CN113897682A - 一种多晶硅洗选加工设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多晶硅洗选加工设备,包括底座,所述底座上安装有壳体,所述壳体的内壁上开设有均匀分布的竖槽,所述壳体的内壁开设有滑槽,所述竖槽的端部与滑槽连通。本发明中,壳体内的电机输出端伸入到圆块的卡槽内,由于卡槽为多边形结构,电机的输出端同为多边形结构,因此电机的输出端在旋转的过程中对带动圆块一同旋转,使得卡杆会一同旋转,卡杆端部固定连接的方块与扇形块上开设的方孔卡合,因此扇形块随之旋转,扇形块能够在旋转中将圆盘上的多晶硅颗粒扫入到组合槽内,较为方便,组合槽由于形状各异,能够满足不同的加工需求,使得多晶硅颗粒在壳体内加工,多晶硅颗粒在互相组合形成一块整体,便于后续的使用。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅技术领域,尤其涉及一种多晶硅洗选加工设备。
背景技术
多晶硅,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅,多晶硅有灰色金属光泽,溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应,高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,几乎能与任何材料作用。具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。
由于多晶硅由单质硅组合而成,因此多晶硅在形成中失去限制会导致形成后的形态各异,随后才可对其进行加工,使其变化成所需的形状,无形中增加了加工的步骤,因此需要对加工设备进行改进,使其能够按照所需的形状进行组合,减少后续加工的步骤。
发明内容
本发明的目的在于:为了解决上述问题,而提出的一种多晶硅洗选加工设备。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种多晶硅洗选加工设备,包括底座,所述底座上安装有壳体,所述壳体的内壁上开设有均匀分布的竖槽,所述壳体的内壁开设有滑槽,所述竖槽的端部与滑槽连通,所述壳体的内部设有圆盘,所述圆盘上开设有组合槽,所述组合槽的底部开设有贯穿圆盘的细孔,所述圆盘的侧壁上固定连接有均匀分布的侧块,所述侧块与竖槽以及滑槽滑动连接,所述圆盘的中心位置铰接有圆块,所述壳体内设有电机确定圆块旋转,所述圆块上开设有卡槽,所述圆盘上滑动连接有扇形块,所述扇形块对称分布,且扇形块的中间开设有套槽,所述套槽套设在圆块上,所述扇形块上开设有对称分布的方孔,所述卡槽内卡合有卡杆,所述卡杆的两端固定连接有方块,所述方块与方孔卡合,所述方块上开设有凹陷的弧形槽,所述圆盘上固定连接有对称分布的竖杆,所述竖杆上开设有连接槽,所述连接槽内滑动连接有连接杆,所述连接杆的端部固定连接有抵块,所述抵块的底部固定连接有圆环,所述圆环与弧形槽滑动连接,所述抵块的中间位置开设有通槽,所述通槽套设在卡杆上,所述连接杆上套设有弹簧一,所述弹簧一的一端与抵块焊接,另一端抵接竖杆,所述连接杆上开设有限位孔,所述限位孔在连接杆上均匀分布有多个,所述竖杆上设有对连接杆限位的限位件。
优选地,所述限位件包括拉杆,所述拉杆的两端滑连接有滑杆,所述滑杆的端部上固定连接有突出的凸块,所述滑杆上套设有弹簧二,所述弹簧二的一端与拉杆焊接,另一端与凸块焊接,所述滑杆的端部伸入到限位孔内。
优选地,所述拉杆为方形,拉杆的边缘打磨光滑,且拉杆的表面开设有螺旋状防滑纹,防滑纹具有多个端点,防滑纹具有底壁,防滑纹各个端点处的底壁高度相异,防滑纹中相邻的两个端点之间,其一端较高,另一端较低。
优选地,所述滑槽内与侧块上设有对应的电磁铁,所述滑槽内电磁铁由电性控制,电磁铁在滑槽内均匀圆周分布有多个,侧块上电磁铁位于侧块的下表面,滑槽内壁光滑。
优选地,所述卡杆上固定连接有挡块,所述挡块为圆片形,挡块的下表面与扇形块的上表面滑动连接。
优选地,所述竖杆形成半个“口”字形,且竖杆的中间位置上开设有凹陷的凹槽,所述凹槽的内壁光滑,凹槽的内壁上围绕有弹性的橡胶圈,橡胶圈为氟橡胶材质制成,且橡胶圈的表面设有防腐蚀层。
优选地,所述圆盘的内壁光滑且设有防腐蚀层,防腐蚀层为混合金属的镀锌层,镀锌层使得圆盘同时具备防腐与耐磨特性。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
1、本申请通过壳体内的电机输出端伸入到圆块的卡槽内,由于卡槽为多边形结构,电机的输出端同为多边形结构,因此电机的输出端在旋转的过程中对带动圆块一同旋转,使得卡杆会一同旋转,卡杆端部固定连接的方块与扇形块上开设的方孔卡合,因此扇形块随之旋转,扇形块能够在旋转中将圆盘上的多晶硅颗粒扫入到组合槽内,较为方便,组合槽由于形状各异,能够满足不同的加工需求,使得多晶硅颗粒在壳体内加工,多晶硅颗粒在互相组合形成一块整体,便于后续的使用。
2、本申请通过圆盘侧壁上固定连接的侧块伸入到竖槽内时,随着竖槽一直滑落到底部,竖槽的底部连接的圆形滑槽能够使得侧块在旋转中伸入到滑槽内,由于滑槽内电磁铁由电性控制,电磁铁在滑槽内均匀圆周分布有多个,侧块上电磁铁位于侧块的下表面,在电磁铁的作用下,侧块移动到合适位置时,电磁铁在电的作用下对侧块的位置进行限制,使得侧块无法移动,因此圆盘的位置也随之一同被限制,扇形块在旋转中对圆盘上多晶硅颗粒进行作用时,扇形块无法带动圆盘出现旋转的现象,因此扇形块的工作效率更为高效。
3、本申请通过在弹簧一的作用下,抵块自行移动从而靠近扇形块,直到卡杆伸入到通槽内,此时圆环伸入到方块上开设的弧形槽内,由于圆环与弧形槽的形状相适应,因此卡杆在旋转中不会受到圆环的阻挡,从而出现降速的现象,反而在圆环的作用下,能够使得卡杆以及扇形块无法脱离圆盘,因此扇形块能够稳定的发挥作用,而且扇形块能够根据实际的需要进行更换,较为方便,可操作的空间更大,便于工作人员进行操作。
4、本申请通过拉杆的端部伸入到连接杆上开设的限位孔内,能够调节连接杆在竖直方向上位置,从而改变圆环的作用位置,使得圆环能够在竖直方向上变化,从而将不同高度的方块进行限位,较为方便有效,在弹簧二的作用下,滑杆能够自行移动从而相互远离,伸入到限位孔内,滑杆伸入到限位孔内时,凸块与连接杆的侧壁抵接,在凸块与滑杆的作用下,使得连接杆的位置被限制,因此连接杆无法脱离连接槽,在重力的作用下拉杆伸入到凹槽内,凹槽的内壁光滑,凹槽的内壁上围绕有弹性的橡胶圈,橡胶圈为氟橡胶材质制成,且橡胶圈的表面设有防腐蚀层,所以凹槽与拉杆接触时不会轻易的出现损坏的现象。
附图说明
图1示出了根据本发明实施例提供的多晶硅洗选加工设备整体结构示意图;
图2示出了根据本发明实施例提供的多晶硅洗选加工设备各结构分离示意图;
图3示出了根据本发明实施例提供的A结构放大示意图。
图例说明:
1、底座;2、壳体;3、竖槽;4、滑槽;5、圆盘;6、组合槽;7、细孔;8、侧块;9、圆块;10、卡槽;11、扇形块;12、套槽;13、方孔;14、卡杆;15、挡块;16、方块;17、弧形槽;18、竖杆;19、凹槽;20、连接槽;21、连接杆;22、抵块;23、圆环;24、通槽;25、弹簧一;26、限位孔;27、拉杆;28、滑杆;29、弹簧二;30、凸块。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-3,本发明提供一种技术方案:
一种多晶硅洗选加工设备,包括底座1,底座1上安装有壳体2,壳体2的内壁上开设有均匀分布的竖槽3,壳体2的内壁开设有滑槽4,竖槽3的端部与滑槽4连通,壳体2的内部设有圆盘5,圆盘5上开设有组合槽6,组合槽6的底部开设有贯穿圆盘5的细孔7,圆盘5的侧壁上固定连接有均匀分布的侧块8,侧块8与竖槽3以及滑槽4滑动连接,圆盘5的中心位置铰接有圆块9,壳体2内设有电机确定圆块9旋转,圆块9上开设有卡槽10,圆盘5上滑动连接有扇形块11,扇形块11对称分布,且扇形块11的中间开设有套槽12,套槽12套设在圆块9上,扇形块11上开设有对称分布的方孔13,卡槽10内卡合有卡杆14,卡杆14上固定连接有挡块15,挡块15为圆片形,挡块15的下表面与扇形块11的上表面滑动连接,卡杆14的两端固定连接有方块16,方块16与方孔13卡合,方块16上开设有凹陷的弧形槽17,圆盘5上固定连接有对称分布的竖杆18,竖杆18形成半个“口”字形,且竖杆18的中间位置上开设有凹陷的凹槽19,凹槽19的内壁光滑,凹槽19的内壁上围绕有弹性的橡胶圈,橡胶圈为氟橡胶材质制成,且橡胶圈的表面设有防腐蚀层,竖杆18上开设有连接槽20,连接槽20内滑动连接有连接杆21,连接杆21的端部固定连接有抵块22,抵块22的底部固定连接有圆环23,圆环23与弧形槽17滑动连接,抵块22的中间位置开设有通槽24,通槽24套设在卡杆14上,连接杆21上套设有弹簧一25,弹簧一25的一端与抵块22焊接,另一端抵接竖杆18,连接杆21上开设有限位孔26,限位孔26在连接杆21上均匀分布有多个,竖杆18上设有对连接杆21限位的限位件。
限位件包括拉杆27,拉杆27为方形,拉杆27的边缘打磨光滑,且拉杆27的表面开设有螺旋状防滑纹,防滑纹具有多个端点,防滑纹具有底壁,防滑纹各个端点处的底壁高度相异,防滑纹中相邻的两个端点之间,其一端较高,另一端较低,拉杆27的两端滑连接有滑杆28,滑杆28的端部上固定连接有突出的凸块30,滑杆28上套设有弹簧二29,弹簧二29的一端与拉杆27焊接,另一端与凸块30焊接,滑杆28的端部伸入到限位孔26内。
滑槽4内与侧块8上设有对应的电磁铁,滑槽4内电磁铁由电性控制,电磁铁在滑槽4内均匀圆周分布有多个,侧块8上电磁铁位于侧块8的下表面,滑槽4内壁光滑。
圆盘5的内壁光滑且设有防腐蚀层,防腐蚀层为混合金属的镀锌层,镀锌层使得圆盘5同时具备防腐与耐磨特性。
综上所述,本实施例所提供的圆盘5侧壁上固定连接的侧块8伸入到竖槽3内时,随着竖槽3一直滑落到底部,竖槽3的底部连接的滑槽4能够使得侧块8在旋转中伸入到滑槽4内,由于滑槽内4电磁铁由电性控制,电磁铁在滑槽4内均匀圆周分布有多个,侧块8上电磁铁位于侧块8的下表面,在电磁铁的作用下,侧块8移动到合适位置时,电磁铁在电的作用下对侧块8的位置进行限制,使得侧块8无法移动,因此圆盘5的位置也随之一同被限制,扇形块11在旋转中对圆盘5上多晶硅颗粒进行作用时,扇形块11无法带动圆盘5出现旋转的现象,将扇形块11上开设的套槽12套在圆块9上,随后将卡杆14伸入到卡槽10内,此时方块16伸入到扇形块11上开设的方孔13内,拉杆27的端部伸入到连接杆21上开设的限位孔26内,能够调节连接杆21在竖直方向上位置,从而改变圆环23的作用位置,使得圆环23能够在竖直方向上变化,从而将不同高度的方块16进行限位,较为方便有效,在弹簧二29的作用下,滑杆28能够自行移动从而相互远离,伸入到限位孔26内,滑杆28伸入到限位孔内26时,凸块30与连接杆21的侧壁抵接,在凸块30与滑杆28的作用下,使得连接杆21的位置被限制,因此连接杆21无法脱离连接槽20,在弹簧一25的作用下,抵块22自行移动从而靠近扇形块11,直到卡杆14伸入到通槽24内,此时圆环23伸入到方块16上开设的弧形槽17内,由于圆环23与弧形槽17的形状相适应,因此卡杆14在旋转中不会受到圆环23的阻挡,从而出现降速的现象,反而在圆环23的作用下,能够使得卡杆14以及扇形块11无法脱离圆盘5,因此扇形块11能够稳定的发挥作用,壳体2内的电机输出端伸入到圆块9的卡槽10内,由于卡槽10为多边形结构,电机的输出端同为多边形结构,因此电机的输出端在旋转的过程中对带动圆块9一同旋转,使得卡杆14会一同旋转,卡杆14端部固定连接的方块16与扇形块11上开设的方孔13卡合,因此扇形块11随之旋转,扇形块11能够在旋转中将圆盘5上的多晶硅颗粒扫入到组合槽6内,组合槽6由于形状各异,能够满足不同的加工需求,使得多晶硅颗粒在壳体2内加工,多晶硅颗粒在互相组合形成一块整体,便于后续的使用。
实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种多晶硅洗选加工设备,包括底座(1),其特征在于,所述底座(1)上安装有壳体(2),所述壳体(2)的内壁上开设有均匀分布的竖槽(3),所述壳体(2)的内壁开设有滑槽(4),所述竖槽(3)的端部与滑槽(4)连通,所述壳体(2)的内部设有圆盘(5),所述圆盘(5)上开设有组合槽(6),所述组合槽(6)的底部开设有贯穿圆盘(5)的细孔(7),所述圆盘(5)的侧壁上固定连接有均匀分布的侧块(8),所述侧块(8)与竖槽(3)以及滑槽(4)滑动连接,所述圆盘(5)的中心位置铰接有圆块(9),所述壳体(2)内设有电机确定圆块(9)旋转,所述圆块(9)上开设有卡槽(10),所述圆盘(5)上滑动连接有扇形块(11),所述扇形块(11)对称分布,且扇形块(11)的中间开设有套槽(12),所述套槽(12)套设在圆块(9)上,所述扇形块(11)上开设有对称分布的方孔(13),所述卡槽(10)内卡合有卡杆(14),所述卡杆(14)的两端固定连接有方块(16),所述方块(16)与方孔(13)卡合,所述方块(16)上开设有凹陷的弧形槽(17),所述圆盘(5)上固定连接有对称分布的竖杆(18),所述竖杆(18)上开设有连接槽(20),所述连接槽(20)内滑动连接有连接杆(21),所述连接杆(21)的端部固定连接有抵块(22),所述抵块(22)的底部固定连接有圆环(23),所述圆环(23)与弧形槽(17)滑动连接,所述抵块(22)的中间位置开设有通槽(24),所述通槽(24)套设在卡杆(14)上,所述连接杆(21)上套设有弹簧一(25),所述弹簧一(25)的一端与抵块(22)焊接,另一端抵接竖杆(18),所述连接杆(21)上开设有限位孔(26),所述限位孔(26)在连接杆(21)上均匀分布有多个,所述竖杆(18)上设有对连接杆(21)限位的限位件。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅洗选加工设备,其特征在于,所述限位件包括拉杆(27),所述拉杆(27)的两端滑连接有滑杆(28),所述滑杆(28)的端部上固定连接有突出的凸块(30),所述滑杆(28)上套设有弹簧二(29),所述弹簧二(29)的一端与拉杆(27)焊接,另一端与凸块(30)焊接,所述滑杆(28)的端部伸入到限位孔(26)内。
3.根据权利要求2所述的一种多晶硅洗选加工设备,其特征在于,所述拉杆(27)为方形,拉杆(27)的边缘打磨光滑,且拉杆(27)的表面开设有螺旋状防滑纹,防滑纹具有多个端点,防滑纹具有底壁,防滑纹各个端点处的底壁高度相异。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅洗选加工设备,其特征在于,所述滑槽(4)内与侧块(8)上设有对应的电磁铁,所述滑槽(4)内电磁铁由电性控制,电磁铁在滑槽(4)内均匀圆周分布有多个,侧块(8)上电磁铁位于侧块(8)的下表面,滑槽(4)内壁光滑。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅洗选加工设备,其特征在于,所述卡杆(14)上固定连接有挡块(15),所述挡块(15)为圆片形,挡块(15)的下表面与扇形块(11)的上表面滑动连接。
6.根据权利要求1所述的一种多晶硅洗选加工设备,其特征在于,所述竖杆(18)形成半个“口”字形,且竖杆(18)的中间位置上开设有凹陷的凹槽(19),所述凹槽(19)的内壁光滑,凹槽(19)的内壁上围绕有弹性的橡胶圈,橡胶圈为氟橡胶材质制成,且橡胶圈的表面设有防腐蚀层。
7.根据权利要求1所述的一种多晶硅洗选加工设备,其特征在于,所述圆盘(5)的内壁光滑且设有防腐蚀层,防腐蚀层为混合金属的镀锌层,镀锌层使得圆盘(5)同时具备防腐与耐磨特性。
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CN115191766A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-10-18 | 雨生家具有限公司 | 一种多功能医疗用品存放柜 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101370969A (zh) * | 2006-01-20 | 2009-02-18 | Bp北美公司 | 制造几何多晶铸硅的方法和装置及用于光电池的几何多晶铸硅实体 |
KR20140018460A (ko) * | 2012-07-23 | 2014-02-13 | (주)기술과가치 | 입자형 다결정실리콘 제조장치 |
CN207478968U (zh) * | 2017-11-09 | 2018-06-12 | 江西大杰新能源技术有限公司 | 一种多晶硅块料分选装置 |
US20180185882A1 (en) * | 2015-06-19 | 2018-07-05 | Siltronic Ag | Screen plate for screening plants for mechanical classification of polysilicon |
CN108772206A (zh) * | 2018-06-19 | 2018-11-09 | 利辛县风雅颂机电科技有限公司 | 一种高精度分离精矿的浮选机 |
-
2021
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101370969A (zh) * | 2006-01-20 | 2009-02-18 | Bp北美公司 | 制造几何多晶铸硅的方法和装置及用于光电池的几何多晶铸硅实体 |
KR20140018460A (ko) * | 2012-07-23 | 2014-02-13 | (주)기술과가치 | 입자형 다결정실리콘 제조장치 |
US20180185882A1 (en) * | 2015-06-19 | 2018-07-05 | Siltronic Ag | Screen plate for screening plants for mechanical classification of polysilicon |
CN207478968U (zh) * | 2017-11-09 | 2018-06-12 | 江西大杰新能源技术有限公司 | 一种多晶硅块料分选装置 |
CN108772206A (zh) * | 2018-06-19 | 2018-11-09 | 利辛县风雅颂机电科技有限公司 | 一种高精度分离精矿的浮选机 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115191766A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-10-18 | 雨生家具有限公司 | 一种多功能医疗用品存放柜 |
CN115191766B (zh) * | 2022-05-16 | 2024-04-26 | 雨生家具有限公司 | 一种多功能医疗用品存放柜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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