CN113909177A - 一种半导体硅片双面清洗设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体生产设备技术领域,且公开了一种半导体硅片双面清洗设备,包括底座,所述底座的顶部固定安装有支撑架,所述底座的内部掏空设置,所述底座的内部设置有转动杆,所述转动杆的左右两端分别与底座的左右两侧壁转动设置。该半导体硅片双面清洗设备,将半导体硅片通过固定槽放置到两个清洗盘之间时,在半导体硅片侧面挤压力的作用下会使清洗夹杆发生转动,进而可以对半导体硅片进行夹紧固定防止在清洗时对其表面造成伤害,同时,半导体硅片在进入到清洗盘之间时,其半导体硅片的外表面会在清洗杆上面滑动,进而利用此状态可以对半导体硅片进行预清理,进而提高该装置的清洗效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体生产设备技术领域,具体为一种半导体硅片双面清洗设备。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
伴随集成电路制造工艺的不断进步,半导体器件的体积正变得越来越小,因此,清洗技术也变得越来越重要,但是,现有的清洗设备基本上都是单片式单面清洗,在清洗时,存在需要人工介入工作较多,存在清洗效率和自动化程度较低的问题,所以需要一种半导体清洗设备。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体硅片双面清洗设备,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种半导体硅片双面清洗设备,包括底座,所述底座的顶部固定安装有支撑架,所述底座的内部掏空设置,所述底座的内部设置有转动杆,所述转动杆的左右两端分别与底座的左右两侧壁转动设置,所述支撑架的左右两侧壁上设置有气体管,两个所述气体管分别转动贯穿支撑架的两侧壁并延伸至外侧,左侧所述气体管的延伸部固定连接有电机。
优选的,两个所述气体管延伸部的外表面与转动杆的外表面之间套设有皮带,所述底座顶部外表面的左右两侧开设有放置槽,两个所述皮带远离气体管的一端分别设置在两个放置槽的内部,所述支撑架远离底座顶部的一端固定连接有清洗管,所述清洗管的左右两侧分别设置有清洗喷头,所述底座的顶部中轴处固定连接有两个清洗盘,两个所述清洗盘之间形成一个固定槽。
优选的,所述清洗盘的左右两侧外壁上分别铰接有若干个清洗夹杆,若干个所述清洗夹杆远离清洗盘的一端分别转动设置有若干个清洗杆,所述清洗夹杆把清洗杆设置成上长下短。
优选的,两个所述气体管的外表面分别铰接有若干个弧形离心杆,若干个所述弧形离心杆远离气体管外表面的一端分别固定连接有若干个弧形清洗增强杆,每两个所述清洗杆之间设置一个弧形清洗增强杆。
优选的,若干个所述弧形离心杆的外表面分别固定连接有弧形拉杆,若干个所述弧形拉杆远离弧形离心杆外表面的一端固定连接有活塞杆,所述活塞杆设置在气体管的内部。
优选的,所述活塞杆滑动贯穿气体管的侧壁并延伸至外侧,若干个所述弧形拉杆分别与活塞杆的延伸部外表面固定连接。
优选的,所述活塞杆远离弧形拉杆的一端固定连接有挤压板,所述挤压板滑动设置在气体管的内部,所述气体管远离挤压板的一端侧壁上分别开设有若干个气体孔。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
(1)、该半导体硅片双面清洗设备,将半导体硅片通过固定槽放置到两个清洗盘之间时,在半导体硅片侧面挤压力的作用下会使清洗夹杆发生转动,进而可以对半导体硅片进行夹紧固定防止在清洗时对其表面造成伤害,同时,半导体硅片在进入到清洗盘之间时,其半导体硅片的外表面会在清洗杆上面滑动,进而利用此状态可以对半导体硅片进行预清理,进而提高该装置的清洗效果。
(2)、该半导体硅片双面清洗设备,通过该装置的设置,可以将清洗用的水沿着半导体硅片的顶部向其底部进行移动,进而可以增大水与半导体硅片的接触面积,以此增强该装置的清洗效果。
(3)、该半导体硅片双面清洗设备,气体管在电机的带动下会发生转动,进而产生的离心力会带动弧形离心杆向外侧发生移动,移动的弧形离心杆会带动弧形清洗增强杆沿着半导体硅片的表面移动,进而达到增强其清洗效果的目的,同时,弧形清洗增强杆在向外移动的同时进行旋转,进而在旋转力的作用下可以撞击清洗杆,使清洗杆发生旋转,进而减少了与半导体硅片的摩擦力,便于该装置的清洗,提高了该装置的清洗效果。
(4)、该半导体硅片双面清洗设备,由于将清洗杆设置成上长下短,这样可以使清洗杆在转动时可以撞击到弧形清洗增强杆,进而使弧形清洗增强杆在撞击力的作用下可以沿着半导体硅片的表面进行反复移动,以此增强了该装置的清洗效果。
(5)、该半导体硅片双面清洗设备,弧形离心杆的向外移动,进而会带动弧形拉杆拉动活塞杆在气体管内部移动,活塞杆的移动会带动挤压板对气体管内部的气体进行挤压,受到挤压的气体会通过气体孔对半导体硅片的表面进行吹气处理,进而可以减少灰尘与半导体硅片表面的接触面积,同时在气流的作用下可以使水流在半导体硅片的外表面进行扩散,以此可以增大水流与半导体硅片的接触面积,增强该装置的清洗效果。
附图说明
图1为本发明整体结构示意图;
图2为本发明整体结构剖视图;
图3为本发明图2中A的放大图;
图4为本发明清洗夹杆整体结构示意图;
图5为本发明弧形清洗增强杆整体结构示意图。
图中:1、底座;11、支撑架;12、转动杆;13、放置槽;2、气体管;21、电机;22、皮带;3、清洗管;31、清洗喷头;32、清洗盘;33、固定槽;4、清洗夹杆;41、清洗杆;5、弧形离心杆;51、弧形清洗增强杆;6、弧形拉杆;61、活塞杆;7、挤压板;71、气体孔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5,本发明提供一种技术方案:一种半导体硅片双面清洗设备,包括底座1,这样设置的目的是为了便于对整个装置进行支撑,底座1的顶部固定安装有支撑架11,这样设置的目的是为了便于设置清洗管3,底座1的内部掏空设置,这样设置的目的是为了便于设置内部结构,底座1的内部设置有转动杆12,这样设置的目的是为了便于设置转动杆12,转动杆12的左右两端分别与底座1的左右两侧壁转动设置,这样设置的目的是为了便于转动杆12的转动,支撑架11的左右两侧壁上设置有气体管2,这样设置的目的是为了便于设置气体管2,两个气体管2分别转动贯穿支撑架11的两侧壁并延伸至外侧,这样设置的目的是为了便于气体管2的转动,左侧气体管2的延伸部固定连接有电机21,这样设置的目的是为了便于提供外接动力。
优选的,在本实施例中,为了便于气体管2的转动,两个气体管2延伸部的外表面与转动杆12的外表面之间套设有皮带22,这样设置的目的是为了便于设置皮带22,底座1顶部外表面的左右两侧开设有放置槽13,这样设置的目的是为了便于皮带22的转动,两个皮带22远离气体管2的一端分别设置在两个放置槽13的内部,这样设置的目的是为了便于放置皮带22,支撑架11远离底座1顶部的一端固定连接有清洗管3,这样设置的目的是为了便于设置清洗管3,清洗管3的左右两侧分别设置有清洗喷头31,这样设置的目的是为了便于喷水,底座1的顶部中轴处固定连接有两个清洗盘32,这样设置的目的是为了便于设置清洗盘32,两个清洗盘32之间形成一个固定槽33,这样设置的目的是为了便于放置物料。
优选的,在本实施例中,为了便于对物料进行固定,清洗盘32的左右两侧外壁上分别铰接有若干个清洗夹杆4,这样设置的目的是为了便于设置清洗夹杆4,若干个清洗夹杆4远离清洗盘32的一端分别转动设置有若干个清洗杆41,这样设置的目的是为了便于设置清洗杆41,清洗夹杆4把清洗杆41设置成上长下短,这样设置的目的是为了便于清洗杆41的转动。
优选的,在本实施例中,为了便于利用气体管2转动时产生的离心力,两个气体管2的外表面分别铰接有若干个弧形离心杆5,这样设置的目的是为了便于设置弧形离心杆5,若干个弧形离心杆5远离气体管2外表面的一端分别固定连接有若干个弧形清洗增强杆51,这样设置的目的是为了便于设置弧形清洗增强杆51,每两个清洗杆41之间设置一个弧形清洗增强杆51,这样设置的目的是为了便于弧形清洗增强杆51的快速复位。
优选的,在本实施例中,为了便于对气体管2内部的气体进行挤压,若干个弧形离心杆5的外表面分别固定连接有弧形拉杆6,这样设置的目的是为了便于设置弧形拉杆6,若干个弧形拉杆6远离弧形离心杆5外表面的一端固定连接有活塞杆61,这样设置的目的是为了便于设置活塞杆61,活塞杆61设置在气体管2的内部,这样设置的目的是为了便于对气体管2内部的气体进行挤压。
优选的,在本实施例中,为了便于对气体进行挤压,活塞杆61滑动贯穿气体管2的侧壁并延伸至外侧,这样设置的目的是为了便于活塞杆61的移动,若干个弧形拉杆6分别与活塞杆61的延伸部外表面固定连接,这样设置的目的是为了便于对活塞杆61进行拉动。
优选的,在本实施例中,为了便于气体的排出,活塞杆61远离弧形拉杆6的一端固定连接有挤压板7,这样设置的目的是为了便于设置挤压板7,挤压板7滑动设置在气体管2的内部,这样设置的目的是为了便于对气体管2内部的气体进行挤压,气体管2远离挤压板7的一端侧壁上分别开设有若干个气体孔71,这样设置的目的是为了便于气体的排出。
工作原理:
当需要对半导体硅片进行清洗时,工作人员可以将半导体硅片放置在固定槽33的内部,启动电机21,电机21的启动会带动气体管2发生转动,进而在皮带22的作用下使左右两个气体管2发生联动,在将半导体硅片通过固定槽33放置到两个清洗盘32之间时,在半导体硅片侧面挤压力的作用下会使清洗夹杆4发生转动,进而可以对半导体硅片进行夹紧固定防止在清洗时对其表面造成伤害,同时,半导体硅片在进入到清洗盘32之间时,其半导体硅片的外表面会在清洗杆41上面滑动,进而利用此状态可以对半导体硅片进行预清理,进而提高该装置的清洗效果,其次,通过该装置的设置,可以将清洗用的水沿着半导体硅片的顶部向其底部进行移动,进而可以增大水与半导体硅片的接触面积,以此增强该装置的清洗效果。
同时,气体管2在电机21的带动下会发生转动,进而产生的离心力会带动弧形离心杆5向外侧发生移动,移动的弧形离心杆5会带动弧形清洗增强杆51沿着半导体硅片的表面移动,进而达到增强其清洗效果的目的,同时,弧形清洗增强杆51在向外移动的同时进行旋转,进而在旋转力的作用下可以撞击清洗杆41,使清洗杆41发生旋转,进而减少了与半导体硅片的摩擦力,便于该装置的清洗,提高了该装置的清洗效果,其次,由于将清洗杆41设置成上长下短,这样可以使清洗杆41在转动时可以撞击到弧形清洗增强杆51,进而使弧形清洗增强杆51在撞击力的作用下可以沿着半导体硅片的表面进行反复移动,以此增强了该装置的清洗效果,最后,弧形离心杆5的向外移动,进而会带动弧形拉杆6拉动活塞杆61在气体管2内部移动,活塞杆61的移动会带动挤压板7对气体管2内部的气体进行挤压,受到挤压的气体会通过气体孔71对半导体硅片的表面进行吹气处理,进而可以减少灰尘与半导体硅片表面的接触面积,同时在气流的作用下可以使水流在半导体硅片的外表面进行扩散,以此可以增大水流与半导体硅片的接触面积,增强该装置的清洗效果。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (7)
1.一种半导体硅片双面清洗设备,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)的顶部固定安装有支撑架(11),所述底座(1)的内部掏空设置,所述底座(1)的内部设置有转动杆(12),所述转动杆(12)的左右两端分别与底座(1)的左右两侧壁转动设置,所述支撑架(11)的左右两侧壁上设置有气体管(2),两个所述气体管(2)分别转动贯穿支撑架(11)的两侧壁并延伸至外侧,左侧所述气体管(2)的延伸部固定连接有电机(21)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体硅片双面清洗设备,其特征在于:两个所述气体管(2)延伸部的外表面与转动杆(12)的外表面之间套设有皮带(22),所述底座(1)顶部外表面的左右两侧开设有放置槽(13),两个所述皮带(22)远离气体管(2)的一端分别设置在两个放置槽(13)的内部,所述支撑架(11)远离底座(1)顶部的一端固定连接有清洗管(3),所述清洗管(3)的左右两侧分别设置有清洗喷头(31),所述底座(1)的顶部中轴处固定连接有两个清洗盘(32),两个所述清洗盘(32)之间形成一个固定槽(33)。
3.根据权利要求2所述的一种半导体硅片双面清洗设备,其特征在于:所述清洗盘(32)的左右两侧外壁上分别铰接有若干个清洗夹杆(4),若干个所述清洗夹杆(4)远离清洗盘(32)的一端分别转动设置有若干个清洗杆(41),所述清洗夹杆(4)把清洗杆(41)设置成上长下短。
4.根据权利要求3所述的一种半导体硅片双面清洗设备,其特征在于:两个所述气体管(2)的外表面分别铰接有若干个弧形离心杆(5),若干个所述弧形离心杆(5)远离气体管(2)外表面的一端分别固定连接有若干个弧形清洗增强杆(51),每两个所述清洗杆(41)之间设置一个弧形清洗增强杆(51)。
5.根据权利要求4所述的一种半导体硅片双面清洗设备,其特征在于:若干个所述弧形离心杆(5)的外表面分别固定连接有弧形拉杆(6),若干个所述弧形拉杆(6)远离弧形离心杆(5)外表面的一端固定连接有活塞杆(61),所述活塞杆(61)设置在气体管(2)的内部。
6.根据权利要求5所述的一种半导体硅片双面清洗设备,其特征在于:所述活塞杆(61)滑动贯穿气体管(2)的侧壁并延伸至外侧,若干个所述弧形拉杆(6)分别与活塞杆(61)的延伸部外表面固定连接。
7.根据权利要求6所述的一种半导体硅片双面清洗设备,其特征在于:所述活塞杆(61)远离弧形拉杆(6)的一端固定连接有挤压板(7),所述挤压板(7)滑动设置在气体管(2)的内部,所述气体管(2)远离挤压板(7)的一端侧壁上分别开设有若干个气体孔(71)。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220111 |
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