CN113884403B - 一种薄膜检测方法、装置、终端设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请适用于薄膜检测技术领域，提供了一种薄膜检测方法、装置、终端设备及存储介质。本申请实施例中以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试；确定上述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线；上述薄膜磨损曲线为上述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线；根据上述薄膜磨损曲线确定上述待测样品的薄膜强度，从而提高了检测薄膜强度的效率。

Description

一种薄膜检测方法、装置、终端设备及存储介质

技术领域

本申请属于薄膜检测技术领域，尤其涉及一种薄膜检测方法、装置、终端设备及存储介质。

背景技术

随着半导体镀膜技术的发展，在同一基板上的镀膜层数逐渐增多，而膜层的薄膜厚度逐渐减薄，现有产品承受外力冲击的耐受度一般受限于产品本身的薄膜强度。而现有的针对薄膜强度的检测方法一般主要为铅笔硬度测试、百格测试等，而利用该测试手段对薄膜强度进行测试的检测效率较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种薄膜检测方法、装置、终端设备及存储介质，可以解决薄膜强度的检测效率较低的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种薄膜检测方法，包括：

以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试；

确定上述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线；上述薄膜磨损曲线为上述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线；

根据上述薄膜磨损曲线确定上述待测样品的薄膜强度。

第二方面，本申请实施例提供了一种薄膜检测装置，包括：

测试模块，用于以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试；

曲线确定模块，用于确定上述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线；上述薄膜磨损曲线为上述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线；

强度确定模块，用于根据上述薄膜磨损曲线确定上述待测样品的薄膜强度。

第三方面，本申请实施例提供了一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在上述存储器中并可在上述处理器上运行的计算机程序，上述处理器执行上述计算机程序时实现上述任一种薄膜检测方法的步骤。

第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，上述计算机可读存储介质存储有计算机程序，上述的计算机程序被处理器执行时实现上述任一种薄膜检测方法的步骤。

第五方面，本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在终端设备上运行时，使得终端设备执行上述第一方面中任一种薄膜检测方法。

本申请实施例中以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试，从而通过摩擦测试来确定上述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线，上述薄膜磨损曲线为上述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线，再根据上述薄膜磨损曲线确定上述待测样品的薄膜强度，从而根据预设区域内的各个位置来综合确定出对应待测样品的薄膜强度，提高了薄膜强度的准确性，并且通过简单的施以负载进行一定区域的摩擦测试，可以快速地确定待测样品的薄膜强度，从而整体提高了薄膜强度的检测效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的薄膜检测方法的第一种流程示意图；

图2是本申请实施例提供的薄膜摩擦测试的场景示意图；

图3是本申请实施例提供的薄膜测量的场景示意图；

图4是本申请实施例提供的薄膜凹陷深度的原位成像示意图；

图5是本申请实施例提供的薄膜检测方法的第二种流程示意图；

图6是本申请实施例提供的薄膜检测方法的制程比对示意图；

图7是本申请实施例提供的薄膜检测装置的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的终端设备的结构示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。

另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

图1所示为本申请实施例中一种薄膜检测方法的流程示意图，该方法的执行主体可以是终端设备，如图1所示，上述薄膜检测方法可以包括如下步骤：

步骤S101、以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试。

在本实施例中，终端设备可以通过对待侧样品施以预设测试负载，通过一预设时间的恒定负载来对样品薄膜预设区域进行摩擦测试，即对薄膜预设区域进行反复摩擦，从而通过该预设区域的磨损深度确定出该待测样品的薄膜强度。其中，上述测试负载为对薄膜进行摩擦测试时对薄膜施加的负载，可以设置为50微牛至100微牛之间的数值。

具体地，如图2所示，终端设备将待测样品20放置在样品台30上，进行摩擦测试的载头10位于样品上方，图2所示的待测样品20的第一层为样品测试薄膜201，即包含上述薄膜预设区域的薄膜，第二层为样品基板202。然后终端设备可以使用纳米压痕仪来对载头10施以测试负载，控制载头10在预设时间内以恒定的测试负载对样品的薄膜预设区域进行反复摩擦。其中，上述纳米压痕仪可以采用Bruker纳米压痕仪。

可以理解的是，上述纳米压痕仪自带腔体，可以隔绝外界环境带来的干扰，且通过纳米压痕仪上设置的防震装置以及将测试过程设置于稳定平台上等设置方式，来达到隔离外界振动干扰的目的，该稳定平台可以是大理石平台，并且上述样品台设有真空吸附功能，可以固定待测样品，从而减少外界环境对摩擦测试的影响，从而准确评判待测样品的薄膜强度。

在一个实施例中，为便于对待测样品进行摩擦测试，可以将待测样品制程预设尺寸，该预设尺寸可以小于样品台。

在一个实施例中，由不同材质所制作的样品薄膜的薄膜硬度并不同，例如，有机物材质、金属材质等，而倘若均由一种测试负载对不同材质的薄膜进行测试，会影响评判某些材质对应的薄膜强度的准确性，所以为了提升测试效果，进而提高确定薄膜强度的准确性，在步骤S101之前，还可以包括：终端设备对上述待测样品的薄膜硬度进行检测，从而根据所检测的薄膜硬度从预设的硬度关系表中确定出该薄膜硬度对应的预设测试负载。

步骤S102、确定上述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线；上述薄膜磨损曲线为上述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线。

在本实施例中，终端设备可以通过原位成像技术确定出摩擦测试后的待测样品的薄膜预设区域的薄膜磨损曲线，以便于根据该曲线确定出薄膜预设区域的薄膜磨损深度，从而根据薄膜预设区域内的各个位置的薄膜磨损深度来评判薄膜强度。

在一个实施例中，如图3所示，步骤S102可以包括：终端设备可以使用纳米压痕仪来对载头10施以预设测量负载，并以该预设测量负载控制载头10在样品测试薄膜201中的薄膜预设区域移动，同时进行测量，确定上述薄膜预设区域内的各个位置的凹陷深度，并在测量薄膜预设区域的同时、在测量薄膜预设区域之前、或者在测量薄膜预设区域之后，终端设备可以使用纳米压痕仪来对载头施以预设测量负载，并以该预设测量负载对薄膜目标区域进行测量，确定上述薄膜目标区域的凹陷深度，其中，上述目标区域为待测样品的样品测试薄膜201中未进行摩擦测试的区域。终端设备再将上述各个位置的凹陷深度和上述薄膜目标区域的凹陷深度之间的差值确定为上述磨损深度，并根据上述各个位置分别对应的磨损深度确定上述薄膜磨损曲线其中，上述测量负载可以设置为2微牛。

可以理解的是，因为薄膜预设区域经历过摩擦测试，所以薄膜已受到磨损，而目标区域未经历摩擦测试，故薄膜预设区域和目标区域之前在面对测量负载时的凹陷深度存在差距，故可根据两者的凹陷深度之间的差值确定薄膜预设区域内各个位置的磨损深度。

在一个实施例中，终端设备以预设测量负载对薄膜预设区域进行测量时，将所获取的凹陷深度利用原位成像技术生成3D立体图形，再截取截面图，生成原位成像示意图，如图4所示，图4中的X轴为载头所处位置，即载头移动的相对距离，Y轴为凹陷深度。其中，上述原位成像技术可以采用原子力显微镜(Atomic Force Microscope，AFM)原位成像技术。

进一步地，在得到上述原位成像图后，将上述原位成像图进行分析处理，确定出一个界定值，将大于界定值的确定为目标区域内的各个位置的凹陷深度，小于界定值的确定为薄膜预设区域内的各个位置的凹陷深度，因为需根据目标区域的凹陷深度确定出薄膜预设区域的磨损深度，所以可以对目标区域内各个位置的凹陷深度进行均衡化处理，以确定出代表该目标区域的凹陷深度，从而提高确定薄膜预设区域的磨损深度的准确性。上述均衡化处理可以采用将目标区域内各个位置的凹陷深度进行均值处理的方式。

在一个实施例中，终端设备可以对上述目标区域和薄膜预设区域内的各个位置的凹陷深度进行至少两次的测量，并对同一位置的至少两次的测量结果进行均值处理，以提高测量结果的准确性。

步骤S103、根据上述薄膜磨损曲线确定上述待测样品的薄膜强度。

在本实施例中，通过薄膜预设区域各个位置的磨损深度确定出代表薄膜预设区域的磨损深度，以根据所确定的磨损深度得到待测样品的薄膜强度。可以理解的是，在摩擦测试过程中存在着薄膜脱落的状况，若出现薄膜脱落的状况，则说明薄膜强度较差，即薄膜的抗磨损特性较差，该抗磨损特性包括但不限于是薄膜的致密性和薄膜的抗冲击性。

具体地，终端设备可以预设设置同一制程条件下正常待测样品的深度比对标准，将确定出的薄膜磨损深度与预先设置的深度比对标准进行比对，若比对结果的差距越大，则薄膜强度越差，该深度比对标准根据待测样品的制程条件所确定。

在一个实施例中，有时存在由于测试负载的过大或过小，而导致薄膜磨损曲线的结果偏差过大，故为了提高确定薄膜强度的准确性，如图5所示，上述步骤S103可以包括：

步骤S501、确定薄膜磨损曲线的离散程度。

具体地，步骤S501可以包括：终端设备计算上述薄膜磨损曲线的标准差和平均值，再将上述标准差和上述平均值的比值确定为上述离散程度。其中，终端设备可以通过对薄膜磨损曲线进行拟合处理确定出薄膜磨损曲线标准差和平均值，终端设备也可以在薄膜磨损曲线上选取预设数量的磨损深度，再确定预设数量的磨损深度的标准差和平均值。

步骤S502、判断上述离散程度是否大于等于第一预设阈值；

若是，则执行步骤S504及后续步骤；若否，则执行步骤S503。

在本实施例中，上述第一预设阈值可以设置为15％。

步骤S503、根据薄膜磨损曲线确定待测样品的薄膜强度。

步骤S504、更正上述薄膜磨损曲线。

具体地，步骤S504可以包括：计算上述薄膜磨损曲线的平均值；若上述平均值大于等于第二预设阈值，说明薄膜磨损偏大，则将上述预设测试负载调低预设值；以调低后的预设测试负载对与上述待测样品相同的另一待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试，从而确定出重新测量另一待测样品后的薄膜磨损曲线，即更正后的薄膜磨损曲线。若上述平均值小于第二预设阈值，说明薄膜磨损偏小，则将上述预设测试负载调高预设值；以调高后的预设测试负载对与上述待测样品相同的另一待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试，从而确定出重新测量另一待测样品后的薄膜磨损曲线，即更正后的薄膜磨损曲线。

步骤S505、判断更正后的薄膜磨损曲线的离散程度是否大于等于第一预设阈值；

若是，则执行步骤S504及后续步骤；若否，则执行步骤S503。

在一个实施例中，步骤S101可以包括：以预设测试负载对至少两种待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试；上述至少两种待测样品之间的制程条件不同。相应地，在步骤S103之后，可以包括：根据上述至少两种待测样品分别对应的薄膜强度确定上述待测样品对应的目标制程。

在本实施例中，通过以相同的负载对不同制程条件得到的待测样品进行测试，并根据得到的各个制程条件对应的待测样品的薄膜强度确定出待测样品的最优制程，即薄膜强度最高的待测样品的制程，也就是上述目标制程。可以理解的是，可以对制程条件进行细微调整，以便于验证薄膜强度正向或负向变化，从而确定出待测样品的最优制程。其中上述制程条件包括但不限于是靶材与基板间的间距、成膜时间、成膜方式、通气量、电压等。

具体示例而非限定的，以液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的彩色滤光板(Color Filter，CF)侧的氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜为例，终端设备使用纳米压痕仪施以以恒定负载，对A、B、C三种制程条件下的待测样品进行实验，从而确定出相同负载下的A、B、C三种制程分别对应的ITO薄膜磨损深度，如图6所示，横轴为各个制程，纵轴为薄膜磨损深度，根据磨损深度可以得到制程二＜制程三＜制程一，图6中每个制程对应的线段为生成的薄膜磨损曲线的标准差，相当于制程对应的薄膜磨损深度的上限和下限。基于标准差和磨损深度的综合判定，可以提高薄膜强度确定的稳定性，一般标准差越小对应的磨损深度结果越准确，而评判薄膜强度的稳定性也会越高。而且ITO薄膜磨损深度大的样品，在经过落球实验后，也出现了ITO薄膜脱落不良，因此上述制程二为最优制程，即上述目标制程。可以理解的是，上述检测方法可应用于LCD镀膜制程、半导体晶圆薄膜制程等领域，除了检测ITO薄膜强度之外，亦可延伸至ITO薄膜对下层薄膜封闭性的检测，增强对析出型Bubble不良的检出功能，为制程监控提供更高效的评价依据，从而避免样品发生批量异常的状况。

本申请实施例中以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试，从而通过摩擦测试来确定薄膜预设区域的薄膜磨损曲线，薄膜磨损曲线为薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线，再根据薄膜磨损曲线确定待测样品的薄膜强度，从而根据预设区域内的各个位置来综合确定出对应待测样品的薄膜强度，提高了薄膜强度的准确性，并且通过简单的施以负载进行一定区域的摩擦测试，可以快速地确定待测样品的薄膜强度，从而整体提高了薄膜强度的检测效率。

应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

对应于上文所述的一种薄膜检测方法，图7所示为本申请实施例中一种薄膜检测装置的结构示意图，如图7所示，上述薄膜检测装置可以包括：

测试模块701，用于以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试。

曲线确定模块702，用于确定薄膜预设区域的薄膜磨损曲线；薄膜磨损曲线为薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线。

强度确定模块703，用于根据薄膜磨损曲线确定待测样品的薄膜强度。

在一个实施例中，上述曲线确定模块702可以包括：

第一测量单元，用于对施以预设测量负载的薄膜预设区域进行测量，确定薄膜预设区域内的各个位置的凹陷深度。

第二测量单元，用于对施以预设测量负载的薄膜目标区域进行测量，确定薄膜目标区域的凹陷深度。

深度确定单元，用于将各个位置的凹陷深度和薄膜目标区域的凹陷深度之间的差值确定为磨损深度。

曲线确定单元，用于根据各个位置分别对应的磨损深度确定薄膜磨损曲线。

在一个实施例中，上述强度确定模块703可以包括：

程度确定单元，用于确定薄膜磨损曲线的离散程度。

曲线更正单元，用于若离散程度大于等于第一预设阈值，则更正薄膜磨损曲线。

强度确定单元，用于若更正后的薄膜磨损曲线的离散程度小于第一预设阈值，则根据更正后的薄膜磨损曲线确定待测样品的薄膜强度。

在一个实施例中，上述程度确定单元可以包括：

第一计算子单元，用于计算薄膜磨损曲线的标准差和平均值。

程度确定子单元，用于将标准差和平均值的比值确定为离散程度。

在一个实施例中，上述曲线更正单元可以包括：

第二计算子单元，用于计算薄膜磨损曲线的平均值。

负载调整子单元，用于若平均值大于等于第二预设阈值，则将预设测试负载调低预设值。

测试子单元，用于以调低后的预设测试负载对薄膜预设区域进行摩擦测试，确定更正后的薄膜磨损曲线。

在一个实施例中，上述薄膜检测装置还可以包括：

负载确定模块，用于对待测样品的薄膜硬度进行检测，根据薄膜硬度确定预设测试负载。

在一个实施例中，上述测试模块701可以包括：

测试单元，用于以预设测试负载对至少两种待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试；至少两种待测样品之间的制程条件不同。

相应地，上述薄膜检测装置可以包括：

制程确定单元，用于根据至少两种待测样品分别对应的薄膜强度确定待测样品对应的目标制程。

本申请实施例中以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试，从而通过摩擦测试来确定薄膜预设区域的薄膜磨损曲线，薄膜磨损曲线为薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线，再根据薄膜磨损曲线确定待测样品的薄膜强度，从而根据预设区域内的各个位置来综合确定出对应待测样品的薄膜强度，提高了薄膜强度的准确性，并且通过简单的施以负载进行一定区域的摩擦测试，可以快速地确定待测样品的薄膜强度，从而整体提高了薄膜强度的检测效率。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的装置和模块的具体工作过程，可以参考前述系统实施例以及方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

图8为本申请实施例提供的终端设备的结构示意图。为了便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的部分。

如图8所示，该实施例的终端设备8包括：至少一个处理器800(图8中仅示出一个)，与上述处理器800连接的存储器801，以及存储在上述存储器801中并可在上述至少一个处理器800上运行的计算机程序802，例如薄膜检测程序。上述处理器800执行上述计算机程序802时实现上述各个薄膜检测方法实施例中的步骤，例如图1所示的步骤S101至S103。或者，上述处理器800执行上述计算机程序802时实现上述各装置实施例中各模块的功能，例如图7所示模块701至703的功能。

示例性的，上述计算机程序802可以被分割成一个或多个模块，上述一个或者多个模块被存储在上述存储器801中，并由上述处理器800执行，以完成本申请。上述一个或多个模块可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述上述计算机程序802在上述终端设备8中的执行过程。例如，上述计算机程序802可以被分割成测试模块701、曲线确定模块702、强度确定模块703，各模块具体功能如下：

测试模块701，用于以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试；

曲线确定模块702，用于确定薄膜预设区域的薄膜磨损曲线；薄膜磨损曲线为薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线；

强度确定模块703，用于根据薄膜磨损曲线确定待测样品的薄膜强度。

上述终端设备8可包括，但不仅限于，处理器800、存储器801。本领域技术人员可以理解，图8仅仅是终端设备8的举例，并不构成对终端设备8的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。

所称处理器800可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，该处理器800还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

上述存储器801在一些实施例中可以是上述终端设备8的内部存储单元，例如终端设备8的硬盘或内存。上述存储器801在另一些实施例中也可以是上述终端设备8的外部存储设备，例如上述终端设备8上配备的插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，上述存储器801还可以既包括上述终端设备8的内部存储单元也包括外部存储设备。上述存储器801用于存储操作系统、应用程序、引导装载程序(Boot Loader)、数据以及其他程序等，例如上述计算机程序的程序代码等。上述存储器801还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将上述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端设备实施例仅仅是示意性的，例如，上述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。

上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，上述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，上述计算机程序包括计算机程序代码，上述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。上述计算机可读介质至少可以包括：能够将计算机程序代码携带到拍照装置/终端设备的任何实体或装置、记录介质、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，RandomAccess Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质。例如U盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等。在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不可以是电载波信号和电信信号。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种薄膜检测方法，其特征在于，包括：

以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试；

确定所述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线；所述薄膜磨损曲线为所述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线；

计算所述薄膜磨损曲线的标准差和平均值；

将所述标准差和所述平均值的比值确定为离散程度；

若所述离散程度大于等于第一预设阈值，则更正所述薄膜磨损曲线；

若更正后的薄膜磨损曲线的离散程度小于所述第一预设阈值，则根据所述更正后的薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度；

所述更正所述薄膜磨损曲线，包括：

计算所述薄膜磨损曲线的平均值；

若所述平均值大于等于第二预设阈值，则将所述预设测试负载调低预设值；

以调低后的预设测试负载对所述薄膜预设区域进行摩擦测试，确定所述更正后的薄膜磨损曲线。

2.如权利要求1所述的薄膜检测方法，其特征在于，所述确定所述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线，包括：

对施以预设测量负载的薄膜预设区域进行测量，确定所述薄膜预设区域内的各个位置的凹陷深度；

对施以预设测量负载的薄膜目标区域进行测量，确定所述薄膜目标区域的凹陷深度；

将所述各个位置的凹陷深度和所述薄膜目标区域的凹陷深度之间的差值确定为所述磨损深度；

根据所述各个位置分别对应的磨损深度确定所述薄膜磨损曲线。

3.如权利要求1所述的薄膜检测方法，其特征在于，在以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试之前，还包括：

对所述待测样品的薄膜硬度进行检测，根据所述薄膜硬度确定所述预设测试负载。

4.如权利要求1至3任一项所述的薄膜检测方法，其特征在于，所述以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试，包括：

以预设测试负载对至少两种待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试；所述至少两种待测样品之间的制程条件不同；

相应地，在根据所述薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度之后，包括：

根据所述至少两种待测样品分别对应的薄膜强度确定所述待测样品对应的目标制程。

5.一种薄膜检测装置，其特征在于，包括：

测试模块，用于以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试；

曲线确定模块，用于确定所述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线；所述薄膜磨损曲线为所述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线；

强度确定模块，用于根据所述薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度；

所述强度确定模块包括：

程度确定单元，用于确定所述薄膜磨损曲线的离散程度；

曲线更正单元，用于若所述离散程度大于等于第一预设阈值，则更正所述薄膜磨损曲线；

强度确定单元，用于若更正后的薄膜磨损曲线的离散程度小于所述第一预设阈值，则根据所述更正后的薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度；

所述程度确定单元包括：

第一计算子单元，用于计算所述薄膜磨损曲线的标准差和平均值；

程度确定子单元，用于将所述标准差和所述平均值的比值确定为所述离散程度；

所述曲线更正单元包括：

第二计算子单元，用于计算所述薄膜磨损曲线的平均值；

负载调整子单元，用于若所述平均值大于等于第二预设阈值，则将所述预设测试负载调低预设值；

测试子单元，用于以调低后的预设测试负载对所述薄膜预设区域进行摩擦测试，确定所述更正后的薄膜磨损曲线。

6.一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至4任一项所述的一种薄膜检测方法的步骤。

7.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4任一项所述的一种薄膜检测方法的步骤。

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