述目标电子器件的温度参数，所述温度参数包括所述预警温度、预设幅值阈值和预设加速度阈值中的至少一种。
进一步地，所述散热策略模块40，还用于实时检测所述目标电子器件的温升参数是否恢复至正常范围，若是，则停止对所述目标电子器件供电。
进一步地，所述散热策略模块40，还用于降低所述目标电子器件的功耗，提升所述目标电子器件对应的散热风扇的风扇转速。
应当理解的是，以上仅为举例说明，对本发明的技术方案并不构成任何限定，在具体应用中，本领域的技术人员可以根据需要进行设置，本发明对此不做限制。
需要说明的是，以上所描述的工作流程仅仅是示意性的，并不对本发明的保护范围构成限定，在实际应用中，本领域的技术人员可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部来实现本实施例方案的目的，此处不做限制。
另外，未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明任意实施例所提供的温度控制方法，此处不再赘述。
此外，需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如只读存储器(Read Only Memory，ROM)/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种温度控制方法，其特征在于，所述温度控制方法包括：
获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度；
在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数；
在所述温升参数满足预警条件时，获取所述目标电子器件的当前运行状态；
根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热；
其中，所述在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数之后，还包括：
根据所述温升参数确定所述目标电子器件在预设采样周期内的温升幅值，并判断所述温升幅值是否超过预设幅值阈值；
在所述温升幅值未超过预设幅值阈值时，根据所述温升参数确定所述目标电子器件在所述预设采样周期内的当前温升加速度；
判断所述当前温升加速度是否超过预设加速度阈值；
在所述当前温升加速度未超过预设加速度阈值时，获取上一采样周期的温升加速度，并判断所述当前温升加速度是否超过所述上一采样周期的温升加速度；
在所述当前温升加速度超过所述上一采样周期的温升加速度时，检测所述目标电子器件在所述预设采样周期内是否存在工况模式切换；
若未存在工况模式切换，则判定满足预警条件。
2.如权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述根据所述温升参数确定所述目标电子器件在预设采样周期内的温升幅值，并判断所述温升幅值是否超过预设幅值阈值之后，所述方法还包括：
在所述温升幅值超过预设幅值阈值时，判定所述温升参数满足预警条件。
3.如权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述判断所述当前温升加速度是否超过预设加速度阈值之后，所述方法还包括：
在所述当前温升加速度超过预设加速度阈值时，判定所述温升参数满足预警条件。
4.如权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度之前，所述方法还包括：
获取目标电子器件的工况模式信息，根据所述工况模式信息确定所述目标电子器件的温度参数，所述温度参数包括所述预警温度、预设幅值阈值和预设加速度阈值中的至少一种。
5.如权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热之后，所述方法还包括：
实时检测所述目标电子器件的温升参数是否恢复至正常范围；
若否，则停止对所述目标电子器件供电。
6.如权利要求1至5任一项所述的温度控制方法，其特征在于，所述散热策略至少包括以下一项：
降低所述目标电子器件的功耗；
提升所述目标电子器件对应的散热风扇的风扇转速。
7.一种温度控制装置，其特征在于，所述温度控制装置包括：
温度获取模块，用于获取目标电子器件的当前工作温度，并判断所述当前工作温度是否超过预警温度；
温升获取模块，用于在所述当前工作温度未超过预警温度时，获取所述目标电子器件的温升参数；
预警发送模块，用于在所述温升参数满足预警条件时，获取所述目标电子器件的当前运行状态；
散热策略模块，用于根据所述当前运行状态确定对应的散热策略，并根据所述散热策略对所述目标电子器件进行散热；
所述温升获取模块，还用于根据所述温升参数确定所述目标电子器件在预设采样周期内的温升幅值，并判断所述温升幅值是否超过预设幅值阈值；在所述温升幅值未超过预设幅值阈值时，根据所述温升参数确定所述目标电子器件在所述预设采样周期内的当前温升加速度；判断所述当前温升加速度是否超过预设加速度阈值；在所述当前温升加速度未超过预设加速度阈值时，获取上一采样周期的温升加速度，并判断所述当前温升加速度是否超过所述上一采样周期的温升加速度；在所述当前温升加速度超过所述上一采样周期的温升加速度时，检测所述目标电子器件在所述预设采样周期内是否存在工况模式切换；若未存在工况模式切换，则判定满足预警条件。
8.一种温度控制设备，其特征在于，所述温度控制设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的温度控制程序，所述温度控制程序配置为实现如权利要求1至6中任一项所述的温度控制方法。
9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有温度控制程序，所述温度控制程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述的温度控制方法。
CN202111267260.1A 2021-10-28 2021-10-28 温度控制方法、装置、设备及存储介质 Active CN113985941B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111267260.1A CN113985941B (zh) 2021-10-28 2021-10-28 温度控制方法、装置、设备及存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111267260.1A CN113985941B (zh) 2021-10-28 2021-10-28 温度控制方法、装置、设备及存储介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113985941A CN113985941A (zh) 2022-01-28
CN113985941B true CN113985941B (zh) 2022-08-19

Family

ID=79743953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111267260.1A Active CN113985941B (zh) 2021-10-28 2021-10-28 温度控制方法、装置、设备及存储介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113985941B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114815921B (zh) * 2022-03-16 2023-08-25 湖北工程学院 荧光原位杂交处理仪温控方法、装置、设备及存储介质
CN114859993B (zh) * 2022-04-15 2023-11-07 青岛虚拟现实研究院有限公司 智能头戴设备的控制方法、装置、智能头戴设备及介质
CN115866132A (zh) * 2022-11-24 2023-03-28 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备、温控方法及装置、可读存储介质
CN116299145B (zh) * 2023-05-11 2023-08-08 石家庄科林电气股份有限公司 一种电能表的安全监控方法、装置及电能表
CN117118039B (zh) * 2023-10-24 2024-03-01 深圳平创半导体有限公司 户外移动电源过温保护方法、装置及系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150066355A (ko) * 2013-12-06 2015-06-16 현대자동차주식회사 친환경 자동차의 배터리 냉각팬 제어장치 및 방법
CN107357385A (zh) * 2017-06-09 2017-11-17 努比亚技术有限公司 基于频率控制温度的方法、终端及计算机可读存储介质
CN108146267A (zh) * 2017-12-19 2018-06-12 西安特锐德智能充电科技有限公司 充电系统、充电机、电动汽车、充电电池的安全防护方法
CN110609578A (zh) * 2019-09-23 2019-12-24 翁松 机械设备的温度保护方法、装置和系统
CN110928341A (zh) * 2019-12-13 2020-03-27 广州通达汽车电气股份有限公司 温度控制方法、装置、设备及存储介质
CN111882835A (zh) * 2020-07-29 2020-11-03 合肥阳光智维科技有限公司 逆变器的故障预警方法、装置以及计算机可读存储介质
CN112345943A (zh) * 2020-11-13 2021-02-09 东风汽车集团有限公司 一种电池热失控预警方法及装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02131387A (ja) * 1988-11-09 1990-05-21 Toshiba Corp 誘導電動機の温度監視装置
ATE450177T1 (de) * 2005-09-10 2009-12-15 Crastal Technology Shenzhen Co Steuerverfahren zur verhinderung des leerkochens eines elektrischen wasserkochers
GB2434883B (en) * 2005-09-27 2009-05-06 Crastal Technology A control method for electrically heating a kettle
CN104850486B (zh) * 2015-05-26 2018-05-18 上海斐讯数据通信技术有限公司 一种温度数据处理方法及系统
CN109932592B (zh) * 2019-03-15 2021-05-28 西门子电力自动化有限公司 用于电力设备的故障确定的方法与装置
CN111007931B (zh) * 2019-12-09 2021-06-29 Oppo广东移动通信有限公司 温度控制方法、装置、存储介质及电子设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150066355A (ko) * 2013-12-06 2015-06-16 현대자동차주식회사 친환경 자동차의 배터리 냉각팬 제어장치 및 방법
CN107357385A (zh) * 2017-06-09 2017-11-17 努比亚技术有限公司 基于频率控制温度的方法、终端及计算机可读存储介质
CN108146267A (zh) * 2017-12-19 2018-06-12 西安特锐德智能充电科技有限公司 充电系统、充电机、电动汽车、充电电池的安全防护方法
CN110609578A (zh) * 2019-09-23 2019-12-24 翁松 机械设备的温度保护方法、装置和系统
CN110928341A (zh) * 2019-12-13 2020-03-27 广州通达汽车电气股份有限公司 温度控制方法、装置、设备及存储介质
CN111882835A (zh) * 2020-07-29 2020-11-03 合肥阳光智维科技有限公司 逆变器的故障预警方法、装置以及计算机可读存储介质
CN112345943A (zh) * 2020-11-13 2021-02-09 东风汽车集团有限公司 一种电池热失控预警方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113985941A (zh) 2022-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113985941B (zh) 温度控制方法、装置、设备及存储介质
US9032223B2 (en) Techniques to manage operational parameters for a processor
JP6493259B2 (ja) 温度監視装置、温度監視方法、情報処理プログラム、および記録媒体
KR101443800B1 (ko) 반도체 장치의 예측적인 동적 열 관리
EP2766788B1 (en) System and method for determining thermal management policy from leakage current measurement
US8087823B2 (en) Method for monitoring thermal control
CN101128790B (zh) 在可调时间窗口上采用平均功率控制器的先进热管理
KR101520359B1 (ko) 휴대용 컴퓨팅 디바이스에서 배터리 로드 관리를 위한 시스템 및 방법
EP1734651B1 (en) Protection system for an electrical power generator
US9081566B2 (en) Dynamic chip control
US8184422B2 (en) Overheat detection in thermally controlled devices
US8768666B2 (en) Method and system for controlling thermal load distribution in a portable computing device
EP1612903A2 (en) System and method for quench and over-current protection of superconductor
JP2009042211A (ja) 半導体デバイスのための電力推定
US20180252593A1 (en) Thermal testing system
US20110320062A1 (en) Computing device and method for controlling temperature thereof
US6965175B2 (en) Dynamic temperature control method for a computer system
CN105426289A (zh) 基板管理控制器及侦测风扇及风扇控制器的方法
CN109213297B (zh) 半导体装置以及半导体装置的控制方法
CN109185209B (zh) 一种风扇转速调整方法及装置
WO2014035387A1 (en) Controller to determine a risk of thermal damage based on current measurements
CN115686160A (zh) 芯片运行方法、装置、soc芯片以及存储介质
US11630003B2 (en) Temperature control system for central processing unit and temperature control method thereof
US7415625B2 (en) Policy table rule based processor side bus signaling
CN113036725B (zh) 伺服驱动器保护方法、装置、设备及存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230412

Address after: 18/F, Building 2, Shandong Private Science and Technology Building (Minghui International), No. 39 Shiling Road, Laoshan District, Qingdao City, Shandong Province, 266035 (centralized office area)

Patentee after: Qingdao Suiyun Electronic Technology Co.,Ltd.

Address before: 266104 Room 308, North Investment Street Service Center, Laoshan District, Qingdao, Shandong.

Patentee before: GOERTEK TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right