CN113964282A - 空穴功能层薄膜及其制备方法和发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于显示器件材料技术领域，具体涉及一种空穴功能层薄膜及其制备方法和发光二极管及其制备方法。该空穴功能层薄膜的制备方法包括如下步骤：提供初始空穴功能层，所述初始空穴功能层的材料为含有有机酸基团的导电聚合物；在所述初始空穴功能层表面沉积修饰材料后进行加热处理，得到空穴功能层薄膜；或者，提供含有所述导电聚合物和所述修饰材料的混合溶液，将所述混合溶液沉积在基板上进行所述加热处理，得到所述空穴功能层薄膜；其中，所述修饰材料在所述加热处理过程中与所述导电聚合物的有机酸基团进行反应后，生成有小分子产物。该制备方法通过修饰材料通过与有机酸基团反应可以中和空穴功能层中的酸性，从而提高器件的发光性能。
Description
技术领域
本发明属于显示器件材料技术领域，具体涉及一种空穴功能层薄膜及其制备方法和发光二极管及其制备方法。
背景技术
在有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)中，常用空穴注入层(HIL)来承发光层，用于制备该空穴注入层的材料溶液一般可以减少器件的短路影响，还可以改善膜层粗糙度，使其平面光滑。常用的材料溶液是聚二氧噻吩类聚合物溶液，如：聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)和聚合酸如聚磺苯乙烯(PSS)的混合水溶液，该类溶液因带有酸性基团，一般pH值都很低(如pH值为1.5)。而器件在酸性环境中会淬灭发光聚合物的电致发光，因此上述酸性的聚合物溶液会在一定程度上影响器件的性能。
因此，现有技术有待改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种空穴功能层薄膜及其制备方法和发光二极管及其制备方法，旨在解决现有空穴功能层薄膜制备的酸性溶液影响器件的发光性能的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种空穴功能层薄膜的制备方法，包括如下步骤：
提供初始空穴功能层，所述初始空穴功能层的材料为含有有机酸基团的导电聚合物，在所述初始空穴功能层表面沉积修饰材料后进行加热处理，得到空穴功能层薄膜；
或者，提供含有所述导电聚合物和所述修饰材料的混合溶液，将所述混合溶液沉积在基板上进行所述加热处理，得到所述空穴功能层薄膜；
其中，所述修饰材料在所述加热处理过程中与所述导电聚合物的有机酸基团进行反应后，生成有小分子产物。
本发明提供的空穴传输层薄膜的制备方法，在制备空穴传输层薄膜时，修饰材料在加热处理过程中与该导电聚合物的有机酸基团进行反应，修饰材料对导电聚合物进行反应修饰后，生成有小分子产物，该小分子产物在加热处理过程中容易被挥发，这样的过程不仅不影响空穴功能层材料的厚度和固有的性能，同时该修饰材料通过与有机酸基团反应可以中和空穴功能层中的酸性，因此用于发光器件中可以降低器件的电致发光的淬灭机率，从而提高器件的发光性能。
本发明另一方面提供一种空穴功能层薄膜，所述空穴功能层薄膜由本发明所述的空穴功能层薄膜的制备方法制备得到。
本发明提供的空穴功能层薄膜由本发明特有的制备方法制备得到，这样的空穴功能层薄膜可以中和空穴功能层中导电聚合物的酸性，因此用于发光器件中可以降低器件的电致发光的淬灭机率，从而提高器件的发光性能。
最后，本发明还提供一种发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阳极和所述发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层为本发明所述的制备方法得到的空穴功能层薄膜。
相应地，一种发光二极管的制备方法，包括：
采用本发明所述的空穴功能层薄膜的制备方法，得到空穴功能层。
本发明提供的发光二极管及其制备方法中，空穴功能层为本发明特有的制备方法得到的空穴功能层薄膜，因此该器件可以降低电致发光的淬灭机率，具有很好的发光性能和寿命。
附图说明
图1是本发明实施例的空穴功能层薄膜的一种制备方法流程图；
图2是本发明实施例的空穴功能层薄膜的另一种制备方法流程图；
图3是本发明实施例的发光二极管的一种结构示意图；
图4是本发明实施例的发光二极管的另一种结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明实施例提供了一种空穴功能层薄膜的制备方法，如图1所示，该制备方法包括如下步骤：
S01：提供初始空穴功能层，所述初始空穴功能层的材料为含有有机酸基团的导电聚合物；
S02：在所述初始空穴功能层表面沉积修饰材料后进行加热处理，得到空穴功能层薄膜；
其中，所述修饰材料在所述加热处理过程中与所述导电聚合物的有机酸基团进行反应后，生成有小分子产物。
本发明实施例提供的空穴传输层薄膜的制备方法，在初始空穴功能层的表面沉积一种修饰材料后进行加热处理，该初始空穴功能层的材料为含有有机酸基团的导电聚合物，而沉积的修饰材料在加热处理过程中与该导电聚合物的有机酸基团进行反应后生成有小分子产物，该小分子产物是指修饰材料修饰导电聚合物后、未与导电聚合物结合的剩余产物，该修饰材料对导电聚合物进行反应修饰后，生成的小分子产物通过加热温度可以挥发，因此不影响空穴功能层材料的厚度和性能，而且该修饰材料通过有机酸基团反应可以中和空穴功能层中的酸性，因此用于发光器件中可以降低器件的电致发光的淬灭机率，从而提高器件的发光性能。
或者，本发明实施例还提供了一种空穴功能层薄膜的制备方法，如图2所示，该制备方法包括如下步骤：
E01：提供含有所述导电聚合物和所述修饰材料的混合溶液；
E02：将所述混合溶液沉积在基板上进行所述加热处理，得到所述空穴功能层薄膜；
其中，所述修饰材料在所述加热处理过程中与所述导电聚合物的有机酸基团进行反应后，生成有小分子产物。
该混合溶液中，修饰材料在加热处理过程中与该导电聚合物的有机酸基团进行反应后生成的小分子产物在加热过程中可以挥发，而且不影响空穴功能层材料的厚度和固有性质，同时该修饰材料通过有机酸基团反应可以中和空穴功能层中的酸性，因此用于发光器件中可以降低器件的电致发光的淬灭机率，从而提高器件的发光性能。
在一个实施例中，所述有机酸基团为磺酸基团，所述导电聚合物选自聚二氧噻吩类聚合物和含磺酸基团的聚合酸的混合物。进一步地，所述导电聚合物为(3,4-亚乙基二氧噻吩)聚磺苯乙烯(PEDOT:PSS)。
在一个实施例中，所述修饰材料选自甲酸酯类化合物、甲酸酯类化合物的衍生物、醇类化合物、磷酸三酯类化合物和碱类化合物中的至少一种。上述修饰材料作用于空穴功能层中导电聚合物，将其中的有机酸转化为非酸性的有机物，从而中和酸性，降低淬灭机率，进而提高了器件的性能。上述修饰材料在加热处理过程中与该导电聚合物的有机酸基团进行反应后生成的小分子产物在加热过程中可以挥发，而如果修饰材料未与导电聚合物反应完全，剩余未反应的修饰材料基本也能加热被挥发，即使残余少量在空穴功能层表面，因量少也难以影响空穴功能层载流子传输性能。具体地，所述甲酸酯类化合物选自原甲酸三甲酯、原甲酸三乙酯和原甲酸三丙酯中的至少一种；所述甲酸酯类化合物的衍生物选自氨基甲酸乙酯、氨基甲酸丙酯、氯甲酸乙酯和氯甲酸丙酯中的至少一种。以原甲酸三乙酯TEOF为例，化学式为HC(OEt)3为，反应原理如下：
该反应产物中生成的小分子产物是甲酸脂，其在100℃以上就可以很快挥发，而磺酸基团上修饰的乙烷基不会影响空穴功能层导电聚合物的空穴传输性能，从而修饰完后不会增加空穴功能层的厚度和结构，反而可以降低电致发光的淬灭机率。
具体地，所述醇类化合物选择乙醇、丙醇、丁醇和戊醇中的至少一种；醇类化合物不仅可以中和酸，而且生成的小分子水可以加热挥发，而且醇自身也可以更好地挥发，使其成膜性更好。
具体地，所述磷酸三酯类化合物选自磷酸三乙酯、磷酸三丙酯和磷酸三丁酯中的至少一种；磷酸三酯类化合物在催化剂条件下，将酸性物质转化中和，反应原理如下：
上述磷酸三酯类化合物的反应式中，R为聚合酸中磺酸基团的余下部分，R’磷酸三酯类化合物中的烷链。磷酸三酯生成的小分子产物(R’O)2P(O)H在加热条件下就可以很快挥发，而磺酸基团上修饰的烷链不会影响空穴功能层导电聚合物的空穴传输性能，从而修饰完后不会增加空穴功能层的厚度和结构，反而可以降低电致发光的淬灭机率。
具体地，所述碱类化合物选自氨、烷基胺、烷基芳基胺、芳基胺和芳香族杂环化物中的至少一种(碱类化合物与含有有机酸基团的导电聚合物反应的原理类似于酸碱中和反应原理，离子方程式：H++OH-＝H2O；因修饰材料的碱类化合物提供氢氧根离子中和导电聚合物的有机酸上氢离子生成水，水分可以很快挥发，同时余下的小分子产物都有碱类基团如氨基等，因此在加热处理过程中如加热100-180℃，均可以促进挥发)。例如，烷基胺可以是单烷基胺类NH2R、二烷基胺类NHR2、三烷基胺类NR3，芳香族杂环化物可以是吡啶、吡咯等。在一个实施例中，将上述修饰材料配制成溶液，然后沉积在初始空穴功能层表面进行加热反应。溶液中修饰材料的浓度可以为5-40mg/ml。用有机溶剂例如甲苯或二甲苯，氯仿或者不溶解PEDOT/PSSA层的任何其它正交溶剂旋涂或者喷墨印刷发光聚合物。
在一个实施例中，将含有所述导电聚合物和所述修饰材料的混合溶液沉积在基板上进行所述加热处理，得到所述空穴功能层薄膜；其中的混合溶液中，所述修饰材料与所述导电聚合物的质量比为3-5：5-7。上述比例范围内，修饰材料既可以喝导电聚合物充分反应，得到的产物又可以更好地挥发。
所述加热处理的温度为100-180℃。该温度条件下，修饰材料不仅可以与含有有机酸基团的导电聚合物反应，而且反应后的产物可以更好地挥发。
另一方面，本发明实施例还提供了一种空穴功能层薄膜，所述空穴功能层薄膜由本发明实施例所述的空穴功能层薄膜的制备方法制备得到。
本发明实施例提供的空穴功能层薄膜由本发明实施例特有的制备方法制备得到，这样的空穴功能层薄膜可以中和空穴功能层中导电聚合物的酸性，因此用于发光器件中可以降低器件的电致发光的淬灭机率，从而提高器件的发光性能。
最后，本发明实施例还提供一种发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阳极和所述发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层为本发明实施例所述的制备方法得到的空穴功能层薄膜。
本发明实施例提供的发光二极管中，空穴功能层为本发明实施例特有的制备方法得到的空穴功能层薄膜，因此该器件可以降低电致发光的淬灭机率，具有很好的发光性能和寿命。
在一个实施例中，所述空穴功能层为空穴传输层；含有有机酸基团的导电聚合物为空穴传输材料。或者，所述空穴功能层为空穴注入层，含有有机酸基团的导电聚合物为空穴注入材料，且所述空穴注入层与所述发光层之间设置有空穴传输层。
在一个实施例中，所述发光二极管为量子点发光二极管，所述发光层为量子发光层；或者，所述发光二极管为有机发光二极管，所述发光层为有机发光层。
相应地，一种发光二极管的制备方法，具体包括：
采用本发明实施例上述空穴功能层薄膜的制备方法，得到空穴功能层。
本发明提供的发光二极管的制备方法，利用本发明实施例特有的空穴功能层薄膜的制备方法得到空穴功能层，因此该制备方法得到的发光二极管器件可以降低电致发光的淬灭机率，具有很好的发光性能和寿命。
具体地，提供基板；采用本发明实施例上述空穴功能层薄膜的制备方法在上述基板上制备空穴功能层。例如，基板上设置有初始空穴功能层，该初始空穴功能层的材料为含有有机酸基团的导电聚合物；然后将在初始空穴功能层表面沉积修饰材料后进行加热处理，得到空穴功能层。制备的空穴功能层可以为空穴传输层；含有有机酸基团的导电聚合物为空穴传输材料。或者，制备的空穴功能层为空穴注入层，含有有机酸基团的导电聚合物为空穴注入材料，这样在空穴注入层与发光层之间还可以制备空穴传输层。以量子点发光二极管为例，本发明实施例提供的量子点发光二极管包括正置结构和倒置结构。
在一种实施方式中，正置结构量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极的层叠结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层，且所述阳极设置在衬底上；其中，该空穴功能层由本发明实施例的上述制备方法得到。进一步的，在所述阴极和所述量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。在一些正置结构器件的实施例中，所述量子点发光二极管包括衬底，设置在所述衬底表面的阳极，设置在阳极表面的所述空穴功能层，设置在所述空穴功能层表面的量子点发光层，设置在量子点发光层表面的电子传输层和设置在电子传输层表面的阴极。
在一种实施方式中，倒置结构量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层，且所述阴极设置在衬底上；其中，该空穴传输层由本发明实施例的上述制备方法得到。进一步的，在所述阴极和所述量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。在一些倒置结构器件的实施例中，所述量子点发光二极管包括衬底，设置在所述衬底表面的阴极，设置在阴极表面的所述电子传输层，设置在所述电子传输层表面的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的空穴功能层，设置在空穴功能层表面的阳极。
衬底包括钢性、柔性衬底，具体包括玻璃、硅晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚醚砜、或其组合。
阳极包括金属或其合金例如镍、铂、钒、铬、铜、锌、或金；导电金属氧化物例如氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、或氟掺杂的氧化锡；或者金属和氧化物的组合例如ZnO和Al或者SnO2和Sb，但是不限于此，可以为以上任意两种或两种以上组合。
空穴功能层为空穴注入层时，空穴注入材料可以为聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)聚磺苯乙烯(PEDOT：PSS)，其表面经修饰材料(选自甲酸酯类化合物、甲酸酯类化合物的衍生物、醇类化合物、磷酸三酯类化合物和碱类化合物中的至少一种)修饰。上述空穴注入层与量子点发光层之间还可以设置空穴传输层，空穴传输层可以是PVK、Poly-TPD、CBP、TCTA和TFB中的一种或多种。
量子点发光层的量子点为II-VI族的CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe；或III-V族的GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb；或IV-VI族的SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe；或者以上任意一种或多种的组合。
电子传输层材料为ZnO、TiO2、Alq3、SnO2、ZrO、AlZnO、ZnSnO、BCP、TAZ、PBD、TPBI、Bphen、CsCO3中的一种或多种。
阴极包括金属或其合金例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、或钡；多层结构材料包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、碱金属氧化物、或其组合的第一层、和金属层的结构，其中所述金属层包括碱土金属、13族金属、或其组合。例如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、Liq/Al、和BaF2/Ca，但是不限于此。
在一个具体的实施例中，阳极的厚度为20～200nm；所述空穴注入层的厚度为20～200nm；空穴传输层的厚度为30～180nm；所述量子点混合发光层的总厚度为30～180nm。所述电子传输层的厚度为10～180nm；阴极的厚度为40～190nm。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
本实施例提供一种QLED器件，其结构如图3所示，该QLED器件从下而上依次包括衬底1、阳极2、空穴注入层3、量子点发光层5、阴极7。其中，衬底1的材料为玻璃片，阳极2的材料为ITO，空穴注入层3的材料为PEDOT：PSS，且经原甲酸三乙酯修饰，量子点发光层5的材料为碲化镉量子点，阴极7的材料为Al。
该器件的制备方法包括如下步骤：
S11:以1um的ITO作为阳极，热蒸发的形式沉积在玻璃基板上，紫外臭氧清洗机表面处理15分钟ITO基板
S12:旋涂10nm的浓度为2％的水溶液PEDOT:PSS，并在180℃烘烤成膜，然后旋涂液体原甲酸三乙酯，并在180℃烘烤，得到空穴注入层；
S13:旋涂25nm碲化镉量子点，得到量子点发光层；
S14:蒸镀阴极100nmAl。
实施例2
本实施例提供一种OLED器件，其结构如图3所示，该OLED器件从下而上依次包括衬底1、阳极2、空穴注入层3、有机发光层5、阴极7。其中，衬底1的材料为玻璃片，阳极2的材料为Ag，空穴注入层3的材料为PEDOT：PSS，且经磷酸三乙酯修饰，有机发光层5的材料为Alq，阴极7的材料为ITO。
该器件的制备方法包括如下步骤：
S21:以100nm的Ag作为阳极热蒸发沉积在玻璃基板上，紫外臭氧清洗机表面处理15分钟基板；
S22:旋涂10nm的浓度为2％的水溶液PEDOT:PSS，并在180℃烘烤成膜，然后旋涂磷酸三乙酯，并在180℃烘烤，得到空穴注入层；
S23:旋涂25nm发光层Alq；
S24:蒸镀阴极100nmITO。
实施例3
本实施例提供一种QLED器件，其结构如图4所示，该QLED器件从下而上依次包括衬底1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、量子点发光层5、电子传输层6、阴极7。其中，衬底1的材料为玻璃片，阳极2的材料为ITO基板，空穴注入层3的材料为PEDOT：PSS，且经氯甲酸乙酯修饰，空穴传输层4的材料为TFB，量子点发光层5的材料为碲化镉量子点，电子传输层6的材料为ZnO，阴极7的材料为Al。
该器件的制备方法包括如下步骤：
S31:沉积1um的ITO作为阳极，热蒸发的形式沉积在玻璃基板上，紫外臭氧清洗机表面处理15分钟ITO基板；
S32:旋涂10nm的浓度为2％的水溶液PEDOT:PSS，并在180℃烘烤，旋涂氯甲酸乙酯，并在180℃烘烤，得到空穴注入层；
S33:旋涂30nmTFB作为空穴传输层；
S34:旋涂25nm发光层碲化镉量子点；
S35:旋涂50nm的氧化锌ZnO作为电子传输层；
S36:蒸镀阴极100nmAl。
对比例1
本对比例的发光二极管器件除了空穴注入层为未修饰的PEDOT：PSS层外，其他均与实施例1相同。
对比例2
本对比例的发光二极管器件除了空穴注入层为未修饰的PEDOT：PSS层外，其他均与实施例2相同。
对比例3
本对比例的发光二极管器件除了空穴注入层为未修饰的PEDOT：PSS层外，其他均与实施例3相同。
性能测试
对实施例以及对比例的发光二极管进行性能测试，测试指标和测试方法如下：
(1)外量子效率(EQE)：采用EQE光学测试仪器测定。注：外量子效率测试为所述的发光二极管器件。
测试结果如下表1所示：
表1
| 项目组别 | 外量子效率(EQE)/(％) |
| 实施例1 | 15 |
| 对比例1 | 10 |
| 实施例2 | 10 |
| 对比例2 | 7 |
| 实施例3 | 12 |
| 对比例3 | 8 |
由上面的表1实验数据表明：与对比例相比，通过将本发明实施例的空穴注入层材料修饰后，可以在原基础上将外量子效率提高约40-50％。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种空穴功能层薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供初始空穴功能层，所述初始空穴功能层的材料为含有有机酸基团的导电聚合物，在所述初始空穴功能层表面沉积修饰材料后进行加热处理，得到空穴功能层薄膜；
或者，提供含有所述导电聚合物和所述修饰材料的混合溶液，将所述混合溶液沉积在基板上进行所述加热处理，得到所述空穴功能层薄膜；
其中，所述修饰材料在所述加热处理过程中与所述导电聚合物的有机酸基团进行反应后，生成有小分子产物。
2.如权利要求1所述的空穴功能层薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为100-180℃；和/或，
所述混合溶液中，所述修饰材料与所述导电聚合物的质量比为3-5：5-7。
3.如权利要求1所述的空穴功能层薄膜的制备方法，其特征在于，所述修饰材料选自甲酸酯类化合物、甲酸酯类化合物的衍生物、醇类化合物、磷酸三酯类化合物和碱类化合物中的至少一种。
4.如权利要求3所述的空穴功能层薄膜的制备方法，其特征在于，所述甲酸酯类化合物选自原甲酸三甲酯、原甲酸三乙酯和原甲酸三丙酯中的至少一种；和/或，
所述甲酸酯类化合物的衍生物选自氨基甲酸乙酯、氨基甲酸丙酯、氯甲酸乙酯和氯甲酸丙酯中的至少一种；和/或，
所述醇类化合物选择乙醇、丙醇、丁醇和戊醇中的至少一种；和/或，
所述磷酸三酯类化合物选自磷酸三乙酯、磷酸三丙酯和磷酸三丁酯中的至少一种；和/或，
所述碱类化合物选自氨、烷基胺、烷基芳基胺、芳基胺和芳香族杂环化物中的至少一种。
5.如权利要求1所述的空穴功能层薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机酸基团为磺酸基团，所述导电聚合物选自聚二氧噻吩类聚合物和含磺酸基团的聚合酸的混合物。
6.如权利要求5所述的空穴功能层薄膜的制备方法，其特征在于，所述导电聚合物为PEDOT:PSS。
7.一种空穴功能层薄膜，其特征在于，所述空穴功能层薄膜由权利要求1-6任一项所述的空穴功能层薄膜的制备方法制备得到。
8.一种发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阳极和所述发光层之间设置有空穴功能层，其特征在于，所述空穴功能层为权利要求1-6任一项所述的制备方法得到的空穴功能层薄膜。
9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为量子点发光二极管，所述发光层为量子发光层；或者，
所述发光二极管为有机发光二极管，所述发光层为有机发光层。
10.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
采用权利要求1-6任一项所述的空穴功能层薄膜的制备方法，得到空穴功能层。
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