CN113892182B - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板(100)和显示装置，该显示面板(100)包括：基板(SUB)，基板(SUB)包括：显示区(DA)、外围区(PA)和焊盘区(WA)，焊盘区(WA)位于所述外围区(PA)远离显示区(DA)的一侧；至少一个阻挡物(10)，阻挡物(10)位于外围区(PA)中且环绕显示区(DA)，阻挡物(10)包括位于显示区(DA)与焊盘区(WA)之间的单侧阻挡结构；有机绝缘结构(20)，有机绝缘结构(20)包括层叠设置的多个子绝缘结构(21)，子绝缘结构(21)的一部分位于显示区(DA)，每个子绝缘结构(21)具有位于显示区(DA)与单侧阻挡结构之间的第一边界(E1)，对于任意相邻的两个子绝缘结构(21)，远离基板(SUB)一侧的所述子绝缘结构(21)的第一边界(E1)比靠近基板(SUB)一侧的子绝缘结构(21)的第一边界更靠近显示区(DA)；任意相邻两个子绝缘结构(21)的第一边界(E1)之间的间距大于或等于20μm；触控电极图形；触控信号线(TL)。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示技术的发展，OLED显示装置得到广泛应用。为了满足用户对于产品厚度及触控体验的需求，在一种生产工艺中，将触控功能层制作在OLED显示面板的封装层上。
发明内容
本公开实施例提供一种显示面板和显示装置。
根据本公开的第一方面，提供一种显示面板，包括：
基板，包括显示区、外围区和焊盘区，所述外围区环绕所述显示区，所述焊盘区位于所述外围区远离所述显示区的一侧；
至少一个阻挡物，设置在所述基板上，所述阻挡物位于所述外围区中且环绕所述显示区，所述阻挡物包括位于所述显示区与所述焊盘区之间的单侧阻挡结构；
有机绝缘结构，设置在所述基板上，所述有机绝缘结构包括层叠设置的多个子绝缘结构，所述多个子绝缘结构中的每个子绝缘结构的一部分位于所述显示区，所述多个子绝缘结构中的每个子绝缘结构具有位于所述显示区与所述单侧阻挡结构之间的第一边界，其中，对于任意相邻的两个所述子绝缘结构，远离所述基板一侧的所述子绝缘结构的第一边界比靠近所述基板一侧的所述子绝缘结构的第一边界更靠近所述显示区；任意相邻两个所述子绝缘结构的第一边界之间的间距大于或等于20μm；
触控电极图形，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧；
触控信号线，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧，所述触控信号线的一端与所述触控电极图形电连接，另一端连接至所述焊盘区，所述触控信号线在所述外围区的部分在所述基板上的正投影与每个所述子绝缘结构的第一边界相交。
在一些实施例中，任意相邻两个所述子绝缘结构的第一边界之间的间距在25μm～60μm之间。
在一些实施例中，所述有机绝缘结构的多个所述子绝缘结构包括：
第一平坦化层，设置在所述基板上；
第二平坦化层，位于所述第一平坦化层远离所述基板的一侧；
像素界定层，位于所述第二平坦化层远离所述基板的一侧。
在一些实施例中，所述子绝缘结构的第一边界与所述单侧阻挡结构之间具有间隔。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：封装层，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧；其中，所述触控电极图形和所述触控信号线均位于所述封装层远离所述基板的一侧。
在一些实施例中，所述封装层包括：
第一无机封装层；
第二无机封装层，位于所述第一无机封装层远离所述基板的一侧；
有机封装层，位于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间。
在一些实施例中，所述有机绝缘结构与所述单侧阻挡结构之间形成凹槽，所述封装层在所述基板上的正投影同时覆盖所述有机绝缘结构在所述基板上的正投影、所述凹槽在所述基板上的正投影和所述单侧阻挡结构在所述基板上的正投影，所述单侧阻挡结构位于所述基板与所述封装层之间。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：触控绝缘层，设置在所述封装层远离所述基板的一侧；
所述触控电极图形包括多个触控驱动电极和多个触控感应电极，所述触控驱动电极与触控感应电极交叉设置，所述触控驱动电极与所述触控感应电极交叉处被所述触控绝缘层绝缘间隔开，每个所述触控驱动电极和每个所述触控感应电极均对应连接一条所述触控信号线。
在一些实施例中，所述触控驱动电极包括：沿第一方向排列的多个驱动电极单元、以及连接在每相邻两个所述驱动电极单元之间的连接部；
所述触控感应电极包括：沿第二方向排列的多个感应电极单元、以及连接在每相邻两个所述感应电极单元之间的桥接部；
其中，所述第一方向与所述第二方向相交叉，所述驱动电极单元、所述连接部和所述感应电极单元均位于所述触控绝缘层远离所述基板的一侧且位于同一层，所述桥接部位于所述触控绝缘层与所述封装层之间。
在一些实施例中，所述触控信号线包括第一传输部和第二传输部，所述第一传输部位于所述触控绝缘层与所述封装层之间，所述第二传输部位于所述触控绝缘层远离所述封装层的一侧，所述第二传输部通过贯穿所述触控绝缘层的过孔与所述第一传输部电连接。
在一些实施例中，所述显示区包括多个像素单元，每个像素单元中设置有发光元件，所述显示面板还包括电源线，所述电源线与所述发光元件电连接，其中，所述电源线位于所述有机绝缘结构与所述基板之间，所述电源线在所述基板上的正投影与所述第一边界在所述基板上的正投影存在交叠。
在一些实施例中，所述阻挡物包括：
第一阻挡物，位于所述外围区中且环绕所述显示区；
第二阻挡物，位于所述外围区且环绕所述第一阻挡物；
其中，所述第一阻挡物的位于所述显示区与所述焊盘区之间的部分、所述第二阻挡物的位于所述显示区与所述焊盘区之间的部分构成所述单侧阻挡结构。
在一些实施例中，所述基板为柔性基板，其还包括位于所述外围区与所述焊盘区之间的弯曲区。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：
第一缓冲层，设置在所述基板上；
半导体层，设置在所述第一缓冲层与所述第一平坦化层之间；
第一栅绝缘层，设置在所述半导体层与所述第一平坦化层之间；
第一栅电极层，设置在所述第一栅绝缘层与所述第一平坦化层之间；
第二栅绝缘层，设置在所述第一栅电极层与所述第一平坦化层之间；
第二栅电极层，设置在所述第二栅绝缘层与所述第一平坦化层之间；
层间绝缘层，设置在所述第二栅电极层与所述第一平坦化层之间；
第一源漏导电层，设置在所述层间绝缘层与所述第一平坦化层之间；
钝化层，设置在所述第一源漏导电层与所述第一平坦化层之间；
第二源漏导电层，设置在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间；
第一电极层，设置在所述第二平坦化层与所述像素界定层之间，所述第一电极层包括多个第一电极，所述像素界定层包括与所述第一电极一一对应的像素开口；
发光层，设置在所述像素开口中；
第二电极层，设置在所述发光层远离所述基板的一侧；
封装层，设置在所述发光层远离所述基板的一侧；
第二缓冲层，设置在所述封装层远离所述基板的一侧。
根据本公开的第二方面，提供一种显示面板，包括：
基板，包括：显示区、外围区和焊盘区，所述外围区环绕所述显示区，所述焊盘区位于所述外围区远离所述显示区的一侧；
至少一个阻挡物，设置在所述基板上，所述阻挡物位于所述外围区中且环绕所述显示区，所述阻挡物包括位于所述显示区与所述焊盘区之间的单侧阻挡结构；
有机绝缘结构，设置在所述基板上，所述有机绝缘结构的一部分位于所述显示区，另一部分位于所述周边区，所述有机绝缘结构具有朝向所述基板的底面、与所述底面相对的顶面、以及连接在所述底面与顶面之间且朝向所述单侧阻挡结构的第一侧面，所述第一侧面为斜坡面，所述斜坡面的坡度角在0～40°之间；
触控电极图形，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧；
触控信号线，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧，所述触控信号线的一端与所述触控电极图形电连接，另一端连接至所述焊盘区，所述触控信号线在所述外围区的部分在所述基板上的正投影穿过所述斜坡面在所述基板上的正投影。
在一些实施例中，所述斜坡面的坡度角在25°～35°之间。
在一些实施例中，所述有机绝缘结构的多个所述子绝缘结构包括：
第一平坦化层，设置在所述基板上；
第二平坦化层，位于所述第一平坦化层远离所述基板的一侧；
像素界定层，位于所述第二平坦化层远离所述基板的一侧。
在一些实施例中，所述第一侧面与所述单侧阻挡结构之间具有间隔。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：封装层，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧；
其中，所述触控电极图形和所述触控信号线均位于所述封装层远离所述基板的一侧。
在一些实施例中，所述封装层包括：
第一无机封装层；
第二无机封装层，位于所述第一无机封装层远离所述基板的一侧；
有机封装层，位于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间。
在一些实施例中，所述有机绝缘结构与所述单侧阻挡结构之间形成凹槽，所述封装层在所述基板上的正投影同时覆盖所述有机绝缘结构在所述基板上的正投影、所述凹槽在所述基板上的正投影和所述单侧阻挡结构在所述基板上的正投影，所述单侧阻挡结构位于所述基板与所述封装层之间。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：触控绝缘层，设置在所述封装层远离所述基板的一侧；
所述触控电极图形包括多个触控驱动电极和多个触控感应电极，所述触控驱动电极与触控感应电极交叉设置，所述触控驱动电极与所述触控感应电极交叉处被所述触控绝缘层绝缘间隔开，每个所述触控驱动电极和每个所述触控感应电极均对应连接一条所述触控信号线。
在一些实施例中，所述触控驱动电极包括：沿第一方向排列的多个驱动电极单元、以及连接在每相邻两个所述驱动电极单元之间的连接部；
所述触控感应电极包括：沿第二方向排列的多个感应电极单元、以及连接在每相邻两个所述感应电极单元之间的桥接部；
其中，所述第一方向与所述第二方向相交叉，所述驱动电极单元、所述连接部和所述感应电极单元均位于所述触控绝缘层远离所述基板的一侧且位于同一层，所述桥接部位于所述触控绝缘层与所述封装层之间。
在一些实施例中，所述触控信号线包括第一传输部和第二传输部，所述第一传输部位于所述触控绝缘层与所述封装层之间，所述第二传输部位于所述触控绝缘层远离所述封装层的一侧，所述第二传输部通过贯穿所述触控绝缘层的过孔与所述第一传输部电连接。
在一些实施例中，所述显示区包括多个像素单元，每个像素单元中设置有发光元件，所述显示面板还包括电源线，所述电源线与所述发光元件电连接，其中，所述电源线位于所述有机绝缘结构与所述基板之间，所述电源线在所述基板上的正投影与所述第一侧面在所述基板上的正投影存在交叠。
在一些实施例中，所述阻挡物包括：
第一阻挡物，位于所述外围区中且环绕所述显示区；
第二阻挡物，位于所述外围区且环绕所述第一阻挡物；
其中，所述第一阻挡物的位于所述显示区与所述焊盘区之间的部分、所述第二阻挡物的位于所述显示区与所述焊盘区之间的部分构成所述单侧阻挡结构。
在一些实施例中，所述基板为柔性基板，其还包括位于所述外围区与所述焊盘区之间的弯曲区。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：
第一缓冲层，设置在所述基板上；
半导体层，设置在所述第一缓冲层与所述第一平坦化层之间；
第一栅绝缘层，设置在所述半导体层与所述第一平坦化层之间；
第一栅电极层，设置在所述第一栅绝缘层与所述第一平坦化层之间；
第二栅绝缘层，设置在所述第一栅电极层与所述第一平坦化层之间；
第二栅电极层，设置在所述第二栅绝缘层与所述第一平坦化层之间；
层间绝缘层，设置在所述第二栅电极层与所述第一平坦化层之间；
第一源漏导电层，设置在所述层间绝缘层与所述第一平坦化层之间；
钝化层，设置在所述第一源漏导电层与所述第一平坦化层之间；
第二源漏导电层，设置在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间；
第一电极层，设置在所述第二平坦化层与所述像素界定层之间，所述第一电极层包括多个第一电极，所述像素界定层包括与所述第一电极一一对应的像素开口；
发光层，设置在所述像素开口中；
第二电极层，设置在所述发光层远离所述基板的一侧；
封装层，设置在所述发光层远离所述基板的一侧；
第二缓冲层，设置在所述封装层远离所述基板的一侧。
根据本公开的第三方面，提供一种显示面板，其包括：
基板，包括：显示区、外围区和焊盘区，所述外围区环绕所述显示区，所述焊盘区位于所述外围区远离所述显示区的一侧；
至少一个阻挡物，设置在所述基板上，所述阻挡物位于所述外围区中且环绕所述显示区，所述阻挡物包括位于所述显示区与所述焊盘区之间的单侧阻挡结构；
有机绝缘结构，设置在所述基板上，所述有机绝缘结构包括层叠设置的多个子绝缘结构，所述多个子绝缘结构中的每个所述子绝缘结构的一部分位于所述显示区，每个所述子绝缘结构具有位于所述显示区与所述单侧阻挡结构之间的第一边界，除了最远离所述基板的所述子绝缘结构之外，其余每个所述子绝缘结构均包括伸出部；其中，对于任意相邻的两个所述子绝缘结构，靠近所述基板的所述子绝缘结构的伸出部位于远离所述基板的所述子绝缘结构的第一边界与所述单侧阻挡结构之间；
触控电极图形，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧；
触控信号线，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧，所述触控信号线的一端与所述触控电极图形电连接，另一端连接至所述焊盘区，所述触控信号线在所述外围区的部分在所述基板上的正投影与每个所述子绝缘结构的伸出部在所述基板上的正投影存在交叠；
其中，具有所述伸出部的所述子绝缘结构通过对有机材料层采用双色调掩膜板进行图案化工艺形成，其中，在进行所述图案化工艺时，待形成所述伸出部的区域对应于所述双色调掩膜板的半透光区。
在一些实施例中，所述有机绝缘结构的多个所述子绝缘结构包括：
第一平坦化层，设置所述基板上；
第二平坦化层，位于所述第一平坦化层远离所述基板的一侧；
像素界定层，位于所述第二平坦化层远离所述基板的一侧。
根据本公开的第四方面，提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
图1为本公开的一些实施例提供的显示面板的基板的区域划分示意图。
图2为本公开的一些实施例提供的显示面板的平面示意图。
图3为图2中Q1区域的放大图。
图4为沿图3中A-A'线的剖视图。
图5为本公开的一些实施例中有机绝缘结构与单侧阻挡结构之间的凹槽的示意图。
图6为本公开的一些实施例中的像素电路的等效示意图。
图7为沿图2中B-B'线的剖视图。
图8为沿图2中D-D’线的剖视图。
图9为本公开的另一些实施例中沿图3中A-A’线的剖视图。
图10为图9中有机绝缘结构的结构示意图之一。
图11为图9中的有机绝缘结构的结构示意图之二。
图12至图14为本公开的一些实施例提供的其中一个具有伸出部的子绝缘结构的制作过程示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
这里用于描述本公开的实施例的术语并非旨在限制和/或限定本公开的范围。例如，除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。应该理解的是，本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
在下面的描述中，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
本公开实施例提供一种显示面板，其包括基板，图1为本公开的一些实施例提供的显示面板的基板的区域划分示意图，如图1所示，基板SUB包括：显示区DA、外围区PA和焊盘区WA，外围区PA环绕显示区DA，焊盘区WA位于外围区PA远离显示区DA的一侧。其中，显示区DA中可以设置用于显示图像的元件，例如，像素电路、扫描线GL、数据线DL、发光元件等等。另外，显示区DA还可以设置触控电极图形，以实现触控功能。焊盘区WA位于外围区PA的远离显示区DA的其中一侧上，焊盘区WA包括多个接触垫PAD(或称焊盘)，每个接触垫PAD被配置为电连接从显示区DA或外围区PA延伸出来的信号线。例如，数据线DL可以通过数据连接线连接至接触垫。接触垫PAD可以是暴露在焊盘区WA表面的，即不被任何层覆盖，这样便于电连接到柔性印刷电路板FPCB(FlexiblePrintCircuitBoard)。柔性印刷电路板FPCB与外部控制器电连接，被配置为传输来自外部控制器的信号。接触垫PAD与各个信号线电连接，从而实现信号线与柔性印刷电路板FPCB之间相互通信。应当理解的是，图1中接触垫PAD的个数和布置方式仅为示意性说明，并不构成对接触垫PAD的限制。
图2为本公开的一些实施例提供的显示面板的平面示意图，图3为图2中Q1区域的放大图，图4为沿图3中A-A'线的剖视图，请一并参考图1至图4，该显示面板100还包括至少一个阻挡物10、有机绝缘结构20、触控电极图形和触控信号线TL。
其中，阻挡物10设置在基板SUB上，阻挡物10位于外围区PA中且环绕显示区DA。阻挡物10用于阻挡外界水汽或氧气进入显示区DA，从而防止对显示效果造成影响。阻挡物10包括位于显示区DA与外围区PA之间的单侧阻挡结构。作为一具体示例，如图2所示，阻挡部10包括第一阻挡物11和环绕第一阻挡物11的第二阻挡物12，第一阻挡物11包括位于显示区DA与外围区PA之间的第一阻挡部111，第二阻挡物12包括位于显示区DA与外围区PA之间的第四阻挡部121，此时，第一阻挡部111和第三阻挡部121构成了所述单侧阻挡结构。
有机绝缘结构20设置在基板SUB上，有机绝缘结构20包括层叠设置的多个子绝缘结构21，每个子绝缘结构21的一部分位于显示区DA，另一部分位于外围区PA，例如，子绝缘结构21在基板SUB上的正投影从显示区DA延伸至显示区DA与阻挡物10之间。每个子绝缘结构21具有第一边界E1，并且，对于任意相邻的两个子绝缘结构21，远离基板SUB一侧的子绝缘结构21的第一边界E1比靠近基板SUB一侧的子绝缘结构21的第一边界E1更靠近显示区DA，从而形成台阶状(参见图4中所示)。相邻两个子绝缘结构21的第一边界E1之间的距离d大于或等于20μm。需要说明的是，为了清楚示意各子绝缘结构21的第一边界E1之间的位置关系，图3仅对图2中的Q1区域进行放大，但应当理解的是，每个第一边界E1不仅仅是位于图2中的Q1区域，而是对应于图2中显示区DA的整个下边缘，即，第一边界E1从图2中Q区域的左端延伸至右端。相应地，有机绝缘结构20不仅在Q1区域形成图4中的台阶状形貌，在整个Q区域中也均形成台阶状形貌。
触控电极图形设置在有机绝缘结构20远离基板SUB的一侧。触控电极图形被配置为检测显示区DA中触控的发生。例如，触控电极图形包括图2中所示的触控驱动电极TX和触控感应电极TX。
触控信号线TL设置在有机绝缘结构20远离基板SUB的一侧，触控信号线TL的一端与触控电极图形电连接，另一端连接至焊盘区WA，从而与焊盘区WA中的接触垫PAD电连接。其中，触控信号线TL在外围区PA的部分在基板SUB上的正投影与每个子绝缘结构21的第一边界E1相交。
当相邻两个子绝缘结构21的第一边界E1之间的距离d较小(例如，d小于或等于5μm)时，触控信号线TL位于较陡的坡面上，这种情况下，在利用刻蚀工艺形成触控信号线TL时，容易在触控信号线TL之间产生导电物的残留，从而导致触控信号线TL之间发生短路。而在本公开实施例中，有机绝缘结构20的各子绝缘结构21中，相邻两个子绝缘结构21的第一边界E1之间的距离d较大，从而使触控信号线TL位于较平缓的坡面上，有利于减少导电物的残留，进而减少或防止触控信号线TL之间发生短路。
在一些实施例中，相邻两个子绝缘结构21的第一边界E1之间的距离d在25μm～60μm之间，从而在尽可能减小导电物残留的同时，减小显示面板100的边框。例如，d为30μm，或者为35μm，或者为40μm，或者为45μm，或者为50μm。
下面结合图1至图8对本公开的实施例中提供的显示面板进行具体介绍。
如图2所示，阻挡物10包括：第一阻挡物11和第二阻挡物12。第一阻挡物11位于外围区PA中且环绕显示区DA。第二阻挡物12位于外围区PA中且环绕第一阻挡物11，从而可以进一步防止外部水汽或氧气进入显示区DA中，为显示区DA提供双重保护。在一些实施例中，第一阻挡物11远离基板SUB的一端到基板SUB的垂直距离小于第二阻挡物12远离基板SUB的一端到基板SUB的垂直距离，从而延长外界水汽和氧气进入显示区DA的路径，进而提高阻挡物10的阻挡能力。第一阻挡物11包括第一阻挡部111和第二阻挡部112，其中，第一阻挡部111位于显示区DA靠近弯曲区的一侧(即，图2中第一阻挡物11的位于显示区DA下方、横向延伸的部分)，第二阻挡部112为第一阻挡物11的除第一阻挡部111的其余部分，第二阻挡物12包括第三阻挡部121和第四阻挡部122，第三阻挡部121位于显示区DA靠近弯曲区的一侧(即，图2中第二阻挡物12的位于显示区DA下方、横向延伸的部分)，第四阻挡部122为第二阻挡物12中除第三阻挡部121之外的其余部分。第一阻挡部111和第三阻挡部113构成上述单侧阻挡结构。
在一些实施例中，基板SUB为柔性基板，其可以采用柔性的有机材料制成。例如，该有机材料为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。基板SUB还包括位于外围区PA与焊盘区WA之间的弯曲区BA。弯曲区BA被配置为沿弯曲轴BX弯曲。通过弯曲区BA的弯曲，可以使焊盘区WA处于显示面板100的背侧(其中，显示面板100的显示侧为前侧，与显示侧相反的一侧为后侧或背侧)，从而可以提高空间利用率，减小显示产品的边框宽度。
在一些实施例中，显示区DA包括多个像素单元P，像素单元P由扫描线GL和数据线DL交叉限定出。扫描线GL与外围区PA中的栅极驱动电路连接，数据线DL可以通过数据连接线与焊盘区WA的接触垫PAD连接。每个像素单元P中设置有发光元件50和像素电路。发光元件50可以为有机发光二极管OLED(OrganicLight-EmittingDiode)，有机发光二极管OLED可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。图6为本公开的一些实施例中的像素电路的等效示意图，如图6所示，像素电路包括：驱动晶体管Td、开关晶体管Ts和存储电容Cs，开关晶体管Ts的栅极连接扫描线GL，第一极连接数据线DL，第二极连接驱动晶体管Td的栅极。存储电容Cs的两端分别与第一电源线VDD和驱动晶体管Td的栅极连接。驱动晶体管Td的第一极与第一电源线VDD连接，第二极与发光元件50的第一极连接，发光元件50的第二极与第二电源线VSS连接。其中，各晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。由于采用的晶体管的源极和漏极是对称的，所以其源极、漏极是没有区别的。为区分晶体管的源极和漏极，这里将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。
第一电源线VDD从焊盘区WA连接至显示区DA，从而将电压信号传输至各像素单元。第二电源线VSS包括第一部分和第二部分，其中第一部分位于外围区PA中，并以开环的方式环绕显示区DA。第二电源线VSS的第二部分连接在第一部分与焊盘区WA的接触垫PAD之间。如图2和图4所示，每个子绝缘结构21的第一边界E1在基板SUB上的正投影与第二电源线VSS在基板SUB上的正投影存在交叠。
在一些实施例中，触控电极图形可以采用互电容型结构，也可以采用自电容型结构。本公开实施例以互电容型结构为例进行说明。如图2所示，触控电极图形包括多个触控驱动电极TX和多个触控感应电极RX，触控驱动电极TX与触控感应电极RX交叉设置，触控驱动电极TX与触控感应电极RX交叉处被触控绝缘层TLD绝缘间隔开。图7为沿图2中B-B'线的剖视图，结合图2和图7所示，触控驱动电极TX包括：沿第一方向排列的多个驱动电极单元TX1和连接在驱动电极单元TX1之间的连接部TX2，触控感应电极RX包括多个感应电极单元RX1和连接在感应电极单元之间的桥接部RX2，其中，第一方向与第二方向相交叉，例如，第一方向为图2中的上下方向，第二方向为图2中的左右方向。驱动电极单元TX1、连接部TX2以及感应电极单元RX1均位于触控绝缘层TLD远离基板SUB的一侧，且驱动电极单元TX1、连接部TX2以及感应电极单元RX1可以同层设置，桥接部RX2位于触控绝缘层TLD靠近基板SUB的一侧。桥接部RX2与连接部TX2交叉设置并被触控绝缘层TLD间隔开。感应电极单元RX1通过触控绝缘层TLD上的过孔与桥接部RX2连接。需要说明的是，图2和图7中所示的触控驱动电极TX和触控感应电极RX仅为示例性说明，并不构成对本公开的限制。例如，还可以使桥接部RX2位于触控绝缘层TLD远离基板SUB的一侧，连接部位于触控绝缘层TLD靠近基板SUB的一侧。又例如，将相邻的驱动电极单元TX1通过异层设置的桥接部连接，将相邻的感应电极单元RX1利用同层的连接部连接。
其中，每个触控驱动电极TX和触控感应电极RX均可以对应连接一条触控驱动线TL。触控信号线TL经过外围区PA时，触控信号线TL在外围区PA的部分在基板SUB上的正投影与每个子绝缘结构21的第一边界E1相交叉。在一个示例中，触控绝缘层TLD至少还覆盖显示区DA与焊盘区WA之间的外围区PA，显示区DA与焊盘区WA之间的外围区PA中的触控信号线TL位于触控绝缘层TLD上。在一个示例中，触控绝缘层TLD的厚度在0.2μm～0.5μm之间，例如为0.3μm或者0.33μm或者0.35μm。
在一些实施例中，如图4所示，触控信号线TL为双层结构，其包括第一传输部TL1和第二传输部TL2，第一传输部TL1位于触控绝缘层TLD靠近基板SUB的一侧，第二传输部TL2位于触控绝缘层TLD远离基板SUB的一侧。第二传输部TL2通过贯穿触控绝缘层TLD的过孔与第一传输部TL1电连接。需要说明的是，为了示意性地表示出第二传输部TL2和第一传输部TL1的连接方式，图4仅示意出了一个过孔，但实际上，在其他位置还可以设置多个过孔，从而使得第二传输部TL2通过多个过孔与第一传输部TL1并联。其中，第一传输部TL1可以与桥接部RX2同层设置，第二传输部TL2可以与驱动电极单元TX1、连接部TX2以及感应电极单元RX1同层设置。
如图7所示，第一缓冲层BFL1设置在基板SUB上，用于防止或减少金属原子和/或杂质从基板SUB扩散到晶体管的有源层中。本公开实施例中，第一缓冲层BFL1可以暴露基板SUB的位于弯曲区BA的一部分的上表面，以便于基板SUB进行弯曲。例如，第一缓冲层BFL1可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料，并且可以形成为多层或单层。
半导体层设置在第一缓冲层BFL1上。半导体层的材料可以包括例如无机半导体材料(例如，多晶硅、非晶硅等)、有机半导体材料、氧化物半导体材料。半导体层包括各晶体管30的有源层31，有源层31包括沟道部和位于该沟道部两侧的源极连接部和漏极连接部，源极连接部与晶体管30的源极33连接，漏极连接部与晶体管30的漏极34连接。源极连接部和漏极连接部均可以掺杂有比沟道部的杂质浓度高的杂质(例如，N型杂质或P型杂质)。沟道部与晶体管30的栅极32正对，当栅极32加载的电压信号达到一定值时，沟道部中形成载流子通路，形成使晶体管30的源极33和漏极34导通。
第一栅绝缘层GI1设置在半导体层上，其中，第一栅绝缘层GI1可以暴露基板SUB的位于弯曲区BA的一部分的上表面，以利于基板SUB进行弯曲。第一栅绝缘层GI1的材料可以包括硅化合物、金属氧化物。例如，第一栅绝缘层GI1的材料包括氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。另外，第一栅绝缘层GI1可以为单层或多层。
第一栅电极层G1设置在第一栅绝缘层GI1上。其中，第一栅电极层G1包括各晶体管30的栅极32、电容40的第一电极板41。第一栅电极层G1的材料可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，第一栅电极层G1可以包括金(Au)、金的合金、银(Ag)、银的合金、铝(Al)、铝的合金、氮化铝(AlNx)、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。第一栅电极层G1可以具有单层或多层。
如图7所示，第二栅绝缘层GI2设置在第一栅电极层G1上，第二栅绝缘层GI2可以暴露基板SUB的位于弯曲区BA的一部分的上表面。第二栅绝缘层GI2的材料可以包括例如硅化合物、金属氧化物。例如，第二栅绝缘层GI2的材料可以包括氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。第二栅绝缘层GI2可以形成为单层或多层。
如图7所示，第二栅电极层G2设置在第二栅绝缘层GI2上。第二栅电极层G2可以包括电容40的第二电极板42。第二栅电极层G2的材料可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，栅电极层可以包括金(Au)、金的合金、银(Ag)、银的合金、铝(Al)、铝的合金、氮化铝(AlNx)、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。第二栅电极层G2可以具有单层或多层。
如图7所示，层间绝缘层ILD设置第二栅电极层G2上，层间绝缘层ILD可以暴露基板SUB的位于弯曲区BA的一部分的上表面。层间绝缘层ILD的材料可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。具体可以选择上文所列举的硅化合物和金属氧化物，这里不再赘述。
第一源漏导电层SD1设置在层间绝缘层ILD上。第一源漏导电层SD1可以包括显示区DA中的各晶体管的源极33和漏极34，源极33与源极连接部电连接，漏极34与漏极连接部电连接。第一源漏导电层SD1可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等，例如，第一源漏导电层SD1可以为金属构成的单层或多层，例如为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。图7所示的晶体管30包括栅极32、源极33、漏极34和有源层31，图7所示的晶体管30可以为图6所示的像素电路的驱动晶体管Td，但需要说明的是，当像素电路采用其他电路结构时，与发光元件50直接连接的不一定是驱动晶体管Td，此时，图7中所示的晶体管对应的不一定是驱动晶体管Td。另外，第一源漏导电层SD1还可以包括第一电源线VDD和第二电源线VSS。
钝化层PVX设置在第一源漏导电层SD1上，钝化层PVX可以暴露基板SUB的位于弯曲部BA的一部分的表面。钝化层PVX的材料可以包括硅的化合物，例如，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
在一些实施例中，如图4所示，有机绝缘结构20的多个子绝缘结构21包括：第一平坦化层PLN1、第二平坦化层PLN2和像素界定层PDL。第一平坦化层PLN1、第二平坦化层PLN2和像素界定层PDL均包括位于显示区DA的部分和位于显示区DA与阻挡物10之间的部分。其中，第二平坦化层PLN2位于第一平坦化层PLN1远离基板SUB的一侧。像素界定层PDL位于第二平坦化层PLN2远离基板SUB的一侧。上述第一缓冲层BFL1、半导体层、第一栅绝缘层GI1、第一栅电极层G1、第二栅绝缘层GI2、第二栅电极层G2、层间绝缘层ILD、第一源漏导电层SD1、钝化层PVX均位于第一平坦化层PLN1与基板SUB之间。第一平坦化层PLN1的远离基板SUB的表面基本平坦。第一平坦化层PLN1采用有机绝缘材料制成，例如，该有机绝缘材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、压克力、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯、聚酰胺、硅氧烷等树脂类材料等。再例如，该有机绝缘材料包括弹性材料，例如、氨基甲酸乙酯、热塑性聚氨酯(TPU)等。
在一个示例中，第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2的厚度均在1μm～2μm之间，例如，第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2的厚度均为1.6μm。像素界定层PDL的厚度在1.5μm～3μm之间，例如为2μm。
如图7所示，第二源漏导电层SD2设置在第一平坦化层PLN1上。第二源漏导电层SD2可以包括位于显示区DA内的转接电极60。其中，转接电极60通过贯穿第一平坦化层PLN1和钝化层PVX的过孔与漏极34电连接，同时，转接电极60还通过贯穿第二平坦化层PLN2的过孔与发光元件50的第一电极51电连接。转接电极60可以避免直接在第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2中形成孔径比较大的过孔，从而改善过孔电连接的质量。第二源漏导电层SD2的材料可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等，例如，第二源漏导电层SD2可以为金属构成的单层或多层，例如为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。第二源漏导电层SD2的材料可以与第一源漏导电层SD1的材料相同或不同。
如图7所示，第二平坦化层PLN2设置在第二源漏导电层SD2上，第二平坦化层PLN2覆盖转接电极，并且第二平坦化层PLN2的上表面基本平坦。可以具有基本平坦的上表面。第二平坦化层PLN2采用有机绝缘材料制成，例如，该有机绝缘材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、压克力、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯、聚酰胺、硅氧烷等树脂类材料等。再例如，该有机绝缘材料包括弹性材料，例如、氨基甲酸乙酯、热塑性聚氨酯(TPU)等。第二平坦化层PLN2的材料可以与第一平坦化层PLN1的材料相同或不同。
第一电极层设置在第二平坦化层PLN2上，其中，第一电极层包括多个第一电极，第一电极可以为发光元件50的阳极。如图7所示，发光元件50包括第一电极51、发光层53和第二电极52，第一电极51设置在第二平坦化层PLN2之上。第一电极51通过贯穿第二平坦化层PLN2的过孔与转接电极60电连接，进而与晶体管30的漏极34电连接。第一电极51可以采用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等材料制成。第一电极51可以为单层或多层结构。
像素界定层PDL设置在第二平坦化层PLN2上。像素界定层PDL包括与像素单元一一对应的像素开口，像素开口将相应的第一电极51的一部分暴露出。发光层54一一对应地设置在像素开口中，发光层54可以包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光。像素界定层PDL的材料可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料。另外，像素界定层PDL上还可以设置隔垫物(图7中未示出)，隔垫物的材料与像素界定层PDL的材料可以相同。
第二电极52位于发光层53的远离基板SUB的一侧，第二电极52可以采用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等制成。本公开实施例中，发光元件50可以采用顶发射型结构或底发射型结构。当采用顶发射型结构时，第一电极51包括具有光反射性能的导电材料或者包括光反射膜，第二电极52包括透明或半透明的导电材料。当采用底发射型结构时，第二电极52包括光反射性能的导电材料制成或者包括光反射膜，第一电极51包括透明或半透明的导电材料。各个像素单元的发光元件50的第二电极52可以连接为一体，形成第二电极层。
需要说明的是，发光元件50还可以包括其他膜层，例如，还可以包括：位于第一电极51与发光层53之间的空穴注入层和空穴传输层，以及位于发光层53与第二电极52之间的电子传输层和电子注入层。
如图4和图7所示，显示面板100还包括封装层EPL，封装层EPL设置在像素界定层PDL上，封装层EPL覆盖像素界定层PDL和发光元件50，用于对发光元件50进行封装，以防止外界环境中的水汽和/或氧气侵蚀发光元件50。在一些实施例中，封装层EPL包括第一无机封装层CVD1、第二无机封装层CVD2和有机封装层IJP，第二无机封装层CVD2位于第一无机封装层CVD1的远离基板SUB的一侧，有机封装层IJP位于第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2之间。可选地，第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2延伸至外围区PA并覆盖阻挡物10；有机封装层IJP延伸至外围区PA，并位于阻挡物10所环绕的范围内。第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2均可以采用氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等致密性高的无机材料制成。有机封装层IJP可以采用含有干燥剂的高分子材料制成，或采用可阻挡水汽的高分子材料制成。例如，采用高分子树脂，从而可以缓解第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2的应力，还可以包括干燥剂等吸水性材料以吸收侵入内部的水、氧等物质。
在一个示例中，第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2的厚度均在0.5μm～1.5μm之间。例如，第一无机封装层CVD1的厚度为1.0μm，第二无机封装层CVD2的厚度为0.6μm。在显示区DA中的有机封装层IJP的厚度在5μm～10μm之间，例如为8μm，或者7μm，或者9μm。
第二缓冲层BFL2设置在封装层EPL上，第二缓冲层BFL2位于显示区DA并且延伸到外围区PA以覆盖封装层EPL。第二缓冲层BFL2可以采用与前述第一缓冲层BFL1相同的材料，此处不再赘述。触控电极图形位于封装层EPL远离基板SUB的一侧，触控电极图形的桥接部RX2设置在封装层EPL上，触控绝缘层TLD位于封装层EPL远离基板SUB的一侧，并覆盖桥接部RX2，触控驱动电极TX和触控感应电极RX的感应电极单元RX1位于触控绝缘层TLD上。其中，为了不影响显示，驱动电极单元TX1和感应电极单元RX1均采用透光性良好的结构。例如，采用透明导电材料(例如氧化铟锡)制成，或者，采用金属网格结构。
触控电极图形和触控绝缘层TLD均位于封装层EPL远离基板SUB的一侧，触控电极图形中的桥接部RX2位于触控绝缘层TLD与封装层EPL之间。其中，桥接部RX2和第一传输部TL1均位于触控绝缘层TLD与第二缓冲层BFL2之间。
如图4所示，每个子绝缘结构21的第一边界与单侧阻挡结构之间均具有间隔，即，每个子绝缘结构21与单侧阻挡结构均不接触。此时，有机绝缘结构20与单侧阻挡结构之间形成凹槽，图5为本公开的一些实施例中有机绝缘结构与单侧阻挡结构之间的凹槽的示意图，图5即为形成有机绝缘结构20和阻挡物10之后、且形成封装层EPL之前，沿图3中AA'线的剖视图。结合图4和图5所示，封装层EPL在基板SUB上的正投影同时覆盖有机绝缘结构20在基板SUB上的正投影、凹槽V1在基板SUB上的正投影和单侧阻挡结构在基板SUB上的正投影。
上覆层OC设置在触控电极图形远离基板SUB的一侧。上覆层OC从显示区DA延伸到外围区PA，上覆层OC可以保护外围区PA中的触控信号线TL。上覆层OC的材料可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
本公开实施例的柔性基板SUB上设置有第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2、第一缓冲层BFL1、第二缓冲层BFL2，然而，可以理解的是，在一些示例中，这些层可以根据实际需要进行删减或增加，本公开对此不作具体限定。
图8为沿图2中D-D’线的剖视图，其中，为了简洁清楚地示意出阻挡物10的结构，图8仅示出了阻挡物10的剖面结构以及阻挡物10上的第一无机封装层和第二无机封装层。结合图2、图4和图8所示，第一阻挡部111、第二阻挡部112、第三阻挡部113和第四阻挡部114均包括第一阻挡层11a和位于该第一阻挡层11a上的第二阻挡层11b，其中，第一阻挡层11a与第二平坦化层PLN2同层设置且材料相同，第二阻挡层11b与像素界定层PDL同层设置且材料相同。另外，如图4所示，第三阻挡部121还包括第三阻挡层11c，第三阻挡层11c与第一平坦化层PLN1同层设置且材料相同。如图8所示，第二阻挡部112包括第一阻挡层11a、第二阻挡层11b，另外还包括第四阻挡层11d，该第四阻挡层11d与像素界定层PDL上的隔垫物同层设置且材料相同。第四阻挡部122包括第一阻挡层11a、第二阻挡层11b、第三阻挡层11c和第四阻挡层11d。
需要说明的是，本公开实施例中的“同层设置”是指两个结构是由同一个材料层经过构图工艺形成的，故二者在在层叠关系上是处于同一个层之中的；但这并不表示二者与基板SUB间的距离必定相同。另外，如图5和图8中所示，封装层EPL中的第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2均延伸至第一阻挡物11和第二阻挡物12上。
在一些实施例中，基板SUB的外围区PA包括第一扇出区FA1，第一扇出区FA1位于显示区DA与弯曲区BA之间，数据连接线与数据线DL连接后，经过第一扇出区FA1和弯曲区BA延伸到焊盘区WA。基板SUB还包括第二扇出区FA2，第二扇出区FA2位于弯曲区BA与焊盘区WA之间并与弯曲区BA邻接，即第二扇出区FA2与弯曲区BA相邻且彼此直接连接，两个区域之间没有其他区域。在基板SUB的第二扇出区和焊盘区WA之间还设置有测试区DTA、控制电路区CCA、第三扇出区FA3、集成电路区IC。至少一个示例中，测试区DTA被配置为连接外部测试装置以检测画面、弯曲区BA的断线等。至少一个示例中，控制电路区CCA包括选择器MUX，用于在输入电路和输出电路之间切换。
本公开的另一些实施例还提供一种显示面板，包括：基板、阻挡物、有机绝缘结构、触控电极图形和触控信号线。其中，基板包括：显示区、外围区和焊盘区，所述外围区环绕所述显示区，所述焊盘区位于所述外围区远离所述显示区的一侧。阻挡物设置在所述基板上，所述阻挡物位于所述外围区中且环绕所述显示区，所述阻挡物包括位于所述显示区与所述焊盘区之间的单侧阻挡结构。有机绝缘结构设置在所述基板上，且所述有机绝缘结构的一部分位于所述显示区，另一部分位于所述周边区。
图9为本公开的另一些实施例中沿图3中A-A’线的剖视图，图10为图9中有机绝缘结构的结构示意图之一，图11为图9中的有机绝缘结构的结构示意图之二。结合图2、图9至图11所示，有机绝缘结构20具有朝向基板SUB的底面BS、与底面BS相对的顶面TS、以及连接在底面BS与顶面TS之间且朝向所述单侧阻挡结构的第一侧面LS，第一侧面LS为斜坡面，斜坡面的坡度角在0～40°之间。
需要说明的是，这里的“斜坡面”是指，沿远离基板SUB的方向，逐渐靠近显示区DA的表面。其中，斜坡面可以为倾斜的平面(如图10所示)，也可以为倾斜的弧面(如图11所示)。当斜坡面为平面时，其坡度角是指，斜坡面与有机绝缘结构20的底面BS之间的夹角θ1；当斜坡面为弧面时，其坡度角是指弧面的切线与有机绝缘结构20的底面BS之间的夹角的最大值θ2。还需要说明的是，斜坡面不仅位于Q1区域，而是从Q区域的左端延伸至右端。
结合图2和图9所示，触控电极图形(即图2中包括触控驱动电极TX和触控感应电极RX的图形)设置在有机绝缘结构20远离基板SUB的一侧。触控信号线TL设置在有机绝缘结构20远离基板SUB的一侧，触控信号线TL的一端与触控电极图形电连接，另一端连接至焊盘区WA。触控信号线TL在外围区PA的部分在基板SUB上的正投影穿过所述斜坡面在基板SUB上的正投影。
在一些实施例中，斜坡面的坡度角在25°～35°之间，从而在减少导电物残留的同时，防止显示产品的边框过宽。例如，该坡度角为28°或者29°或者30°或者31°或者32°。
如图9所示，有机绝缘结构20包括层叠设置的多个子绝缘结构21，多个子绝缘结构21包括：第一平坦化层PLN1、第二平坦化层PLN2和像素界定层PDL。其中，第一平坦化层PLN1设置基板SUB上。第二平坦化层PLN2位于第一平坦化层PLN1远离基板SUB的一侧。像素界定层PDL位于第二平坦化层PLN2远离基板SUB的一侧。
有机绝缘结构20上还设置有封装层EPL、第二缓冲层BFL2、触控绝缘层TLD。其中，封装层EPL包括第一无机封装层CVD1、第二无机封装层CVD2和有机封装层IJP。第二无机封装层CVD2位于第一无机封装层CVD1远离基板SUB的一侧；有机封装层IJP位于第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2之间。
本实施例中，触控绝缘层TLD、触控信号线TL的设置方式参见上述实施例中的描述，如图2和图7中所示，所述触控电极图形包括触控驱动电极TX和触控感应电极RX，所述触控驱动电极TX与触控感应电极RX交叉设置，触控驱动电极TX与触控感应电极RX交叉处被所述触控绝缘层TLD绝缘间隔开。触控驱动电极TX和触控感应电极RX均与一条触控信号线TL电连接。触控信号线TL包括第一传输部TL1和第二传输部TL2，第一传输部TL1位于触控绝缘层TLD与封装层EPL之间，第二传输部TL2位于触控绝缘层TLD远离基板SUB的一侧，第二传输部TL2通过贯穿触控绝缘层TLD的过孔与第一传输部TL1电连接。触控电极图形和触控信号线TL均位于封装层EPL远离基板SUB的一侧。
第一侧面LS与所述单侧阻挡结构之间具有间隔，例如，第一侧面LS靠近基板SUB的一端以及远离基板SUB的一端与单侧阻挡结构之间均具有间隔。有机绝缘结构20与单侧阻挡结构之间形成凹槽，封装层EPL在基板SUB上的正投影同时覆盖有机绝缘结构20在基板SUB上的正投影、所述凹槽在基板SUB上的正投影和所述单侧阻挡结构在基板SUB上的正投影，所述单侧阻挡结构位于基板SUB与封装层EPL之间。
显示区DA包括多个像素单元，每个像素单元中设置有发光元件50，显示面板100还包括第二电源线VSS，第二电源线VSS与发光元件50电连接，其中，第二电源线VSS位于有机绝缘结构20与基板SUB之间，第一侧面LS在所述基板SUB上的正投影与第二电源线VSS在基板SUB上的正投影存在交叠。
阻挡物10包括第一阻挡物11和第二阻挡物12，第一阻挡物11位于外围区PA中且环绕显示区DA，第二阻挡物12位于外围区PA且环绕第一阻挡物11。第一阻挡物11和第二阻挡物12的具体结构参见上述实施例中的描述，这里不再赘述。基板SUB上还设置有第一缓冲层BFL1、半导体层、第一栅绝缘层GI1、第一栅电极层G1、第二栅绝缘层GI2、层间绝缘层ILD、第一源漏导电层SD1、钝化层PVX、第二源漏导电层SD2等结构，各膜层的结构和位置均参见上述实施例中的描述，这里不再赘述。本实施例中的基板SUB为柔性基板，其还包括外围区PA与焊盘区WA之间的弯曲区BA，另外，还包括测试区DTA、控制电路区CCA等其他区域，各区域之间的位置关系参见上述实施例中的描述，这里不再赘述。
本实施例中的显示面板，有机绝缘结构20的第一侧面为斜坡面，其坡度较小，因此，在后续通过刻蚀工艺来制作触控信号线时，可以减少导电物的残留，进而减少或防止触控信号线TL之间发生短路。
本公开实施例还提供一种显示面板，包括基板、阻挡物、有机绝缘结构、触控电极图形和触控信号线。其中，所述基板包括：显示区、外围区和焊盘区，所述外围区环绕所述显示区，所述焊盘区位于所述外围区远离所述显示区的一侧。所述阻挡物设置在所述基板上，所述阻挡物位于所述外围区中且环绕所述显示区，所述阻挡物包括位于所述显示区与所述焊盘区之间的单侧阻挡结构。有机绝缘结构设置在所述基板上，所述有机绝缘结构包括层叠设置的多个子绝缘结构，每个所述子绝缘结构的一部分位于所述显示区，另一部分位于周边区。每个所述子绝缘结构具有位于所述显示区与所述单侧阻挡结构之间的第一边界，除了最远离基板SUB的所述子绝缘结构之外，其余每个所述子绝缘结构均包括伸出部，其中，对于任意相邻的两个所述子绝缘结构，靠近基板SUB的所述子绝缘结构的伸出部位于远离基板SUB的所述子绝缘结构的第一边界与所述单侧阻挡结构之间。触控电极图形设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧，并位于所述显示区。触控信号线设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧，所述触控信号线的一端与所述触控电极图形电连接，另一端连接至所述焊盘区，所述触控信号线在所述外围区的部分在所述基板上的正投影与每个所述子绝缘结构的伸出部在所述基板上的正投影存在交叠。
其中，具有所述伸出部的所述子绝缘结构通过对有机材料层采用双色调掩膜板进行图案化工艺形成，其中，在进行图案化工艺时，待形成所述伸出部的区域对应于所述双色调掩膜板的半透光区。
在一些实施例中，所述有机绝缘结构的多个所述子绝缘结构包括：第一平坦化层、第二平坦化层和像素界定层。所述第一平坦化层设置所述基板上；第二平坦化层位于所述第一平坦化层远离所述基板的一侧；所述像素界定层位于所述第二平坦化层远离所述基板的一侧。
图12至图14为本公开的一些实施例提供的其中一个具有伸出部的子绝缘结构的制作过程示意图，下面以其中一个具有伸出部的子绝缘结构为例，对其制作过程进行介绍。该子绝缘结构可以为第一平坦化层或第二平坦化层。
如图12所示，形成有机绝缘材料层210，其中，有机绝缘材料层210为对光敏感的有机材料层，例如正性光刻胶。
如图13所示，采用双色调掩膜板M对光刻胶层进行曝光。其中，双色调掩膜板M为灰色调掩膜板或半色调掩膜板。双色调掩膜板M包括全透光区M1、不透光区M3和半透光区M2，半透光区M2的透光率小于全透光区M1的透光率。以有机绝缘材料层210为正性光刻胶为例，在进行曝光时，将双色调掩膜板M的半透光区M2与待形成伸出部的区域对应，将双色调掩膜板M的全透光区M1与有机绝缘材料层210需要被完全去除的区域对应，将双色调掩膜板M的不透光区M3与其他区域对应。经过曝光后，有机绝缘材料层210中与不透光区对应的部分未被曝光，有机绝缘材料层210中与全透光区对应的部分被完全曝光，有机绝缘材料层210中与半透光区对应的部分被部分曝光。
之后，有机绝缘材料层210进行显影，使得有机绝缘材料层210中与全透光区M1对应的部分被全部去除，与部分透光区M2对应的部分被去除掉一部分，与不透光区M3对应的部分被完全保留，形成的图案即为子绝缘结构21，如图14所示。其中，子绝缘结构21中与部分透光区M2对应的部分即为伸出部21a，伸出部21a的表面为平缓的斜坡面。
应当理解的是，在上述构图工艺中，也可以采用负性光刻胶，此时，采用的掩膜板的图案与上述双色调掩膜板M的图案互补。
本公开实施例中，具有伸出部21a的子绝缘结构21利用双色调掩膜板对有机材料层210进行构图工艺制成，在进行曝光时，待形成伸出部21a的区域与双色调掩膜板M的半透光区M2对应，从而可以使形成的伸出部21a具有斜坡面，因此，有机绝缘结构20的整体侧面较为平缓，在后续通过刻蚀工艺来制作触控信号线时，可以减少导电物的残留，进而减少或防止触控信号线之间发生短路。
在本实施例中，阻挡物20的结构、像素界定层PDL的结构和材料、第一平坦化层PLN1的结构和材料、第二平坦化层PLN2的结构和材料均可以参考上述实施例中的描述，这里不再赘述。
另外，在本实施例中，有机绝缘结构上还设置有封装层、触控绝缘层。基板的显示区还可以设置发光元件，发光元件与第二电源线连接。封装层的具体结构和材料、触控绝缘层的设置方式和材料、发光元件的结构和材料、第二电源线和触控信号线的设置方式均可以参考上述实施例中的描述，这里也不再赘述。
本公开实施例还提供一种显示装置，其包括上述任一实施例的显示面板。该显示装置可以为OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (31)

1.一种显示面板，包括：
基板，包括显示区、外围区和焊盘区，所述外围区环绕所述显示区，所述焊盘区位于所述外围区远离所述显示区的一侧；
至少一个阻挡物，设置在所述基板上，所述阻挡物位于所述外围区中且环绕所述显示区，所述阻挡物包括位于所述显示区与所述焊盘区之间的单侧阻挡结构；
有机绝缘结构，设置在所述基板上，所述有机绝缘结构包括层叠设置的多个子绝缘结构，所述多个子绝缘结构中的每个子绝缘结构的一部分位于所述显示区，所述多个子绝缘结构中的每个子绝缘结构具有位于所述显示区与所述单侧阻挡结构之间的第一边界，其中，对于任意相邻的两个所述子绝缘结构，远离所述基板一侧的所述子绝缘结构的第一边界比靠近所述基板一侧的所述子绝缘结构的第一边界更靠近所述显示区；任意相邻两个所述子绝缘结构的第一边界之间的间距大于或等于20μm；
触控电极图形，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧；
触控信号线，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧，所述触控信号线的一端与所述触控电极图形电连接，另一端连接至所述焊盘区，所述触控信号线在所述外围区的部分在所述基板上的正投影与每个所述子绝缘结构的第一边界相交。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，任意相邻两个所述子绝缘结构的第一边界之间的间距在25μm～60μm之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述有机绝缘结构的多个所述子绝缘结构包括：
第一平坦化层，设置在所述基板上；
第二平坦化层，位于所述第一平坦化层远离所述基板的一侧；
像素界定层，位于所述第二平坦化层远离所述基板的一侧。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示面板，其中，所述子绝缘结构的第一边界与所述单侧阻挡结构之间具有间隔。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：封装层，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧；
其中，所述触控电极图形和所述触控信号线均位于所述封装层远离所述基板的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述封装层包括：
第一无机封装层；
第二无机封装层，位于所述第一无机封装层远离所述基板的一侧；
有机封装层，位于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述有机绝缘结构与所述单侧阻挡结构之间形成凹槽，所述封装层在所述基板上的正投影同时覆盖所述有机绝缘结构在所述基板上的正投影、所述凹槽在所述基板上的正投影和所述单侧阻挡结构在所述基板上的正投影，所述单侧阻挡结构位于所述基板与所述封装层之间。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：触控绝缘层，设置在所述封装层远离所述基板的一侧；
所述触控电极图形包括多个触控驱动电极和多个触控感应电极，所述触控驱动电极与触控感应电极交叉设置，所述触控驱动电极与所述触控感应电极交叉处被所述触控绝缘层绝缘间隔开，每个所述触控驱动电极和每个所述触控感应电极均对应连接一条所述触控信号线。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述触控驱动电极包括：沿第一方向排列的多个驱动电极单元、以及连接在每相邻两个所述驱动电极单元之间的连接部；
所述触控感应电极包括：沿第二方向排列的多个感应电极单元、以及连接在每相邻两个所述感应电极单元之间的桥接部；
其中，所述第一方向与所述第二方向相交叉，所述驱动电极单元、所述连接部和所述感应电极单元均位于所述触控绝缘层远离所述基板的一侧且位于同一层，所述桥接部位于所述触控绝缘层与所述封装层之间。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述触控信号线包括第一传输部和第二传输部，所述第一传输部位于所述触控绝缘层与所述封装层之间，所述第二传输部位于所述触控绝缘层远离所述封装层的一侧，所述第二传输部通过贯穿所述触控绝缘层的过孔与所述第一传输部电连接。
11.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示面板，其中，所述显示区包括多个像素单元，每个像素单元中设置有发光元件，所述显示面板还包括电源线，所述电源线与所述发光元件电连接，其中，所述电源线位于所述有机绝缘结构与所述基板之间，所述电源线在所述基板上的正投影与所述第一边界在所述基板上的正投影存在交叠。
12.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示面板，其中，所述阻挡物包括：
第一阻挡物，位于所述外围区中且环绕所述显示区；
第二阻挡物，位于所述外围区且环绕所述第一阻挡物；
其中，所述第一阻挡物的位于所述显示区与所述焊盘区之间的部分、所述第二阻挡物的位于所述显示区与所述焊盘区之间的部分构成所述单侧阻挡结构。
13.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示面板，其中，所述基板为柔性基板，其还包括位于所述外围区与所述焊盘区之间的弯曲区。
14.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：
第一缓冲层，设置在所述基板上；
半导体层，设置在所述第一缓冲层与所述第一平坦化层之间；
第一栅绝缘层，设置在所述半导体层与所述第一平坦化层之间；
第一栅电极层，设置在所述第一栅绝缘层与所述第一平坦化层之间；
第二栅绝缘层，设置在所述第一栅电极层与所述第一平坦化层之间；
第二栅电极层，设置在所述第二栅绝缘层与所述第一平坦化层之间；
层间绝缘层，设置在所述第二栅电极层与所述第一平坦化层之间；
第一源漏导电层，设置在所述层间绝缘层与所述第一平坦化层之间；
钝化层，设置在所述第一源漏导电层与所述第一平坦化层之间；
第二源漏导电层，设置在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间；
第一电极层，设置在所述第二平坦化层与所述像素界定层之间，所述第一电极层包括多个第一电极，所述像素界定层包括与所述第一电极一一对应的像素开口；
发光层，设置在所述像素开口中；
第二电极层，设置在所述发光层远离所述基板的一侧；
封装层，设置在所述发光层远离所述基板的一侧；
第二缓冲层，设置在所述封装层远离所述基板的一侧。
15.一种显示面板，包括：
基板，包括：显示区、外围区和焊盘区，所述外围区环绕所述显示区，所述焊盘区位于所述外围区远离所述显示区的一侧；
至少一个阻挡物，设置在所述基板上，所述阻挡物位于所述外围区中且环绕所述显示区，所述阻挡物包括位于所述显示区与所述焊盘区之间的单侧阻挡结构；
有机绝缘结构，设置在所述基板上，所述有机绝缘结构的一部分位于所述显示区，另一部分位于所述外围区，所述有机绝缘结构具有朝向所述基板的底面、与所述底面相对的顶面、以及连接在所述底面与顶面之间且朝向所述单侧阻挡结构的第一侧面，所述第一侧面为斜坡面，所述斜坡面的坡度角在0～40°之间；
触控电极图形，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧；
触控信号线，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧，所述触控信号线的一端与所述触控电极图形电连接，另一端连接至所述焊盘区，所述触控信号线在所述外围区的部分在所述基板上的正投影穿过所述斜坡面在所述基板上的正投影。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述斜坡面的坡度角在25°～35°之间。
17.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述有机绝缘结构包括层叠设置的多个子绝缘结构，所述子绝缘结构包括：
第一平坦化层，设置在所述基板上；
第二平坦化层，位于所述第一平坦化层远离所述基板的一侧；
像素界定层，位于所述第二平坦化层远离所述基板的一侧。
18.根据权利要求15至17中任意一项所述的显示面板，其中，所述第一侧面与所述单侧阻挡结构之间具有间隔。
19.根据权利要求15至17中任意一项所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：封装层，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧；
其中，所述触控电极图形和所述触控信号线均位于所述封装层远离所述基板的一侧。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其中，所述封装层包括：
第一无机封装层；
第二无机封装层，位于所述第一无机封装层远离所述基板的一侧；
有机封装层，位于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间。
21.根据权利要求19所述的显示面板，其中，所述有机绝缘结构与所述单侧阻挡结构之间形成凹槽，所述封装层在所述基板上的正投影同时覆盖所述有机绝缘结构在所述基板上的正投影、所述凹槽在所述基板上的正投影和所述单侧阻挡结构在所述基板上的正投影，所述单侧阻挡结构位于所述基板与所述封装层之间。
22.根据权利要求19所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：触控绝缘层，设置在所述封装层远离所述基板的一侧；
所述触控电极图形包括多个触控驱动电极和多个触控感应电极，所述触控驱动电极与触控感应电极交叉设置，所述触控驱动电极与所述触控感应电极交叉处被所述触控绝缘层绝缘间隔开，每个所述触控驱动电极和每个所述触控感应电极均对应连接一条所述触控信号线。
23.根据权利要求22所述的显示面板，其中，所述触控驱动电极包括：沿第一方向排列的多个驱动电极单元、以及连接在每相邻两个所述驱动电极单元之间的连接部；
所述触控感应电极包括：沿第二方向排列的多个感应电极单元、以及连接在每相邻两个所述感应电极单元之间的桥接部；
其中，所述第一方向与所述第二方向相交叉，所述驱动电极单元、所述连接部和所述感应电极单元均位于所述触控绝缘层远离所述基板的一侧且位于同一层，所述桥接部位于所述触控绝缘层与所述封装层之间。
24.根据权利要求22所述的显示面板，其中，所述触控信号线包括第一传输部和第二传输部，所述第一传输部位于所述触控绝缘层与所述封装层之间，所述第二传输部位于所述触控绝缘层远离所述封装层的一侧，所述第二传输部通过贯穿所述触控绝缘层的过孔与所述第一传输部电连接。
25.根据权利要求15至17中任意一项所述的显示面板，其中，所述显示区包括多个像素单元，每个像素单元中设置有发光元件，所述显示面板还包括电源线，所述电源线与所述发光元件电连接，其中，所述电源线位于所述有机绝缘结构与所述基板之间，所述电源线在所述基板上的正投影与所述第一侧面在所述基板上的正投影存在交叠。
26.根据权利要求15至17中任意一项所述的显示面板，其中，所述阻挡物包括：
第一阻挡物，位于所述外围区中且环绕所述显示区；
第二阻挡物，位于所述外围区且环绕所述第一阻挡物；
其中，所述第一阻挡物的位于所述显示区与所述焊盘区之间的部分、所述第二阻挡物的位于所述显示区与所述焊盘区之间的部分构成所述单侧阻挡结构。
27.根据权利要求15至17中任意一项所述的显示面板，其中，所述基板为柔性基板，其还包括位于所述外围区与所述焊盘区之间的弯曲区。
28.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：
第一缓冲层，设置在所述基板上；
半导体层，设置在所述第一缓冲层与所述第一平坦化层之间；
第一栅绝缘层，设置在所述半导体层与所述第一平坦化层之间；
第一栅电极层，设置在所述第一栅绝缘层与所述第一平坦化层之间；
第二栅绝缘层，设置在所述第一栅电极层与所述第一平坦化层之间；
第二栅电极层，设置在所述第二栅绝缘层与所述第一平坦化层之间；
层间绝缘层，设置在所述第二栅电极层与所述第一平坦化层之间；
第一源漏导电层，设置在所述层间绝缘层与所述第一平坦化层之间；
钝化层，设置在所述第一源漏导电层与所述第一平坦化层之间；
第二源漏导电层，设置在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间；
第一电极层，设置在所述第二平坦化层与所述像素界定层之间，所述第一电极层包括多个第一电极，所述像素界定层包括与所述第一电极一一对应的像素开口；
发光层，设置在所述像素开口中；
第二电极层，设置在所述发光层远离所述基板的一侧；
封装层，设置在所述发光层远离所述基板的一侧；
第二缓冲层，设置在所述封装层远离所述基板的一侧。
29.一种显示面板，其包括：
基板，包括：显示区、外围区和焊盘区，所述外围区环绕所述显示区，所述焊盘区位于所述外围区远离所述显示区的一侧；
至少一个阻挡物，设置在所述基板上，所述阻挡物位于所述外围区中且环绕所述显示区，所述阻挡物包括位于所述显示区与所述焊盘区之间的单侧阻挡结构；
有机绝缘结构，设置在所述基板上，所述有机绝缘结构包括层叠设置的多个子绝缘结构，所述多个子绝缘结构中的每个所述子绝缘结构的一部分位于所述显示区，每个所述子绝缘结构具有位于所述显示区与所述单侧阻挡结构之间的第一边界，除了最远离所述基板的所述子绝缘结构之外，其余每个所述子绝缘结构均包括伸出部；其中，对于任意相邻的两个所述子绝缘结构，靠近所述基板的所述子绝缘结构的伸出部位于远离所述基板的所述子绝缘结构的第一边界与所述单侧阻挡结构之间；
触控电极图形，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧；
触控信号线，设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧，所述触控信号线的一端与所述触控电极图形电连接，另一端连接至所述焊盘区，所述触控信号线在所述外围区的部分在所述基板上的正投影与每个所述子绝缘结构的伸出部在所述基板上的正投影存在交叠；
其中，具有所述伸出部的所述子绝缘结构通过对有机材料层采用双色调掩膜板进行图案化工艺形成，其中，在进行所述图案化工艺时，待形成所述伸出部的区域对应于所述双色调掩膜板的半透光区。
30.根据权利要求29所述的显示面板，其中，所述有机绝缘结构的多个所述子绝缘结构包括：
第一平坦化层，设置所述基板上；
第二平坦化层，位于所述第一平坦化层远离所述基板的一侧；
像素界定层，位于所述第二平坦化层远离所述基板的一侧。
31.一种显示装置，包括权利要求1至30中任意一项所述的显示面板。
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