CN113897649A - 一种结合tsv电镀前处理工艺方法 - Google Patents

一种结合tsv电镀前处理工艺方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113897649A
CN113897649A CN202111146863.6A CN202111146863A CN113897649A CN 113897649 A CN113897649 A CN 113897649A CN 202111146863 A CN202111146863 A CN 202111146863A CN 113897649 A CN113897649 A CN 113897649A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sample wafer
electroplating
tsv
solution
washing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111146863.6A
Other languages
English (en)
Inventor
史蒂文·贺·汪
刘立安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xinyang Guimi Shanghai Semiconductor Technology Co ltd
Original Assignee
Xinyang Guimi Shanghai Semiconductor Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xinyang Guimi Shanghai Semiconductor Technology Co ltd filed Critical Xinyang Guimi Shanghai Semiconductor Technology Co ltd
Priority to CN202111146863.6A priority Critical patent/CN113897649A/zh
Publication of CN113897649A publication Critical patent/CN113897649A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C23G1/10—Other heavy metals
    • C23G1/103—Other heavy metals copper or alloys of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20—Other heavy metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H01L21/76879—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

本发明提供了一种结合TSV电镀前处理工艺方法，包括如下步骤：S10、碱性处理：将样片浸泡于碱性溶液中以去除表面油污，碱性处理完成后，水洗样片表面；S20、酸性处理：将样片浸泡于酸性溶液中以去除表面氧化层，酸性处理完成后，水洗样片表面。本发明中，碱性处理步骤能有效去除样片表面油污，且使样片表面与酸性电镀液间更加贴合；酸性处理步骤能有效去除样片表面氧化层，从而避免晶圆片电镀中由于氧化引起的电镀缺陷问题，减少晶圆片的报废，通过碱性处理步骤和酸性处理步骤的结合，保证样片种子层的导电性，有利于后续电镀工艺的顺利进行，特别是对于一些不能及时进行电镀工艺或存放时间较长的样片来说，极大提升了电镀产品的良率。

Description

一种结合TSV电镀前处理工艺方法
技术领域
本发明涉及微电子封装技术领域，具体地，涉及一种结合TSV电镀前处理工艺方法。
背景技术
硅通孔技术(Through Silicon Via，简称“TSV”)是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。TSV开发工艺包括在晶圆上通过刻蚀、激光钻孔等方式制作垂直导通孔，然后在导通孔内制作绝缘层、阻挡层和种子层沉积、填充金属、化学机械抛光、减薄以及随后的晶圆键合步骤。
在集成电路行业中，传统的线路材料一般为铝，但是随着集成电路工艺尺寸的减小，铝的高电阻缺点逐渐体现出来。铜因其有着良好的导电性而逐渐替代了铝被应用于高度集成电路的线路材料。如图1和图2所示分别为现有的种子层结构和铜互连结构的示意图，铜互连结构在制备时，首先采用PVD(Physical Vapour Deposition，物理气相沉积)工艺沉积阻挡层，然后采用PVD工艺沉积一层铜种子层作为后续化学电镀工艺的阴极，最后再采用电镀工艺填充互连图形。
现有技术中，随着硅通孔的深宽比(Aspect Ratio)越来越大，利用PVD工艺制作种子层的难度越来越大。比如，当深宽比>5:1时，PVD方式生成的种子层在硅通孔内连续性就会变差，甚至在接近TSV底部的侧壁处发生中断。
种子层的缺陷将影响后续的沟槽填充技术，沟槽填充技术是3D集成的关键技术，也是难度较大的一个环节，其填充效果直接关系到集成技术的可靠性和良率等问题，而高的可靠性和良率对于3D TSV堆叠集成实用化是至关重要的。但由于种子层的缺陷导致沟槽内每个地方的Cu离子浓度不一致，在填充过程中容易导致未填满就出现封口的情况。为解决该问题，现有技术在进行填充电镀时，电镀液中常需添加加速剂，整平剂，抑制剂等添加剂，以期达到理想的填充效果。
此外，铜在空气中的稳定性较差，很容易在大气中氧化并受到水气侵蚀。倘若生产、运输及储存过程时间过长或是保护不当，亦容易造成Cu种子层氧化等缺陷，而Cu种子层的缺陷将导致后续电镀填孔过程中孔洞缺陷的形成，而且在有缺陷的种子层上电镀也会引起电镀金属层均匀性不好，结合力差等一系列问题。
针对此问题，目前现有的改善工艺主要集中在种子层制备过程中的优化改善，针对已经制备好的种子层的缺陷，还没有好的修复方法。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种结合TSV电镀前处理工艺方法，以解决现有技术存在的由于铜种子层表面缺陷(如油污、氧化等)而引起的电镀缺陷问题。
根据本发明提供的结合TSV电镀前处理工艺方法，包括如下步骤：
S10、碱性处理：将样片浸泡于碱性溶液中以去除表面油污，碱性处理完成后，水洗样片表面；
S20、酸性处理：将样片浸泡于酸性溶液中以去除表面氧化层，酸性处理完成后，水洗样片表面。
本技术方案为电镀填孔前的前处理工序，其中，步骤S10即碱性处理步骤能够有效去除样片表面的油污，且使样片表面与酸性电镀液之间更加贴合；步骤S20即酸性处理步骤能够有效去除样片表面的氧化层，从而避免晶圆片电镀中的由于氧化问题引起的电镀缺陷问题，减少晶圆片的报废。本技术方案通过步骤S10和步骤S20的结合，保证样片种子层的导电性，有利于后续电镀工艺的顺利进行，特别是对于一些不能及时进行电镀工艺或存放时间较长的样片来说，极大的提升了电镀产品的良率。
优选地，步骤S10中，所述碱性溶液为KOH溶液或NaOH溶液；所述碱性溶液的PH值介于7～13之间。
本技术方案所使用的碱性溶液采用KOH溶液或NaOH溶液，KOH溶液或NaOH溶液能够有效去除样片表面的油污，且这两种溶液无毒无害，可重复利用，生产过程易于控制，操作方便，节约成本。
优选地，步骤S10中，将样片浸泡于碱性溶液中2～5分钟。
本技术方案中，将样片置于碱性溶液中处理2～5分钟，能够保证样片表面的油污被充分去除，从而提高工艺质量。
优选地，步骤S20中，所述酸性溶液为0.3％～5％的硫酸和双氧水的混合液。
本技术方案中，所使用的酸性溶液采用硫酸和双氧水，硫酸和双氧水能够有效去除样片表面的氧化层，且这两种溶液无毒无害，可重复利用，生产过程易于控制，操作方便，节约成本。此处须说明的是，所谓0.3％～5％的硫酸和双氧水的混合液，指将0.3％～5％的硫酸和0.3％～5％的双氧水等比配合所得，如将5％的硫酸与5％的双氧水混合获得5％的硫酸和双氧水的混合液。
优选地，步骤S20中，将样片浸泡于酸性溶液中0.1～2分钟。
本技术方案中，将样片浸泡于酸性溶液中0.1～2分钟，一方面，样片表面的氧化层并不厚，因此处理0.1～2分钟即可保证氧化层被去除，另一方面，将时间控制在0.1～2分钟内，也可提高工艺效率。
优选地，步骤S10和/或步骤S20在真空条件下进行。
本技术方案中，真空条件可以抽出样片沟槽中的空气，有利于碱性溶液和酸性溶液进入其中，从而达到碱性溶液、酸性溶液与样片种子层表面均充分接触的目的。
优选地，步骤S20之后，在电镀前保持样片种子层的沟槽内填充有液体。
本技术方案中，在电镀前保持样片种子层的沟槽内填充有液体，则可避免后续电镀时药液无法进入沟槽中的问题产生。
优选地，步骤S10中，碱性处理完成后，采用去离子水对样片进行浸泡冲洗操作20～60S、冲洗操作20～120S；重复浸泡冲洗操作和冲洗操作2～5次；和/或，
步骤S20中，酸性处理完成后，采用去离子水对样片进行浸泡冲洗操作20～60S、冲洗操作20～120S；重复浸泡冲洗操作和冲洗操作2～5次。
本技术方案中，通过多次清洗以达到充分清洗样片表面的目的，从而保证种子层的沟槽内无残留碱性溶液或酸性溶液，避免引起交叉感染。
优选地，步骤S20后，还包括步骤S30、清洗：超声清洗样片0.1～3分钟。
本技术方案中，通过步骤S30，保证样片表面无沾污，并能隔绝空气防止氧化。此步骤为可选项，技术人员可通过实际需要选择是否采用该步骤。
优选地，步骤S20和步骤S30之间的时间间隔不超过3分钟。
本技术方案中，由于样片表面的氧化层较薄，步骤S20酸性处理完毕后，在3分钟内即进行步骤S30，可避免因时间过长导致的二次氧化问题。
优选地，步骤S30之后，在电镀前保持样片种子层的沟槽内填充有液体。
本技术方案中，超声清洗后的样片表面不可吹干，从而保证样片种子层的沟槽内填充有液体，避免后续电镀时药液无法进入沟槽的问题。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
1、本发明提供的结合TSV电镀前处理工艺方法，碱性处理步骤能够有效去除样片表面的油污，且使样片表面与酸性电镀液之间更加贴合；酸性处理步骤能够有效去除样片表面的氧化层，从而避免晶圆片电镀中的由于氧化问题引起的电镀缺陷问题，减少晶圆片的报废。
2、本发明提供的结合TSV电镀前处理工艺方法，通过碱性处理步骤和酸性处理步骤的结合，保证样片种子层的导电性，有利于后续电镀工艺的顺利进行，特别是对于一些不能及时进行电镀工艺或存放时间较长的样片来说，极大的提升了电镀产品的良率。
3、本发明提供的结合TSV电镀前处理工艺方法，工艺操作非常简单，工艺窗口较大，可选用KOH溶液、NaOH溶液、硫酸、双氧水等无毒无害的溶液进行碱性处理工作和酸性处理工作，易于控制，且节约成本。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为现有技术中在阻挡层表面沉积铜种子层的结构示意图；
图2为现有技术中铜互连结构的结构示意图；
图3为第一实施例的流程示意图；
图4为第二实施例的流程示意图；
图5为第三实施例的流程示意图；
图6为第四实施例的流程示意图；
图7为第五实施例的流程示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
第一实施例：
如图3所示，本实施例提供一种结合TSV电镀前处理工艺方法，包括如下步骤：
S10、碱性处理：将样片浸泡于碱性溶液中以去除表面油污，碱性处理完成后，水洗样片表面；
S20、酸性处理：将样片浸泡于酸性溶液中以去除表面氧化层，酸性处理完成后，水洗样片表面。
在上述步骤中，步骤S10即碱性处理步骤能够有效去除样片表面的油污，且使样片表面与酸性电镀液之间更加贴合；步骤S20即酸性处理步骤能够有效去除样片表面的氧化层，从而避免晶圆片电镀中的由于氧化问题引起的电镀缺陷问题，减少晶圆片的报废。本实施例通过步骤S10和步骤S20的结合，保证样片种子层的导电性，有利于后续电镀工艺的顺利进行，特别是对于一些不能及时进行电镀工艺或存放时间较长的样片来说，极大的提升了电镀产品的良率。
作为优选地，步骤S10中，将样片浸泡于碱性溶液中2～5分钟，以充分去除样片表面的油污。当然，技术人员也可根据实际工艺情况适当延长碱性处理的时间，以达到彻底去油、去污的目的。此外，步骤S20中，将样片浸泡于酸性溶液中0.1～2分钟。一方面，由于样片表面的氧化层并不厚，因此处理0.1～2分钟即可保证氧化层被去除，另一方面，将时间控制在0.1～2分钟内，也可提高工艺效率，提升设备利用率。
第二实施例：
如图4所示，本实施例提供一种结合TSV电镀前处理工艺方法，包括如下步骤：
S10、碱性处理：将样片浸泡于碱性溶液中以去除表面油污，碱性溶液为KOH溶液或NaOH溶液，碱性溶液的PH值介于7～13之间，碱性处理完成后，水洗样片表面；
S20、酸性处理：将样片浸泡于酸性溶液中以去除表面氧化层，酸性溶液为0.3％～5％的硫酸和双氧水的混合液，酸性处理完成后，水洗样片表面。
本实施例与第一实施例的重要区别在于，本实施例具体限定了所使用的碱性溶液为KOH溶液或NaOH溶液，酸性溶液为硫酸和双氧水的混合液，其中，KOH溶液或NaOH溶液能够有效去除样片表面的油污，硫酸和双氧水的混合液能够有效去除样片表面的氧化层，且无论是KOH溶液、NaOH溶液，还是硫酸和双氧水的混合液，均无毒无害，可重复利用，并且生产过程易于控制，操作方便，节约成本。此处值得说明的是，本实施例所谓0.3％～5％的硫酸和双氧水的混合液，是指将0.3％～5％的硫酸和0.3％～5％的双氧水等比配合所得，如将5％的硫酸与5％的双氧水混合获得5％的硫酸和双氧水的混合液；将0.35％的硫酸和0.35％的双氧水混合获得0.35％的硫酸和双氧水的混合液。
第三实施例：
如图5所示，本实施例提供一种结合TSV电镀前处理工艺方法，包括如下步骤：
S10、碱性处理：在真空条件下，将样片浸泡于碱性溶液中以去除表面油污，碱性处理完成后，水洗样片表面；
S20、酸性处理：在真空条件下，将样片浸泡于酸性溶液中以去除表面氧化层，酸性处理完成后，水洗样片表面。
本实施例与第一实施例的区别在于，本实施例限定了在真空条件下进行碱性处理和酸性处理步骤，由此所具有的有益效果是，真空条件可以抽出样片沟槽中的空气，从而有利于碱性溶液和酸性溶液进入其中，从而达到碱性溶液、酸性溶液与样片种子层所有表面均充分接触的目的。此外，作为优选地，为避免后续电镀时药液无法进入沟槽中，在电镀以前，不可吹干样片表面，而是保持样片种子层的沟槽内填充有液体。
第四实施例：
如图6所示，本实施例提供一种结合TSV电镀前处理工艺方法，包括如下步骤：
S10、碱性处理：将样片浸泡于碱性溶液中以去除表面油污，碱性处理完成后，采用去离子水对样片进行浸泡冲洗操作20～60S、冲洗操作20～120S，重复浸泡冲洗操作和冲洗操作2～5次；
S20、酸性处理：将样片浸泡于酸性溶液中以去除表面氧化层，酸性处理完成后，采用去离子水对样片进行浸泡冲洗操作20～60S、冲洗操作20～120S；重复浸泡冲洗操作和冲洗操作2～5次。
本实施例与第一实施例的区别在于，本实施例具体限定了碱性处理和酸性处理完毕后，水洗样片表面的流程和时间。通过本实施例所述清洗流程，可有效去除样片表面及样片种子层沟槽内的碱性溶液和酸性溶液，从而避免溶液之间的交叉污染。
第五实施例：
如图7所示，本实施例提供一种结合TSV电镀前处理工艺方法，包括如下步骤：
S10、碱性处理：将样片浸泡于碱性溶液中以去除表面油污，碱性处理完成后，水洗样片表面；
S20、酸性处理：将样片浸泡于酸性溶液中以去除表面氧化层，酸性处理完成后，水洗样片表面；
S30、清洗：超声清洗样片0.1～3分钟。
本实施例与第一实施例的区别在于，本实施例增加了步骤S30，即在酸性处理步骤完成后，对样片进行超声清洗，由此能够保证样片表面无沾污，并能隔绝空气防止氧化。该步骤处理完毕后，样片可用于进行后续的电镀工艺。作为优选地，为避免后续电镀时药液无法进入沟槽中，在电镀以前，不可吹干样片表面，而是保持样片种子层的沟槽内填充有液体。此外，作为优选地，步骤S20和步骤S30之间的时间间隔不超过3分钟，这一方面是出于提高效率考虑，另一方面，由于样片表面的氧化层较薄，步骤S20酸性处理完毕后，在3分钟内即进行步骤S30，可避免因时间过长导致的二次氧化问题。
以上对本发明的具体实施例进行了描述，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。

Claims (11)

1.一种结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
S10、碱性处理：将样片浸泡于碱性溶液中以去除表面油污，碱性处理完成后，水洗样片表面；
S20、酸性处理：将样片浸泡于酸性溶液中以去除表面氧化层，酸性处理完成后，水洗样片表面。
2.根据权利要求1所述的结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，步骤S10中，所述碱性溶液为KOH溶液或NaOH溶液；所述碱性溶液的PH值介于7～13之间。
3.根据权利要求1所述的结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，步骤S10中，将样片浸泡于碱性溶液中2～5分钟。
4.根据权利要求1所述的结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，步骤S20中，所述酸性溶液为0.3％～5％的硫酸和双氧水的混合液。
5.根据权利要求1所述的结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，步骤S20中，将样片浸泡于酸性溶液中0.1～2分钟。
6.根据权利要求1所述的结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，步骤S10和/或步骤S20在真空条件下进行。
7.根据权利要求1所述的结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，步骤S20之后，在电镀前保持样片种子层的沟槽内填充有液体。
8.根据权利要求1所述的结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，步骤S10中，碱性处理完成后，采用去离子水对样片进行浸泡冲洗操作20～60S、冲洗操作20～120S；重复浸泡冲洗操作和冲洗操作2～5次；和/或，
步骤S20中，酸性处理完成后，采用去离子水对样片进行浸泡冲洗操作20～60S、冲洗操作20～120S；重复浸泡冲洗操作和冲洗操作2～5次。
9.根据权利要求1所述的结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，步骤S20后，还包括步骤S30、清洗：超声清洗样片0.1～3分钟。
10.根据权利要求9所述的结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，步骤S20和步骤S30之间的时间间隔不超过3分钟。
11.根据权利要求9所述的结合TSV电镀前处理工艺方法，其特征在于，步骤S30之后，在电镀前保持样片种子层的沟槽内填充有液体。
CN202111146863.6A 2021-09-29 2021-09-29 一种结合tsv电镀前处理工艺方法 Pending CN113897649A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111146863.6A CN113897649A (zh) 2021-09-29 2021-09-29 一种结合tsv电镀前处理工艺方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111146863.6A CN113897649A (zh) 2021-09-29 2021-09-29 一种结合tsv电镀前处理工艺方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113897649A true CN113897649A (zh) 2022-01-07

Family

ID=79189092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111146863.6A Pending CN113897649A (zh) 2021-09-29 2021-09-29 一种结合tsv电镀前处理工艺方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113897649A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6395164B1 (en) * 1999-10-07 2002-05-28 International Business Machines Corporation Copper seed layer repair technique using electroless touch-up
TW200716794A (en) * 2005-07-29 2007-05-01 Applied Materials Inc Integrated electroless deposition system
CN102560496A (zh) * 2010-12-09 2012-07-11 北大方正集团有限公司 种子层的蚀刻方法
CN110724981A (zh) * 2019-10-10 2020-01-24 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种全纳米孪晶组织结构的铜薄膜材料的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6395164B1 (en) * 1999-10-07 2002-05-28 International Business Machines Corporation Copper seed layer repair technique using electroless touch-up
TW200716794A (en) * 2005-07-29 2007-05-01 Applied Materials Inc Integrated electroless deposition system
CN102560496A (zh) * 2010-12-09 2012-07-11 北大方正集团有限公司 种子层的蚀刻方法
CN110724981A (zh) * 2019-10-10 2020-01-24 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种全纳米孪晶组织结构的铜薄膜材料的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
杨昕 等: "采用盲孔填充技术制备金属微电极阵列", 《科学技术与工程》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6423200B1 (en) Copper interconnect seed layer treatment methods and apparatuses for treating the same
US20180182665A1 (en) Processed Substrate
US7989347B2 (en) Process for filling recessed features in a dielectric substrate
US20030062068A1 (en) Method of and system for cleaning a semiconductor wafer simultaneously using electrolytically ionized water and diluted hydrofluoric acid
KR20160135771A (ko) 전기화학적 도금 방법들
JP2006283072A (ja) マイクロビアやスルーホールをめっきする方法
EP2580375B1 (en) Copper-electroplating composition and process for filling a cavity in a semiconductor substrate using this composition
US20030186544A1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
CN113881993A (zh) 一种可优化电镀填孔能力的工艺方法
CN113066758B (zh) Tgv深孔填充方法
CN113897649A (zh) 一种结合tsv电镀前处理工艺方法
CN107346731B (zh) 一种减少铜膜厚度的方法
US20050109627A1 (en) Methods and chemistry for providing initial conformal electrochemical deposition of copper in sub-micron features
CN103726085A (zh) 深孔电镀的预处理方法
Koo et al. Electrochemical process for 3D TSV without CMP and lithographic processes
CN103182384B (zh) 一种对焊盘表面进行清洗的方法
Netzband et al. Wet atomic layer etching of copper structures for highly scaled copper hybrid bonding and fully aligned vias
CN112435961A (zh) 晶圆失效分析中的样品处理方法
KR101436553B1 (ko) 실리콘 관통 비아 구조를 가진 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN103117220B (zh) 超级结牺牲氧化层的去除方法
US7256120B2 (en) Method to eliminate plating copper defect
TWI774645B (zh) Ｔｓｖ結構的平坦化裝置
KR100800925B1 (ko) 구리 도금 공정에서의 애노드 세정장치 및 방법
Li et al. Effect of different pretreatments on through silicon via copper filling
TWI221315B (en) New method to improve the performance of electroplating

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20220107

RJ01 Rejection of invention patent application after publication