CN113905317B - 抗射频干扰的麦克风 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及麦克风技术领域，尤其涉及一种抗射频干扰的麦克风，包括一基板，所述基板上设置，一声学换能器；一集成电路芯片，所述集成电路芯片的底部设置一第一电路板，所述第一电路板通过表面贴装方式安装于所述基板上，所述集成电路芯片的顶部设置一第二电路板，所述第二电路板上设有多个连接点，每一所述连接点与所述声学换能器的对应端口通过绑定金线连接，每一所述连接点通过垂直设置于所述基板上的导电柱与所述集成电路芯片底部的焊盘对应连接。本发明的集成电路芯片的连接端口减少了绑定金线的数量，能够最大程度减少射频干扰。

Description

抗射频干扰的麦克风
技术领域
本发明涉及麦克风技术领域，尤其涉及一种抗射频干扰的麦克风。
背景技术
MEMS麦克风的抗射频干扰能力直接影响着产品的性能，现有的一种改进方案是在印制电路板内埋设电容，实现抗射频干扰，然而埋设电容占到整个MEMS麦克风成本的30％，提高了产品成本，而且，埋设电容的两个极板间距不能太近，因此这种结构的麦克风的抗射频能力有限。
发明内容
针对上述问题，本发明提出了一种抗射频干扰的麦克风。
抗射频干扰的麦克风，包括一基板，所述基板上设置，
一声学换能器；
一集成电路芯片，所述集成电路芯片的底部设置一第一电路板，所述第一电路板通过表面贴装方式安装于所述基板上，所述集成电路芯片的顶部设置一第二电路板，所述第二电路板上设有多个连接点，每一所述连接点与所述声学换能器的对应端口通过绑定金线连接，每一所述连接点通过垂直设置于所述基板上的导电柱与所述集成电路芯片底部的焊盘对应连接。
本发明所述的抗射频干扰的麦克风，所述第一电路板的厚度为0.1mm。
本发明所述的抗射频干扰的麦克风，所述声学换能器的厚度为0.45mm。
本发明所述的抗射频干扰的麦克风，所述集成电路芯片的厚度为0.25mm。
本发明所述的抗射频干扰的麦克风，所述导电柱为导电铜柱。
本发明所述的抗射频干扰的麦克风，所述集成电路芯片的左侧设置一第三电路板，所述集成电路芯片的右侧设置一第四电路板，所述第三电路板、所述第四电路板与所述第一电路板和所述第二电路板包覆所述集成电路芯片。
本发明所述的抗射频干扰的麦克风，所述第三电路板和所述第四电路板中分别设有所述导电柱。
本发明所述的抗射频干扰的麦克风，所述基板上设有盖体，所述基板与所述盖体构成一声学腔体，所述声学腔体内设置所述声学换能器和所述集成电路芯片，一声学通孔设置于所述基板或所述盖体上。
本发明所述的抗射频干扰的麦克风，所述集成电路芯片设有半导体工艺制备的滤波电路。
本发明还提供一种电子设备，包括上述的抗射频干扰的麦克风。
有益效果：本发明的集成电路芯片通过顶部设置的第二电路板以绑定金线方式与声学换能器的对应端口连接，通过底部的第一电路板以表面贴装方式安装于基板上，集成电路芯片的连接端口减少了绑定金线的数量，能够最大程度减少射频干扰。
附图说明
图1为本发明抗射频干扰的麦克风结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
参考图1，抗射频干扰的麦克风，包括一基板1，基板1上设置，一声学换能器2；
一集成电路芯片3，集成电路芯片3的底部设置一第一电路板31，第一电路板31通过表面贴装方式安装于基板1上，集成电路芯片3的顶部设置一第二电路板32，第二电路板32上设有多个连接点，每一连接点与声学换能器2的对应端口通过绑定金线4连接，每一连接点通过垂直设置于基板1上的导电柱与集成电路芯片3底部的焊盘对应连接。
本发明的集成电路芯片3通过顶部设置的第二电路板32以绑定金线方式与声学换能器2的对应端口连接，通过底部的第一电路板31以表面贴装方式安装于基板1上，集成电路芯片3的连接端口减少了绑定金线的数量，能够最大程度减少感性器件的影响，减少射频干扰。
本发明的抗射频干扰的麦克风，导电柱为导电铜柱。
本发明的抗射频干扰的麦克风，集成电路芯片3的左侧设置一第三电路板33，集成电路芯片3的右侧设置一第四电路板34。第三电路板33、第四电路板34与第一电路板31和第二电路板32包覆集成电路芯片3。
本发明的抗射频干扰的麦克风，第三电路板33和第四电路板34中分别设有导电柱。
本发明的抗射频干扰的麦克风，基板1上设有盖体5，基板1与盖体5构成一声学腔体，声学腔体内设置声学换能器2和集成电路芯片3，一声学通孔设置于基板1或盖体5上。
本发明的抗射频干扰的麦克风，第一电路板和第二电路板的厚度分别为0.1mm。
本发明的抗射频干扰的麦克风，集成电路芯片的厚度为0.25mm。
本发明的抗射频干扰的麦克风，声学换能器的厚度为0.45mm。
上述的结构设置在保证射频干扰滤波性能的同时，并没有增加麦克风的体积，而且降低了成本。
本发明的抗射频干扰的麦克风，集成电路芯片3设有半导体工艺制备的滤波电路，射频干扰信号可以不受感性器件的影响，通过集成电路内部的半导体工艺制备的滤波电路实现射频干扰信号的滤波，具有更好的射频滤波效果，提高了可信赖性。
本发明还提供一种电子设备，包括上述的抗射频干扰的麦克风。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (10)

1.抗射频干扰的麦克风，其特征在于，包括一基板，所述基板上设置，
一声学换能器；
一集成电路芯片，所述集成电路芯片的底部设置一第一电路板，所述第一电路板通过表面贴装方式安装于所述基板上，所述集成电路芯片的顶部设置一第二电路板，所述第二电路板上设有多个连接点，每一所述连接点与所述声学换能器的对应端口通过绑定金线连接，每一所述连接点通过垂直设置于所述基板上的导电柱与所述集成电路芯片底部的焊盘对应连接。
2.根据权利要求1所述的抗射频干扰的麦克风，其特征在于，所述第一电路板的厚度为0.1mm。
3.根据权利要求1所述的抗射频干扰的麦克风，其特征在于，所述声学换能器的厚度为0.45mm。
4.根据权利要求1所述的抗射频干扰的麦克风，其特征在于，所述集成电路芯片的厚度为0.25mm。
5.根据权利要求1所述的抗射频干扰的麦克风，其特征在于，所述导电柱为导电铜柱。
6.根据权利要求1所述的抗射频干扰的麦克风，其特征在于，所述集成电路芯片的左侧设置一第三电路板，所述集成电路芯片的右侧设置一第四电路板，所述第三电路板、所述第四电路板与所述第一电路板和所述第二电路板包覆所述集成电路芯片。
7.根据权利要求6所述的抗射频干扰的麦克风，其特征在于，所述第三电路板和所述第四电路板中分别设有所述导电柱。
8.根据权利要求1所述的抗射频干扰的麦克风，其特征在于，所述基板上设有盖体，所述基板与所述盖体构成一声学腔体，所述声学腔体内设置所述声学换能器和所述集成电路芯片，一声学通孔设置于所述基板或所述盖体上。
9.根据权利要求1所述的抗射频干扰的麦克风，其特征在于，所述集成电路芯片设有半导体工艺制备的滤波电路。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至9任意一项所述的抗射频干扰的麦克风。
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