CN113937148A - 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法,显示面板具有第一显示区以及第二显示区,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,第一显示区和第二显示区均包括成行成列分布的多个子像素区,显示面板包括:基板;公共电极,设置于基板,公共电极包括位于第一显示区的第一分部,第一分部包括位于各子像素区的电极块和用于连接至少两个电极块的电极线。本申请实施例通过将位于第一显示区的公共电极设置为对应于子像素区的电极块和连接电极块的电极线,不仅能够提高第一显示区的透光率,便于感光组件的屏下集成,且不会影响第一显示区的正常显示。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。
背景技术
随着电子设备的快速发展,用户对屏占比的要求越来越高,使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。
传统的电子设备如手机、平板电脑等,由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等。现有技术中,可通过在显示屏上开槽(Notch)或开孔,外界光线可通过屏幕上的开槽或开孔进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏,并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示,例如其前置摄像头对应区域不能显示画面。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法,实现显示面板的至少部分区域可透光且可显示,便于感光组件的屏下集成。
本申请第一方面的实施例提供一种显示面板,其具有第一显示区以及第二显示区,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,第一显示区和第二显示区均包括成行成列分布的多个子像素区,显示面板包括:基板;公共电极,设置于基板,公共电极包括位于第一显示区的第一分部,第一分部包括位于各子像素区的电极块和用于连接至少两个电极块的电极线。
根据本发明第一方面的实施方式,电极线沿行方向延伸成型,多条电极线沿列方向并排设置,电极线通过沿列方向延伸的连接线连接位于同一行内的多个电极块。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,电极线沿列方向延伸成型,多条电极线沿行方向并排设置,电极线通过沿行方向延伸的连接线连接位于同一列内的多个电极块。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,公共电极还包括位于第二显示区的第二分部,多个电极线均连接于第二分部。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,第二分部为分布于第二显示区的面电极。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,显示面板还具有环绕至少部分第一显示区和第二显示区设置的非显示区,显示面板还包括电源线,电源线连接于公共电极并位于非显示区。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,电源线环绕第一显示区和第二显示区呈U形设置。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,基板包括:
衬底;
挡墙,设置于衬底并环绕至少部分第一显示区设置,挡墙围合形成限位空间,第一分部位于限位空间内。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,挡墙的个数为两个以上,两个以上的挡墙呈环形设置。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,基板还包括:
器件层,设置于衬底;
像素定义层,设置于器件层背离衬底的一侧,像素定义层包括像素开口,像素开口内设置有发光结构;挡墙位于像素定义层背离器件层的一侧,公共电极位于像素定义层背离衬底的一侧;
本申请第二方面的实施例提供一种显示装置,其包括上述任一第一方面实施例提供的显示面板。
本申请第三方面的实施例还提供一种显示面板的制备方法,显示面板具有第一显示区和第二显示区,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,第一显示区和第二显示区均包括呈行成列分布的多个子像素区,制备方法包括:
在基板上光刻胶材料以形成光刻胶材料层,光刻胶材料层位于第一显示区;
对光刻胶材料层进行图案化处理形成光刻胶;
在基板上形成公共电极材料以形成公共电极材料层,至少部分公共电极材料位于光刻胶背离基板的一侧;
去除光刻胶及其上的公共电极材料以形成图案化的公共电极,公共电极包括位于第一显示区的第一分部,第一分部包括位于各子像素区的电极块和用于连接至少两个电极块的电极线。
根据本发明第二方面的实施方式,在基板上涂覆光刻胶材料以形成光刻胶材料层的步骤之前还包括:
在基板上设置环绕至少部分第一显示区的挡墙,挡墙围合形成限位空间;
在基板上涂覆光刻胶材料以形成光刻胶材料层的步骤中,在基板上的限位空间内涂覆光刻胶材料以形成光刻胶材料层。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,基板上设置环绕至少部分第一显示区的挡墙的步骤之前还包括:在基板上形成像素定义层,像素定义层包括像素开口;
在基板上设置环绕至少部分第一显示区的挡墙的步骤中:在像素定义层背离基板的一侧设置环绕至少部分第一显示区的挡墙;
在基板上形成公共电极材料以形成公共电极材料层的步骤之前还包括:制备位于像素开口内的发光结构,发光结构包括碳氢化合物;
在去除光刻胶及其上的公共电极材料以形成图案化的公共电极的步骤中:利用含碳氟化合物的剥离液剥离去除光刻胶及其上的公共电极材料。
根据本申请实施例的显示面板,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,使得显示面板在第一显示区的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时第一显示区能够显示画面,提高显示面板的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
根据本申请实施例的显示面板,显示面板包括基板和设置于基板的公共电极,公共电极包括位于第一显示区的第一分部,第一分部包括电极块和电极线,能够减小第一显示区内公共电极的分布面积,进而提高第一显示区的透光率,便于感光组件的屏下集成。各电极块位于各子像素区,不会影响子像素的显示,电极线连接多个电极块,使得多个电极块能够相互连通形成公共电极,不会影响公共电极的功能。因此本申请实施例通过将位于第一显示区的公共电极设置为对应于子像素区的电极块和连接电极块的电极线,不仅能够提高第一显示区的透光率,便于感光组件的屏下集成,且不会影响第一显示区的正常显示。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显,其中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征,附图并未按照实际的比例绘制。
图1示出根据本申请一种实施例的显示面板的俯视示意图;
图2示出一种示例的图1中Q区域的局部放大图;
图3示出另一种示例的图1中Q区域的局部放大图;
图4示出图3中A-A向的剖视图;
图5示出另一种示例中图3中A-A向的剖视图;
图6示出根据本申请一种实施例的显示装置的俯视示意图;
图7示出图6中D-D向的剖面图;
图8示出根据本申请一实施例的显示面板的制备方法流程示意图;
图9至图14示出本申请一实施例的显示面板的制备过程示意图。
附图标记说明:
10、显示面板;20、感光组件;
100、子像素区;110、发光结构;120、第一子像素;121、第一发光结构;130、第二子像素;131、第二发光结构;140、第一像素电路;150、电源线;
200、公共电极;210、第一分部;211、电极线;212、电极块;213、连接线;220、第二分部;
101、衬底;102、器件层;103、像素定义层;K1、第一像素开口;K2、第二像素开口;
300、第一电极层;310、第一电极;320、第二电极;
400、挡墙;
500、光刻胶材料层;
AA1、第一显示区;AA2、第二显示区;非显示区NA。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本申请进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本申请,并不被配置为限定本申请。对于本领域技术人员来说,本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
在诸如手机和平板电脑等电子设备上,需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器等感光组件。在一些实施例中,可以在上述电子设备上设置透光显示区,将感光组件设置在透光显示区背面,在保证感光组件正常工作的情况下,实现电子设备的全面屏显示。发明人发现如果为了提高透光显示区的透光率降低透光显示区的像素密度,会导致透光显示区和正常显示区之间出现明显的显示界限,影响显示效果。如果不降低透光显示区的像素密度,透光显示区的透光率则难以保证,影响感光组件的屏下集成。
为解决上述问题,本申请实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法,以下将结合附图对显示面板及显示装置的各实施例进行说明。
本申请实施例提供一种显示面板,该显示面板可以是有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode,OLED)显示面板。
请参阅图1和图2,图1示出根据本申请一种实施例的显示面板的俯视示意图,图2示出一种示例的图1中Q区域的局部放大图。
如图1和图2所示,显示面板10具有第一显示区AA1、第二显示区AA2以及围绕第一显示区AA1、第二显示区AA2的非显示区NA,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率。
本文中,优选第一显示区AA1的透光率大于等于15%。为确保第一显示区AA1的透光率大于15%,甚至大于40%,甚至具有更高的透光率,本实施例中显示面板10的各个功能膜层的透光率均大于80%,甚至至少部分功能膜层的透光率均大于90%。
根据本申请实施例的显示面板10,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率,使得显示面板10在第一显示区AA1的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时第一显示区AA1能够显示画面,提高显示面板10的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
请继续参阅图2至图4,图3示出一种示例的图1中Q区域公共电极层的放大结构示意图。图4是图3中A-A处的剖视图。
如图2至图4所示,第一显示区AA1和第二显示区AA2均包括成行成列分布的多个子像素区100,显示面板10包括:基板和公共电极200;公共电极200设置于基板,公共电极200包括位于第一显示区AA1的第一分部210,第一分部210包括位于各子像素区100的电极块212和用于连接至少两个电极块212的电极线211。
根据本申请实施例的显示面板10,显示面板10包括基板和设置于基板的公共电极200,公共电极200包括位于第一显示区AA1的第一分部210,第一分部210包括电极块212和电极线211,能够减小第一显示区AA1内公共电极200的分布面积,进而提高第一显示区AA1的透光率,便于感光组件20的屏下集成。各电极块212位于各子像素区100,不会影响子像素的显示,电极线211连接多个电极块212,使得多个电极块212能够相互连通形成公共电极200,不会影响公共电极200的功能。因此本申请实施例通过将位于第一显示区AA1的公共电极200设置为对应于子像素区100的电极块212和连接电极块212的电极线211,不仅能够提高第一显示区AA1的透光率,便于感光组件的屏下集成,且不会影响第一显示区AA1的正常显示。
电极线211的设置方式有多种,在一些可选的实施例中,电极线211沿行方向延伸成型,多条电极线211沿列方向并排设置,电极线211通过沿列方向延伸的连接线213连接位于同一行内的多个电极块212。
在这些可选的实施例中,电极线211沿行方向延伸并用于连接同一行内的多个电极块212,能够减少行方向上的金属导线的分布面积,提高第一显示区AA1的透光率。电极线211通过连接线213连接电极块212,使得电极线211和电极块212间隔分布,电极线211不会遮挡子像素区100,进而不会影响子像素的发光,能够提高显示面板10的显示效果。
在另一些可选的实施例中,如图3所示,电极线211沿列方向延伸成型,多条电极线211沿行方向并排设置,电极线211通过沿行方向延伸的连接线213连接位于同一列内的多个电极块212。
在这些可选的实施例中,电极线211沿列方向延伸并用于连接同一列内的多个电极块212,能够减少列方向上的金属导线的分布面积,提高第一显示区AA1的透光率。电极线211通过连接线213连接电极块212,使得电极线211和电极块212间隔分布,电极线211不会遮挡子像素区100,进而不会影响子像素的发光,能够提高显示面板10的显示效果。
在一些可选的实施例中,请继续参阅图3和图4,公共电极200还包括位于第二显示区AA2的第二分部220,多个电极线211均连接于第二分部220,使得位于第一显示区AA1的公共电极200与位于第二显示区AA2的公共电极200能够互连为整面电极。电极线211连接于第二分部220能够减小第一显示区AA1内公共电极200的分布面积,进一步提高第一显示区AA1的透光率。
可选的,当电极线211沿列方向延伸成型时,电极线211连接于位于第一显示区AA1列方向上一侧的第二分部220,使得电极线211无需弯折即可连接第二分部220,以减小电极线211的布线距离,提高第一显示区AA1的透光率。即图3中电极线211沿列方向延伸,图3中电极线211连接于位于该电极线211下方的第二分部220。
可选的,当电极线211沿行方向延伸成型时,电极线211连接于位于第一显示区AA1行方向上一侧的第二分部220,使得电极线211无需弯折即可连接第二分部220,以减小电极线211的布线距离,提高第一显示区AA1的透光率。即图3中电极线211如果沿行方向延伸成型,则电极线211可以连接于图3中所示的第二分部220。
第二分部220的设置方式有多种,例如第二分部220的设置方式可以与第一分部210的设置方式相同。在另一些可选的实施例中,第二分部220为分布于第二显示区AA2的面电极,能够简化公共电极200的结构,便于公共电极200的制备成型。
在一些可选的实施例中,请继续参阅图1和图3,显示面板10还包括连接公共电极200的电源线150,电源线150位于非显示区NA,能够提高显示区的透光率。可选的,电源线150环绕第一显示区AA1和第二显示区AA2呈U形,使得位于第一显示区AA1和第二显示区AA2的公共电极200能够连接于电源线150的不同位置,进而减小电源线150与第一分部210、第二分部220之间的间距差,进一步降低压降,提升显示亮度的均一性。
可选的,当电极线211沿列方向延伸成型并连接至电源线150时,能够减小电极线211和电源线150之间的距离,能够降低第一显示区AA1内公共电极200的压降,使得第一显示区AA1的显示亮度更加均一,能够进一步提高显示效果。
请参阅图5,图5示出示出另一种示例的图1中Q区域公共电极层的放大结构示意图。
基板的设置方式有多种,可选的,如图1和图5所示,基板包括衬底101和设置于衬底101的挡墙400,挡墙400环绕至少部分第一显示区AA1设置,挡墙400围合形成限位空间,第一分部210位于限位空间内。挡墙400设置于衬底101并不是指挡墙400直接与衬底101接触,挡墙400可以与衬底101直接接触,或者挡墙400和衬底101之间还可以设置有其他膜层,只要挡墙400位于衬底101上方即可。图5中仅示意出了位于第一显示区AA1一侧的挡墙400,可以理解的是,图5中第一显示区AA1背离第二显示区AA2的一侧也设置有挡墙400。挡墙400环绕至少部分第一显示区AA1呈环状设置。
在这些可选的实施例中,挡墙400围合形成限位空间,第一分部210位于限位空间内,使得挡墙400能够向第一分部210提供限位。在公共电极200的制备过程中,可以利用挡墙400限位用于制备第一分部210的材料,然后对挡墙400内的材料进行图案化处理形成电极线211和电极块212。
可选的,挡墙400和子像素区100错位设置,使得挡墙400不会影响显示面板10的发光。
可选的,挡墙400呈封闭环状,以能够向第一分部210提供更好的限位。
可选的,挡墙400的个数为两个以上,两个以上的挡墙400相互套设设置。通过设置两个以上的挡墙400能够形成结构较为稳定的限位空间,避免挡墙400破损导致限位空间出现开口而影响限位空间对挡墙400内材料的限位作用。可选的,两个以上的挡墙400相互套设设置。
在一些可选的实施例中,请继续参阅图5,基板还包括:器件层102,设置于衬底101;像素定义层103,设置于器件层102背离衬底101的一侧,像素定义层103包括像素开口,像素开口内设置有发光结构110;挡墙400位于像素定义层103背离器件层102的一侧,公共电极200位于像素定义层103背离器件层102的一侧。挡墙400位于像素定义层103上,使得挡墙400不会遮挡发光结构110的发光,挡墙400不会影响显示面板10的发光。
发光结构110例如包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层,公共电极200位于电子注入层背离衬底101的一侧。
可选的,请继续参阅图2,显示面板10还包括位于第一显示区AA1的第一子像素120和位于第二显示区AA2的第二子像素130。第一子像素120例如包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素,第二子像素130例如包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素,以实现显示面板10的彩色化显示。可选的,第一显示区AA1中相邻两个第一子像素120之间的间距大于第二显示区AA2中相邻两个第二子像素130之间的间距,以提高第一显示区AA1的透光率。
在一些实施例中,第一子像素120的尺寸小于同种颜色的第二子像素130的尺寸,使得第一显示区AA1中的非发光区域面积更大,便于进一步提高第一显示区AA1的透光率。可以理解的是,在其它一些实施例中,第一子像素120的尺寸不限于此,例如,也可以是与同种颜色的第二子像素130的尺寸相同。
衬底101可以采用玻璃、聚酰亚胺(Polyimide,PI)等透光材料制成。器件层102可以包括用于驱动各子像素显示的像素电路。
请继续参阅图4和图5,第一子像素120可以包括第一发光结构121,第二子像素130可以包括第二发光结构131。像素定义层103包括位于第一显示区AA1的第一像素开口K1以及位于第二显示区AA2的第二像素开口K2。第一发光结构121位于第一像素开口K1内,第二发光结构131位于第二像素开口K2内。
在一些实施例中,每个第一发光结构121在衬底101上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成,第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
在一些实施例中,请继续参阅图2,显示面板10还包括第一像素电路140,第一像素电路140位于第二显示区AA2,第一像素电路140与第一子像素120电连接,用于驱动第一子像素120显示。图2中,示例性绘示了其中一个第一像素电路140的位置,其与对应的第一子像素120电连接,可以理解的是,第一像素电路140的数量可以是多个,并且分别对应电连接至对应的第一子像素120。
在一些实施例中,第一像素电路140的电路结构是2T1C电路、7T1C电路、7T2C电路、或9T1C电路中的任一种。本文中,“2T1C电路”指像素电路中包括2个薄膜晶体管(T)和1个电容(C)的像素电路,其它“7T1C电路”、“7T2C电路”、“9T1C电路”等依次类推。
根据本申请实施例的显示面板10,用于驱动第一子像素120显示的第一像素电路140位于第二显示区AA2,从而减少第一显示区AA1内的布线结构,进而提高第一显示区AA1的透光率。
在一些实施例中,显示面板10还可以包括第二像素电路(图中未示出),第二像素电路位于第二显示区AA2,第二像素电路与第二子像素130电连接,用于驱动第二子像素130显示。在一些实施例中,第二像素电路的电路结构可以是2T1C电路、7T1C电路、7T2C电路、或9T1C电路中的任一种。
在一些实施例中,请继续参阅图4和图5,显示面板10还包括第一电极层300,第一电极层300位于像素定义层103朝向衬底101的一侧,例如第一电极层300位于器件层102朝向像素定义层103的一侧。第一电极层300包括位于第一显示区AA1的第一电极310及位于第二显示区AA2的第二电极320,第一电极310用于与第一分部210相互配合驱动第一发光结构121发光,例如第一电极310与电极块212相互配合驱动第一发光结构121发光。第二电极320与第二分部220相互配合驱动第二发光结构131发光。
在一些实施例中,第一电极310为透光电极。在一些实施例中,第一电极310包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)层或氧化铟锌层。在一些实施例中,第一电极310为反射电极,包括第一透光导电层、位于第一透光导电层上的反射层以及位于反射层上的第二透光导电层。其中第一透光导电层、第二透光导电层可以是ITO、氧化铟锌等,反射层可以是金属层,例如是银材质制成。第二电极分别可以配置为与第一电极310采用相同的材质。
在一些实施例中,每个第一电极310在衬底101上的正投影由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成,第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
示例性地,显示面板10还可以包括封装层和位于封装层上方的偏光片和盖板,也可以直接在封装层上方直接设置盖板,无需设置偏光片,或者至少在第一显示区AA1的封装层上方直接设置盖板,无需设置偏光片,避免偏光片影响对应第一显示区AA1下方设置的感光元件的光线采集量,当然,第一显示区AA1的封装层上方也可以设置偏光片。
请参阅图6,图6是本申请第二方面实施例提供的一种显示装置的结构示意图。图7示出图6中D-D向的剖面图。
如图6和图7所示,本申请第二方面实施例还提供一种显示装置,该显示装置可以包括上述任一实施方式的显示面板10。
本实施例的显示装置中,显示面板10可以是上述其中一个实施例的显示面板10,显示面板10具有第一显示区AA1以及第二显示区AA2,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率。
显示面板10包括相对的第一表面S1和第二表面S2,其中第一表面S1为显示面。显示装置还包括感光组件20,该感光组件20位于显示面板10的第二表面S2侧,感光组件20与第一显示区AA1位置对应。
感光组件20可以是图像采集装置,用于采集外部图像信息。本实施例中,感光组件20为互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像采集装置,在其它一些实施例中,感光组件20也可以是电荷耦合器件(Charge-coupledDevice,CCD)图像采集装置等其它形式的图像采集装置。可以理解的是,感光组件20可以不限于是图像采集装置,例如在一些实施例中,感光组件20也可以是红外传感器、接近传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器等光传感器。此外,显示装置在显示面板10的第二表面S2还可以集成其它部件,例如是听筒、扬声器等。
根据本申请实施例的显示装置,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率,使得显示面板10在第一显示区AA1的背面可以集成感光组件20,实现例如图像采集装置的感光组件20的屏下集成,同时第一显示区AA1能够显示画面,提高显示面板10的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
请参阅图8,图8是本申请第三方面实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图。该显示面板10可以为上述任一第一方面实施例提供的显示面板10。如图1和图2所示,显示面板10具有第一显示区AA1和第二显示区AA2,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率,第一显示区AA1和第二显示区AA2均包括呈行成列分布的多个子像素区100。
请参阅图8和图1至图5所示的显示面板10,显示面板10的制备方法包括:
步骤S01:在基板上涂覆光刻胶材料以形成光刻胶材料层500,光刻胶材料层位于第一显示区AA1。
如图10所示,在基板上形成光刻胶层500。
步骤S02:对光刻胶材料层500进行图案化处理形成图案化的光刻胶。
如图11和图12所示,选用激光和掩膜板对光刻胶材料层500进行图案化处理形成光刻胶。图12是图案化处理后的光刻胶。
步骤S03:在基板上形成公共电极材料以形成公共电极材料层,至少部分公共电极材料位于光刻胶背离基板的一侧。所述公共电极材料层可以通过通用掩模版蒸镀来形成。
如图13所示,至少部分公共电极材料位于光刻胶背离基板的一侧。
步骤S04:去除光刻胶及其上的公共电极材料以形成图案化的公共电极200,公共电极200包括位于第一显示区AA1的第一分部210,第一分部210包括位于各子像素区100的电极块212和用于连接至少两个电极块212的电极线211。
如图14所示,当光刻胶被去除时,光刻胶会带走位于其上的公共电极材料形成电极块212和电机线211。
在本申请实施例提供的制备方法中,首先通过步骤S01和步骤S02在基板上形成光刻胶,然后通过步骤S03在基板上制备公共电极材料层,此时部分公共电极材料会形成于光刻胶上。在步骤S04中去除光刻胶时,光刻胶会带走位于其上的公共电极材料形成图案化的公共电极200。
公共电极200包括第一分部210,第一分部210位于第一显示区AA1且第一分部210包括电极块212和电极线211,能够减小第一显示区AA1内公共电极200的分布面积,进而提高第一显示区AA1的透光率,便于感光组件20的屏下集成。各电极块212位于各子像素区100,不会影响子像素的显示,电极线211连接多个电极块212,使得多个电极块212能够相互连通形成公共电极200,不会影响公共电极200的功能。因此本申请实施例通过将位于第一显示区AA1的公共电极200设置为对应于子像素区100的电极块212和连接电极块212的电极线211,不仅能够提高第一显示区AA1的透光率,便于感光组件的屏下集成,且不会影响第一显示区AA1的正常显示。
在一些可选的实施例中,请继续参阅图5和图9,在步骤S01之前还包括:在基板上设置环绕至少部分第一显示区AA1的挡墙400,挡墙400围合形成限位空间。那么在步骤S01中:在基板上的限位空间内涂覆光刻胶材料以形成光刻胶材料层500。
挡墙400能够向光刻胶材料层500提供限位,避免光刻胶材料层500流动至第二显示区AA2而影响第二显示区AA2的显示。
可选的,如上所述,当显示面板10包括衬底101、器件层102和像素定义层103,像素定义层103内设置有发光结构110时,可以在在像素定义层103上形成挡墙400。
在一些可选的实施例中,请继续参阅图9,在基板上设置环绕至少部分第一显示区AA1的挡墙400之前还包括:在基板上形成像素定义层103,像素定义层103包括像素开口。那么在基板上设置环绕至少部分第一显示区AA1的挡墙400的步骤中,在像素定义层103背离基板的一侧设置环绕至少部分第一显示区AA的挡墙400。在步骤S03之前还包括:制备位于像素开口内的发光结构110,发光结构110包括碳氢化合物。在步骤S04中:利用含碳氟化合物的剥离液剥离去除光刻胶及其上的公共电极材料。
可选的,还可以在制备完像素定义层103后制备发光结构110,制备完发光结构110后制备挡墙400、光刻胶层500和公共电极200。也可以在制备完挡墙400后、制备光刻胶层500前制备发光结构110。
可选的光刻胶层500的材料包括碳氟化合物材料,使得光刻胶层500不会与发光结构110互溶。
可选的,发光结构110的碳氟化合物材料和剥离液的碳氟化合物材料不互溶。这里的“不互溶”并不是严格意义上的完全不互溶,而是在不影响发光结构110发光的前提下不互溶。例如发光结构110材料的溶度参数和剥离液的溶度参数相差较大,使得发光结构110材料和剥离液材料难以互溶。在显示面板10的制备过程中,当利用剥离液剥离光刻胶时,剥离液不与发光结构110互溶,不影响发光结构110的正常发光。
剥离液材料中的碳氟化合物中,碳-氟化合键的极性较强,与碳氢化合物往往不互溶,因此能够使得发光结构110不受剥离液的影响。
当发光结构110包括电子注入层时,电子注入层的材料和剥离液的材料不互溶。电子注入层的材料可以包括碳氢化合物。
剥离液材料中,碳氟化合物的材料设置方式有多种,例如碳氟化合物的化学式如下所示:
或者碳氟化合物的化学式如下所示:
在本实施例中,通过光刻胶涂覆、曝光、显影和刻蚀的方式制备第一分部210,相对于使用金属掩膜板技术制备公共电极200,能够制备出图案更加精细化的第一分部210,减小第一显示区AA1内公共电极200的分布面积,提高第一显示区AA1的透光率。
依照本申请如上文所述的实施例,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本申请的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本申请以及在本申请基础上的修改使用。本申请仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,具有第一显示区以及第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,所述第一显示区和所述第二显示区均包括成行成列分布的多个子像素区,所述显示面板包括:
基板;
公共电极,设置于所述基板,所述公共电极包括位于所述第一显示区的第一分部,所述第一分部包括位于各所述子像素区的电极块和用于连接至少两个所述电极块的电极线。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述电极线沿行方向延伸成型,多条所述电极线沿列方向并排设置,所述电极线通过沿所述列方向延伸的连接线连接位于同一行内的多个所述电极块;或者
所述电极线沿列方向延伸成型,多条所述电极线沿行方向并排设置,所述电极线通过沿所述行方向延伸的连接线连接位于同一列内的多个所述电极块。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述公共电极还包括位于第二显示区的第二分部,多个所述电极线均连接于所述第二分部;
优选的,所述第二分部为分布于所述第二显示区的面电极。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还具有环绕至少部分所述第一显示区和所述第二显示区设置的非显示区,所述显示面板还包括电源线,所述电源线连接于所述公共电极并位于所述非显示区;
优选的,所述电源线环绕第一显示区和第二显示区呈U形设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板包括:
衬底;
挡墙,设置于衬底并环绕至少部分所述第一显示区设置,所述挡墙围合形成限位空间,所述第一分部位于所述限位空间内;
优选的,所述挡墙的个数为两个以上,两个以上的所述挡墙呈环形设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述基板还包括:
器件层,设置于所述衬底;
像素定义层,设置于所述器件层背离所述衬底的一侧,所述像素定义层包括像素开口,所述像素开口内设置有发光结构,所述挡墙位于所述像素定义层背离所述器件层的一侧,所述公共电极位于所述像素定义层背离所述衬底的一侧。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的显示面板。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板具有第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,所述第一显示区和所述第二显示区均包括呈行成列分布的多个子像素区,所述制备方法包括:
在基板上涂覆光刻胶材料以形成光刻胶材料层,所述光刻胶材料层位于所述第一显示区;
对所述光刻胶材料层进行图案化处理形成图案化的光刻胶;
在所述基板上形成公共电极材料以形成公共电极材料层,至少部分所述公共电极材料位于所述光刻胶背离所述基板的一侧;
去除所述光刻胶及其上的所述公共电极材料以形成图案化的公共电极,所述公共电极包括位于所述第一显示区的第一分部,所述第一分部包括位于各所述子像素区的电极块和用于连接至少两个所述电极块的电极线。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在基板上涂覆光刻胶材料以形成光刻胶材料层的步骤之前还包括:
在基板上设置环绕至少部分所述第一显示区的挡墙,所述挡墙围合形成限位空间;
在基板上涂覆光刻胶材料以形成光刻胶材料层的步骤中,在基板上的所述限位空间内涂覆光刻胶材料以形成光刻胶材料层。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在基板上设置环绕至少部分所述第一显示区的挡墙的步骤之前还包括:在所述基板上形成像素定义层,所述像素定义层包括像素开口;
在基板上设置环绕至少部分所述第一显示区的挡墙的步骤中:在所述像素定义层背离所述基板的一侧设置环绕至少部分所述第一显示区的挡墙;
在所述基板上形成公共电极材料以形成公共电极材料层的步骤之前还包括:制备位于所述像素开口内的发光结构,所述发光结构包括碳氢化合物;
在去除所述光刻胶及其上的所述公共电极材料以形成图案化的公共电极的步骤中:利用含碳氟化合物的剥离液剥离去除所述光刻胶及其上的所述公共电极材料。
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