CN113924693A

CN113924693A - 可变电感器设备

Info

Publication number: CN113924693A
Application number: CN202080042005.4A
Authority: CN
Inventors: 大卫·迈克尔·弗伦奇
Original assignee: Lam Research Corp
Current assignee: Lam Research Corp
Priority date: 2019-06-07
Filing date: 2020-05-05
Publication date: 2022-01-11
Also published as: WO2020247135A1; KR20220006662A; JP2022535129A; US20220230802A1

Abstract

在一些示例中，一种可变电感器设备包括：第一平坦的回路，其包括第一平坦的面和支持电磁耦合的材料；和第二平坦的回路，其包括第二平坦的面和支持电磁耦合的材料。所述第一平坦的回路能与所述第二平坦的回路分离以改变所述可变电感设备的电感。在一些示例中，所述第一平坦的面和所述第二平坦的面在所述设备的闭合构造中彼此重叠。

Description

可变电感器设备

优先权主张

本申请要求于2019年7月7日提交的美国专利序列No.62/858,568的优先权利益，其全部公开内容都通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及可变电感器设备，并且在一些示例中涉及用于在半导体制造中调谐阻抗匹配网络的系统和方法。一些示例还涉及微机械或印刷电路板(PCB)应用和与其一起使用的电路。

背景技术

电感器和可变电感器可以是各种重要应用和产品中的有用电路元件。例如，电感器和可变电感器是许多RF无线产品的组成元件。在其他一些应用中，它们用于匹配和加载半导体制造操作中的RF源系统。例如，用于半导体加工的等离子体系统通常包括一个或多个多射频(RF)源、阻抗匹配和等离子体反应器。工件(例如晶片)被放置在等离子体室内，并且等离子体在等离子体室内产生以处理工件。以类似或统一的方式处理工件是很重要的。为此，调谐RF源和阻抗匹配非常重要。

若干困难阻碍了调谐系统的发展。特别是关于电感器，一个参数(例如，电感L、电容C或电阻R)的性能改进通常是以牺牲另一个参数为代价的。在某些大功率应用中，使用真空可变电容器，因为此类电容器的电阻损耗非常低。如果需要可调电感器，则可以将真空可变电容器与固定电感器串联使用，并在系统总电抗为正(电感应的)的区域内工作。与单独的可变电感器相比，这种配置需要额外的电路元件。此外，由于串联电容器的存在，这种配置会导致直流(DC)阻塞；因此，低频信号将被电容器阻挡。如果低频信号要通过电路，则需要额外的电路元件，这会使电路配置显著复杂化。

在此包含的背景描述整体上呈现本公开的上下文。应当注意的是，本节中描述的信息旨在为技术人员提供以下公开主题的一些背景内容，不应将其视为公认的现有技术。更具体地说，这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

发明内容

本公开总体上涉及一种可变电感器设备。在一些实施方案中，该设备充当可调谐振器或延迟线。该设备的一些示例包括短路的平行板型传输线，其中传输线的两个平坦的面之间的角间距是可变的以改变传输线的电感、电容或阻抗。根据使用该设备的电路的工作频率和细节，如果电气长度介于(n-1)/4和(n)/4导波波长(其中n＝1,3,5等)之间，则该设备可以充当可变电感器，或者如果电气长度介于(n-1)/4和(n)/4导波波长之间(其中n＝2,4,6等)，则该设备可以充当电容器。

在一些示例中，当用作可变电感器时，传输线(或设备)长度小于1/4波长，因为这可以最小化电阻损耗。一些实施方案可以在25至30MHz范围内的频率下以15-25安培范围内的RF电流操作，特别是当与风扇冷却一起使用时。一些设备实施方案具有在30到100纳亨(nH)范围内的可调电感，这表示可调范围是基本电感的三倍以上。

在一些实施方案中，提供了一种可变电感器设备。示例性的可变电感器设备可以包括短路传输线，短路传输线具有可变几何形状以改变可变电感器设备的电感；可变电感器设备可连接至电路以作为电路中的可变电感器。

在一些实施方案中，短路传输线包括平行板传输线。

在一些实施方案中，平行板传输线包括至少一个扁平导体。

在一些实施方案中，一种示例性可变电感器设备可以包括：第一平坦的回路，其包括第一平坦的面和支持电磁耦合的材料；第二平坦的回路，其包括第二平坦的面和支持电磁耦合的材料；所述第一平坦的回路能与所述第二平坦的回路分离以改变所述可变电感设备的电感；以及所述第一平坦的面和所述第二平坦的面在所述设备的闭合构造中彼此重叠。

在一些实施方案中，所述第一平坦的回路能通过围绕铰接点枢转而与所述第二平坦的回路分离。

在一些实施方案中，所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路能选择性地在打开和闭合位置之间彼此分离，所述闭合位置对应于所述设备的所述闭合构造，所述打开位置对应于所述可变电感器设备的期望的电感值。

在一些实施方案中，所述打开位置和所述闭合位置对应于在零(0)度到二十(20)度的范围内的所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路之间的分离角。

在一些实施方案中，在所述闭合位置中，基本上整个所述第一平坦的回路与所述第二平坦的回路重叠。

在一些实施方案中，在所述闭合位置中，基本上整个所述第一平坦的回路与基本上整个所述第二平坦的回路重叠。

在一些实施方案中，所述可变电感器设备还包括铰链，所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路中的一个在该铰链处相对于所述可变电感器设备或另一个平坦的回路铰接。

在一些实施方案中，所述铰链设置在所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路的终端点处。

在一些实施方案中，所述铰链设置在所述可变电感器设备的RF功率端子处。

在一些实施方案中，所述可变电感器设备的所述闭合构造对应于所述可变电感器设备的基本或最小电感值。

在一些实施方案中，所述可变电感器设备的打开构造对应于所述可变电感器设备的最大电感值。

在一些实施方案中，所述最大电感值大于所述基本或最小电感值的三(3)至七(7)倍。

在一些实施方案中，一种可变电感器设备包括：第一平坦的回路，其包括第一平坦的面和支持电磁耦合的材料；第二平坦的回路，其包括第二平坦的面和支持电磁耦合的材料；铰链；并且所述第一平坦的回路能通过绕所述铰链枢转与所述第二平坦的回路分离以改变所述可变电感设备的电感。

在一些实施方案中，所述第一平坦的面和所述第二平坦的面在所述设备的闭合构造中彼此重叠。

在一些实施方案中，所述可变电感器设备的闭合构造对应于所述可变电感器设备的基本或最小电感值。

在一些实施方案中，所述可变电感器设备还包括致动器以移动所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路中的至少一个。

附图说明

在附图的视图中以示例而非限制的方式显示了一些实施方案：

图1是根据一些示例的反应室的示意图，在该反应室中可以采用本公开的方法的一些示例。

图2A-2B是根据示例性实施方案的处于相应打开和闭合构造的可变电感器设备的图像视图。

图3A-3B描绘了根据示例实施方案的平坦的回路的平面图。

图4描绘了根据示例性实施方案的等效串联电阻(ESR)值与分离角的关系图。

图5描绘了根据示例性实施方案的电感值与分离角的关系图。

图6是根据示例实施方案的可变电感器设备的示意图。

图7描绘了根据示例实施方案的ESR和电感值与分离角的关系图。

图8描绘了根据示例实施方案的电感器加热与电流的关系图。

具体实施方式

后续描述包含实行本公开内容的说明性实施方案的系统、方法、技术、指令序列以及计算机器程序产品。在后续描述中，为了说明的目的，说明了许多特定细节以提供对示例性实施方案的完整了解。然而，对于本领域技术人员而言将显而易见的是，本公开内容可在不具有这些特定细节的情况下实践。

可变电感器设备的一些实施方案可用于微机械或印刷电路板(PCB)应用和与其一起使用的电路。其他示例可用于在半导体制造中调谐阻抗匹配网络的系统和方法。在这方面，现在参考附图中的图1。在附图中的图1中示出了示例室，其中可以采用本公开内容的一些示例，具有用于膜沉积和控制测试的适当室修改。典型的等离子体蚀刻(或沉积)装置包括反应器，其中存在让一或多种反应气体流通过的室。在室内，通常通过射频能量将气体离子化成等离子体。等离子体气体的高度反应性离子可以与材料反应，该材料诸如待处理成集成电路(IC)的半导体晶片表面上的聚合物掩模。在蚀刻之前，将晶片放置在室中并以卡盘或保持器以合适的位置保持，将该晶片顶部表面暴露于等离子体气体。存在一些在本领域中已知的几种类型的卡盘。卡盘提供等温表面并用作用于晶片的热沉。在一种类型中，通过机器夹持装置将半导体晶片保持在适当位置以进行蚀刻。在另一类型的卡盘中，以卡盘和晶片之间的电场所产生的静电力将半导体晶片保持在合适位置。所呈现的方法适用于任何类型的卡盘。

图1示出了等离子体处理室100，其代表典型地用于蚀刻衬底的类型的示例性等离子体处理室。现在参考图1，卡盘102代表工件保持器，在蚀刻或沉积期间将诸如晶片104之类的衬底定位在该工件保持器上。卡盘102可以通过任何合适的卡盘技术(例如静电、机械、夹持、真空等技术)来实现。在蚀刻或沉积期间，通常在蚀刻或沉积期间通过双频源106向卡盘102同时提供双RF频率(低频和高频)，例如2MHz和27MHz。真空传送模块(VTM)(未示出)可用于将晶片104放置在卡盘102上并使其居中。在一些示例中，VTM包括一个或多个机械手控制装置或机械手臂以在晶片104放置在卡盘102上时操纵晶片104。

再次参考图1，上电极108位于晶片104上方，上电极108接地。图1说明了蚀刻反应器，其中上电极108的表面大于卡盘102和晶片104的表面。在蚀刻期间，等离子体110是由经气体管线112供应的蚀刻剂源气体所形成并通过排气管线114排出。电绝缘环109使上电极108与接地室100绝缘。

可以将约束环116放置在上电极108和诸如图1中的卡盘102之类的下电极之间。一般来说，约束环116帮助将蚀刻等离子体110限制在晶片104上方区域以改善过程控制并且确保重复性。

当将RF功率从RF功率源106供应至卡盘102时，在晶片104上建立等势场线。等势场线是遍布介于晶片104和等离子体110之间的等离子体鞘的电场线。在一些示例中，等势面和电场线彼此垂直。在晶片104和等离子体110之间存在等势面。电场线使穿过这些等势面的带电粒子加速。在等离子体处理期间，正离子加速通过等势场线以冲击在晶片104表面上，从而提供所期望的蚀刻效果，诸如改善蚀刻方向性。由于上电极108和卡盘102的几何形状，场线可能在整个晶片表面不是均匀的且可能在晶片104边缘显著地改变。因此，一般提供边缘(或聚焦)环118以改善遍布整个晶片表面的工艺均匀性。参考图1，将晶片104显示为设置在边缘环118内，边缘环118可由合适的介电材料形成，诸如由陶瓷、石英、塑料等等形成。因此，边缘环118的存在使得能将等势场线在晶片104整个表面上方基本上均匀地设置。

导电屏蔽件120基本上围绕聚焦环118。将导电屏蔽件120配置成在等离子体处理室100内基本上接地。屏蔽件120防止不希望的等势场线在边缘环118外侧出现。

RF匹配网络122与RF电源106相关联。RF匹配网络可用于调谐供应等离子体处理室100的RF功率网络。为了配置RF匹配网络122并适当地调谐它，RF匹配网络122可以包括一个或多个滤波器124。例如，滤波器可以包括电感器、电容器和电阻器。其他设备也是可能的。本公开内容的一个或多个可变电感器设备可以包括在滤波器124中。

如上文所述，在开发调谐系统方面存在挑战。当前用于制造可调电感器的技术可能包括使用变感计(variometer)，但这些技术在高频或低电感中没有用。其他方法包括设置在电感器线圈中的由金属或磁性材料制成的可移动块。这些设备类型具有非常窄的调谐范围，并且在高电流电平下容易过热。电感器线圈中的可饱和磁性材料可以通过磁场或电路上的另一个绕组偏置以改变电感，但这些电感在高电流电平下也容易过热。它们还可能具有较大的温度系数和较差的热稳定性。

本公开内容的可变电感器设备的一些实施方案可以用作网络或电路中的可调元件，并且在一些示例中用作具有高功率能力的可调电感器(ahigh-power capable tunableinductor)。可变电感器设备的一些示例不包括磁性材料并且因此具有降低的温度敏感性。在某些情况下，设备与设备单元(device-to-device unit)之间的可变性可能仅由几何形状和制造公差决定。对于PCB制造的示例，虽然介电材料特性的固有差异可能会对整体设备电感产生一些影响，但可以通过在此类应用中适当使用高质量低差异介电材料来解决此问题。

在以下进一步描述的一些示例中，可变电感器设备的电感可变性(可调性或电感变化)的范围从最小值到比基值(或最小值)高数倍的最大值。一些示例提供了可调谐电感器，其可以基本上独立于RF匹配网络(例如，上面的RF匹配网络122)中的其他部件操作而不影响其他网络参数。例如，可以使用基于低成本PCB的技术来制造示例以避免在RF匹配网络122中使用真空可变电容器的费用。

可变电感器设备200的示例在图2A-2B中示出。图2A描绘了设备200的打开构造。图2B描绘了设备200的闭合构造。该设备包括两个回路202和204。回路202和204具有平坦的面或部分。在这个意义上，可变电感器设备可以被认为是“平行板”传输线的一种形式，但是通常只有当设备200处于闭合构造时才采用这种平行构造，这将在下面进一步讨论。回路202和204在终端点206处连接(短路)。RF功率可以在端子208和210处提供给连接的回路202和204。每个回路202和204位于平面中并且可以呈现大致蛇形形状，如图所示。其他回路形状和构造也是可能的，例如如图3A-3B所示的示例性回路202(或204)的相对紧密或开放的弯曲所示。

在一些示例中，设备200的回路202和204可选择性地在打开和闭合位置的范围内相互调节(可打开或可绕铰链点枢转)以改变设备200的电感，如下文更全面解释的。在所示的示例中，回路202和204的平面以分离角218彼此间隔开。取决于给定的长度(也称为线长)或回路202或204的构造，选定程度的分离角218在回路的远端提供相关的或成比例的间隙216。其他分离角218和间隙216是可能的，并且这些可以基于使用中的可变电感器设备200的期望电感特性或可调谐性以固定或可变构造来选择。例如，可变电感器设备200可以以这种方式调整以改变其电感，并且由此帮助调谐RF匹配网络122。其他网络调谐或电路应用也是可能的，其中一些在微机械级别。一般而言，设备200的电感程度与回路202和204之间的分离角218成比例(成线性关系或成正比例或者其他关系)，即通常，角度越大，电感越高。

在设备200的一些示例中，回路202和204在铰接点212和214处铰接。例如，回路202和204可以在公共铰接点处彼此铰接或在各自的单独的固定装置处单独铰接。一个回路202或204可以相对于基准或固定装置保持静止，而另一个回路可移动，或者两个回路都可以移动。铰接点212和214可以由设置在连接回路的端部处的可旋转或可折叠铰链限定。可旋转或可折叠铰链可如图所示构造，但其他构造也是可能的。在所示的示例中，铰接点212和214分别设置在回路202和204的闭合的、连接的端部处。终端点206可以与铰接点中的一个(例如在铰接点214处)重合或一起定位。RF功率端子208或210可以与铰接点(例如铰接点212)重合或位于该铰接点处。在其他示例中，铰接点可以设置在沿回路的交替位置处，例如在蛇形弯曲的末端或其他位置。例如，回路的某些部分可能不能相对于回路的另一部分移动。例如，两个回路的部分可以保持闭合，而其他部分可以彼此远离移动。

设备铰链的可旋转或可折叠性质可以允许形成和增大分离角(以及在回路202和204之间形成的空间)，而不会使回路或铰链材料变形，该变形如可能例如通过使回路弯曲成有间隔的构造而发生。因此，可变电感器设备200的铰链或回路材料不受金属疲劳的影响。此外，例如在分离致动器的引导下，低摩擦铰链可以促进分离角度218(和间隔开的间隙216)的平滑连续或精确的增量调节。

在可变电感器设备200的一些示例中，当设备200处于闭合构造时，回路202和204的至少一部分彼此重叠。例如，在图2B中所示的设备200的闭合构造中，回路202和204基本上完全重叠。选择每个回路的轮廓、尺寸和构造(在本示例中它们具有类似的蛇形构造)以使回路在闭合时彼此完全重叠。在一些示例中，当设备200闭合时，回路的仅一个或一些部分可以覆盖相对回路的另一部分。例如，当设备200的各个回路包括反手的匝数(turns)时，或者当一个回路具有与另一个回路不同的形状时，例如如图3A-3B所示，这种部分回路重叠可能发生。可变电感器设备的部分或完全重叠的回路202和204的相反或匹配的构造被认为在使用中的电感变化期间引起来自设备200的更可预测和可配置的响应。在一些示例中，这可能是由于在分离角调整期间仅改变了间隔回路的一个空间参数(不是多个)这一事实导致的。对于沿回路的长度的给定点，当回路202和204分开或靠近时，分离角成比例地且可预测地影响回路202和204的相对面之间的面间间距。

在一些示例中，铰链的构造和稳定性可以赋予设备200在回路202和204的打开和闭合位置(即在设备200的打开和闭合构造中)高度可重复的电感值和很好的设备与设备间一致性(device-to-device consistency)。在测试中，示例性设备200的回路202和204被致动器打开和闭合多次，其中在每个位置具有一秒的延迟。被测试的设备200被重复打开和闭合一万六千(1600)次。闭合时测得的设备200平均电感为42.52+/-0.29nH(即精度变化仅为0.68％)。打开时测得的设备200平均电感为109.69+/-0.17nH(即精度变化仅为0.15％)。

关于示例性可变电感器设备200的响应特性和调谐能力，现在参考附图中的图4-5。对于示例性可变电感器设备200，图4示出了图表400，设备的ESR值描绘在y轴上，而回路202和204的分离角218描绘在x轴上。此处，如图所示，分离角218从零(0.00)到二十(20.00)度。作为分离角的相应ESR值范围从大约0.075到0.113欧姆。因此电阻的增加相对较小。然而，图5中的图表500示出了随着分离角218的增大，电感的变化范围大得多。对于相同的分离角范围(0到20度)，可以观察到更大的电感变化，在这种情况下，从约65到185nH的变化。

可变电感器设备200的另一示例性构造在图6中示出。回路202和204的纵横比高于上述示例性设备中的回路202和204的对应纵横比。对于该示例，图7中示出了ESR和电感值与分离角的关系图表700。图表右侧显示的ESR值在零(0)至二十(20)度的分离角范围内为约74至82毫欧姆(mΩ)(即8mΩ的增量)。另一方面，在相同的分离角调整范围内，设备200的电感从大约20nH的基值增加到在二十(20)度的分离角处的140nH的最大值。该最大值表示电感比基值增加到七倍。高度的电感可变性可以赋予RF匹配网络122相应高度的调谐能力。对于给定的设备200，在相同的分离角变化范围内，相对于电阻的最小变化的相对大范围的电感变化可以与试图上面进一步讨论的在竞争L、C和R网络参数之间进行平衡和折衷的传统方法中的缺点形成对比。

可变电感器设备的一些示例是有弹性的并且被配置为处理通过RF电源向处理室施加的高功率和频率。通常，由RF电源106产生的高电流为约十五安培(A)。参考图8，图示的图表800表明测量和建模的设备200能够处理远远超过15A的电流值，尽管如图所示具有一定程度的温度升高。

虽然已参照特定的示例性实施方案描述了实施方案，但显然，可在不偏离本实施方案的更广泛范围的情况下对这些实施方案进行各种修改及改变。因此，说明书和附图被视为说明性的而非限制性的。构成本文中的一部分的附图以说明(而非限制)的方式显示特定实施方案，可在这些特定实施方案中实践主题。所示实施方案以足够细节进行描述，以使本领域技术人员能够实行本文所公开的教导。可使用其他实施方案及从中产生其他实施方案，使得可在不偏离本公开内容的范围的情况下进行结构与逻辑的替换及变化。因此该具体实施方式不被视为限制性的，且各种实施方案的范围仅由所附的权利要求、连同这些权利要求所赋予的等效方案的全部范围所限定。

本发明主题的这些实施方案在此可单个地和/或共同地由术语“发明”所提及，其仅是为了方便，而不旨在将本申请的范围自愿性地限制于任何单一的发明或发明构思(如果事实上公开多于一个的发明或发明构思的话)。因此，虽然本文显示并描述了特定实施方案，但应理解，为实现相同目的而计算的任何配置可替代所示的特定实施方案。本公开内容旨在涵盖各种实施方案的任何和所有的调整或变化。在阅读以上说明后，上述实施方案的组合以及本文未具体描述的其他实施方案对于本领域技术人员而言是显而易见的。

Claims

1.一种可变电感器设备，其包括：

第一平坦的回路，其包括第一平坦的面和支持电磁耦合的材料；

第二平坦的回路，其包括第二平坦的面和支持电磁耦合的材料；

所述第一平坦的回路能与所述第二平坦的回路分离以改变所述可变电感设备的电感；以及

所述第一平坦的面和所述第二平坦的面在所述设备的闭合构造中彼此重叠。

2.根据权利要求1所述的可变电感器设备，其中所述第一平坦的回路能通过围绕铰接点枢转而与所述第二平坦的回路分离。

3.根据权利要求1所述的可变电感器设备，其中所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路能选择性地在打开和闭合位置之间彼此分离，所述闭合位置对应于所述设备的所述闭合构造，所述打开位置对应于所述可变电感器设备的期望的电感值。

4.根据权利要求3所述的可变电感器设备，其中所述打开位置和所述闭合位置对应于在零(0)度到二十(20)度的范围内的所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路之间的分离角。

5.根据权利要求1所述的可变电感器设备，其中在所述闭合位置中，基本上整个所述第一平坦的回路与所述第二平坦的回路重叠。

6.根据权利要求5所述的可变电感器设备，其中在所述闭合位置中，基本上整个所述第一平坦的回路与基本上整个所述第二平坦的回路重叠。

7.根据权利要求1所述的可变电感器设备，其还包括铰链，所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路中的一个在该铰链处相对于所述可变电感器设备或另一个平坦的回路铰接。

8.根据权利要求6所述的可变电感器设备，其中所述铰链设置在所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路的终端点处。

9.根据权利要求6所述的可变电感器设备，其中所述铰链设置在所述可变电感器设备的RF功率端子处。

10.根据权利要求1所述的可变电感器设备，其中所述可变电感器设备的所述闭合构造对应于所述可变电感器设备的基本或最小电感值。

11.根据权利要求1所述的可变电感器设备，其中所述可变电感器设备的打开构造对应于所述可变电感器设备的最大电感值。

12.根据权利要求11所述的可变电感器设备，其中所述最大电感值大于所述基本或最小电感值的三(3)至七(7)倍。

13.一种可变电感器设备，其包括：

铰链；并且

所述第一平坦的回路能通过绕所述铰链枢转与所述第二平坦的回路分离以改变所述可变电感设备的电感。

14.根据权利要求13所述的可变电感器设备，其中所述第一平坦的面和所述第二平坦的面在所述设备的闭合构造中彼此重叠。

15.根据权利要求14所述的可变电感器设备，其中所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路能选择性地在打开和闭合位置之间彼此分离，所述闭合位置对应于所述设备的所述闭合构造，所述打开位置对应于所述可变电感器设备的期望的电感值。

16.根据权利要求15所述的可变电感器设备，其中所述打开位置和所述闭合位置对应于在零(0)度到二十(20)度的范围内的所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路之间的分离角。

17.根据权利要求15所述的可变电感器设备，其中在所述闭合位置中，基本上整个所述第一平坦的回路与所述第二平坦的回路重叠。

18.根据权利要求17所述的可变电感器设备，其中在所述闭合位置中，基本上整个所述第一平坦的回路与基本上整个所述第二平坦的回路重叠。

19.根据权利要求13所述的可变电感器设备，其中所述铰链设置在所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路的终端点处。

20.根据权利要求13所述的可变电感器设备，其中所述铰链设置在所述可变电感器设备的RF功率端子处。

21.根据权利要求13所述的可变电感器设备，其中所述可变电感器设备的闭合构造对应于所述可变电感器设备的基本或最小电感值。

22.根据权利要求21所述的可变电感器设备，其中所述可变电感器设备的打开构造对应于所述可变电感器设备的最大电感值。

23.根据权利要求22所述的可变电感器设备，其中所述最大电感值大于所述基本或最小电感值的三(3)至七(7)倍。

24.根据权利要求1或权利要求13所述的可变电感器设备，其还包括致动器以移动所述第一平坦的回路和所述第二平坦的回路中的至少一个。

25.一种可变电感器设备，其包括：

短路传输线，所述短路传输线具有可变几何形状以改变所述可变电感器设备的电感；

所述可变电感器设备能连接至电路以作为所述电路中的可变电感器。

26.根据权利要求25所述的可变电感器设备，其中所述短路传输线包括平行板传输线。

27.根据权利要求26所述的可变电感器设备，其中所述平行板传输线包括至少一个扁平导体。