CN113971977B

CN113971977B - 存储器的读干扰影响检测方法、装置、设备及存储介质

Info

Publication number: CN113971977B
Application number: CN202111109982.4A
Authority: CN
Inventors: 曹志忠; 陈寄福; 吴大畏; 李晓强
Original assignee: Changsha Zhicun Technology Co ltd
Current assignee: Changsha Zhicun Technology Co ltd
Priority date: 2021-09-22
Filing date: 2021-09-22
Publication date: 2024-08-20
Anticipated expiration: 2041-09-22
Also published as: CN113971977A

Abstract

本发明公开了一种存储器的读干扰影响检测方法、装置、终端设备以及计算机存储介质，该存储器的读干扰影响检测方法包括：根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点；若确定存在所述电压跳变点，则将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页；根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测。本发明无需针对存储器的全部数据页都进行检测，而仅针对一部分受到读干扰影响较多的数据页进行检测，极大程度上缩短了检测存储器的存储单元遭受读干扰影响的整体耗时，提高了读干扰影响的检测速度和检测效率。

Description

存储器的读干扰影响检测方法、装置、设备及存储介质

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器的读干扰影响检测方法、装置、终端设备以及计算机存储介质。

背景技术

时下，诸多的存储器在频繁的针对内部某一物理块的某数据页上存储的数据进行读写操作时，该读写操作通常都会针对该物理块中的其它数据页上存储的数据造成一定的干扰，即，存储器自身具备的读干扰特性(英文称谓：Read Disturb)。

由于存储器的读干扰会对一个物理块的所有数据页均产生干扰影响，但存储器本申请又无法预测到具体哪一个数据页遭受到的干扰影响最大，因此，现有通用的检测存储器读干扰对数据页所产生影响的方式，都是扫描一个物理块上的全部数据页，以检测数据页中的比特出错概率是否超过阈值，以确定因遭受到读干扰影响而被损坏的目标数据页。然而，由于现有任意存储器的一个物理块中所包含的数据页已经越来越多，如此，通过上述扫描每一个数据页来确定读干扰影响的方式需要的检测耗时也越来越长，导致数据页遭受读干扰影响的检测效率低下。

综上，如何缩短检测存储器的物理块内各数据页所遭受读干扰影响的耗时，从而提高检测效率，俨然已经成为行业内亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种存储器的读干扰影响检测方法、装置、终端设备以及计算机存储介质，旨在解决现有如何缩短检测存储器的物理块内各数据页所遭受读干扰影响的耗时，从而提高检测效率的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种存储器的读干扰影响检测方法，所述存储器的读干扰影响检测方法包括：

根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点；

若确定存在所述电压跳变点，则将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页；

根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测。

进一步地，所述根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点的步骤，包括：

获取所述存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布；

根据所述阈值电压分布和预设的临近电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点。

进一步地，预设的所述临近电压分布与所述阈值电压分布相邻；

在所述根据所述阈值电压分布和预设的临近电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点的步骤之前，还包括：

获取所述已编程字线中所述存储单元与所述阈值电压分布相邻的各所述临近电压分布。

进一步地，所述将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页的步骤，包括：

检测所述电压跳变点在所述已编程字线中指向的目标数据页；

将所述目标数据页确定为待检测读干扰影响的数据页。

进一步地，所述根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测的步骤，包括：

确定所述电压跳变点对应的数据页所属的数据页类型；

在所述存储器全部的数据页中，针对所述数据页类型下的数据页进行读干扰影响检测。

进一步地，在所述确定所述已编程字线是否存在电压跳变点的步骤之后，还包括：

若确定不存在所述电压跳变点，则判定所述存储器全部的数据页无需进行读干扰影响检测。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种存储器的读干扰影响检测装置，所述存储器的读干扰影响检测装置包括：

跳变确定模块，用于根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点；

读干扰确定模块，用于若确定存在所述电压跳变点，则将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页；

读干扰检测模块，用于根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测。

进一步地，所述跳变确定模块，包括：

获取单元，用于获取所述存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布；

确定单元，用于根据所述阈值电压分布和预设的临近电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点。

本发明存储器的读干扰影响检测装置的各功能模块在运行时实现如上述的存储器的读干扰影响检测方法的步骤。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种终端设备，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的存储器的读干扰影响检测程序，所述存储器的读干扰影响检测程序被所述处理器执行时实现如上述中的存储器的读干扰影响检测方法的步骤。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述的存储器的读干扰影响检测方法的步骤。

本发明提出的存储器的读干扰影响检测方法、装置、终端设备以及计算机存储介质，该存储器的读干扰影响检测方法包括：根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点；若确定存在所述电压跳变点，则将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页；根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测。

本发明在针对存储器进行读干扰影响检测的过程中，先根据该存储器中已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定出该已编程字线是否存在因读干扰产生的电压跳变点，然后，在检测确定到存在该电压跳变点时，将该电压跳变点对应的该存储器当中的数据页，确定成受到读干扰影响较为严重从而需要进行读干扰影响检测的数据页，最后，根据该数据页针对该存储器进行整体的读干扰影响检测。

相比于传统直接针对物理块当中的每一个数据页都进行读干扰影响检测的方式，本发明通过存储器已编程字线所包含存储单元的阈值电压分布确定电压跳变点，从而将该电压跳变点对应的数据页确定为需要进行读干扰影响检测的一部分数据页，进而仅针对存储器中的该部分数据页进行读干扰影响检测。如此，本发明无需针对存储器物理块上的全部数据页都进行检测，而仅针对一部分受到读干扰影响较多的数据页进行检测，极大程度上缩短了检测存储器的数据页遭受读干扰影响的整体耗时，提高了读干扰影响的检测速度和检测效率。

附图说明

图1是本发明实施例方案涉及终端设备的硬件运行的结构示意图；

图2是本发明一种存储器的读干扰影响检测方法一实施例的流程示意图；

图3是本发明一种存储器的读干扰影响检测方法一实施例涉及的存储单元的预设电压分布示意图；

图4是本发明一种存储器的读干扰影响检测系统的结构关系示意图。

本发明目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，图1是本发明实施例方案涉及终端设备的硬件运行环境的结构示意图。

需要说明的是，图1即可为终端设备的硬件运行环境的结构示意图。本发明实施例终端设备可以是针对MLC、TLC、eMMC等存储器中物理块所遭受到的读干扰影响进行检测的设备，该终端设备具体可以是移动终端、数据存储控制终端、PC或者便携计算机等终端。

如图1所示，该终端设备可以包括：处理器1001，例如CPU，网络接口1004，用户接口1003，存储器1005，通信总线1002。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如WI-FI接口)。存储器1005可以是非易失性存储器(如，Flash存储器)、高速RAM存储器，也可以是稳定的存储器(non-volatile memory)，例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。

本领域技术人员可以理解，图1中示出的终端设备结构并不构成对终端设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

如图1所示，作为一种计算机存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及存储器的读干扰影响检测程序。其中，操作系统是管理和控制样本终端设备硬件和软件资源的程序，支持存储器的读干扰影响检测程序以及其它软件或程序的运行。

在图1所示的终端设备中，用户接口1003主要用于与各个终端进行数据通信；网络接口1004主要用于连接后台服务器，与后台服务器进行数据通信；而处理器1001可以用于调用存储器1005中存储的存储器的读干扰影响检测程序，并执行以下操作：

根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测。

进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的存储器的读干扰影响检测程序，还执行以下操作：

处理器1001可以调用存储器1005中存储的存储器的读干扰影响检测程序，在执行根据所述阈值电压分布和预设的临近电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点的步骤之前，还执行以下操作：

将所述目标数据页确定为待检测读干扰影响的数据页。

确定所述电压跳变点对应的数据页所属的数据页类型；

进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的存储器的读干扰影响检测程序，在执行确定所述已编程字线是否存在电压跳变点的步骤之后，还执行以下操作：

基于上述的结构，提出本发明存储器的读干扰影响检测方法的各个实施例。

需要说明的是，在本实施例中，由于时下诸多的存储器在频繁的针对内部某一物理块的某数据页上存储的数据进行读写操作时，该读写操作通常都会针对该物理块中的其它数据页上存储的数据造成一定的干扰，即，存储器自身具备的读干扰特性(英文称谓：Read Disturb)。

针对上述现象，本申请提供一种存储器的读干扰影响检测方法，在针对存储器进行读干扰影响检测的过程中，先根据该存储器中已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定出该已编程字线是否存在因读干扰产生的电压跳变点，然后，在检测确定到存在该电压跳变点时，将该电压跳变点对应的该存储器当中的数据页，确定成受到读干扰影响较为严重从而需要进行读干扰影响检测的数据页，最后，根据该数据页针对该存储器进行整体的读干扰影响检测。

具体地，请参照图2，图2为本发明存储器的读干扰影响检测方法第一实施例的流程示意图。

本发明实施例提供了存储器的读干扰影响检测方法的实施例，本发明实施例存储器的读干扰影响检测方法应用于上述终端设备中来针对MLC、TLC、eMMC等存储器中物理块所遭受到的读干扰影响进行检测。需要说明的是，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

本实施例存储器的读干扰影响检测方法包括：

步骤S100，根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点；

终端设备在针对存储器进行读干扰影响检测时，先根据该存储器中已编程字线所包含的全部存储单元的阈值电压分布，确定出该已编程字线是否存在因读干扰产生的电压跳变点。

需要说明的是，在本实施例中，考虑到存储器的读干扰的特性是：主要影响存储单元的阈值电压。因此，终端设备在针对存储器中的某一个存储单元进行读干扰影响检测的过程中，先根据该存储器中已编程字线所包含的全部存储单元的阈值电压分布，来确定该已编程字线中是否存在因读干扰影响而产生的电压跳变点。

进一步地，在一种可行的实施例中，上述步骤S100，可以包括：

步骤S101，获取所述存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布；

终端设备在基于存储器中已编程字线所包含的全部存储单元的阈值电压分布，确定该已编程字线中是否存在因受到读干扰影响而产生的电压跳变点时，先获取预先存储或者实时拉取得到的该已编程字线所包含的全部存储单元的阈值电压分布。

需要说明的是，在本实施例中，终端设备具体可以预先在存储器中通过编程方式生成已编程字线时，即采集并记录得到如图3所示的该已编程字线中所包含的各个存储单元的阈值电压分布，如此，终端设备在后续基于该阈值电压分布，确定是否存在因受到读干扰影响而产生的电压跳变点时，即可直接提取该阈值电压分布。

此外，终端设备还可以在确定是否存在因受到读干扰影响而产生的电压跳变点时，实时的从其他终端设备中获取得到已编程字线中所包含的各个存储单元的阈值电压分布，即，该其它终端设备对另一个存储器(该另一个存储器与当前要进行读干扰影响检测的存储器属于同一产品)的已编程字线(该另一个存储器中通过编程方式形成的已编程字线也与当前要进行检测的存储器中的已编程字线相同)，采集并记录得到该已编程字线中所包含的各个存储单元的阈值电压分布，然后，供当前进行读干扰影响检测的终端设备实时的获取该阈值电压分布来确定是否存在因受到读干扰影响而产生的电压跳变点。

进一步地，如图3所示，已编程字线中每一个存储单元的阈值电压分布可能是4个电压分布：ER、P1、P2和P3中的某一个，且该每一个电压分布均可以保存2个bit信息，如，当前已编程字线其中的一个存储单元电压是分布在Vb和Vc中间，那么它存储的信息就是两个bit都是00。如此，假定存储器具体为MLC flash时，该存储器中一个已编程字线包含两个数据页(如果存储器是TLC flash，则其中一个已编程字线可包含三个数据页)，从而，上述一个存储单元的电压分布所存储的2个bit中，高bit即代表一个数据页：Upper page的状态，低bit则代表另一个数据页：Lower page的状态。

由于读干扰对阈值电压分布为ER的存储单元的影响最大，会导致阈值电压分布为ER的电压变高从而和Va相交，而存储器本身是根据Va、Vb和Vc这几个临界值采样得到阈值电压分布的，因此，存储器会把部分bit11误识别为bit10，从而数据出错。

步骤S102，根据所述阈值电压分布和预设的临近电压分布，确定所述已编程字线中是否存在电压跳变点。

终端设备在基于存储器中已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定该已编程字线中是否存在因受到读干扰影响而产生的电压跳变点时，终端设备在获取得到该已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布之后，即可基于当前需要进行读干扰影响检测的存储器的编码规则，来查看该阈值电压分布和预设的临近电压分布，确定出该已编程字线中是否存在标识数据页受到读干扰影响的电压跳变点。

需要说明的是，在本实施例中，预设的临近电压分布与阈值电压分布相邻。在上述步骤S102之前，本发明存储器的读干扰影响检测方法，还可以包括：

步骤S103，获取所述已编程字线中所述存储单元与所述阈值电压分布相邻的各所述临近电压分布。

终端设备在基于存储器中已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定该已编程字线中是否存在因受到读干扰影响而产生的电压跳变点的过程中，在获取预先存储或者实时拉取得到的存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布的同时，还获取该已编程字线上与该阈值电压分布相邻的一个或者多个临近电压分布(如图3所示，假定获取到的当前存储单元的阈值电压分布为ER，则，该一个或者多个临近电压分布即为P1、P2和/或者P3)，从而，终端设备在后续确定该电压跳变点时，即可基于当前需要进行读干扰影响检测的存储器的编码规则，来查看该阈值电压分布和临近电压分布，以确定出该已编程字线中是否存在标识数据页受到读干扰影响的电压跳变点。

步骤S200，若确定存在所述电压跳变点，则将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页；

终端设备在根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定出该已编程字线中存在因读干扰影响产生的电压跳变点时，终端设备立即将该电压跳变点所对应的该存储单元的数据页，确定成为受到读干扰影响较大从而需要进行读干扰影响检测的数据页。

进一步地，在一种可行的实施例中，在上述步骤S100中的“确定所述已编程字线中是否存在电压跳变点”的步骤之后，本发明存储器的读干扰影响检测方法，还可以包括：

步骤A，若确定不存在所述电压跳变点，则判定所述存储器全部的数据页无需进行读干扰影响检测。

终端设备在根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定该已编程字线中，并不存在因读干扰影响产生的电压跳变点时，终端设备即直接判定在当前检测的存储器当中，尚不存在受到读干扰影响较大而需要进行读干扰影响检测的数据页。

需要说明的是，在本实施例中，终端设备具体可以基于当前进行读干扰影响检测的存储器使用的编码规则，直接查看阈值电压分布和各个临近电压分布，来直接确定该电压跳变点所对应存储单元的数据页。

进一步地，在一种可行的实施例中，上述步骤S200，可以包括：

步骤S201，检测所述电压跳变点在所述已编程字线中指向的目标数据页；

步骤S202，将所述目标数据页确定为待检测读干扰影响的数据页。

终端设备通过读取当前进行读干扰影响检测的存储器所使用的编码规则，然后基于该编码规则查看该存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，以及与该阈值电压分布相邻的各个临近电压分布，从而检测确定出因读干扰影响产生的电压跳变点，在该已编程字线中所指向的目标数据页，然后，终端设备即直接将该目标数据页确定为该物理块中受到读干扰影响较大从而需要进行读干扰影响检测的数据页。

步骤S300，根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测。

终端设备在将电压跳变点所对应的存储单元中的数据页，确定成为受到读干扰影响较大从而需要进行读干扰影响检测的数据页之后，进一步基于该数据页所属的类型，仅针对该物理块中该类型的全部数据页进行读干扰影响检测。

进一步地，在一种可行的实施例中，上述步骤S300，可以包括：

步骤S301，确定所述电压跳变点对应的数据页所属的数据页类型；

终端设备在将电压跳变点所对应的存储单元的数据页，确定成为受到读干扰影响较大从而需要进行读干扰影响检测的数据页之后，先检测该需要进行读干扰影响检测的数据页所属的数据页类型具体是当前存储器已编程字线所包含的各数据页类型中的哪一种。

具体地，例如，假定当前存储器为TLC存储器，则终端设备在将电压跳变点所对应的存储单元的数据页，确定成为受到读干扰影响较大从而需要进行读干扰影响检测的数据页之后，先检测该需要进行读干扰影响检测的数据页所属数据页类型，具体是当前TLC存储器已编程字线所包含的Upper page或者Lower page这两种数据页类型中的哪一种。

步骤S302，在所述存储器全部的数据页中，针对所述数据页类型下的数据页进行读干扰影响检测。

终端设备在检测需要进行读干扰影响检测的数据页所属数据页类型，具体是当前存储器已编程字线所包含的各数据页类型中的哪一种之后，终端设备即可在该物理块所包含的全部数据页当中，仅针对所确定的这一种数据页类型的一部分数据页进行读干扰影响的检测。

具体地，例如，终端设备在检测到需要进行读干扰影响检测的数据页所属数据页类型，具体是当前TLC存储器已编程字线所包含的Upper page或者Lower page这两种数据页类型中的Lower page时，终端设备即可仅针对该物理块所包含全部数据页中的全部Lower page，进行读干扰影响的检测。

在本实施例中，本发明存储器的读干扰影响检测方法，通过终端设备在针对存储器进行读干扰影响检测时，先根据该存储器中已编程字线所包含的全部存储单元的阈值电压分布，确定出该已编程字线是否存在因读干扰产生的电压跳变点；终端设备在根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定出该已编程字线中存在因读干扰影响产生的电压跳变点时，终端设备立即将该电压跳变点所对应的该存储单元的数据页，确定成为受到读干扰影响较大从而需要进行读干扰影响检测的数据页；终端设备在将电压跳变点所对应的存储单元中的数据页，确定成为受到读干扰影响较大从而需要进行读干扰影响检测的数据页之后，进一步基于该数据页所属的类型，仅针对该物理块中该类型的全部数据页进行读干扰影响检测。

此外，请参照图3，本发明实施例还提出一种存储器的读干扰影响检测装置，本发明存储器的读干扰影响检测装置应用于针对MLC、TLC、eMMC等存储器中物理块所遭受到的读干扰影响进行检测，本发明存储器的读干扰影响检测装置包括：

跳变确定模块10，用于根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点；

读干扰确定模块20，用于若确定存在所述电压跳变点，则将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页；

读干扰检测模块30，用于根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测。

进一步地，跳变确定模块10，包括：

进一步地，预设的所述临近电压分布与所述阈值电压分布相邻；跳变确定模块10的获取单元，还用于获取所述已编程字线中所述存储单元与所述阈值电压分布相邻的各所述临近电压分布。

进一步地，读干扰确定模块20，包括：

检测单元，用于检测所述电压跳变点在所述已编程字线中指向的目标数据页；

第一确定单元，用于将所述目标数据页确定为待检测读干扰影响的数据页。

进一步地，读干扰检测模块30，包括：

第二确定单元，用于确定所述电压跳变点对应的数据页所属的数据页类型；

检测单元，用于在所述存储器全部的数据页中，针对所述数据页类型下的数据页进行读干扰影响检测。

进一步地，本发明存储器的读干扰影响检测装置，还包括：

读干扰影响判定模块，用于若确定不存在所述电压跳变点，则判定所述存储器全部的数据页无需进行读干扰影响检测。

本发明存储器的读干扰影响检测装置的各个功能模块在控制器运行时所实现的步骤，可参照上述本发明存储器的读干扰影响检测方法的实施例，此处不再赘述。

此外，本发明实施例还提出一种终端设备，该终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的存储器的读干扰影响检测程序，该存储器的读干扰影响检测程序被所述处理器执行时实现如上述中的存储器的读干扰影响检测方法的步骤。

其中，在所述处理器上运行的存储器的读干扰影响检测程序被执行时所实现的步骤可参照本发明存储器的读干扰影响检测方法的各个实施例，此处不再赘述。

此外，本发明实施例还提出一种计算机存储介质，应用于计算机，该计算机存储介质可以为非易失性计算机可读计算机存储介质，该计算机存储介质上存储有存储器的读干扰影响检测程序，所述存储器的读干扰影响检测程序被处理器执行时实现如上所述的存储器的读干扰影响检测方法的步骤。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个计算机存储介质(如Flash存储器、ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器或者网络设备等)中，用于控制该存储介质进行数据读写操作的控制器执行本发明各个实施例所述的方法。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims

1.一种存储器的读干扰影响检测方法，其特征在于，所述存储器的读干扰影响检测方法包括：

根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测；

所述根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点的步骤，包括：

根据所述阈值电压分布和预设的临近电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点；

预设的所述临近电压分布与所述阈值电压分布相邻，在所述根据所述阈值电压分布和预设的临近电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点的步骤之前，还包括：

2.如权利要求1所述的存储器的读干扰影响检测方法，其特征在于，所述将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页的步骤，包括：

将所述目标数据页确定为待检测读干扰影响的数据页。

3.如权利要求1所述的存储器的读干扰影响检测方法，其特征在于，所述根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测的步骤，包括：

确定所述电压跳变点对应的数据页所属的数据页类型；

4.如权利要求1所述的存储器的读干扰影响检测方法，其特征在于，在所述确定所述已编程字线是否存在电压跳变点的步骤之后，还包括：

5.一种存储器的读干扰影响检测装置，其特征在于，所述存储器的读干扰影响检测装置包括：

读干扰检测模块，用于根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测；

所述跳变确定模块，包括：

获取单元，用于获取所述存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布；预设的临近电压分布与所述阈值电压分布相邻，所述获取单元还用于获取所述已编程字线中所述存储单元与所述阈值电压分布相邻的各临近电压分布；

6.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的存储器的读干扰影响检测程序，所述存储器的读干扰影响检测程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的存储器的读干扰影响检测方法的步骤。

7.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的存储器的读干扰影响检测方法的步骤。