CN109213448B - 一种智能卡的擦写数据的方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

一种智能卡的擦写数据的方法、装置、设备及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN109213448B
CN109213448B CN201811003554.1A CN201811003554A CN109213448B CN 109213448 B CN109213448 B CN 109213448B CN 201811003554 A CN201811003554 A CN 201811003554A CN 109213448 B CN109213448 B CN 109213448B
Authority
CN
China
Prior art keywords
flash
page
erasing
data processing
processing area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811003554.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109213448A (zh
Inventor
汪演文
朱辉
张汉就
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eastcompeace Technology Co Ltd
Original Assignee
Eastcompeace Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eastcompeace Technology Co Ltd filed Critical Eastcompeace Technology Co Ltd
Priority to CN201811003554.1A priority Critical patent/CN109213448B/zh
Publication of CN109213448A publication Critical patent/CN109213448A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109213448B publication Critical patent/CN109213448B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0646—Horizontal data movement in storage systems, i.e. moving data in between storage devices or systems
    • G06F3/0652—Erasing, e.g. deleting, data cleaning, moving of data to a wastebasket
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)

Abstract

本申请公开了一种智能卡的擦写数据的方法，包括获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数；根据各擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；其中，FLASH存储器包括多个FLASH页面，每一个FLASH页面包括一个或多个FLASH缓存数据处理区；将总擦写次数大于或等于第一阈值的FLSAH页面设置为目标FLASH页面；为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面，从而增强了智能卡的使用寿命。本申请还公开了一种智能卡的擦写数据的装置、设备及存储介质，具有相同有益效果。

Description

一种智能卡的擦写数据的方法、装置、设备及存储介质
技术领域
本发明涉及数据存储领域，特别涉及一种智能卡的擦写数据的方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
背景技术
随着科技的发展，SIM卡的应用场景越来越广泛，因此对SIM卡进行存储数据的操作频率也快速增长。
目前的SIM卡大多是通过设置FLASH存储器存储数据，通过FLASH存储器中分布于各FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区进行擦写数据以完成对存储数据的更新。但是由于FLASH页面存在擦写次数限制，现有技术中通过随机选择FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区进行擦写数据，将造成对某一FLASH页面进行频繁地擦写数据的情况，从而导致该FLASH页面的擦写数据次数达到擦写次数限制的阈值，进而导致FLASH存储器受到损坏，使得再次进行读写数据时将产生数据误差，因此需要更换新的SIM卡，从而缩短了SIM卡的使用寿命，提高了经济成本。
因此，如何提供一种能够降低FLASH存储器损坏的概率从而增强智能卡的使用寿命的方法是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种智能卡的擦写数据的方法，能够降低FLASH存储器损坏的概率，增强智能卡的使用寿命；本发明的另一目的是提供一种智能卡的擦写数据的装置、设备及计算机可读存储介质，均具有上述有益效果。
为解决上述技术问题，本发明提供一种智能卡的擦写数据的方法，包括：
获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数；
根据各所述FLASH缓存数据处理区的擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；其中，所述FLASH存储器包括多个所述FLASH页面，每一个所述FLASH页面包括一个或多个所述FLASH缓存数据处理区；
将所述总擦写次数大于或等于第一阈值的所述FLSAH页面设置为目标FLASH页面；
为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面。
优选地，在所述获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数之前，进一步包括：
当检测到待擦写数据时，判断所述待擦写数据的数据类型是否为预设数据类型；
若是，将所述待擦写数据写入到RAM中或舍弃所述待擦写数据；
否则，则进入所述获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数的步骤。
优选地，所述为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面具体为：
为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置一页所述新增FLASH页面，并进入所述获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数的步骤。
优选地，所述为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面具体为：
为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置多页所述新增FLASH页面；
对应的，在多页所述新增FLASH页面的擦写方式具体为：
依次对各所述新增FLASH页面进行擦写操作。
优选地，所述为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面具体为：
为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置多页所述新增FLASH页面；
对应的，在多页所述新增FLASH页面的擦写方式具体为：
比较各所述新增FLSAH页面的总擦写次数的大小；
当检测到所述待擦写数据时，选择总擦写次数最小的所述新增FLASH页面进行擦写。
优选地，当所述总擦写次数大于或等于所述第一阈值时，进一步包括发出提示信息。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种智能卡的擦写数据的装置，包括：
获取模块，用于获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数；
累计模块，用于根据各所述FLASH缓存数据处理区的擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；其中，所述FLASH存储器包括多个所述FLASH页面，每一个所述FLASH页面包括一个或多个所述FLASH缓存数据处理区；
第一设置模块，用于将所述总擦写次数大于或等于第一阈值的所述FLSAH页面设置为目标FLASH页面；
第二设置模块，用于为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种智能卡的擦写数据的设备，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现上述任一种智能卡的擦写数据的方法的步骤。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一种智能卡的擦写数据的方法的步骤。
本发明提供一种智能卡的擦写数据的方法，通过获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数；并根据各FLASH缓存数据处理区的擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；然后将总擦写次数大于或等于第一阈值的FLSAH页面设置为目标FLASH页面；并为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面。可见，通过为总擦写次数大于或等于第一阈值的FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置新增FLASH页面，从而避免频繁对某一FLASH页面进行擦写而导致FLASH页面达到擦写次数限制的阈值而导致FLASH存储器损坏，从而降低FLASH存储器损坏的概率，降低读写数据时的数据错误的概率，增强了智能卡的使用寿命。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种智能卡的擦写数据的装置、设备及计算机可读存储介质，均具有上述有益效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种智能卡的擦写数据的方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的一种智能卡的擦写数据的方法的示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种智能卡的擦写数据的方法的流程图；
图4为本发明实施例提供的一种智能卡的擦写数据的装置的结构图；
图5为本发明实施例提供的一种智能卡的擦写数据的设备的结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例的核心是提供一种智能卡的擦写数据的方法，能够降低FLASH存储器损坏的概率，增强智能卡的使用寿命；本发明的另一核心是提供一种智能卡的擦写数据的装置、设备及计算机可读存储介质，均具有上述有益效果。
为了使本领域技术人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
图1为本发明实施例提供的一种智能卡的擦写数据的方法的流程图；图2为本发明实施例提供的一种智能卡的擦写数据的方法的示意图。如图1和图2所示，一种智能卡的擦写数据的方法包括：
S10：获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数。
需要说明的是，本实施例中的智能卡指的是利用FLASH存储器作为存储设备的智能卡。具体的，智能卡可以是手机智能卡如SIM卡或者其他智能卡如IC卡以及IOT(物联网卡)、金融卡等。当智能卡具体为SIM卡时，根据通信协议的不同，智能卡还可以分为蓝牙SIM卡和非接触SIM卡等，本实施例对智能卡的具体类型不做限定，只要是用到FLASH存储器作为存储设备的智能卡，均落入本实施例的保护范围之内。
FLASH存储器也即FLASH闪存，是一种非易失性(Non-Volatile)内存器件。FLASH存储器存在擦写次数限制，对应的FLASH存储器所包括多页FLASH页面中，每一个FLASH页面均存在擦写次数限制。因此当终端或者网络频繁地更新智能卡中的FLASH存储器的数据，将造成FLASH页面的擦写数据次数达到擦写次数限制的阈值，进而将导致FLASH存储器受到损害，从而降低了智能卡的寿命。
本实施例中，可以是当检测到向智能卡的FLASH存储器进行擦写数据的操作指令时，获取FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数，也可以是通过实时检测以获取FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数，本实施例对此不做具体的限定。
需要说明的是，本实施例中具体是获取FLASH存储器中的FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区的擦写次数。具体的，FLASH缓存数据处理区包括EF文件(Elementary File)和FLASH页面中的存储地址。EF文件(Elementary File)指的是集成电路卡中的基本文件，可以通过预先为每个EF文件设置计数器，当FLASH缓存数据处理区进行一次擦写操作后，将计数器的值增加1，以作为该EF文件当前的擦写次数。在具体实施中，可能会存在一些数据形式如4G鉴权中SQN值等，这些数据形式的数据不是存储于EF文件中，而是直接存储于FLASH页面中的某一地址中，这些数据会在FLASH页面中进行反复擦写更新，该擦写操作也将累计为该FLASH页面的擦写次数，因此在本实施例中，还可以通过累计存储有这些类型的数据的存储地址的擦写次数以累计FLASH页面中的擦写次数。
S20：根据各FLASH缓存数据处理区的擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；
其中，FLASH存储器包括多个FLASH页面，每一个FLASH页面包括一个或多个FLASH缓存数据处理区。
由于FLASH存储器包括多个FLASH页面，每一个FLASH页面包括一个或多个FLASH缓存数据处理区，也就是说，一个FLASH存储器中包括多个FLASH页面，并且根据FLASH缓存数据处理区的类型或大小等区别，每一个FLASH页面中可以存在一个或多个FLASH缓存数据处理区，或者一个FLASH缓存数据处理区可以存在于多个FLASH页面中。因此，在获取FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数之后，根据各FLASH缓存数据处理区所在的FLASH页面的情况，累计每一个FLASH页面的总擦写次数，也即，将位于同一FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区(包括EF文件和FLASH页面中的存储地址)的擦写次数相加，以得到每一个FLASH页面的总擦写次数。
S30：将总擦写次数大于或等于第一阈值的FLSAH页面设置为目标FLASH页面。
具体的，在累计出每一个FLASH页面的总擦写次数之后，分别判断各总擦写次数是否大于或等于第一阈值；若是，则将总擦写次数大于或等于第一阈值的FLSAH页面设置为目标FLASH页面。在具体实施中，一般将第一阈值设置为小于对应的FLASH页面擦写次数限制的阈值，例如可以设置为FLASH页面擦写次数限制的阈值的50％或者80％，或者其他实际需求的值，本实施例对此也不做限定。
S40：为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面。
也就是说，在通过比较总擦写次数得出目标FLASH页面之后，为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面。
具体的，通过获取目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区的擦写次数，若该目标FLASH页面中只有一个FLASH缓存数据处理区，则表示该FLASH缓存数据处理区的擦写频率高，因此为该FLASH缓存数据处理区设置新增FLASH页面；若目标FLASH页面中有多个FLASH缓存数据处理区，则需进一步比较各FLASH缓存数据处理区的擦写次数，并为擦写频率高的FLASH缓存数据处理区设置新增FLASH页面。具体的，比较各FLASH缓存数据处理区的擦写次数得出FLASH缓存数据处理区的擦写频率可以是通过计算各FLASH缓存数据处理区的擦写次数的差值以得出擦写频率高的FLASH缓存数据处理区，也可以通过分别将各FLASH缓存数据处理区的擦写次数与预设阈值进行比较，从而得出擦写频率高的FLASH缓存数据处理区。需要说明的是，同一个FLASH页面中擦写频率高的FLASH缓存数据处理区的数量可以是一个，也可以是多个，根据实际需求进行设置，本实施例对此不做限定。
本发明实施例提供一种智能卡的擦写数据的方法，通过获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数；并根据各FLASH缓存数据处理区的擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；然后将总擦写次数大于或等于第一阈值的FLSAH页面设置为目标FLASH页面；并为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面。可见，通过为总擦写次数大于或等于第一阈值的FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置新增FLASH页面，从而避免频繁对某一FLASH页面进行擦写而导致FLASH页面达到擦写次数限制的阈值而导致FLASH存储器损坏，从而降低FLASH存储器损坏的概率，降低读写数据时的数据错误的概率，增强了智能卡的使用寿命。
在具体实施中，可能存在一些待擦写数据是可以避免写入到FLASH存储器中的数据。也就是说，待擦写数据可能是只需要暂存于智能卡中的数据，因此为了避免擦写这些暂存数据而对FLASH页面进行擦写，造成FLASH页面的擦写次数的消耗，从而消耗智能卡的使用寿命。因此在上述实施例的基础上，本实施例对技术方案作了进一步的说明和优化，具体的，请参考图3，图3为本发明实施例提供的另一种智能卡的擦写数据的方法的流程图，该方法进一步包括：
S21：当检测到待擦写数据时，判断待擦写数据的数据类型是否为预设数据类型；
S22：若是，将待擦写数据写入到RAM中或舍弃待擦写数据；
否则，则进入获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数的步骤。
具体的，在检测到待擦写数据也即将要进行擦写存储于FLASH存储器中的数据时，根据预设的检测方式获取该待擦写数据的数据类型，并判断该数据类型是否为预设数据类型，也即根据待擦写数据的数据类型判断该待擦写数据是否需要写入FLASH缓存数据处理区。判断数据类型为预设数据类型的标准为：若该数据在终端重启的前后发生了变化，但是该终端仍能够重启和使用，则可以将该数据的数据类型作为预设数据类型。具体的，预设数据类型可以是预先设置的指定数据类型，如根据实际需求设置的数据类型；也可以是只需暂存于智能卡中的数据，本实施例对预设数据类型不做限定。
若待擦写数据的数据类型为预设数据类型时，表示该待擦写数据不会影响终端重启或者终端待机过程，因此可以将该待擦写数据写入RAM中或者舍弃该待擦写数据。可以理解的是，RAM指的是智能卡中的随机存储器，RAM可以随时读写，而且读写速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。将该待擦写数据舍弃也即不做擦写的操作。
可见，本实施例根据待擦写数据的数据类型进行区别化处理，当数据类型为预设数据类型时，将待擦写数据写入RAM中或者舍弃该待擦写数据，从而避免对FLASH页面进行擦写而使得FLASH页面达到擦写次数限制的阈值，进而降低导致FLASH存储器损坏的概率，进一步提高智能卡的使用寿命。
在上述实施例的基础上，本实施例对技术方案作了进一步的说明和优化，具体的，本实施例中为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面具体为：
为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置一页新增FLASH页面，并进入获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数的步骤。
具体的，在总擦写次数大于或等于第一阈值的目标FLASH页面之后，为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区对应设置一页新增FLASH页面。需要说明的是，为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置一页新增FLASH页面，也即，当目标FLASH页面中只有一个FLASH缓存数据处理区或者目标FLASH中有多个FLASH缓存数据处理区但只有一个擦写频率高的FLASH缓存数据处理区时，则为该FLASH缓存数据处理区设置一页新增FLASH页面；若目标FLASH页面中有多个擦写频率高的FLASH缓存数据处理区，则可以是为多个擦写频率高的FLASH缓存数据处理区再设置一个新增FLASH页面，也可以是为多个擦写频率高的FLASH缓存数据处理区分别设置一个新增FLASH页面。具体的，可以是通过为FLASH缓存数据处理区设置新的存储地址以达到为FLASH缓存数据处理区设置新增FLASH页面的目的。
可以理解的是，在为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置一页新增FLASH页面之后，进入获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数的步骤，当新增FLASH页面的总擦写次数大于或等于第一阈值时，则再次为该新增FLASH页面再次设置新增FLASH页面，以避免该新增FLASH页面的擦写次数达到擦写次数限制的阈值而导致FLASH存储器损坏，从而增强智能卡的使用寿命。
在上述实施例的基础上，本实施例对技术方案作了进一步的说明和优化，具体的，本实施例中为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面具体为：
为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置多页新增FLASH页面；
对应的，在多页新增FLASH页面的擦写方式具体为：
依次对各新增FLASH页面进行擦写操作。
具体的，在总擦写次数大于或等于第一阈值的目标FLASH页面之后，为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区对应设置多页新增FLASH页面。需要说明的是，当目标FLASH页面中只有一个FLASH缓存数据处理区或者目标FLASH中有多个FLASH缓存数据处理区但只有一个擦写频率高的FLASH缓存数据处理区时，则为该FLASH缓存数据处理区设置多页新增FLASH页面；若目标FLASH页面中有多个擦写频率高的FLASH缓存数据处理区，则可以是为多个擦写频率高的FLASH缓存数据处理区再设置多个新增FLASH页面，也可以是为多个擦写频率高的FLASH缓存数据处理区分别设置多个新增FLASH页面。
在为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置一页新增FLASH页面之后，当存在待擦写数据时，依次对各新增FLASH页面进行擦写操作。具体的，可以是通过预先设置标识信息的方式作为依次操作的顺序，也可以是通过设置各新增FLASH页面的位置的方式作为依次操作的顺序，本实施例对此不做限定。
可见，本实施例提供的智能卡的擦写数据的方法，通过依次向设置的多个新增FLASH页面擦写数据，能够使得各新增FLASH页面的读写次数更均衡，从而避免频繁对某一新增FLASH页面进行擦写而导致新增FLASH页面达到擦写次数限制的阈值而导致FLASH存储器损坏，从而降低了FLASH存储器受到损害的概率，增强了智能卡使用寿命。
在上述实施例的基础上，本实施例对技术方案作了进一步的说明和优化，具体的，本实施例中为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面具体为：
为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置多页新增FLASH页面；
对应的，在多页新增FLASH页面的擦写方式具体为：
比较各新增FLSAH页面的总擦写次数的大小；
当检测到待擦写数据时，选择总擦写次数最小的新增FLASH页面进行擦写。
具体的，在总擦写次数大于或等于第一阈值的目标FLASH页面之后，为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区对应设置多页新增FLASH页面，并比较各新增FLASH页面的总擦写次数的大小，得出总擦写次数最小的新增FLASH页面。比较方式可以是通过比差或者比商的方式，本实施例对此不做限定。
当检测到待擦写数据时，选择总擦写次数最小的新增FLASH页面进行擦写。当总擦写次数最小的新增FLASH页面不止一个时，则可以随意选择一个新增FLASH页面进行擦写数据的操作。
通过本实施例的方法，能够使各新增FLASH页面的总擦写次数保持动态平衡，从而避免频繁对某一新增FLASH页面进行擦写而导致新增FLASH页面达到擦写次数限制的阈值而导致FLASH存储器损坏，从而降低了FLASH存储器受到损害的概率，增强了智能卡使用寿命。
本发明实施例提供一种智能卡的擦写数据的方法，通过获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数；并根据各FLASH缓存数据处理区的擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；其中，FLASH存储器包括多个FLASH页面，每一个FLASH页面包括一个或多个FLASH缓存数据处理区；然后将总擦写次数大于或等于第一阈值的FLSAH页面设置为目标FLASH页面；并为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面。从而避免频繁对某一FLASH页面进行擦写而导致FLASH页面达到擦写次数限制的阈值而导致FLASH存储器损坏，从而降低了FLASH存储器受到损害的概率，降低读写数据时的数据错误的概率，增强了智能卡使用寿命。
在上述实施例的基础上，本实施例对技术方案作了进一步的说明和优化，具体的，本实施例进一步包括：当总擦写次数大于或等于第一阈值时，发出提示信息。
具体的，分别判断各总擦写次数是否大于或等于第一阈值，当总擦写次数大于或等于第一阈值时，则发出提示信息。需要说明的是，本实施例中发出提示信息的方式多种多样，例如可以通过设置蜂鸣器或者指示灯的方式，或者可以通过语音提示器的方式，当然还可以是其他的发出提示信息的方式，本实施例对此不做限定。
可见，通过设置当总擦写次数大于或等于第一阈值时，发出提示信息，以提示操作者当前FLASH页面的总擦写次数的情况，进一步提高用户体验。
上文对于本发明提供的一种智能卡的擦写数据的方法的实施例进行了详细的描述，本发明还提供了一种与该方法对应的智能卡的擦写数据的装置、设备及计算机可读存储介质，由于装置、设备及计算机可读存储介质部分的实施例与方法部分的实施例相互照应，因此装置、设备及计算机可读存储介质部分的实施例请参见方法部分的实施例的描述，这里暂不赘述。
图4为本发明实施例提供的一种智能卡的擦写数据的装置的结构图，如图4所示，一种智能卡的擦写数据的装置包括：
获取模块41，用于获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数；
累计模块42，用于根据各FLASH缓存数据处理区的擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；其中，FLASH存储器包括多个FLASH页面，每一个FLASH页面包括一个或多个FLASH缓存数据处理区；
第一设置模块43，用于将总擦写次数大于或等于第一阈值的FLSAH页面设置为目标FLASH页面；
第二设置模块44，用于为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面。
本发明实施例提供的智能卡的擦写数据的装置，通过获取模块获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数；并通过累计模块根据各FLASH缓存数据处理区的擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；然后利用第一设置模块将总擦写次数大于或等于第一阈值的FLSAH页面设置为目标FLASH页面；并利用第二设置模块为目标FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面。可见，通过为总擦写次数大于或等于第一阈值的FLASH页面中的FLASH缓存数据处理区设置新增FLASH页面，从而避免频繁对某一FLASH页面进行擦写而导致FLASH页面达到擦写次数限制的阈值而导致FLASH存储器损坏，从而降低FLASH存储器损坏的概率，降低读写数据时的数据错误的概率，增强了智能卡的使用寿命。
图5为本发明实施例提供的一种智能卡的擦写数据的设备的结构图，如图5所示，一种智能卡的擦写数据的设备包括：
存储器51，用于存储计算机程序；
处理器52，用于执行计算机程序时实现如上述智能卡的擦写数据的方法的步骤。
本发明实施例提供的智能卡的擦写数据的设备，具有上述智能卡的擦写数据的方法的有益效果。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上述智能卡的擦写数据的方法的步骤。
本发明实施例提供的计算机可读存储介质，具有上述智能卡的擦写数据的方法的有益效果。
以上对本发明所提供的智能卡的擦写数据的方法、装置、设备及计算机可读存储介质进行了详细介绍。本文中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

Claims (8)

1.一种智能卡的擦写数据的方法，其特征在于，包括：
获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数；所述FLASH缓存数据处理区包括Elementary File文件和FLASH页面中的存储地址；
根据各所述FLASH缓存数据处理区的擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；其中，所述FLASH存储器包括多个所述FLASH页面，每一个所述FLASH页面包括一个或多个所述FLASH缓存数据处理区；
将所述总擦写次数大于或等于第一阈值的所述FLSAH页面设置为目标FLASH页面；
为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面；其中，一个FLASH缓存数据处理区存在于多个FLASH页面中，且所述新增FLASH页面在所述多个FLASH页面之中；
在所述获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数之前，进一步包括：
当检测到待擦写数据时，判断所述待擦写数据的数据类型是否为预设数据类型，具体包括：若有一数据在终端重启的前后发生变化，且所述终端仍能够重启和使用，则将所述数据的数据类型作为预设数据类型；当检测到待擦写数据时，判断所述待擦写数据的数据类型是否为所述数据的数据类型；
若是，将所述待擦写数据写入到RAM中或舍弃所述待擦写数据；
否则，则进入所述获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面具体为：
为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置一页所述新增FLASH页面，并进入所述获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面具体为：
为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置多页所述新增FLASH页面；
对应的，在多页所述新增FLASH页面的擦写方式具体为：
依次对各所述新增FLASH页面进行擦写操作。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面具体为：
为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置多页所述新增FLASH页面；
对应的，在多页所述新增FLASH页面的擦写方式具体为：
比较各所述新增FLSAH页面的总擦写次数的大小；
当检测到所述待擦写数据时，选择总擦写次数最小的所述新增FLASH页面进行擦写。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，当所述总擦写次数大于或等于所述第一阈值时，进一步包括发出提示信息。
6.一种智能卡的擦写数据的装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数；所述FLASH缓存数据处理区包括Elementary File文件和FLASH页面中的存储地址；
累计模块，用于根据各所述FLASH缓存数据处理区的擦写次数分别累计每一个FLASH页面的总擦写次数；其中，所述FLASH存储器包括多个所述FLASH页面，每一个所述FLASH页面包括一个或多个所述FLASH缓存数据处理区；
第一设置模块，用于将所述总擦写次数大于或等于第一阈值的所述FLSAH页面设置为目标FLASH页面；
第二设置模块，用于为所述目标FLASH页面中的所述FLASH缓存数据处理区设置对应的新增FLASH页面；其中，一个FLASH缓存数据处理区存在于多个FLASH页面中，且所述新增FLASH页面在所述多个FLASH页面之中；
所述获取模块具体用于，当检测到待擦写数据时，判断所述待擦写数据的数据类型是否为预设数据类型，包括：若有一数据在终端重启的前后发生变化，且所述终端仍能够重启和使用，则将所述数据的数据类型作为预设数据类型；当检测到待擦写数据时，判断所述待擦写数据的数据类型是否为所述数据的数据类型；若是，将所述待擦写数据写入到RAM中或舍弃所述待擦写数据；否则，则进入所述获取智能卡的FLASH存储器中各FLASH缓存数据处理区的擦写次数。
7.一种智能卡的擦写数据的设备，其特征在于，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任一项所述的智能卡的擦写数据的方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述的智能卡的擦写数据的方法的步骤。
CN201811003554.1A 2018-08-30 2018-08-30 一种智能卡的擦写数据的方法、装置、设备及存储介质 Active CN109213448B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811003554.1A CN109213448B (zh) 2018-08-30 2018-08-30 一种智能卡的擦写数据的方法、装置、设备及存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811003554.1A CN109213448B (zh) 2018-08-30 2018-08-30 一种智能卡的擦写数据的方法、装置、设备及存储介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109213448A CN109213448A (zh) 2019-01-15
CN109213448B true CN109213448B (zh) 2022-04-05

Family

ID=64986949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811003554.1A Active CN109213448B (zh) 2018-08-30 2018-08-30 一种智能卡的擦写数据的方法、装置、设备及存储介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109213448B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112463051B (zh) * 2020-11-26 2023-12-29 苏州精控能源科技股份有限公司 一种电池存储系统的管理方法及数据存储方法
CN113282521A (zh) * 2021-05-19 2021-08-20 武汉天喻信息产业股份有限公司 一种智能卡寿命延长方法及装置
CN115910180A (zh) * 2023-02-27 2023-04-04 中电装备山东电子有限公司 一种智能电表外部存储器擦写次数监测方法及系统
CN115952113B (zh) * 2023-03-15 2023-06-13 力高(山东)新能源技术股份有限公司 一种eeprom存储保护的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101533481A (zh) * 2009-04-03 2009-09-16 东信和平智能卡股份有限公司 掩膜智能卡的功能扩展方法
CN101727404A (zh) * 2008-10-16 2010-06-09 慧国(上海)软件科技有限公司 闪存装置以及资料更新方法
CN103176752A (zh) * 2012-07-02 2013-06-26 晶天电子（深圳）有限公司 带有耐用转换层及临时文件转移功能从而实现闪速存储器磨损降低的超耐用固态驱动器
CN104598165A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 深圳市共进电子股份有限公司 在嵌入式设备上对存储器提高耐用性的方法及装置
CN105373342A (zh) * 2014-08-19 2016-03-02 三星电子株式会社 异构统一存储器
CN106354718A (zh) * 2015-07-13 2017-01-25 中国移动通信集团公司 用户识别模块的文件管理方法及装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8056143B2 (en) * 2007-01-19 2011-11-08 Research In Motion Limited Selectively wiping a remote device
US9548108B2 (en) * 2008-06-18 2017-01-17 Super Talent Technology, Corp. Virtual memory device (VMD) application/driver for enhanced flash endurance
US9582204B2 (en) * 2014-01-07 2017-02-28 Apple Inc. Speculative prefetching of data stored in flash memory
CN105843558B (zh) * 2016-03-25 2018-07-24 福建联迪商用设备有限公司 处理流水文件的方法及系统
CN107346210B (zh) * 2016-05-06 2020-08-14 阿里巴巴集团控股有限公司 硬盘数据擦除方法、服务器及系统
CN107168647B (zh) * 2017-04-17 2020-10-23 武汉永力科技股份有限公司 Flash数据读写方法及系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101727404A (zh) * 2008-10-16 2010-06-09 慧国(上海)软件科技有限公司 闪存装置以及资料更新方法
CN101533481A (zh) * 2009-04-03 2009-09-16 东信和平智能卡股份有限公司 掩膜智能卡的功能扩展方法
CN103176752A (zh) * 2012-07-02 2013-06-26 晶天电子（深圳）有限公司 带有耐用转换层及临时文件转移功能从而实现闪速存储器磨损降低的超耐用固态驱动器
CN105373342A (zh) * 2014-08-19 2016-03-02 三星电子株式会社 异构统一存储器
CN104598165A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 深圳市共进电子股份有限公司 在嵌入式设备上对存储器提高耐用性的方法及装置
CN106354718A (zh) * 2015-07-13 2017-01-25 中国移动通信集团公司 用户识别模块的文件管理方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109213448A (zh) 2019-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109213448B (zh) 一种智能卡的擦写数据的方法、装置、设备及存储介质
EP2921963B1 (en) Memory recycling method and device
CN110543281A (zh) 一种存储压缩实现方法、装置、设备及存储介质
CN107463341A (zh) Flash芯片的擦除方法、装置和移动终端
CN110855529B (zh) 网络信息安全监护方法、装置、服务器及可读存储介质
CN109343800B (zh) 存储设备管理方法、装置及可读存储介质
CN111061429B (zh) 一种数据访问方法、装置、设备、介质
CN109164990B (zh) 一种存储器数据更新方法、装置、设备及存储介质
CN106909512B (zh) 存储设备的使用方法和系统
CN112035417A (zh) 存储块的管理方法、装置、存储介质以及电子装置
EP3468261A1 (en) Control method and apparatus for smart card, terminal device, and smart card
CN113470725B (zh) 一种动态随机存储器的测试方法及装置
CN114415961A (zh) Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质
CN110874416B (zh) 一种图像特征值存储方法、装置和电子设备
CN111562983B (zh) 内存优化方法、装置、电子设备及存储介质
CN109299018B (zh) 一种Flash存储器中历史数据的读取方法及装置
CN110688084B (zh) 一种先入先出的flash数据存储方法、系统及终端
CN112908390A (zh) 数据存储方法、装置、电子设备及存储介质
CN111158733A (zh) 一种bmc升级方法、装置、设备及计算机可读存储介质
CN117251116B (zh) 非易失性存储器的擦写方法及装置
CN111078714B (zh) 数据处理的方法及装置
CN116431082B (zh) 数据存储的方法、装置、计算机设备和存储介质
US20080300019A1 (en) Cellular phone
CN118170322A (zh) 数据的存储方法、存储装置和存储芯片
CN111666733B (zh) 一种文档中的单元格处理方法和装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant