CN116153381A - 一种闪存颗粒寿命预测方法、装置、设备及可读存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种闪存颗粒寿命预测方法、装置、设备及可读存储介质，属于存储技术领域，该方法包括：对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。本申请与现有技术中的验证方法相比，降低了对闪存颗粒的损坏，不会产生额外的损耗，检测后的闪存颗粒依旧可以用于正式的产品中；可以应用于闪存颗粒品质检测；可以应用于闪存品质等级分类，充分发挥不同闪存的价值；可以应用于高质量需求领域的筛选，挑选出符合要求的闪存颗粒。

Description

一种闪存颗粒寿命预测方法、装置、设备及可读存储介质

技术领域

本申请涉及存储技术领域，特别涉及一种闪存颗粒寿命预测方法、装置、设备及计算机可读存储介质。

背景技术

闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，广泛应用于固态硬盘、U盘等存储产品中。数据的可靠性和产品的使用寿命一直是这些存储产品的两个重要质量指标。一般通过检测擦除次数是否符合标称，对闪存颗粒的寿命进行检查。现有技术中检测擦除次数，一般需要实际擦除测试，是一种验证方法。然而，实验后的闪存颗粒无法再使用，所以测试的样品数量越多，需要的成本越高。因此，本申请提供了一种闪存颗粒寿命预测方法，用来解决现有技术中采用验证方法造成的样品损坏和成本高的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种闪存颗粒寿命预测方法、装置、设备及计算机可读存储介质，从而降低对闪存颗粒的损坏，避免产生额外的损耗。

为实现上述目的，本申请提供了一种闪存颗粒寿命预测方法，包括：

对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；

根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。

可选的，所述对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力，包括：

S201：以预设读操作次数步长，对待测闪存颗粒的每个存储块中的一个存储页进行连续多次读操作；每个所述存储块包括多个存储页；

S202：读出每个所述存储块内除所述存储页以外的其它存储页的数据；

S203：判断所述其它存储页的数据的bit错误量是否超过预设阈值；若否，则执行步骤S201至S202，直至所述其它存储页的数据的bit错误量超过预设阈值；若是，则执行步骤S204；

S204：记录对所述存储页进行读操作的总次数；所述总次数为每个所述存储块的抗读干扰能力。

可选的，所述根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命前，还包括：

S301：用数据将闪存颗粒样品中的每个存储块写满；所述闪存颗粒样品中包括多个所述存储块；所述存储块为有效存储块；

S302：对每个所述存储块进行抗读干扰能力测试，并记录每个所述存储块的抗读干扰能力；其中，记录的第一次的所述抗读干扰能力为初始状态下的抗读干扰能力；

S303：以预设擦除次数步长，对每个所述存储块进行连续多次擦除；

S304：判断每个所述存储块是否失效；若否，则执行步骤S301至S303，直至所述存储块失效；若是，则执行步骤S305；

S305：记录对每个所述存储块进行擦除的总次数和擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数；所述总次数为初始状态下的剩余擦除次数；

S306：根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。

可选的，所述步骤S304，包括：

判断对每个所述存储块进行的写操作或擦除操作是否成功；若是，则执行步骤S301至S303，直至所述写操作或所述擦除操作失败；若否，则执行步骤S305。

可选的，所述步骤S306，包括：

根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，得到闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的关系曲线；

对所述关系曲线进行拟合，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。

为实现上述目的，本申请还提供了一种闪存颗粒寿命预测装置，包括：

获取数据模块，用于对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；

寿命预测模块，用于根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。

可选的，所述获取数据模块，包括：

读操作单元，用于以预设读操作次数步长，对待测闪存颗粒的每个存储块中的一个存储页进行连续多次读操作；每个所述存储块包括多个存储页；

读数据单元，用于读出每个所述存储块内除所述存储页以外的其它存储页的数据；

错误量判断单元，用于判断所述其它存储页的数据的bit错误量是否超过预设阈值；若否，则执行读操作单元至读数据单元，直至所述其它存储页的数据的bit错误量超过预设阈值；若是，则执行记录抗读干扰能力单元；

记录抗读干扰能力单元，用于记录对所述存储页进行读操作的总次数；所述总次数为每个所述存储块的抗读干扰能力。

可选的，所述寿命预测模块前，还包括：

写操作模块，用于用数据将闪存颗粒样品中的每个存储块写满；所述闪存颗粒样品中包括多个所述存储块；所述存储块为有效存储块；

获取抗读干扰能力模块，用于对每个所述存储块进行抗读干扰能力测试，并记录每个所述存储块的抗读干扰能力；其中，记录的第一次的所述抗读干扰能力为初始状态下的抗读干扰能力；

擦除操作模块，用于以预设擦除次数步长，对每个所述存储块进行连续多次擦除；

状态判断模块，用于判断每个所述存储块是否失效；若否，则执行写操作模块至擦除操作模块，直至所述存储块失效；若是，则执行记录剩余擦除次数模块；

记录剩余擦除次数模块，用于记录对每个所述存储块进行擦除的总次数和擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数；所述总次数为初始状态下的剩余擦除次数；

关系建立模块，用于根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。

为实现上述目的，本申请还提供了一种闪存颗粒寿命预测设备，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述所述的闪存颗粒寿命预测方法的步骤。

为实现上述目的，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述所述的闪存颗粒寿命预测方法的步骤。

本申请提供的一种闪存颗粒寿命预测方法，包括：对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。

显然，本申请预先建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系；通过获取闪存颗粒的抗读干扰能力，根据所述对应关系，确定剩余擦除次数，从而实现对闪存颗粒寿命的预测，与现有技术中的验证方法相比，降低了对闪存颗粒的损坏，不会产生额外的损耗，检测后的闪存颗粒依旧可以用于正式的产品中，检测后的产品依旧可以应用于正式的产品中；可以应用于闪存颗粒品质检测；可以应用于闪存品质等级分类，充分发挥不同闪存的价值；可以应用于高质量需求领域的筛选，挑选出符合要求的闪存颗粒。本申请还提供一种闪存颗粒寿命预测装置、设备及计算机可读存储介质，具有上述有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种闪存颗粒寿命预测方法的流程图；

图2为本申请实施例提供的一种闪存颗粒寿命预测方法的流程示意图；

图3为本申请实施例提供的一种闪存颗粒存储单元结构图；

图4为本申请实施例提供的一种获取闪存颗粒的剩余擦除次数和抗读干扰能力对应关系的流程示意图；

图5为本申请实施例提供的一种检测某个存储块抗读干扰能力的流程示意图；

图6为本申请实施例提供的一种闪存颗粒的剩余擦除次数和抗读干扰能力关系曲线图；

图7为本申请实施例提供的一种闪存颗粒寿命预测装置的结构框图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

闪存颗粒中的Block(块)有一定的擦除次数限制，假设某款MLC(Multi-LevelCell，多层单元)NAND闪存颗粒的Block可以擦除n次。一旦某个Block擦除超过n次，就会出现读写出错、无法擦除等错误。但是事实上不是所有Block的极限擦除次数都是刚好n次，有些Block会大于n次，有些Block会小于n次。所以会导致对极限擦除次数小于n次的Block进行操作时出现数据错误的风险；而对极限擦除次数超过n次的Block又会出现该Block寿命利用率的浪费。其中，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。

NAND闪存颗粒进行品质检验时，寿命检查比较困难。只能采用一批当中抽取样品，然后进行擦除实验，验证是否能够达到标称的擦除次数。该方法属于破坏性实验，实验过后的样品寿命已经耗尽，无法再使用。所以该方法，抽样数量不会太多，否则成本太高。而且对于一致性不是非常好的闪存颗粒，该方法有效性会大大降低或者需要更多的抽样样本。因此，本申请提供了一种闪存颗粒寿命预测方法，预先建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系；通过获取闪存颗粒的抗读干扰能力，根据所述对应关系，确定剩余擦除次数，实现对闪存颗粒寿命的预测，从而降低对闪存颗粒的损坏，避免产生额外的损耗。

请参考图1，图1为本申请实施例提供的一种闪存颗粒寿命预测方法的流程图，该方法可以包括：

S101：对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力。

本实施例并不限定获取待测闪存颗粒的抗读干扰能力的具体方式，只要能够获得抗读干扰能力即可，例如可以是S201：以预设读操作次数步长，对待测闪存颗粒的每个存储块中的一个存储页进行连续多次读操作；每个所述存储块包括多个存储页；S202：读出每个所述存储块内除所述存储页以外的其它存储页的数据；S203：判断所述其它存储页的数据的bit错误量是否超过预设阈值；若否，则执行步骤S201至S202，直至所述其它存储页的数据的bit错误量超过预设阈值；若是，则执行步骤S204；S204：记录对所述存储页进行读操作的总次数；所述总次数为每个所述存储块的抗读干扰能力。其中，bit错误为在数据传输中的比特差错。

本实施例并不限定预设读操作次数步长的具体数值，可以根据实际需求确定预设读操作次数步长的具体数值。需要说明的是，读操作次数步长越小，精度越高，耗时越长。本实施例并不限定预设阈值的具体数值，可以根据实际需求确定预设阈值的具体数值。

S102：根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个存储块的剩余擦除次数，将所有存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。

本实施例并不限定建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系的具体方式，只要能得到闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系即可，例如可以是S301：用数据将闪存颗粒样品中的每个存储块写满；所述闪存颗粒样品中包括多个所述存储块；所述存储块为有效存储块；S302：对每个所述存储块进行抗读干扰能力测试，并记录每个所述存储块的抗读干扰能力；其中，记录的第一次的抗读干扰能力为初始状态下的抗读干扰能力；S303：以预设擦除次数步长，对每个所述存储块进行连续多次擦除；S304：判断每个所述存储块是否失效；若否，则执行步骤S301至S303，直至所述存储块失效；若是，则执行步骤S305；S305：记录对每个所述存储块进行擦除的总次数和擦除每个预设擦除次数步长后的剩余擦除次数；所述总次数为初始状态下的剩余擦除次数；S306：根据初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及初始状态下的剩余擦除次数和擦除每个预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。需要说明的是，初始状态下的抗读干扰能力与初始状态下的剩余擦除次数相对应；擦除每个预设擦除次数步长后的抗读干扰能力和擦除每个预设擦除次数步长后的剩余擦除次数相对应。

本实施例并不限定预设擦除次数步长的具体数值，可以根据实际需求确定预设擦除次数步长的具体数值。需要说明的是，预设擦除次数步长越小，精度越高，耗时越长。

本实施例并不限定获取闪存颗粒样品的抗读干扰能力的具体方式，只要能够获得抗读干扰能力即可，例如可以是与获取待测闪存颗粒的抗读干扰能力的方式相同，即S401：以预设读操作次数步长，对闪存颗粒样品的每个存储块中的一个存储页进行连续多次读操作；每个所述存储块包括多个存储页；S402：读出每个所述存储块内除所述存储页以外的其它存储页的数据；S403：判断所述其它存储页的数据的bit错误量是否超过预设阈值；若否，则执行步骤S401至S402，直至所述其它存储页的数据的bit错误量超过预设阈值；若是，则执行步骤S404；S404：记录对所述存储页进行读操作的总次数；所述总次数为每个所述存储块的抗读干扰能力。

本实施例并不限定判断每个所述存储块是否失效的具体方式，例如可以是判断对每个所述存储块进行的写操作或擦除操作是否成功；若是，则执行步骤S301至S303，直至所述写操作或所述擦除操作失败；若否，则执行步骤S305。

本实施例并不限定根据初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及初始状态下的剩余擦除次数和擦除每个预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系的具体方式，可以根据实际情况确定上述步骤的具体方式，例如可以是根据初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及初始状态下的剩余擦除次数和擦除每个预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，得到闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的关系曲线；对所述关系曲线进行拟合，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。

需要说明的是，通过上述方法可以对闪存颗粒进行品质分类，以便于将应用于不同场景的产品当中。将极限擦除次数高的闪存颗粒应用于可靠性要求高的领域，比如航空航天等领域；将极限擦除次数高的闪存颗粒应用于可靠性要求低的领域，比如U盘等读写使用频率低的产品。

基于上述实施例，本申请预先建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系；通过获取闪存颗粒的抗读干扰能力，根据所述对应关系，确定剩余擦除次数，从而实现对闪存颗粒寿命的预测，与现有技术中的验证方法相比，降低了对闪存颗粒的损坏，不会产生额外的损耗，检测后的闪存颗粒依旧可以用于正式的产品中；可以应用于闪存颗粒品质检测；可以应用于闪存品质等级分类，充分发挥不同闪存的价值；可以应用于高质量需求领域的筛选，挑选出符合要求的闪存颗粒。

下面结合具体的实例说明上述闪存颗粒寿命预测过程，请参考图2，图2为本申请实施例提供的一种闪存颗粒寿命预测方法的流程示意图，该过程具体如下：

1、通过实验测试获得某一个型号闪存颗粒存储块的剩余擦除次数和抗读干扰能力关系曲线。

参见图3，图3为本申请实施例提供的一种闪存颗粒存储单元结构图，该结构是一个双层浮栅MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)管。在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成存储电子的浮栅层，浮栅层上下被绝缘层包围，因此电子被锁在浮栅层里，达到存储信息的目的。而对存储单元进行擦除会导致隧道氧化膜老化，最终使得无法锁住浮栅层的电子，也无法正确存储信息。

闪存颗粒中，多个存储单元组成一个存储页；多个存储页构成一个存储块。由于闪存颗粒构造原因，对存储页进行读操作时，在同一个存储块(Block)的其它存储页(Page)的控制极上会加一个电压，会在浮栅极和衬底形成一个较强的电场，可能会把一些电子吸入浮栅极。随着该存储页(Page)数据读的次数越来越多，同一存储块(Block)内的其它存储页(Page)进入浮栅层的电子就越多，最终导致里面数据状态发生变化，也就意味着数据出错，这就是读干扰。随着对存储块(Block)擦除次数增加，会导致该存储块(Block)的存储单元的隧道氧化膜老化，导致阻挡电子进入浮栅层的能力减弱，也就是抗读干扰能力减弱。所以某个闪存颗粒的存储块(Block)的剩余擦除次数和抗读干扰能力之间存在一定的对应关系。

其具体的实现过程参见图4，图4为本申请实施例提供的一种获取闪存颗粒的剩余擦除次数和抗读干扰能力对应关系的流程示意图，此过程中的闪存颗粒是用于获取闪存颗粒的剩余擦除次数和抗读干扰能力对应关系的闪存颗粒样品：

(1)将闪存颗粒用数据将有效存储块(包括每个存储页)全部写满。

(2)对每个有效存储块进行抗读干扰能力测试并记录结果。这里记录的抗读干扰能力，包括未进行擦除前的抗读干扰能力(记录的第一次的抗读干扰能力)，即初始状态下的抗读干扰能力，和每擦除k次后的抗读干扰能力。

不是每一个型号的闪存颗粒的存储块(Block)的剩余擦除次数和抗读干扰能力对应关系都是一样的，但是同一个型号的闪存颗粒由于设计、制造工艺、原材料等基本一样，所以剩余擦除次数和抗读干扰能力对应关系也基本一致。为了能够预测剩余擦除次数，对抗读干扰能力进行量化定义，对一个存储块(Block)的某个存储页(Page)反复读操作，直到该存储块(Block)的其它存储页(Page)出现了增加m个bit错误，这时对该存储页(Page)进行的总读操作次数n，即为该存储块(Block)的抗读干扰能力。注：这里的m是预先根据经验值设定的。

对某个存储块的抗读干扰能力测试过程参见图5，图5为本申请实施例提供的一种检测某个存储块抗读干扰能力的流程示意图：

1)连续读某个指定存储页p次。这里的连续读次数p是预先设定好的，一般是几百次到几千次。次数越小，精度越高，耗时越长。

2)读出同一存储块的其它存储页的数据。

3)检测读出的数据是否bit错误量超过m。数值m也是预先设定好的，一般设定为几十到几百，在整个测试验证和预测过程中数值m固定。

4)记录指定被读存储页总的读操作次数，即为该存储块抗读干扰能力。

(3)对每个有效存储块进行擦除k次。这里的擦除次数k也是预先设定好的，一般这个值为几十到几百，k的值越小，精度越高，耗时越长。

(4)判断每个存储块是否失效，如果否就继续重复前面测试过程，如果是就结束测试。

(5)记录出错的存储块和其擦除次数。该存储块(Block)作为无效存储块，不再参与后续的测试。这里记录的擦除次数，包括该存储块的极限擦除次数，即初始状态下的剩余擦除次数，和每擦除k次后的剩余擦除次数。

(6)通过上述的测试结果，得到图6，图6为本申请实施例提供的一种闪存颗粒的剩余擦除次数和抗读干扰能力关系曲线图。根据得到的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，可以针对这个型号闪存颗粒进行测试和预测。

2、对被测试闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰能力测试。针对单个存储块(Block)的抗读干扰能力测试过程参见图5；此过程中的闪存颗粒是被测试闪存颗粒。

(1)连续读某个指定存储页p次。这里的连续读次数p是预先设定好的，一般是几百次到几千次。次数越小，精度越高，耗时越长。

(2)读出同一存储块的其它存储页的数据。

(3)检测读出的数据是否bit错误量超过m。数值m也是预先设定好的，一般设定为几十到几百，在整个测试验证和预测过程中数值m固定。

(4)记录指定被读存储页总的读操作次数，即为该存储块抗读干扰能力。

3、得到每个存储块(Block)的抗读干扰能力之后，对比关系曲线(参见图4)确定每个存储块的剩余擦除次数。

4、将所有存储块的剩余擦除次数取平均值作为被测试闪存颗粒的寿命。

下面对本申请实施例提供的一种闪存颗粒寿命预测装置、设备及计算机可读存储介质进行介绍，下文描述的闪存颗粒寿命预测装置、设备及计算机可读存储介质与上文描述的闪存颗粒寿命预测方法可相互对应参照。

请参考图7，图7为本申请实施例提供的一种闪存颗粒寿命预测装置的结构框图，该装置可以包括：

获取数据模块100，用于对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；

寿命预测模块200，用于根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个存储块的剩余擦除次数，将所有存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。

基于上述实施例，本申请预先建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系；通过获取闪存颗粒的抗读干扰能力，根据所述对应关系，确定剩余擦除次数，从而实现对闪存颗粒寿命的预测，与现有技术中的验证方法相比，降低了对闪存颗粒的损坏，不会产生额外的损耗，检测后的闪存颗粒依旧可以用于正式的产品中；可以应用于闪存颗粒品质检测；可以应用于闪存品质等级分类，充分发挥不同闪存的价值；可以应用于高质量需求领域的筛选，挑选出符合要求的闪存颗粒。

基于上述实施例，所述获取数据模块，可以包括：

读操作单元，用于以预设读操作次数步长，对待测闪存颗粒的每个存储块中的一个存储页进行连续多次读操作；每个所述存储块包括多个存储页；

读数据单元，用于读出每个所述存储块内除所述存储页以外的其它存储页的数据；

错误量判断单元，用于判断所述其它存储页的数据的bit错误量是否超过预设阈值；若否，则执行读操作单元至读数据单元，直至所述其它存储页的数据的bit错误量超过预设阈值；若是，则执行记录抗读干扰能力单元；

记录抗读干扰能力单元，用于记录对所述存储页进行读操作的总次数；所述总次数为每个所述存储块的抗读干扰能力。

基于上述各实施例，所述寿命预测模块前，还可以包括：

写操作模块，用于用数据将闪存颗粒样品中的每个存储块写满；所述闪存颗粒样品中包括多个所述存储块；所述存储块为有效存储块；

获取抗读干扰能力模块，用于对每个所述存储块进行抗读干扰能力测试，并记录每个所述存储块的抗读干扰能力；其中，记录的第一次的抗读干扰能力为初始状态下的抗读干扰能力；

擦除操作模块，用于以预设擦除次数步长，对每个所述存储块进行连续多次擦除；

状态判断模块，用于判断每个所述存储块是否失效；若否，则执行写操作模块至擦除操作模块，直至所述存储块失效；若是，则执行记录剩余擦除次数模块；

记录剩余擦除次数模块，用于记录对每个所述存储块进行擦除的总次数和擦除每个预设擦除次数步长后的剩余擦除次数；所述总次数为初始状态下的剩余擦除次数；

关系建立模块，用于根据初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及初始状态下的剩余擦除次数和擦除每个预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。

基于上述各实施例，所述状态判断模块具体用于判断对每个所述存储块进行的写操作或擦除操作是否成功；若是，则执行所述写操作模块至所述擦除操作模块，直至所述写操作或所述擦除操作失败；若否，则执行所述记录剩余擦除次数模块。

基于上述各实施例，所述关系建立模块可以包括：

获取关系曲线单元，用于根据初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及初始状态下的剩余擦除次数和擦除每个预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，得到闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的关系曲线；

关系曲线拟合单元，用于对所述关系曲线进行拟合，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。

基于上述实施例，本申请还提供了一种闪存颗粒寿命预测设备，包括：存储器和处理器，其中，存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于执行计算机程序时实现上述各实施例所述的闪存颗粒寿命预测方法的步骤。当然，该闪存颗粒寿命预测设备还可以包括各种必要的网络接口、电源以及其它零部件等。

本申请还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述各实施例所述的闪存颗粒寿命预测方法的步骤。该存储介质可以包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，且各个实施例间为递进关系，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，可参见对应的方法部分说明。以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其它要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (10)

1.一种闪存颗粒寿命预测方法，其特征在于，包括：

对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；

根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。

2.根据权利要求1所述的闪存颗粒寿命预测方法，其特征在于，所述对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力，包括：

S201：以预设读操作次数步长，对待测闪存颗粒的每个存储块中的一个存储页进行连续多次读操作；每个所述存储块包括多个存储页；

S202：读出每个所述存储块内除所述存储页以外的其它存储页的数据；

S203：判断所述其它存储页的数据的bit错误量是否超过预设阈值；若否，则执行步骤S201至S202，直至所述其它存储页的数据的bit错误量超过预设阈值；若是，则执行步骤S204；

S204：记录对所述存储页进行读操作的总次数；所述总次数为每个所述存储块的抗读干扰能力。

3.根据权利要求1所述的闪存颗粒寿命预测方法，其特征在于，所述根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命前，还包括：

S301：用数据将闪存颗粒样品中的每个存储块写满；所述闪存颗粒样品中包括多个所述存储块；所述存储块为有效存储块；

S302：对每个所述存储块进行抗读干扰能力测试，并记录每个所述存储块的抗读干扰能力；其中，记录的第一次的所述抗读干扰能力为初始状态下的抗读干扰能力；

S303：以预设擦除次数步长，对每个所述存储块进行连续多次擦除；

S304：判断每个所述存储块是否失效；若否，则执行步骤S301至S303，直至所述存储块失效；若是，则执行步骤S305；

S305：记录对每个所述存储块进行擦除的总次数和擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数；所述总次数为初始状态下的剩余擦除次数；

S306：根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。

4.根据权利要求3所述的闪存颗粒寿命预测方法，其特征在于，所述步骤S304，包括：

判断对每个所述存储块进行的写操作或擦除操作是否成功；若是，则执行步骤S301至S303，直至所述写操作或所述擦除操作失败；若否，则执行步骤S305。

5.根据权利要求3所述的闪存颗粒寿命预测方法，其特征在于，所述步骤S306，包括：

根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，得到闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的关系曲线；

对所述关系曲线进行拟合，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。

6.一种闪存颗粒寿命预测装置，其特征在于，包括：

获取数据模块，用于对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；

寿命预测模块，用于根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。

7.根据权利要求6所述的闪存颗粒寿命预测装置，其特征在于，所述获取数据模块，包括：

读操作单元，用于以预设读操作次数步长，对待测闪存颗粒的每个存储块中的一个存储页进行连续多次读操作；每个所述存储块包括多个存储页；

读数据单元，用于读出每个所述存储块内除所述存储页以外的其它存储页的数据；

错误量判断单元，用于判断所述其它存储页的数据的bit错误量是否超过预设阈值；若否，则执行读操作单元至读数据单元，直至所述其它存储页的数据的bit错误量超过预设阈值；若是，则执行记录抗读干扰能力单元；

记录抗读干扰能力单元，用于记录对所述存储页进行读操作的总次数；所述总次数为每个所述存储块的抗读干扰能力。

8.根据权利要求6所述的闪存颗粒寿命预测装置，其特征在于，所述寿命预测模块前，还包括：

写操作模块，用于用数据将闪存颗粒样品中的每个存储块写满；所述闪存颗粒样品中包括多个所述存储块；所述存储块为有效存储块；

获取抗读干扰能力模块，用于对每个所述存储块进行抗读干扰能力测试，并记录每个所述存储块的抗读干扰能力；其中，记录的第一次的所述抗读干扰能力为初始状态下的抗读干扰能力；

擦除操作模块，用于以预设擦除次数步长，对每个所述存储块进行连续多次擦除；

状态判断模块，用于判断每个所述存储块是否失效；若否，则执行写操作模块至擦除操作模块，直至所述存储块失效；若是，则执行记录剩余擦除次数模块；

记录剩余擦除次数模块，用于记录对每个所述存储块进行擦除的总次数和擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数；所述总次数为初始状态下的剩余擦除次数；

关系建立模块，用于根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。

9.一种闪存颗粒寿命预测设备，其特征在于，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任一项所述的闪存颗粒寿命预测方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于：所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述的闪存颗粒寿命预测方法的步骤。

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