CN113917752B - Tft像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备，包括：基板；设置在基板上的栅极层，栅极层包括延第一方向延伸的栅线以及与栅线垂直设置的栅极金属台；设置在栅极金属台上的绝缘层；设置在绝缘层上的有源层、第一极以及第二极，第一极和第二极设置在有源层远离绝缘层的一侧，有源层与栅极金属台以及与栅极金属台连通的栅线部分重叠，第一极和第二极分别设置在有源层的两侧，有源层与第一极和第二极之间均存在重叠部分，第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域。本公开通过新的像素结构，在制作有源层和源漏极层时通过光掩模工艺一次成型，减少了一次曝光、刻蚀、清洗流程，降低材料消耗，节约了原材成本和工厂产能。

Description

TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备。

背景技术

随着现在显示市场上液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)产品的占有基本平衡，竞争日益激烈的生态环境逐步缩窄，低成本化的设计与生产迫在眉睫。现有技术中基于六次曝光所制成的6mask像素产品是目前常用的像素产品，而如何在保证产品显示素质的前提下，降低像素制作成本时亟需解决的问题。

发明内容

本公开实施例的目的在于提供一种TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备，用以解决现有技术中像素产品制作成本高的问题。

本公开的实施例采用如下技术方案：一种TFT像素结构，包括：基板；设置在基板上的栅极层，其中，所述栅极层至少包括延第一方向延伸的栅线以及与所述栅线垂直设置的栅极金属台，并且所述栅极金属台与所述栅线连通；设置在所述栅极金属台远离所述栅极层一侧的绝缘层；设置在所述绝缘层远离所述栅极金属台一侧的有源层、第一极以及第二极，所述第一极和所述第二极设置在所述有源层远离所述绝缘层的一侧，其中，所述有源层与所述栅极金属台以及与所述栅极金属台连通的栅线部分重叠，所述第一极和所述第二极的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述第一极和所述第二极分别设置在所述有源层的两侧，并且所述有源层与所述第一极和所述第二极之间均存在重叠部分，所述第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域；设置在所述第一极远离所述绝缘层一侧的第一金属层，所述第一金属层与所述第一极搭接；设置在所述第一金属层远离所述第一极一侧的第二金属层。

在一些实施例中，所述第一极与所述第一金属层之间的搭接面积大于第一预设值。

在一些实施例中，所述第二极与当前像素的数据线连通，所述第一极的边缘与当前像素的相邻像素的数据线之间的垂直距离大于第二预设值。

在一些实施例中，所述半导体区域边缘与其最接近的栅极金属台边缘之间的垂直距离大于或等于第三预设值。

在一些实施例中，所述栅极金属台与当前像素的数据线之间具有重叠区域，所述当前像素的开口率大小与所述重叠区域的面积之间成正比。

在一些实施例中，在所述第二极与所述数据线完全重合，所述半导体区域靠近所述数据线一侧的边缘与所述数据线边缘重合的情况下，所述当前像素的开口率最大。

在一些实施例中，所述有源层未与所述第一极和所述第二极重合的区域形状为“工”字型。

本公开的实施例还提供了一种上述的TFT像素结构的制作方法，至少包括：在基板上制作栅极层，其中，所述栅极层至少包括延第一方向延伸的栅线以及与所述栅线垂直设置的栅极金属台，并且所述栅极金属台与所述栅线连通；在所述栅极金属台远离所述基板的一侧制作绝缘层；在所述绝缘层远离所述栅极金属台一侧基于光掩模工艺同时制作有源层、第一极和第二极，其中，所述有源层与所述栅极金属台以及与所述栅极金属台连通的栅线部分重叠，所述第一极和所述第二极的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述第一极和所述第二极分别设置在所述有源层的两侧，并且所述有源层与所述第一极和所述第二极之间均存在重叠部分，所述第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域；在所述第一极远离所述绝缘层一侧制作第一金属层，所述第一金属层与所述第一极搭接；在所述第一金属层远离所述第一极一侧制作第二金属层。

本公开的实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板基于多个上述的TFT像素结构组成，并且所述多个TFT像素结构之间按照阵列方式排布。

本公开的实施例还提供了一种电子设备，至少包括上述的显示面板。

本公开实施例的有益效果在于：通过设计实现新的TFT像素结构，在制作有源层和源漏极层时通过光掩模工艺一次性成型，相较于现有技术减少了一次曝光、刻蚀、清洗等流程，节省了相应的光刻胶、清洗剂等材料，在保证像素显示素质的前提下，极大地节约了原材成本和工厂产能。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开第一实施例中TFT像素结构的局部俯视示意图；

图2为现有技术中常规6mask产品的开口区示意图；

图3为本公开第一实施例中TFT像素结构的开口区示意图；

图4为本公开第一实施例中TFT像素产品的充电率模拟结果；

图5为本公开第一实施例中十种TFT像素结构的实现方式；

图6为本公开第一实施例中十种实施方式在无光照情况下的TFT转移特征曲线图；

图7为本公开第二实施例中TFT像素结构的制作方法流程图。

具体实施方式

此处参考附图描述本公开的各种方案以及特征。

应理解的是，可以对此处申请的实施例做出各种修改。因此，上述说明书不应该视为限制，而仅是作为实施例的范例。本领域的技术人员将想到在本公开的范围和精神内的其他修改。

包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与上面给出的对本公开的大致描述以及下面给出的对实施例的详细描述一起用于解释本公开的原理。

通过下面参照附图对给定为非限制性实例的实施例的优选形式的描述，本公开的这些和其它特性将会变得显而易见。

还应当理解，尽管已经参照一些具体实例对本公开进行了描述，但本领域技术人员能够确定地实现本公开的很多其它等效形式，它们具有如权利要求的特征并因此都位于借此所限定的保护范围内。

当结合附图时，鉴于以下详细说明，本公开的上述和其他方面、特征和优势将变得更为显而易见。

此后参照附图描述本公开的具体实施例；然而，应当理解，所申请的实施例仅仅是本公开的实例，其可采用多种方式实施。熟知和/或重复的功能和结构并未详细描述以避免不必要或多余的细节使得本公开模糊不清。因此，本文所申请的具体的结构性和功能性细节并非意在限定，而是仅仅作为权利要求的基础和代表性基础用于教导本领域技术人员以实质上任意合适的详细结构多样地使用本公开。

本说明书可使用词组“在一种实施例中”、“在另一个实施例中”、“在又一实施例中”或“在其他实施例中”，其均可指代根据本公开的相同或不同实施例中的一个或多个。

随着现在显示市场上液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)产品的占有基本平衡，竞争日益激烈的生态环境逐步缩窄，低成本化的设计与生产迫在眉睫。TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)是液晶显示屏中常见的驱动单元，LCD屏幕中每个像素均由一个TFT控制，在TFT开启时在像素电极上施加电压，实现LCD液晶层的翻转，刑场LCD屏幕背光的输出，达到显示效果。现有技术中基于六次曝光所制成的6mask像素产品是目前常用的像素产品，而如何在保证产品显示素质的前提下，降低像素制作成本时亟需解决的问题。

为了解决上述问题，本公开第一实施例设计实现了一种新的TFT像素结构，其在现有像素结构的基础上可以节省一道曝光、刻蚀和清洗的步骤，以降低像素制作成本。

图1示出了本实施例中TFT像素结构的局部俯视示意图，图中所示的所有层级结构均设置在基板(图1中未示出)上，按照TFT像素的工作原理，在基板上设置有栅极层10，其至少包括栅线11和栅极金属台12，并且栅极金属台12垂直与栅线11延伸的第一方向设置，并且栅极金属台12实际与栅线11连通，使栅线11上在施加有电压时栅极金属台12上施加有同样的电压；在栅极金属台12的上表面(即远离基板的一侧)设置有绝缘层(图1中未示出)作为栅极的介质层；在绝缘层的上表面(即远离栅极金属台12的一侧)设置有一次成型制作的有源层20、第一极21以及第二极22，其中，第一极21和第二极22分别为TFT像素的源极和漏极，有源层20则作为源漏极之间的沟道设置在第一极21、第二极22与绝缘层之间；具体地，有源层20与栅极金属台12以及与栅极金属台12连通的栅线11部分重叠，图1中示出的有源层20基本覆盖了栅极金属台12以及相应栅线11部分的所有区域，第一极21和第二极22则同样延第一方向延伸，并分别设置在有源层20的两侧，其均与有源层20存在重叠部分，便于在TFT开启时实现第一极21和第二极22之间的导通，而此时导通的区域即为半导体区域30(图1中虚线框围住的部分)，其实际为有源层20中位于第一极12和第二极22之间且不与二者重合的部分，同时受第一极12和第二极22宽度的影响，如图1所示，通常将第一极12和第二极22相对的边缘之间的垂直距离作为半导体区域30的长度L，第一极12和第二极22宽度作为半导体区域30其的宽度W，而半导体区域30的长度和宽度则决定了TFT像素的特性。

另外，如图1所示，TFT像素结构中还包括第一金属层40，其作为TFT像素的像素电极，主要用于实现控制液晶层内液晶的翻转，其设置在第一极21上层(即远离绝缘层一侧)，并且与第一极21之间存在搭接区域，以实现数据线传输的信号经由第二极22、半导体区域30、第一极21之后，到达第一金属层40；与此同时，在第一金属层40的上层还设置有第二金属层50，其可以为设置在像素黑矩阵(BM层，图1中未示出)下方的Vcom金属线，起到增大像素存储电容、降低像素击穿风险的目的。应当了解的是，在第一金属层40和第二金属层50之间还应设置有钝化层PVX(图中未示出)，其实际为TFT像素中常规的层级结构，本实施例不进行详细赘述。

在本实施例中的TFT像素结构进行制作时，其有源层20、第一极21以及第二极22是通过光掩模工艺(HTM，Half-tone Mask)实现的，即通过调整不同的曝光率，在制作第一极21和第二极22的同时制作有源层20，相较于现有技术减少了一次曝光、刻蚀、清洗等流程，节省了相应的光刻胶、清洗剂等材料，在保证像素显示素质的前提下，极大地节约了原材成本和工厂产能。

在现有的6mask工艺中，像素的第一金属层ITO优先制作，然后在其上制作源漏极层，以避免产生ITO断裂导致的搭接不良风险。在本实施例中，第一金属层40是在源漏极层制作后再进行制作的，为了避免金属层的断裂风险，需要加大像素中第一金属层40和第一极21之间的搭接面积，使其搭接面积大于第一预设值，用以规避金属层接触不良或断裂造成的像素电极失效的情况。需要注意的是，第一预设值可根据实际需求，基于显示屏幕的整体尺寸、PPI值的大小(即1英寸屏幕中像素数量)进行调整，本实施例中针对7英寸，PPI＝215的显示屏幕中，每个像素内第一金属层40和第一极21之间的搭接面积需大于25平方微米，即第一预设值为25平方微米。

本实施例中像素的第二极22制作时需要与该像素对应的数据线(Data)连通，或在制作时进行一体化制作，使Data线上输入的控制信号可以经由第二极22输入到像素电极中；同时，一般显示屏幕由多个像素按照阵列方式进行排布，处于同一行或同一列的像素之间共用一条Data线，而不同行或不同列之间的像素的Data线不同。图1中的左侧区域示出了当前像素的相邻像素的局部示意图，为了避免相邻的两个像素之间不会发生串扰，需要保证当前像素的第一极21的边缘与相邻像素的数据线之间的垂直距离e大于第二预设值。第二预设值同样可以根据实际需求进行设定，其通常与像素大小有关，在保证第一金属层31与第一极21之间搭接面积的情况下，像素越小，可利用的空间就越小，本实施例中针对7英寸，PPI＝215的显示屏幕，上述垂直距离e需大于8微米，即第二预设值为8微米，此时，其截面相对的电容值较小，可降低串扰风险。

在实际使用时，背光模组所发出的光线会造成TFT导通的阈值电压随着偏压应力(biasstress)变化而增加，进而使半导体区域30的电子迁移率发生改变，造成对应像素的显示亮度降低，甚至TFT失效，影响屏幕面板的显示效果。为了解决上述问题，如图1所示，本实施例在设计栅极金属台12以及半导体区域30时，需保证半导体金属台30的边缘与其最接近的栅极金属台12的边缘之间的垂直距离f大于或等于第三预设值，即通过栅极金属台12对半导体区域30进行包围，并遮挡背光模组的光线，使其避免受到长时间光照影响。应当了解的是，半导体区域30的尺寸主要受第一极21和第二极22的宽度影响，图1中半导体区域30的左右两侧的边缘分别与第一极21边缘和第二极22边缘重合，由于不透明的第一极21和第二极22可以实现遮光效果，因此本实施例中主要限制的是图1中半导体区域30的上下两侧的边缘与栅极金属台12的上下两侧边缘之间的垂直距离f。本实施例中第三预设值主要根据半导体区域30受光照的影响程度以及半导体区域30的制作工艺进行设置，本实施例中基于HTM工艺，第三预设值为2.9微米，在制作工艺发生变化时，第三预设值也会相应发生变化，本实施例不进行具体限制。

图1中示出的栅极金属台12与当前像素的数据线之间不存在重合区域，只要在制作第二极22时将其与数据线连通即可。在实际进行制作时，可根据对当前像素的开口率的要求，将栅极金属台12设计与数据线之间重叠，在交叠的情况下，数据线与栅极金属台12交叠的部分即可作为TFT的第二极使用，因此在制备时可以减小用于制备第二极22的预留空间，进而是开口率提升，并且像素的开口率的大小与重叠区域的面积之间呈正比，因此可根据实际的开口率需求，在制作栅极金属台12时调节其位置，使其与数据线之间重叠相应的大小。在一些实施例中，在栅极金属台12与数据线的交叠状况处于极限交叠时，第二极22与数据线完全重合，半导体区域30中靠近数据线一侧的边缘与数据线边缘重合，此时当前像素的开口率最大。

本实施例中，为了保证TFT沟道的形成，有源层20与第一极21和第二极22均未重合的区域形状为“工”字形，或者设置为与“工”字形类似的“骨头”形或半“工”字形，若按照矩形设计有源层20，实际工艺形成时可能出现源漏极黏连，造成短路使TFT失效，影响显示屏幕的显示效果。

下面结合图2至图6对本实施例中TFT像素结构的开口率以及TFT电学特性进行验证，保证其具有与6mask产品具有相同或更佳的显示素质。

图2示出了一种7英寸，PPI为215的常规6mask产品的开口区示意图，其中对于一个1P2D像素(即一个亚像素中的Vcom电极具有两个方向)，其a1区域和b1区域关于c1对称且面积相同，均为32.15％，使像素整体的开口率为64.3％；图3则为本实施例中TFT像素的开口区示意图，其开口率为62.3％，并且a1区域和b1区域面积相同，但是a1区域和b1区域并不关于c2对称，但是对于实际产品使用情况来说，a1区域和b1区域不对称不会对PPI大于200的产品产生影响，因此，本实施例所提供的TFT像素结构的开口率水平与6mask产品的开口率水平接近，可以达到较好的显示效果。

影响显示的重中之重是像素TFT的电学特性，其主要的评价参数是TFT的Ion是否能够满足像素的充电要求(一般无异显的像素充电率为≥90％)。图4示出了本实施例所提供的TFT像素产品的充电率模拟结果，其中，在数据线上施加的充电电压为5V。基于图中所示，本实施所提供的TFT像素产品的充电率为4.79/5*100％＝95.8％，符合像素的充电要求。

图5示出了十种本实施例中TFT像素结构的实现方式，其互相之间层级结构基本相同，区别在于有源层尺寸和形状、栅极金属台位置等，另外，图5中仅示出了TFT结构中的栅极层10、有源层20、第一极21、第二极22以及半导体区域30，其与结构在图5中未示出。具体地，图5所示出的十种实现方式中，半导体区域30的宽度W均为8微米，长度均为4.5微米，即半导体区域30的面积基本相同。下面将结合图5，具体阐述十种实现方式之间的不同设计以及对应TFT结构所具有的不同特征。

如图5所示，方式1至方式3中，有源层20与左右的第一极21和第二极22之间交叠区域的宽度均为3.4微米，其有源层20未与第一极21和第二极22交叠的半透过区域(以下简称半透过区域)的形状均为“骨头”形，并且栅极金属台12与数据线之间不存在交叠部分，但半导体区域30的边缘与栅极金属台12边缘之间的垂直距离f则分别为3.4微米、2.9微米以及2微米，对应的Ion值分别为1.02微安、1.05微安以及0.89微安。

在方式4、方式5以及方式10中，其具有相同的“半工”字形的半透过区域，并且栅极金属台12均与数据线之间形成最大化的交叠，区别在与，方式4中有源层20与第一极21之间交叠部分的宽度为3.4微米，而方式5和方式10中均为5.75微米，但方式5中垂直距离f的值为2.9微米，方式4和方式10中垂直距离f的值均为3.9微米，此时，方式4、方式5以及方式10中TFT对应的Ion值分别为1.15微安、1.17微安以及1.13微安。

在方式6和方式7中，其具有相同的“工”字形的半透过区域，并且栅极金属台12与数据线之间均不存在交叠部分，有源层20与左右的第一极21和第二极22之间交叠区域的宽度均为3.4微米，区别仅在于方式6中垂直距离f的值为2.9微米，方式7中则为2.0微米，此时，TFT对应的Ion值分别为1.01微安以及0.9微安。

方式8与方式1类似，区别仅在于方式8中栅极金属台12与数据线之间处于半交叠状态，对应的Ion值为1.04微安。方式9同样与方式1类似，区别仅在于方式9中的半透过区域的形状为“I”字形，即相较于“工”字形的区域来说，其上下两侧与栅极金属台12之间重合部分的长度较短，此时对应的Ion值为1.04微安。

图6为图5所示的十种实施方式在无光照情况下的TFT转移特征曲线(TransferCurve)，基于图6可知，半导体区域30的边缘与栅极金属台12边缘之间的垂直距离f为2.9微米和3.9微米时的TFT特性相当，而f为2.0微米时，半导体区域30受光照影响明显，导致TFT性能下降。另外，在其他尺寸相同的情况下，半透过区域的具体形状基本不会对TFT性能产生影响，但是在栅极金属台12与数据线处于极限交叠时，半透过区域呈“半工”字形，此时对TFT性能影响较大。

进一步地，随着栅极金属台12与数据线交叠面积的增加，半导体区域30的宽度W会发生一定变化，在本实施例中，可以认为半导体区域30与第一极21之间交界的宽度为W1，半导体区域30与第二极22之间交界的宽度为W2，在设计TFT结构的过程中，默认W1与W2相同，而在实际工艺实现时，形成的W1和W2之间通常会有偏差，此时在计算半导体区域30的参数时可将其宽度W设置为W1和W2的平均值，即W＝(W1+W2)/2,。在相同的工艺条件下，TFT的Ion值由W/L决定，在L值一致的情况下，W1和W2则决定了Ion值的大小，基于图5所示的十种实现方式可知，栅极金属台12与数据线之间交叠面积增加时，W2的值会随之增加，从而是Ion值不断提升。

与此同时，在W/L相同的情况下，像素的开口率大小取决于栅极金属台12与数据线之间交叠面积，交叠面积越大，需要给第二极22预留的空间越小，则开口率越大。

基于图2至图6以及上述验证说明可知，在半导体区域30的边缘与栅极金属台12边缘之间的垂直距离f大于2.9微米的情况下，本实施例所提供的TFT像素结构可以达到与6mask产品相当的显示效果，并且在栅极金属台与数据线完全交叠的情况下，可以提升开口率，以达到更好的显示效果。

本公开第二实施例提供了一种第一实施例的TFT像素结构的制作方法，其流程图如图7所示，主要包括以下步骤：

S1，在基板上制作栅极层；其中，栅极层至少包括延第一方向延伸的栅线以及与栅线垂直设置的栅极金属台，并且栅极金属台与栅线连通；

S2，在栅极金属台远离基板的一侧制作绝缘层；

S3，在绝缘层远离栅极金属台一侧基于光掩模工艺同时制作有源层、第一极和第二极；其中，有源层与栅极金属台以及与栅极金属台连通的栅线部分重叠，第一极和第二极的延伸方向与栅线的延伸方向一致，第一极和第二极分别设置在有源层的两侧，并且有源层与第一极和第二极之间均存在重叠部分，第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域；

S4，在第一极远离绝缘层一侧制作第一金属层；第一金属层与第一极搭接；

S5，在第一金属层远离第一极一侧制作第二金属层。

具体地，对于源层、第一极和第二极，其主要通过HTM工艺，基于其可以实现不同的透光程度，直接进行2层图案的刻蚀，进而省略了一次曝光、刻蚀和清洗的步骤，节省了相应材料的消耗，在保证像素显示素质的前提下，极大地节约了原材成本和工厂产能。

需要注意的是，栅极层、绝缘层、第一金属层以及第二金属层的制备方法均可以直接使用现有技术中的方法，本实施例在此不进行赘述。

在一些实施例中，基于本实施例所提供的制作方法所制作出的TFT像素结构中，第一极与第一金属层之间的搭接面积大于第一预设值。

在一些实施例中，基于本实施例所提供的制作方法所制作出的TFT像素结构中，第二极与当前像素的数据线连通，第一极的边缘与当前像素的相邻像素的数据线之间的垂直距离大于第二预设值。

在一些实施例中，基于本实施例所提供的制作方法所制作出的TFT像素结构中，半导体区域边缘与其最接近的栅极金属台边缘之间的垂直距离大于或等于第三预设值。

在一些实施例中，基于本实施例所提供的制作方法所制作出的TFT像素结构中，栅极金属台与当前像素的数据线之间具有重叠区域，当前像素的开口率大小与重叠区域的面积之间成正比。在第二极与数据线完全重合，半导体区域靠近数据线一侧的边缘与数据线边缘重合的情况下，当前像素的开口率最大。

在一些实施例中，基于本实施例所提供的制作方法所制作出的TFT像素结构中，有源层未与第一极和第二极重合的区域形状为“工”字型。

本公开的第三实施例提供了一种显示面板，该显示面板基于多个第一实施例所提供的TFT像素结构组成，并且多个TFT像素结构之间按照阵列方式排布，其具体排布方式以及数据线或其他必要元件的设置方式可以参考现有技术中像素的设置，本实施例不进行详细赘述。

本实施例所提供的显示面板在制作时可省略一次曝光、刻蚀和清洗的步骤，实现相应材料的节省，在保证像素显示素质的前提下，极大地节约了原材成本和工厂产能。

本公开的第四实施例提供了一种电子设备，该电子设备具有第三实施例所述的显示面板，其具体可以为电视、电脑、手机等任何需要进行操作内容显示的设备，通过使用第三实施例所述的显示面板，在保证像素显示素质的前提下，极大地节约了原材成本和工厂产能。

以上对本公开多个实施例进行了详细说明，但本公开不限于这些具体的实施例，本领域技术人员在本公开构思的基础上，能够做出多种变型和修改实施例，这些变型和修改都应落入本公开所要求保护的范围之内。

Claims (9)

1.一种TFT像素结构，其特征在于，包括：

基板；

设置在基板上的栅极层，其中，所述栅极层至少包括延第一方向延伸的栅线以及与所述栅线垂直设置的栅极金属台，并且所述栅极金属台与所述栅线连通；

设置在所述栅极金属台远离所述栅极层一侧的绝缘层；

设置在所述绝缘层远离所述栅极金属台一侧的有源层、第一极以及第二极，所述第一极和所述第二极设置在所述有源层远离所述绝缘层的一侧，其中，所述有源层与所述栅极金属台以及与所述栅极金属台连通的栅线部分重叠，所述第一极和所述第二极的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述第一极和所述第二极分别设置在所述有源层的两侧，并且所述有源层与所述第一极和所述第二极之间均存在重叠部分，所述第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域；所述半导体区域边缘与其最接近的栅极金属台边缘之间的垂直距离大于或等于第三预设值；

设置在所述第一极远离所述绝缘层一侧的第一金属层，所述第一金属层与所述第一极搭接；

设置在所述第一金属层远离所述第一极一侧的第二金属层。

2.根据权利要求1所述的TFT像素结构，其特征在于，所述第一极与所述第一金属层之间的搭接面积大于第一预设值。

3.根据权利要求1所述的TFT像素结构，其特征在于，所述第二极与当前像素的数据线连通，所述第一极的边缘与当前像素的相邻像素的数据线之间的垂直距离大于第二预设值。

4.根据权利要求1所述的TFT像素结构，其特征在于，所述栅极金属台与当前像素的数据线之间具有重叠区域，所述当前像素的开口率大小与所述重叠区域的面积之间成正比。

5.根据权利要求4所述的TFT像素结构，其特征在于，在所述第二极与所述数据线完全重合，所述半导体区域靠近所述数据线一侧的边缘与所述数据线边缘重合的情况下，所述当前像素的开口率最大。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的TFT像素结构，其特征在于，所述有源层未与所述第一极和所述第二极重合的区域形状为“工”字型。

7.一种权利要求1至6中任一项所述的TFT像素结构的制作方法，其特征在于，至少包括：

在基板上制作栅极层，其中，所述栅极层至少包括延第一方向延伸的栅线以及与所述栅线垂直设置的栅极金属台，并且所述栅极金属台与所述栅线连通；

在所述栅极金属台远离所述基板的一侧制作绝缘层；

在所述绝缘层远离所述栅极金属台一侧基于光掩模工艺同时制作有源层、第一极和第二极，其中，所述有源层与所述栅极金属台以及与所述栅极金属台连通的栅线部分重叠，所述第一极和所述第二极的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述第一极和所述第二极分别设置在所述有源层的两侧，并且所述有源层与所述第一极和所述第二极之间均存在重叠部分，所述第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域；所述半导体区域边缘与其最接近的栅极金属台边缘之间的垂直距离大于或等于第三预设值；

在所述第一极远离所述绝缘层一侧制作第一金属层，所述第一金属层与所述第一极搭接；

在所述第一金属层远离所述第一极一侧制作第二金属层。

8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板基于多个权利要求1至6中任一项所述的TFT像素结构组成，并且所述多个TFT像素结构之间按照阵列方式排布。

9.一种电子设备，其特征在于，至少包括权利要求8所述的显示面板。