CN116913364B - 闪存读干扰测试方法和系统、电子设备、存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种闪存读干扰测试方法、系统、电子设备和存储介质，涉及存储产品技术领域。闪存读干扰测试方法包括以下步骤：对待测闪存的每个存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；获取每个存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；根据每个存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的存储页，作为待测存储页；对每个待测存储页，分别进行连续读操作，直至待测闪存存在失效的存储页；根据失效的存储页所经历的读干扰的次数，评估待测闪存的抗读干扰能力。根据本发明实施例的方法，所需的测试时间较少，测试效率较高，且能够准确评估待测闪存的抗读干扰能力。

Description

闪存读干扰测试方法和系统、电子设备、存储介质

技术领域

本发明涉及存储产品技术领域，尤其是涉及一种闪存读干扰测试方法和系统、电子设备和存储介质。

背景技术

在现代电子信息产业中，存储器作为电子设备中存储数据的载体一直有着非常重要的地位。目前，市场上的存储器主要分为：易失性存储器和非易失性存储器。闪存是一种非易失性存储器，它能够在掉电后长时间保存数据，并且有着数据传输速度快、生产成本低、存储容量大等优点，所以被广泛应用于电子设备之中。

闪存的基本操作主要有Read(读)、Program(写)和Erase(擦除)，Read和Program操作均以闪存内部的page(存储页)为单位，而Erase操作则以闪存内部的block(存储块)为单位，一般一个闪存具有多个block，而一个block里包含多个page。对于闪存而言，其通常会存在读干扰(Read Disturb)现象，即在读取闪存的某个page的数据时，会对同一个block内部的其它page产生干扰，当对某个page读取的次数过多时，会使得其周围的page失效，在读取失效的page时，其ECC个数(即数据翻转比特数)会超过数据纠错单元的纠错能力，从而导致数据丢失。

在闪存产品的生产和开发过程中，需要对产品的抗读干扰能力进行测试，从而评估其数据保持能力以及使用寿命。现有的读干扰测试方法，通常是对闪存的所有存储页进行连续读干扰测试，直至测得某个page失效，从而得到闪存的抗读干扰能力。然而，由于闪存的存储页的数量较多，且要导致某个page失效所需的读操作的次数也要很多，这就导致需要对每个存储页分别进行大量的读操作，所需的测试时间较长，测试效率较低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出了一种闪存读干扰测试方法和系统、电子设备和存储介质，能够快速有效地对闪存进行读干扰测试，测试结果可靠。

一方面，根据本发明实施例的闪存读干扰测试方法，包括以下步骤：

对待测闪存的每个存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；

获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；

根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的所述存储页，作为待测存储页；

对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页；

根据失效的所述存储页所经历的读干扰的次数，评估所述待测闪存的抗读干扰能力。

根据本发明的一些实施例，所述根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的所述存储页，作为待测存储页，包括：

根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取数据翻转比特数最高的第一预设数量的所述存储页，作为参考存储页；

选取每个所述参考存储页相邻的存储页或者是间隔一至两个存储页的存储页，作为所述待测存储页。

根据本发明的一些实施例，所述对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页，包括：

对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作；每经历第二预设次数的连续读操作为一个循环；

对每个所述待测存储页进行一个循环的读操作后，获取所述待测闪存的所有存储页的数据翻转比特数；

根据每个所述存储页的数据翻转比特数与预设值的比较结果，判断是否存在失效的存储页；

若不存在失效的存储页，则对每个所述待测存储页进行下一个循环的连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页。

根据本发明的一些实施例，所述第二预设次数为5000-10000次。

根据本发明的一些实施例，所述获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数的步骤之后，还包括：

生成第一表格；所述第一表格用于显示每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后对应的数据翻转比特数。

根据本发明的一些实施例，所述生成第一表格的步骤之后，还包括：

比较每个所述存储页的数据翻转比特数，并根据比较结果，对数据翻转比特数最高的第一预设数量的存储页进行标记。

另一方面，根据本发明实施例的闪存读干扰测试系统，包括：

第一读操作模块，用于对待测闪存的每个存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；

获取模块，用于获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；

选取模块，用于根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的所述存储页，作为待测存储页；

第二读操作模块，用于对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页；

分析模块，用于根据失效的所述存储页所经历的读干扰的次数，评估所述待测闪存的抗读干扰能力。

根据本发明的一些实施例，所述闪存读干扰测试系统还包括：

表格生成模块，用于生成第一表格；所述第一表格用于显示每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后对应的数据翻转比特数。

另一方面，根据本发明实施例的电子设备，包括：

存储器，用于存储程序指令；

处理器，用于调用所述存储器中存储的程序指令，按照获得的程序指令执行上述实施例的闪存读干扰测试方法。

另一方面，根据本发明实施例的存储介质，所述存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行上述实施例所述的闪存读干扰测试方法。

根据本发明实施例的闪存读干扰测试方法、系统、电子设备和存储介质，至少具有如下有益效果：先是对待测闪存的所有存储页进行第一预设次数的连续读操作(第一预设次数的数量可以相对较少，例如几百次左右)，然后查看每个存储页的数据翻转比特数，数据翻转比特数越高的存储页，说明其数据保持能力越弱，在读取其周围的存储页时其容易因受到读干扰而失效；为此，选取距离数据翻转比特数较高的存储页较近的存储页，将其作为待测存储页，对待测存储页进行连续读操作，直至待测闪存的某个存储页失效，通过获取该失效的存储页所经历的读干扰的次数，即可知道待测闪存的抗读干扰能力，从而能够有针对性地对待测闪存采取避免读干扰的措施。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明实施例的闪存读干扰测试方法的步骤流程图；

图2为本发明实施例的闪存读干扰测试系统的结构示意图；

附图标记：

第一读操作模块100、获取模块200、选取模块300、第二读操作模块400、分析模块500。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。对于以下实施例中的步骤编号，其仅为了便于阐述说明而设置，对步骤之间的顺序不做任何限定，实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。

在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

本发明的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本发明中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

在闪存产品的生产和开发过程中，需要对产品的抗读干扰能力进行测试，从而评估其数据保持能力以及使用寿命。现有的读干扰测试方法，通常是对闪存的所有存储页进行连续读干扰测试，直至测得某个page失效，从而得到闪存的抗读干扰能力。然而，由于闪存的存储页的数量较多，且要导致某个page失效所需的读次数也要很多，这就导致需要对每个存储页分别进行大量的读操作，所需的测试时间较长，测试效率较低。

为此，本发明实施例提出了一种闪存读干扰测试方法和系统、电子设备、存储介质，闪存读干扰测试方法包括以下步骤：

对待测闪存的每个存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；

获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；

根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的所述存储页，作为待测存储页；

对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页；

根据失效的所述存储页所经历的读操作的次数，评估所述待测闪存的抗读干扰能力。

根据本发明实施例的闪存读干扰测试方法，先是对待测闪存的所有存储页进行第一预设次数的连续读操作(第一预设次数的数量可以相对较少，例如几百次左右)，然后查看每个存储页的数据翻转比特数，数据翻转比特数越高的存储页，说明其数据保持能力越弱，在读取其周围的存储页时其容易因受到读干扰而失效；为此，选取距离数据翻转比特数较高的存储页较近的存储页，将其作为待测存储页，对待测存储页进行连续读操作，直至待测闪存的某个存储页失效，通过获取该失效的存储页所经历的读干扰的次数，即可知道待测闪存的抗读干扰能力，从而能够有针对性地对待测闪存采取避免读干扰的措施。

下面结合附图1-2，详细描述本发明实施例的闪存读干扰测试方法、系统、电子设备和存储介质。

一方面，如图1所示，本发明实施例中提出了一种闪存读干扰测试方法，包括以下步骤：

步骤S100：对待测闪存的每个存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；

通常来说，一个闪存具有若干个block(存储块)，而每个block又有若干个page(存储页)，如果在进行读干扰测试时，全程对所有的page进行连续操作的话，则总的读操作次数可能会在上百万次，所需要的测试时间会很长，测试效率很低。因此，在本示例中，在进行读干扰测试时，仅是对待测闪存的所有存储页先进行了第一预设次数的连续读操作；其中，第一预设次数的取值较小，可以是几百次，例如300-500次，或是其它合理数值。由于第一预设次数的取值较小，因此该过程所花费的时间较少。

步骤S200：获取每个存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；

在对所有的存储页进行了第一预设次数的连续读操作后，查看每个存储页对应的数据翻转比特数；其中，数据翻转比特数表示读取出来的数据与原始数据的误差，数据翻转比特数越大，说明误差越大，当数据翻转比特数超过某个数值，导致超过数据纠错单元的纠错能力时，说明该存储页存储的数据丢失，该存储页失效。因此，通过查看每个存储页的数据翻转比特数，可以知道每个存储页在经过第一预设次数的连续读操作后，所经受的读干扰程度；数据翻转比特数越小，说明该存储页受到的读干扰越少，数据保持能力越强；反之，数据翻转比特数越大，说明该存储页受到的读干扰越多，数据保持能力越弱。

步骤S300：根据每个存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的存储页，作为待测存储页；

通过查看每个存储页的数据翻转比特数，能够看出每个存储页的抗读干扰能力的强弱，而为了验证待测闪存整体的抗读干扰能力，通常只需要验证较弱的几个存储页的抗读干扰能力即可，因此，在所有存储页中，查找数据翻转比特数较多的几个存储页，这几个存储页便是抗读干扰能力较弱的，为了验证这几个较弱的存储页的抗读干扰能力，则可以选择对其周围的存储页(即待测存储页)进行连续读操作，从而验证这几个较弱的存储页的抗读干扰能力。因此，上述的步骤S300，具体包括以下两个步骤：

步骤S310：根据每个存储页的数据翻转比特数，选取数据翻转比特数最高的第一预设数量的存储页，作为参考存储页；

步骤S320：选取每个参考存储页相邻的存储页或者是间隔一个存储页的存储页，作为待测存储页。

其中，第一预设数量可以是3-10个，或者是其它合理数值，第一预设数量的取值也相对较小，无需选择太多的存储页，从而节省测试时间，提高测试效率。在获取到所有存储页的数据翻转比特数后，选择数据翻转比特数最高的几个存储页，作为参考存储页；由于这几个参考存储页的数据翻转比特数最高，抗读干扰能力最弱，因此最能够代表待测闪存的抗读干扰能力，最具有代表性。为了验证这几个参考存储页的抗读干扰能力，针对每个参考存储页，选择与其相邻的一个存储页，或者是选择与其间隔一至两个存储页的存储页，作为待测存储页，从而后续能够对待测存储页进行连续读操作。

此外，为了方便查看每个存储页的数据翻转比特数，从而挑选出合适的参考存储页和待测存储页，在本发明实施例中，在步骤S300之后，闪存读干扰测试方法还包括以下步骤：生成第一表格；第一表格用于显示每个存储页经过第一预设次数的连续读操作后对应的数据翻转比特数。其中，第一表格的一种示例如下：

表1

第一表格分为两列，第一列为每个存储页的编号，第二列为每个存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；通过该表格，可以直观查看每个存储页的数据翻转比特数的情况。更进一步地，可以按照数据翻转比特数的大小对表格进行排序，从而更方便挑选出数据翻转比特数最高的几个存储页。此外，如表1所示，在本示例中，还对数据翻转比特数最高的第一预设数量的存储页进行标记，从而方便区分；假设Page6、Page1049和Page1051是数据翻转比特数最高的几个存储页，则将这几个存储页作为参考存储页，而将与其相邻的存储页(例如Page5、Page1048和Page1050)作为待测存储页，并在后续对待测存储页进行连续读操作，并查看这几个参考存储页何时失效。

步骤S400：对每个待测存储页，分别进行连续读操作，直至待测闪存存在失效的存储页；

具体地，为了查看待测闪存是否存在失效的存储页，上述的步骤S400，包括以下几个子步骤：

步骤S410：对每个待测存储页，分别进行连续读操作；每经历第二预设次数的连续读操作为一个循环；

步骤S420：对每个待测存储页进行一个循环的读操作后，获取待测闪存的所有存储页的数据翻转比特数；

步骤S430：根据每个存储页的数据翻转比特数与预设值的比较结果，判断是否存在失效的存储页；

步骤S440：若不存在失效的存储页，则对每个待测存储页进行下一个循环的连续读操作，直至待测闪存存在失效的存储页。

由于要使得某个存储页失效，需要的读操作次数较多，可能在几十万次以上，因此，为了能够更快地发现使得某个存储页失效所需要的读操作次数，在本示例中，将每经历第二预设次数的连续读操作为一个循环，其中，第二预设次数的取值可以是5000-10000次左右，也可以是其它合理的数值。假设，每一万次读操作为一个循环，对待测存储页进行一个循环的读操作后，获取待测闪存的所有存储页的数据翻转比特数(也可以是只查看参考存储页的数据翻转比特数，因为通常来说最先失效的大概率是参考存储页，不过为了结果更为准确，也可以查看所有存储特的数据翻转比特数)，如果发现某个存储页的数据翻转比特数超过预设值(即超过了数据纠错单元的纠错能力)，则说明该存储页失效，此时，便可以停止读干扰测试实验；如果所有存储页都未失效，则重复上述的操作，进行下一个循环的连续读操作，直至存在失效的存储页。

步骤S500：根据失效的存储页所经历的读干扰的次数，评估待测闪存的抗读干扰能力。

当某个存储页失效后，则可以统计该存储页所经历的总的读干扰次数，该存储页所经历的总的读干扰次数，即代表了待测闪存的抗读干扰能力。

根据本发明实施例的闪存读干扰测试方法，先是对待测闪存的所有存储页进行较少次数的连续读操作，然后查看每个存储页的数据翻转比特数，数据翻转比特数越高的存储页，说明其数据保持能力越弱，在读取其周围的存储页时其容易因受到读干扰而失效；为此，选取距离数据翻转比特数较高的存储页较近的存储页，将其作为待测存储页，对待测存储页进行连续读操作，直至待测闪存的某个存储页失效，通过获取该失效的存储页所经历的读干扰的次数，即可知道待测闪存的抗读干扰能力，从而能够有针对性地对待测闪存采取避免读干扰的措施。该闪存读干扰测试方法，所需的测试时间较少，测试效率较高，且能够准确评估待测闪存的抗读干扰能力。

另一方面，如图2所示，基于上述方面实施例所述的闪存读干扰测试方法，本发明实施例还提出了一种闪存读干扰测试系统，该闪存读干扰测试系统包括：

第一读操作模块100，用于对待测闪存的所有存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；

获取模块200，用于获取每个存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；

选取模块300，用于根据每个存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的存储页，作为待测存储页；

第二读操作模块400，用于对每个待测存储页，分别进行连续读操作，直至待测闪存存在失效的存储页；

分析模块500，用于根据失效的存储页所经历的读干扰的次数，评估待测闪存的抗读干扰能力。

根据本发明实施例的闪存读干扰测试系统，通过第一读操作模块100对待测闪存的所有存储页，进行较少次数的连续读操作；然后通过获取模块200获取每个存储页的数据翻转比特数，使得选取模块300能够根据每个存储页的数据翻转比特数，选取出几个比较具有代表性的待测存储页；然后，再通过第二读操作模块400对每个待测存储页分别进行连续读操作，直至待测闪存存在失效的存储页；最后通过分析模块500根据失效的存储页所经历的读干扰的次数，评估待测闪存的抗读干扰能力。根据本发明实施例的闪存读干扰测试系统，所需的测试时间较少，测试效率较高，且能够准确评估待测闪存的抗读干扰能力。

进一步地，在本发明的一些实施例中，闪存读干扰测试系统还包括表格生成模块，表格生成模块用于生成第一表格；第一表格用于显示每个存储页经过第一预设次数的连续读操作后对应的数据翻转比特数。通过该表格，可以直观查看每个存储页的数据翻转比特数的情况，从而方便选取待测存储页。

需要说明的是，上述方法实施例中的内容均适用于本系统实施例中，本系统实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。

另一方面，本发明实施例还提出了一种电子设备，包括：

存储器，用于存储程序指令；

处理器，用于调用所述存储器中存储的程序指令，按照获得的程序指令执行上述的闪存读干扰测试方法。

需要说明的是，上述方法实施例中的内容均适用于本电子设备实施例中，本电子设备实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。

尽管本文描述了具体实施方案，但是本领域中的普通技术人员将认识到，许多其它修改或另选的实施方案同样处于本公开的范围内。例如，结合特定设备或组件描述的功能和/或处理能力中的任一项可以由任何其它设备或部件来执行。另外，虽然已根据本公开的实施方案描述了各种示例性具体实施和架构，但是本领域中的普通技术人员将认识到，对本文所述的示例性具体实施和架构的许多其它修改也处于本公开的范围内。

上文参考根据示例性实施方案所述的系统、方法、系统和/或计算机程序产品的框图和流程图描述了本公开的某些方面。应当理解，框图和流程图中的一个或多个块以及框图和流程图中的块的组合可分别通过执行计算机可执行程序指令来实现。同样，根据一些实施方案，框图和流程图中的一些块可能无需按示出的顺序执行，或者可以无需全部执行。另外，超出框图和流程图中的块所示的那些部件和/或操作以外的附加部件和/或操作可存在于某些实施方案中。

因此，框图和流程图中的块支持用于执行指定功能的装置的组合、用于执行指定功能的元件或步骤的组合以及用于执行指定功能的程序指令装置。还应当理解，框图和流程图中的每个块以及框图和流程图中的块的组合可以由执行特定功能、元件或步骤的专用硬件计算机系统或者专用硬件和计算机指令的组合来实现。

本文所述的程序模块、应用程序等可包括一个或多个软件组件，包括例如软件对象、方法、数据结构等。每个此类软件组件可包括计算机可执行指令，所述计算机可执行指令响应于执行而使本文所述的功能的至少一部分(例如，本文所述的例示性方法的一种或多种操作)被执行。

软件组件可以用各种编程语言中的任一种来编码。一种例示性编程语言可以为低级编程语言，诸如与特定硬件体系结构和/或操作系统平台相关联的汇编语言。包括汇编语言指令的软件组件可能需要在由硬件架构和/或平台执行之前由汇编程序转换为可执行的机器代码。另一种示例性编程语言可以为更高级的编程语言，其可以跨多种架构移植。包括更高级编程语言的软件组件在执行之前可能需要由解释器或编译器转换为中间表示。编程语言的其它示例包括但不限于宏语言、外壳或命令语言、作业控制语言、脚本语言、数据库查询或搜索语言、或报告编写语言。在一个或多个示例性实施方案中，包含上述编程语言示例中的一者的指令的软件组件可直接由操作系统或其它软件组件执行，而无需首先转换成另一种形式。

软件组件可存储为文件或其它数据存储构造。具有相似类型或相关功能的软件组件可一起存储在诸如特定的目录、文件夹或库中。软件组件可为静态的(例如，预设的或固定的)或动态的(例如，在执行时创建或修改的)。

上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (9)

1.一种闪存读干扰测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

对待测闪存的每个存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；

获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；

根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的所述存储页，作为待测存储页；

对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页；

根据失效的所述存储页所经历的读干扰的次数，评估所述待测闪存的抗读干扰能力；

所述根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的所述存储页，作为待测存储页，包括：

根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取数据翻转比特数最高的第一预设数量的所述存储页，作为参考存储页；

选取每个所述参考存储页相邻的存储页或者是间隔一至两个存储页的存储页，作为所述待测存储页。

2.根据权利要求1所述的闪存读干扰测试方法，其特征在于，所述对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页，包括：

对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作；每经历第二预设次数的连续读操作为一个循环；

对每个所述待测存储页进行一个循环的读操作后，获取所述待测闪存的所有存储页的数据翻转比特数；

根据每个所述存储页的数据翻转比特数与预设值的比较结果，判断是否存在失效的存储页；

若不存在失效的存储页，则对每个所述待测存储页进行下一个循环的连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页。

3.根据权利要求2所述的闪存读干扰测试方法，其特征在于，所述第二预设次数为5000-10000次。

4.根据权利要求1所述的闪存读干扰测试方法，其特征在于，所述获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数的步骤之后，还包括：

生成第一表格；所述第一表格用于显示每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后对应的数据翻转比特数。

5.根据权利要求4所述的闪存读干扰测试方法，其特征在于，所述生成第一表格的步骤之后，还包括：

比较每个所述存储页的数据翻转比特数，并根据比较结果，对数据翻转比特数最高的第一预设数量的存储页进行标记。

6.一种闪存读干扰测试系统，其特征在于，包括：

第一读操作模块，用于对待测闪存的每个存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；

获取模块，用于获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；

选取模块，用于根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取数据翻转比特数最高的第一预设数量的所述存储页，作为参考存储页，并选取每个所述参考存储页相邻的存储页或者是间隔一至两个存储页的存储页，作为待测存储页；

第二读操作模块，用于对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页；

分析模块，用于根据失效的所述存储页所经历的读干扰的次数，评估所述待测闪存的抗读干扰能力。

7.根据权利要求6所述的闪存读干扰测试系统，其特征在于，所述闪存读干扰测试系统还包括：

表格生成模块，用于生成第一表格；所述第一表格用于显示每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后对应的数据翻转比特数。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：

存储器，用于存储程序指令；

处理器，用于调用所述存储器中存储的程序指令，按照获得的程序指令执行权利要求1-5中任一项所述的闪存读干扰测试方法。

9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行权利要求1-5中任一项所述的闪存读干扰测试方法。