CN111863916B - 静电保护电路、显示基板和显示装置 - Google Patents

静电保护电路、显示基板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111863916B
CN111863916B CN202010744299.7A CN202010744299A CN111863916B CN 111863916 B CN111863916 B CN 111863916B CN 202010744299 A CN202010744299 A CN 202010744299A CN 111863916 B CN111863916 B CN 111863916B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
transistor
protection circuit
line
electrostatic protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010744299.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111863916A (zh
Inventor
蔡建畅
龙跃
程羽雕
周宏军
杜丽丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010744299.7A priority Critical patent/CN111863916B/zh
Publication of CN111863916A publication Critical patent/CN111863916A/zh
Priority to US17/765,530 priority patent/US12003093B2/en
Priority to PCT/CN2021/100075 priority patent/WO2022022124A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111863916B publication Critical patent/CN111863916B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/008—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for protective arrangements according to this subclass
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2092—Details of a display terminals using a flat panel, the details relating to the control arrangement of the display terminal and to the interfaces thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0296—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/043—Compensation electrodes or other additional electrodes in matrix displays related to distortions or compensation signals, e.g. for modifying TFT threshold voltage in column driver
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/025—Reduction of instantaneous peaks of current
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/04—Display protection
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/12—Test circuits or failure detection circuits included in a display system, as permanent part thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开一种静电保护电路、显示基板和显示装置，静电保护电路包括：设置在基底上的多个第一晶体管，第一晶体管包括栅极、有源层、第一极、第二极和连接部，多个所述第一晶体管的栅极相互连接，形成为控制线；第一晶体管的第一极与裂纹检测线电连接，连接部连接在第一极与第二极之间，第一晶体管的有源层和栅极交叠设置并绝缘间隔，形成第一电容；控制线与第一电源线电连接，第一电源线所在层与控制线所在层之间的绝缘层上设置有第一过孔，第一电源线通过第一过孔与控制线电连接，靠近所述第一过孔的第一电容在基底上的正投影与第一过孔在基底上的正投影之间具有第一间距，第一间距与第一电容在垂直于连接部的方向上的尺寸之比大于0.375。

Description

静电保护电路、显示基板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种静电保护电路、显示基板和显示装置。
背景技术
在有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板中，显示区的周边区域设置有裂缝检测(Panel crack detect，PCD)线，以检测显示面板是否出现裂缝。另外，在生产过程中，裂纹检测线上容易产生静电，因此，通常在周边区域设置静电保护电路来对裂纹检测线进行静电保护。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种静电保护电路、显示基板和显示装置。
为了实现上述目的，本公开提供一种静电保护电路，包括：设置在基底上的多个第一晶体管，所述第一晶体管包括栅极、有源层、第一极、第二极和连接部，多个所述第一晶体管的栅极相互连接，形成为控制线；所述第一晶体管的第一极与裂纹检测线电连接，所述连接部连接在所述第一晶体管的第一极与第二极之间，所述第一晶体管的有源层和栅极交叠设置并绝缘间隔，以形成第一电容；
所述控制线与第一电源线电连接，所述第一电源线与所述控制线位于绝缘间隔的不同层中，所述第一电源线所在层与所述控制线所在层之间的绝缘层上设置有第一过孔，所述第一电源线通过所述第一过孔与所述控制线电连接，靠近所述第一过孔的第一电容在所述基底上的正投影与所述第一过孔在所述基底上的正投影之间具有第一间距，所述第一间距与所述第一电容在垂直于所述连接部的方向上的尺寸之比大于0.375。
在一些实施例中，所述第一间距与所述第一电容在垂直于所述连接部的方向上的尺寸之比在0.375～5之间。
在一些实施例中，所述第一间距在15μm～50μm之间，所述第一电容在垂直于所述连接部的方向上的尺寸在10μm～40μm之间。
在一些实施例中，所述静电保护电路中的多个第一晶体管排成两行，至少一行包括多个所述第一晶体管，所述控制线为环形信号线。
在一些实施例中，多个所述第一晶体管的第一极通过连接线相互连接，所述连接线为环绕所述控制线的半封闭结构。
在一些实施例中，所述连接线的首尾两端均与所述裂纹检测线电连接。
在一些实施例中，所述裂纹检测线位于所述第一晶体管的栅极所在层与所述第一晶体管的第一极所在层之间，所述裂纹检测线与所述第一晶体管的栅极所在层之间设置有栅绝缘层，所述裂纹检测线所在层与所述第一晶体管的第一极所在层之间设置有层间介质层。
在一些实施例中，所述连接线与所述裂纹检测线通过第二过孔电连接，所述第二过孔贯穿所述层间介质层。
在一些实施例中，所述栅绝缘层和所述层间介质层均覆盖所述裂纹检测线和所述静电保护电路。
在一些实施例中，所述第一晶体管的第一极、第二极和所述连接线连接为一体结构。
在一些实施例中，所述第一晶体管的连接部的宽度在3μm～10μm之间。
在一些实施例中，所述第一电源线与所述第一晶体管的第一极和第二极同层设置。
本公开实施例还提供一种显示基板，包括上述的静电保护电路，所述显示基板具有显示区和环绕所述显示区的周边区，所述静电保护电路设置在所述显示基板的周边区。
在一些实施例中，所述显示基板还包括设置在所述显示区的像素电路，所述像素电路包括：存储电容和多个第二晶体管，
所述第二晶体管的有源层与所述第一晶体管的有源层同层设置，
所述第二晶体管的栅极、所述存储电容的第一极与所述第一晶体管的栅极同层设置，
所述第二晶体管的第一极和第二极、所述第一晶体管的第一极和第二极同层设置，
所述存储电容的第二极与所述裂纹检测线同层设置。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示基板。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
图1为本公开的一些实施例中提供的显示基板的平面示意图。
图2为本公开的一些实施例中提供的静电保护电路的平面图。
图3为图2所示的静电保护电路的原理图。
图4为沿图2中A-A'线的剖视图。
图5为本公开实施例中提供的显示区中的膜层结构示意图。
图6为本公开实施例中的触控电极图形的平面图。
图7为沿图6中B-B'线的剖视图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
这里用于描述本公开的实施例的术语并非旨在限制和/或限定本公开的范围。例如，除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。应该理解的是，本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
在下面的描述中，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
在有机电致发光显示面板的制作过程中，在显示基板上形成有机电致发光单元后，常采用薄膜封装工艺对有机电致发光单元进行封装。显示面板受到外力时，尤其是柔性显示面板在弯折时，很容易导致封装层出现裂纹，从而降低封装层对水汽的阻止能力。
为了检测封装层是否发生破损，目前常用的方式是在显示区周边设置裂缝检测(Panel crack detect，PCD)线，当检测线的电阻超出正常范围时，则表示检测线产生裂缝，进而判定封装层产生裂缝。另外，在生产过程中，显示面板上容易产生静电，为了防止静电对裂纹检测线造成损伤，在一些实施例中，显示区周边还设置有静电保护电路，图1为本公开的一些实施例中提供的显示基板的平面示意图，图2为本公开的一些实施例中提供的静电保护电路的平面图，图3为图2所示的静电保护电路的原理图，图4为沿图2中A-A'线的剖视图。结合图1至图4所示，静电保护电路10包括：设置在基底SUB上的多个第一晶体管11，第一晶体管11包括栅极111、有源层112、第一极113、第二极114和连接部115，多个第一晶体管11的栅极111相互连接，形成为控制线12。示例性地，第一晶体管11的栅极111为控制线12的一部分。
控制线12与第一电源线VSS电连接。每个第一晶体管11的第一极113均与裂纹检测线PL连接，连接部115连接在第一晶体管11的第一极113与第二极114之间，第一晶体管11的有源层112和栅极111交叠设置并绝缘间隔，以形成第一电容C1。
其中，第一晶体管11的第一极113和第二极114中的一者为第一晶体管11的源极，另一者为第一晶体管11的漏极。第一晶体管11的有源层112包括第一接触部112a、第二接触部112b和连接在第一接触部112a与第二接触部112b之间的沟道部112c。沟道部12c与栅极111正对，第一晶体管11的第一极113与第一接触部112a连接，第一晶体管11的第二极114与第二接触部112b连接。第一电源线VSS可以提供控制沟道部112c中形成导电通路的电压，从而使沟道部112c将第一接触部112a与第二接触部112b导通。例如，第一晶体管11为N型晶体管，第一电源线VSS为高电平电压线；或者，第一晶体管11为P型晶体管，第一电源线VSS为低电平电压线。本公开实施例第一晶体管11为P型晶体管为例，进行说明。
结合图1至图4所示，第一电源线VSS为栅极111提供电压，从而使有源层112中形成载流子通道，此时，栅极111和有源层112分别作为第一电容C1的两极。第一电容C1的两极分别连接第一电源线VSS和裂纹检测线PL。同时，连接部115与第一晶体管11的第一极113、第二极114连接，从而使得连接部115、第一极113、第二极114形成的整体结构与栅极111也形成电容(记作第二电容C2)，第二电容C2与第一电容C1并联。当裂纹检测线PL上产生静电时，静电电荷存储至第一电容C1和第二电容C2中，从而防止静电电荷残留在裂纹检测线PL上而对裂纹检测线PL及周围的器件造成影响。
在实际应用中，可以根据裂纹检测线PL上可能产生的静电电荷的多少，来设置第一电容C1和第二电容C2的大小。例如，当显示基板用于尺寸较大的显示装置(例如，手机、平板电脑)中时，裂纹检测线PL上的静电电荷相应较多，此时，可以增大第一电容C1和/或第二电容C2的电容值，以提高第一电容C1和/或第二电容C2存储电荷的能力；当显示基板用于尺寸较小的显示装置(例如，手表、手环)中时，可以减小第一电容C1和/或第二电容C2的电容值，以减小静电保护电路10所占用的边框空间。其中，在调整电容的电容值时，可以通过电容的两极之间的相对面积来实现。例如，对于第一电容C1而言，可以通过调整有源层112在垂直于连接部15的方向上的尺寸(以下称为有源层112的宽度)，来调节有源层112与栅极111的交叠面积，从而调整第一电容C1的容值。需要说明的是，连接部15沿第一晶体管的第一极113和第二极114的排列方向延伸；“垂直于连接部15的方向”是指，与连接部15的延伸方向垂直的方向；还需要说明的是，本公开中的两个方向(或结构)“垂直”是指，二者之间的夹角近似垂直，例如，夹角在85°～90°之间。例如，在图2中，连接部15的延伸方向为上下方向，垂直于连接部15的方向大致为连接部15的宽度方向，即沿图2中的左右方向。
在本公开实施例中，第一电源线VSS与控制线12位于绝缘间隔的不同层中，第一电源线VSS所在层与控制线12所在层之间的绝缘层上设置有第一过孔V1，第一电源线VSS通过第一过孔V1与控制线12电连接。可选地，第一电源线VSS包括主体部VSSa和传输部VSSb，传输部VSSb的一端与主体部VSSa连接，另一端通过第一过孔V1与控制线12连接。如图2所示，靠近第一过孔V1的第一电容C1在基底SUB上的正投影与第一过孔V1在基底SUB上的正投影之间具有第一间距S1。
当第一电容C1存储的电荷过多而发生放电时，会导致第一电容C1被击穿，若第一间距S1过小，则第一电容C1的放电会导致第一过孔V1内的导电部分与被击穿的第一电容C1短接，从而导致裂纹检测线PL上持续加载第一电源线VSS上的电压，进而影响对裂纹检测线PL的阻值检测，从而影响裂纹检测结果。
有鉴于此，本公开实施例中，将第一间距S1设置为较大值，例如，第一间距S1与第一电容C1在垂直于连接部115的方向上的尺寸S2之比大于0.375(即，S1/S2>0.375)，从而防止第一过孔V1内的导电部分与被击穿的第一电容C1短接，进而防止裂纹检测线PL与第一电源线VSS导通，以防止裂纹检测结果受到影响。
在一些实施例中，S1与S2之比在0.375～5之间，从而在防止第一过孔V1内的导电部分与被击穿的第一电容C1短接的同时，防止第一间距S1过大而占用过多的边框空间。例如，S1/S2为0.5，或者为1，或者为2，或者为3，等等。
在一些具体示例中，S1在15μm～50μm之间，S2在10μm～40μm之间。其中，静电保护电路10用于尺寸较大、边框较宽的显示产品(例如，手机、平板电脑)中时，需要提高第一电容C1的存储电荷的能力，而对电荷导入至第一电容C1的导流速度要求并不高，因此，这种情况下，可以将S2设置得较大，而将S1设置得较小，只要S1/S2大于0.375即可。例如，S1在15μm～30μm之间，S2在20μm～40μm之间。当静电保护电路10用于尺寸较小、边框较窄的显示产品中时，需要提高电荷导入至第一电容C1的导流速度，因此，这种情况下，可以将S2设置得较小，而将S1设置得较大，例如，S1在25μm～35μm之间，S2在10μm～25μm之间。
在一些实施例中，静电保护电路10中的多个第一晶体管11排成两行，至少一行包括多个第一晶体管11，控制线12为环形信号线。需要说明的是，“环形”并不一定是指圆环形，也可以为不规则形状的环，只要能形成闭合的回路即可。
在一些实施例中，多个第一晶体管11的第一极113通过连接线13相互连接，连接线13为环绕控制线12的半封闭结构，也即，对于第一行的第一晶体管11而言，该行第一晶体管11的第一极113远离第二行第一晶体管11，第一行第一晶体管11的第二极114靠近第二行第一晶体管11；对于第二行第一晶体管11而言，该行第一晶体管11的第一极113远离第一行第一晶体管11，第二行第一晶体管11的第二极114靠近第一行第一晶体管11，连接线13设置在控制线12的外围。
例如，连接线13的首尾两端均与裂纹检测线PL连接。
如图4所示，第一晶体管11的有源层112设置在基底SUB上，基底SUB为柔性基底SUB，其可以采用柔性的有机材料制成。例如，该有机材料为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。有源层112的材料可以包括例如无机半导体材料(例如，多晶硅、非晶硅等)、有机半导体材料、氧化物半导体材料。有源层112的第一接触部112a和第二接触部112b均可以掺杂有比沟道部112c的杂质浓度高的杂质(例如，N型杂质或P型杂质)。沟道部112c与第一晶体管11的栅极111正对，当栅极111加载的电压信号达到一定值时，沟道部112c中形成载流子通路。
第一晶体管11的有源层112与基底SUB之间还可以设置缓冲层BFL，缓冲层BFL用于防止或减少金属原子和/或杂质从基底SUB扩散到第一晶体管11的有源层112中。例如，缓冲层BFL可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料，并且可以形成为多层或单层。
第一栅绝缘层GI1设置在有源层112上，第一栅绝缘层GI1的材料可以包括硅化合物、金属氧化物。例如，第一栅绝缘层GI1的材料包括氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。另外，第一栅绝缘层GI1可以为单层或多层。
栅极111设置在第一栅绝缘层GI1上，栅极111的材料可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，栅极111可以包括金(Au)、金的合金、银(Ag)、银的合金、铝(Al)、铝的合金、氮化铝(AlNx)、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiN x)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。栅极111可以具有单层或多层。
第二栅绝缘层GI2设置在栅极111所在层上，第二栅绝缘层GI2的材料可以包括例如硅化合物、金属氧化物。例如，第二栅绝缘层GI2的材料可以包括氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。第二栅绝缘层GI2可以形成为单层或多层。
裂纹检测线PL设置在第二栅绝缘层GI2上，其中，裂纹检测线PL的材料可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，栅电极层可以包括金(Au)、金的合金、银(Ag)、银的合金、铝(Al)、铝的合金、氮化铝(AlNx)、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiN x)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。裂纹检测线PL可以具有单层或多层。
层间介质层ILD设置在裂纹检测线PL所在层上，层间介质层ILD的材料可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。具体可以选择上文所列举的硅化合物和金属氧化物，这里不再赘述。
第一源漏导电层SD1设置在层间介质层ILD上，第一源漏导电层SD1可以包括各个第一晶体管11的第一极113、第二极114、连接部115和连接线13。其中，各个第一晶体管11的第一极113、第二极114、连接部115和连接线13可以形成为一体结构。第一极113和第二极114可以沿栅极111的长度方向延伸，连接部115的延伸方向与栅极111的延伸方向交叉，例如，连接部115的延伸方向与栅极111的延伸方向垂直。示例性地，连接部115的宽度小于第一晶体管11的第一极113和第二极114的长度，可选地，连接部115的宽度在3μm～10μm之间，例如，连接部115的宽度为5μm。第一晶体管11的第一极113通过一个或多个第三过孔V3与有源层112的第一接触部112a连接，第一晶体管11的第二极114通过一个或多个第四过孔V4与有源层112的第二接触部112b连接。其中，第三过孔V3和第四过孔V4均贯穿第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2和层间介质层ILD。
第一源漏导电层SD1可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等，例如，第一源漏导电层可以为金属构成的单层或多层，例如为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。另外，第一源漏导电层SD1还包括第一电源线VSS，即，第一电源线VSS与第一晶体管11的第一极113同层设置。需要说明的是，“同层设置”是指两个结构是由同一个材料层经过构图工艺形成的，故二者在层叠关系上是处于同一个层之中，但并不表示二者到基底SUB间的距离必定相同。
第一电源线VSS通过第一过孔V1与控制线12连接，第一过孔V1贯穿第二绝缘层GI2和层间介质层ILD，并暴露出控制线12的一部分。其中，为了提高第一电源线VSS与控制线12的连接稳定性，第一过孔V1的数量可以为多个。例如，第一过孔V1的数量为三个。
连接线13通过贯穿层间介质层ILD的第二过孔与裂纹检测线PL连接。例如，连接线13的两端均通过多个过孔与裂纹检测线PL连接，以提高连接稳定性。
本公开实施例还提供一种显示基板，包括上述实施例中的静电保护电路10。
其中，显示基板具有显示区DA和环绕显示区DA的周边区PA，显示区DA中可以设置用于显示图像的元件，例如，像素电路、扫描线、数据线、发光器件等等。发光器件可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode。OLED)，有机发光二极管可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。像素电路可以包括存储电容和多个第二晶体管，发光器件的第一极(例如，正极)与像素电路的第二晶体管连接，发光器件的第二极(例如，负极)与第一电源线VSS连接。
图5为本公开实施例中提供的显示区中的膜层结构示意图，结合图4和图5所示，像素电路中的存储电容40的第一极41、像素电路中各第二晶体管20的栅极22、静电保护电路10中各第一晶体管11的栅极111可以同层设置，像素电路中的存储电容40的第二极42与裂纹检测线PL同层设置。像素电路中的各第二晶体管20有源层21与静电保护电路10中的各第二晶体管11的有源层112同层设置。像素电路中的各第二晶体管20的第一极23和第二极24、静电保护电路10中的各第一晶体管11的第一极113和第二极114同层设置，均位于第一源漏导电层SD1。上述缓冲层BFL、第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2、层间介质层ILD均延伸至显示区DA，从而使得像素电路中，第二晶体管20的有源层21与基底SUB被缓冲层BFL间隔开，第二晶体管20的栅极22和有源层21被第一栅绝缘层GI1间隔开，存储电容40的第一极41和第二极41被第二栅绝缘层GI2间隔开，存储电容40的第二极42和第一源漏导电层SD1被层间介质层ILD间隔开。
如图5所示，第一平坦化层PLN1设置在第一源漏导电层SD1远离基底SUB的一侧，第一平坦化层PLN1的远离基底SUB的表面基本平坦。第一平坦化层PLN1可以覆盖显示区DA，并覆盖静电保护电路10和裂纹检测线PL。第一平坦化层PLN1采用有机绝缘材料制成，例如，该有机绝缘材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、压克力、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯、聚酰胺、硅氧烷等树脂类材料等。再例如，该有机绝缘材料包括弹性材料，例如、氨基甲酸乙酯、热塑性聚氨酯(TPU)等。
第二源漏导电层SD2设置在第一平坦化层PLN1远离基底SUB的一侧，第二源漏导电层SD2可以包括位于显示区DA中的转接电极50。其中，转接电极50通过贯穿第一平坦化层PLN1的过孔与像素电路的其中一个第二晶体管的第二极24电连接，同时，转接电极50还通过贯穿第二平坦化层PLN2的过孔与发光器件30的第一电极31电连接。转接电极50可以避免直接在第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2中形成孔径比较大的过孔，从而改善过孔电连接的质量。第二源漏导电层SD2的材料可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等，例如，第二源漏导电层SD2可以为金属构成的单层或多层，例如为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。第二源漏导电层SD2的材料可以与第一源漏导电层SD1的材料相同或不同。
第二平坦化层PLN2设置在第二源漏导电层SD2上，第二平坦化层PLN2覆盖转接电极50，并且第二平坦化层PLN2的上表面基本平坦。第二平坦化层PLN2采用有机绝缘材料制成，例如，该有机绝缘材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、压克力、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯、聚酰胺、硅氧烷等树脂类材料等。再例如，该有机绝缘材料包括弹性材料，例如、氨基甲酸乙酯、热塑性聚氨酯(TPU)等。第二平坦化层PLN2的材料可以与第一平坦化层PLN1的材料相同或不同。
像素界定层PDL设置在第二平坦化层PLN2远离基底SUB的一侧。像素界定层PDL包括与发光器件30一一对应的像素开口。像素界定层PDL的材料可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料。
发光器件30包括第一电极31、发光层33和第二电极32，第一电极31位于第二平坦化层PLN2与像素界定层PDL之间，发光层33位于相应的像素开口中，第二电极32位于发光层33远离基底SUB的一侧。显示区DA中所有发光器件30的第二电极32连接为一体，形成第二电极层。其中，第一电极31为发光器件30的阳极，第二电极32为阴极。第一电极31通过贯穿第二平坦化层PLN2的过孔与转接电极50电连接，进而与像素电路的第二晶体管20的第二极24电连接。第一电极31可以采用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等材料制成。第一电极31可以为单层或多层结构。第一电极31的一部分被像素开口暴露出。
发光层33可以包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光。第二电极32位于发光层的远离基底SUB的一侧，第二电极32可以采用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等制成。本公开实施例中，发光器件30可以采用顶发射型结构或底发射型结构。当采用顶发射型结构时，第一电极31包括具有光反射性能的导电材料或者包括光反射膜，第二电极32包括透明或半透明的导电材料。当采用底发射型结构时，第二电极32包括光反射性能的导电材料制成或者包括光反射膜，第一电极31包括透明或半透明的导电材料。
需要说明的是，发光器件30还可以包括其他膜层，例如，还可以包括：位于第一电极31与发光层33之间的空穴注入层和空穴传输层，以及位于发光层33与第二电极32之间的电子传输层和电子注入层。
封装层EPL设置在发光器件30远离基底SUB的一侧，用于对发光器件30进行封装，其中，封装层EPL可以包括两层无机层和位于二者之间的有机层，无机层可以采用氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等致密性高的无机材料制成。有机层可以采用含有干燥剂的高分子材料制成，或采用可阻挡水汽的高分子材料制成。
静电保护电路10设置在显示基板的周边区PA，其中，静电保护电路10的数量可以为多个，例如，如图1中所示，显示基板包括两个静电保护电路10，该两个静电保护电路10分别靠近显示区DA的两个角部设置。周边区PA可以包括位于显示区DA一侧的焊盘区WA，焊盘区WA中可以设置焊盘PAD，每个焊盘PAD被配置为电连接从显示区DA或周边区PA延伸出来的信号线。例如，数据线可以通过数据连接线连接至焊盘PAD。焊盘PAD可以是暴露在焊盘区WA表面的，即不被任何层覆盖，这样便于电连接到柔性印刷电路板FPCB(Flexible PrintCircuit Board)。柔性印刷电路板与外部控制器电连接，被配置为传输来自外部控制器的信号。焊盘PAD与各个信号线电连接，从而实现信号线与柔性印刷电路板之间相互通信。另外，周边区PA还包括弯曲区BA和扇出区FA，弯曲区BA位于焊盘区WA与显示区DA之间，弯曲区BA被配置为沿弯曲轴BX弯曲，通过弯曲区BA的弯曲，可以使焊盘区WA处于显示基板的背侧(其中，显示基板的显示侧为前侧，与显示侧相反的一侧为后侧或背侧)，从而提高空间利用率，减小显示产品的边框宽度。扇出区FA位于显示区DA与弯曲区BA之间，数据连接线与数据线连接后，经过扇出区FA和弯曲区BA延伸到焊盘区WA。
在一些实施例中，上述第一平坦化层PLN1、第二平坦化层PLN2、像素界定层PDL、封装层EPL可以均覆盖静电保护电路10和裂纹检测线PL。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示基板。该显示装置可以为OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。显示装置尤其适用于手机、智能手环等小尺寸的显示产品。
显示装置除了包括上述显示基板之外，还可以包括设置在显示基板上的触控电极图形，该触控电极图形被配置为检测触摸的发生，以实现触控功能。图6为本公开实施例中的触控电极图形的平面图，图7为沿图6中B-B'线的剖视图，其中，图7中仅示意出封装层EPL和封装层EPL上方的触控电极图形，封装层EPL下方的结构参见上文描述。如图6至图7所示，触控电极图形包括多个触控驱动电极TX和多个触控感应电极RX，触控驱动电极TX与触控感应电极RX交叉设置，触控驱动电极TX与触控感应电极RX交叉处被触控绝缘层TLD绝缘间隔开。触控驱动电极TX包括：沿第一方向排列的多个驱动电极单元TX1和连接在驱动电极单元TX1之间的第一连接部TX2，触控感应电极RX包括多个感应电极单元RX1和连接在感应电极单元之间的第二连接部RX2，其中，第一方向与第二方向相交叉，例如，第一方向为图6中的上下方向，第二方向为图6中的左右方向。驱动电极单元TX1、第一连接部TX2以及感应电极单元RX1均位于触控绝缘层TLD远离基底SUB的一侧，且驱动电极单元TX1、第一连接部TX2以及感应电极单元RX1可以同层设置，第二连接部RX2位于触控绝缘层TLD靠近基底SUB的一侧。第二连接部RX2与第一连接部TX2交叉设置并被触控绝缘层TLD间隔开。感应电极单元RX1通过触控绝缘层TLD上的过孔与第二连接部RX2连接。需要说明的是，图6和图7中所示的触控驱动电极TX和触控感应电极RX仅为示例性说明，并不构成对本公开的限制。例如，还可以使第二连接部RX2位于触控绝缘层TLD远离基底SUB的一侧，第一连接部TX2位于触控绝缘层TLD靠近基底SUB的一侧。又例如，将相邻的驱动电极单元TX1通过异层设置的第二连接部连接，将相邻的感应电极单元RX1利用同层的第一连接部连接。触控驱动电极TX和触控感应电极RX均通过触控信号线TL与焊盘区WA中的焊盘PAD连接。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (15)

1.一种静电保护电路，包括：设置在基底上的多个第一晶体管，所述第一晶体管包括栅极、有源层、第一极、第二极和连接部，多个所述第一晶体管的栅极相互连接，形成为控制线；所述第一晶体管的第一极与裂纹检测线电连接，所述连接部连接在所述第一晶体管的第一极与第二极之间，所述第一晶体管的有源层和栅极交叠设置并绝缘间隔，以形成第一电容；
所述控制线与第一电源线电连接，所述第一电源线与所述控制线位于绝缘间隔的不同层中，所述第一电源线所在层与所述控制线所在层之间的绝缘层上设置有第一过孔，所述第一电源线通过所述第一过孔与所述控制线电连接，靠近所述第一过孔的第一电容在所述基底上的正投影与所述第一过孔在所述基底上的正投影之间具有第一间距，所述第一间距与所述第一电容在垂直于所述连接部的方向上的尺寸之比大于0.375。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，所述第一间距与所述第一电容在垂直于所述连接部的方向上的尺寸之比在0.375～5之间。
3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，所述第一间距在15μm～50μm之间，所述第一电容在垂直于所述连接部的方向上的尺寸在10μm～40μm之间。
4.根据权利要求1所述的静电保护电路，其中，所述静电保护电路中的多个第一晶体管排成两行，至少一行包括多个所述第一晶体管，所述控制线为环形信号线。
5.根据权利要求4所述的静电保护电路，其中，多个所述第一晶体管的第一极通过连接线相互连接，所述连接线为环绕所述控制线的半封闭结构。
6.根据权利要求5所述的静电保护电路，其中，所述连接线的首尾两端均与所述裂纹检测线电连接。
7.根据权利要求5所述的静电保护电路，其中，所述裂纹检测线位于所述第一晶体管的栅极所在层与所述第一晶体管的第一极所在层之间，所述裂纹检测线与所述第一晶体管的栅极所在层之间设置有栅绝缘层，所述裂纹检测线所在层与所述第一晶体管的第一极所在层之间设置有层间介质层。
8.根据权利要求7所述的静电保护电路，其中，所述连接线与所述裂纹检测线通过第二过孔电连接，所述第二过孔贯穿所述层间介质层。
9.根据权利要求7所述的静电保护电路，其中，所述栅绝缘层和所述层间介质层均覆盖所述裂纹检测线和所述静电保护电路。
10.根据权利要求5所述的静电保护电路，其中，所述第一晶体管的第一极、第二极和所述连接线连接为一体结构。
11.根据权利要求1至5中任意一项所述的静电保护电路，其中，所述第一晶体管的连接部的宽度在3μm～10μm之间。
12.根据权利要求1至5中任意一项所述的静电保护电路，其中，所述第一电源线与所述第一晶体管的第一极和第二极同层设置。
13.一种显示基板，包括权利要求1至12中任意一项所述的静电保护电路，所述显示基板具有显示区和环绕所述显示区的周边区，所述静电保护电路设置在所述显示基板的周边区。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括设置在所述显示区的像素电路，所述像素电路包括：存储电容和多个第二晶体管，
所述第二晶体管的有源层与所述第一晶体管的有源层同层设置，
所述第二晶体管的栅极、所述存储电容的第一极与所述第一晶体管的栅极同层设置，
所述第二晶体管的第一极和第二极、所述第一晶体管的第一极和第二极同层设置，
所述存储电容的第二极与所述裂纹检测线同层设置。
15.一种显示装置，包括权利要求13或14所述的显示基板。
CN202010744299.7A 2020-07-29 2020-07-29 静电保护电路、显示基板和显示装置 Active CN111863916B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010744299.7A CN111863916B (zh) 2020-07-29 2020-07-29 静电保护电路、显示基板和显示装置
US17/765,530 US12003093B2 (en) 2020-07-29 2021-06-15 Electrostatic protection circuit, display substrate and display apparatus
PCT/CN2021/100075 WO2022022124A1 (zh) 2020-07-29 2021-06-15 静电保护电路、显示基板和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010744299.7A CN111863916B (zh) 2020-07-29 2020-07-29 静电保护电路、显示基板和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111863916A CN111863916A (zh) 2020-10-30
CN111863916B true CN111863916B (zh) 2022-08-02

Family

ID=72945934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010744299.7A Active CN111863916B (zh) 2020-07-29 2020-07-29 静电保护电路、显示基板和显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US12003093B2 (zh)
CN (1) CN111863916B (zh)
WO (1) WO2022022124A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111863916B (zh) 2020-07-29 2022-08-02 京东方科技集团股份有限公司 静电保护电路、显示基板和显示装置
CN112614427B (zh) * 2020-11-30 2022-04-08 武汉天马微电子有限公司 显示面板及切割面板
CN112905050B (zh) * 2021-02-18 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
US20230413629A1 (en) * 2021-06-30 2023-12-21 Hefei Boe Joint Technology Co.,Ltd. Display Substrate, Manufacturing Method Therefor, and Display Device
CN114185209B (zh) * 2022-02-17 2022-05-27 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN117652027A (zh) * 2022-06-29 2024-03-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795428A (zh) * 2015-04-10 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法以及显示装置
KR102372208B1 (ko) * 2017-08-21 2022-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102402084B1 (ko) * 2017-08-24 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102485295B1 (ko) * 2017-11-30 2023-01-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN110415631B (zh) * 2018-04-26 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及检测方法
CN109935571B (zh) * 2019-04-02 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、裂纹检测方法、显示装置
CN111445797B (zh) * 2020-04-07 2023-06-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN111863916B (zh) 2020-07-29 2022-08-02 京东方科技集团股份有限公司 静电保护电路、显示基板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022022124A1 (zh) 2022-02-03
US20220320851A1 (en) 2022-10-06
CN111863916A (zh) 2020-10-30
US12003093B2 (en) 2024-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111863916B (zh) 静电保护电路、显示基板和显示装置
CN109428000B (zh) 有机发光显示装置
CN102024421B (zh) 有机发光显示设备
US11917872B2 (en) Display device
US12089472B2 (en) Display panel and display device
US12058900B2 (en) Organic light-emitting display device having reduced compensated step from electrode lines to prevent cracking of encapsulation laver
US11829541B2 (en) Display panel and manufacturing method thereof, and display device
US20240258492A1 (en) Display device
US11730026B2 (en) Display apparatus
US11545532B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20220376025A1 (en) Display substrate and display apparatus
US11177331B2 (en) Semiconductor device and display device having the same
KR20220111814A (ko) 표시장치
KR102707561B1 (ko) 표시 장치
CN116390558A (zh) 发光显示装置
CN115472662A (zh) 显示面板、显示模组及显示装置
CN114975524A (zh) 显示装置
KR20210085630A (ko) 표시장치
CN115241267B (zh) 显示面板和显示装置
US20240147804A1 (en) Display device
EP4113609A1 (en) Transistor and display device including the same
US20240324293A1 (en) Display apparatus
US20220158128A1 (en) Display apparatus
CN118695650A (zh) 显示设备和显示设备的制造方法
CN115955874A (zh) 显示装置和提供该显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant