CN113871818A - 移相器及其制作方法、天线及其制作方法 - Google Patents

移相器及其制作方法、天线及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供了一种移相器及其制作方法、天线及其制作方法，涉及电磁波技术领域，有效提高了移相器中对射频信号进行移相的关键区域内的盒厚均一性。移相器包括：相对设置的第一基板和第二基板，第一基板上设置有用于接收接地信号的第一电极，第二基板朝向第一基板的一侧设置有第二电极；液晶，液晶封装在第一基板和第二基板之间，第一电极和第二电极驱动液晶旋转；支撑结构，支撑结构设于第一基板与第二基板之间，支撑结构包括第一支撑柱，第一支撑柱位于第二电极背向第二基板的一侧，且第一支撑柱在第二基板上的正投影位于第二电极在第二基板上的正投影内。

Description

移相器及其制作方法、天线及其制作方法
【技术领域】
本发明涉及电磁波技术领域，尤其涉及一种移相器及其制作方法、天线及其制作方法。
【背景技术】
随着通信系统的逐渐演进，移相器得到了越来越广泛的应用，以液晶移相器为例，液晶移相器是通过控制液晶旋转，使液晶的介电常数发生变化，以实现对液晶移相器内传输的射频信号进行移相。
在现有技术中，液晶移相器内设置有用于支撑盒厚的支撑柱，但是，基于目前支撑柱的设置位置，液晶移相器的盒厚均一性不高，导致不同区域内液晶的填充体积差异较大，从而对液晶移相器辐射出去的射频信号的辐射角度造成影响，进而影响天线增益。
【发明内容】
有鉴于此，本发明实施例提供了一种移相器及其制作方法、天线及其制作方法，有效提高了移相器中对射频信号进行移相的关键区域内的盒厚均一性。
一方面，本发明实施例提供了一种移相器，包括：
相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板上设置有用于接收接地信号的第一电极，所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设置有第二电极；
液晶，所述液晶封装在所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一电极和所述第二电极驱动所述液晶旋转；
支撑结构，所述支撑结构设于所述第一基板与所述第二基板之间，所述支撑结构包括第一支撑柱，所述第一支撑柱位于所述第二电极背向所述第二基板的一侧，且所述第一支撑柱在所述第二基板上的正投影位于所述第二电极在所述第二基板上的正投影内。
另一方面，本发明实施例提供了一种移相器的制作方法，包括：
提供第一基板，在所述第一基板上形成用于接收接地信号的第一电极；
提供第二基板，在所述第二基板上形成第二电极；
在所述第一基板或所述第二基板上形成第一支撑柱；
将所述第一基板和所述第二基板对盒，在垂直所述第二基板所在平面的方向上，使所述第一支撑柱的正投影位于所述第二电极的正投影内。
再一方面，本发明实施例提供了一种天线，包括：
上述移相器；
馈电部，所述馈电部设于所述移相器的第一基板上，所述馈电部用于接收射频信号；
辐射体，所述辐射体设于所述第一基板上，所述辐射体用于将移相后的射频信号辐射出去。
又一方面，本发明实施例提供了一种天线的制作方法，包括：
形成上述移相器；
在所述移相器的第一基板上形成用于接收射频信号馈电部、以及形成用于将移相后的射频信号辐射出去的辐射体。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：
采用本发明实施例的技术方案，通过在第二电极上设置第一支撑柱，能够利用第一支撑柱对第二电极所在区域的盒厚进行稳定支撑，从而对第二电极所在区域的盒厚均一性进行有效改善，降低该区域内不同位置处液晶填充体积的差异，优化对射频信号的移相效果。而且，即使当移相器因外力挤压或低温环境等因素的影响发生压缩时，受到第一支撑柱的支撑作用，该区域的压缩程度也能被显著降低，从而避免该区域的盒厚产生较大的波动。
可见，采用本发明实施例所提供的技术方案，能够有效提高移相器中对射频信号进行移相的关键区域的盒厚均一性，从而有效提高移相器所辐射的射频信号的辐射角度的准确性，进而提高天线的增益。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例所提供的移相器的结构示意图；
图2为本发明实施例所提供的移相器的俯视图；
图3为图2沿A1-A2方向的剖视图；
图4为本发明实施例所提供的第一电极的连接示意图；
图5为本发明实施例所提供的垫高层的设置示意图；
图6为图5沿B1-B2方向的剖视图；
图7为本发明实施例所提供的垫高层的另一种设置示意图；
图8为图5沿B1-B2方向的另一种剖视图；
图9为本发明实施例所提供的第一支撑柱的结构示意图；
图10为本发明实施例所提供的第三支撑柱的结构示意图；
图11为本发明实施例所提供的第一支撑柱的另一种结构示意图；
图12为本发明实施例所提供的第一支撑柱的再一种结构示意图；
图13为本发明实施例所提供的第一支撑柱的又一种结构示意图；
图14为本发明实施例所提供的第一支撑柱的另一种结构示意图；
图15为本发明实施例所提供的无机保护层的结构示意图；
图16为本发明实施例所提供的限位部的结构示意图；
图17为本发明实施例所提供的移相器的制作方法的流程图；
图18为本发明实施例所提供的天线的俯视图；
图19为本发明实施例所提供的天线的局部剖视图；
图20为本发明实施例所提供的天线的制作方法的流程图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二来描述基板、电极、支撑柱，但这些基板、电极、支撑柱不应限于这些术语，这些术语仅用来将基板、电极、支撑柱彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一基板也可以被称为第二基板，类似地，第二基板也可以被称为第一基板。
本发明实施例提供了一种移相器，如图1～图3所示，图1为本发明实施例所提供的移相器的结构示意图，图2为本发明实施例所提供的移相器的俯视图，图3为图2沿A1-A2方向的剖视图，该移相器包括：相对设置的第一基板1和第二基板2，第一基板1上设置有用于接收接地信号的第一电极3，第二基板2朝向第一基板1的一侧设置有第二电极4；液晶5，液晶5封装在第一基板1和第二基板2之间，第一电极3和第二电极4驱动液晶5旋转；支撑结构6，支撑结构6设于第一基板1与第二基板2之间，支撑结构6包括第一支撑柱7，第一支撑柱7位于第二电极4背向第二基板2的一侧，第一支撑柱7在第二基板2上的正投影位于第二电极4在第二基板2上的正投影内。
首先，需要说明的是，第一电极3可与柔性电路板的接地端子或是接地信号源电连接，用于接收柔性电路板或接地信号源所提供的接地信号，示例性地，当第一电极3与柔性电路板的接地端子电连接时，如图4所示，图4为本发明实施例所提供的第一电极的连接示意图，靠近柔性电路板绑定位置处的封框胶37内设置有导电金球38，导电金球38的一端通过第一连接走线39与柔性电路板(图中未示出)的接地端子800电连接，另一端通过第二连接走线40与第一电极3电连接，从而实现将柔性电路板提供的接地信号传输至第一电极3中。
第二电极4可采用有源或无源两种驱动方式，当第二电极4采用有源驱动方式时，示例性的，第二基板2上交叉绝缘设置有多条扫描线和多条数据线，扫描线用于接收驱动芯片、柔性电路板或印刷电路板提供的扫描信号，数据线用于接收驱动芯片、柔性电路板或印刷电路板提供的数据信号，第二基板2上还设有与多个第二电极4一一对应的多个晶体管，晶体管的栅极与扫描线电连接，源极与数据线电连接，漏极与第二电极4电连接，晶体管用于在扫描信号的驱动下导通，将数据信号传输至与其电连接的第二电极4中；当第二电极4采用无源驱动方式时，示例性的，第二电极4可与柔性电路板的驱动端子电连接，用于接收柔性电路板所提供的驱动信号。
结合图3、图18和图19，第一电极3上设置有用于耦合射频信号的第一开口8和第二开口9，第一基板1背向第二基板2的一侧还设置有馈电部200和辐射体300，馈电部200和功分网络400电连接，用于接收功分网络400传输的射频信号。在移相器对射频信号进行移相时，馈电部200上传输的射频信号通过第一电极3的第一开口8耦合到第二电极4上，液晶5在第一电极3和第二电极4所形成的电场的作用下发生旋转，液晶5的介电常数发生变化，对第二电极4上传输的射频信号进行移相，移相后的射频信号通过第一电极3的第二开口9耦合到辐射体300上，经由辐射体300辐射出去(射频信号的传输路径如图19中箭头所示)。
结合上述原理可知，第二电极4所在区域为移相器对射频信号进行移相的关键区域，在本发明实施例中，通过在第二电极4上设置第一支撑柱7，能够利用第一支撑柱7对第二电极4所在区域的盒厚进行稳定支撑，从而对第二电极4所在区域的盒厚均一性进行有效改善，降低该区域内不同位置处液晶5填充体积的差异，优化对射频信号的移相效果。而且，即使当移相器因外力挤压或低温环境等因素的影响发生压缩时，受到第一支撑柱7的支撑作用，该区域的压缩程度也能被显著降低，从而避免该区域的盒厚产生较大的波动。
可见，采用本发明实施例所提供的移相器，能够有效提高移相器中对射频信号进行移相的关键区域的盒厚均一性，从而有效提高移相器所辐射的射频信号的辐射角度的准确性，进而提高天线的增益。
可选地，第一支撑柱7可由氮化硅、二氧化硅等无机材料形成。相较于树脂等有机材料来说，射频信号在穿过无机材料时所产生的损耗较小，因此，将第一支撑柱7由无机材料形成，即使射频信号在耦合过程中穿透第一支撑柱7，所产生的损耗也较小，能够避免对最终辐射出去的信号强度产生较大影响。
可选地，请再次参见图2和图3，第一电极3上设置有用于耦合射频信号的第一开口8和第二开口9，结合上述分析，第一开口8用于将馈电部200中传输的射频信号耦合到第二电极4上，第二开口9用于将第二电极4中传输的射频信号耦合到辐射体300上，在垂直第一基板1所在平面的方向上，第一支撑柱7的正投影与第一开口8、第二开口9不交叠，从而避免第一支撑柱7对第一开口8和第二开口9造成遮挡，影响射频信号的耦合，提高射频信号传输的稳定性。
可选地，如图5和图6所示，图5为本发明实施例所提供的垫高层的设置示意图，图6为图5沿B1-B2方向的剖视图，第二基板2朝向第一基板1的一侧还设置有垫高层11，在垂直第二基板2所在平面的方向上，垫高层11的正投影与第二电极4的正投影不交叠；支撑结构6还包括第二支撑柱12，第二支撑柱12设于垫高层11背向第二基板2的一侧，在垂直第二基板2所在平面的方向上，第二支撑柱12的正投影位于垫高层11的正投影内。
需要说明的是，虽然第二电极4所在区域为移相器中对射频信号进行移相的关键区域，但第二电极4的周边区域的液晶5也会对射频信号的移相起到一定作用，为此，通过进一步在第二电极4以外的区域设置垫高层11和第二支撑柱12，能够利用垫高层11对第二支撑柱12垫高，使被垫高后的第二支撑柱12的高度趋于设置在第二电极4上的第一支撑柱7的高度，从而利用第二支撑柱12对第二电极4的周边区域也进行稳定支撑，进一步提高移相器整体区域的盒厚均一性。
可选地，请再次参见图1、图5和图6，第一基板1与第二基板2之间形成有正对腔体13，正对腔体13包括移相区14和围绕移相区14的封装区15；在垂直第二基板2所在平面的方向上，垫高层11的正投影和第二电极4的正投影覆盖了移相区14的全部区域，且垫高层11背向第二基板2的表面为平整表面。如此设置，无论将第二支撑柱12设置在移相区14中的任一位置，均可被垫高层11进行垫高，既提高了第二支撑柱12设置位置的灵活性，也提高了第二支撑柱12的支撑可靠性。
或者，在垫高层11的制作工艺中，考虑到工艺精度等因素的影响，为了避免刻蚀后所形成的垫高层11对第二电极4的表面进行覆盖，对射频信号造成损耗，在本发明其他可选的实施例中，如图7所示，图7为本发明实施例所提供的垫高层的另一种设置示意图，在对用于形成垫高层11的垫高材料进行刻蚀时，可以对第二电极4周边一圈的垫高材料进行过刻，使垫高层11与第二电极4的边缘之间留有一圈缝隙16，避免在第二电极4的表面存在未刻蚀完全的垫高材料。
可选地，请再次参见图6，第一支撑柱7包括相对设置的第一顶面17和第一底面18，垫高层11包括相对设置的第二顶面19和第二底面20，第一底面18和第二底面20分别为靠近第二基板2的表面；第二顶面19与第二基板2之间的距离为L1，第一底面18与第二基板2之间的距离为L2，通过令L1＝L2，以保证垫高层11的高度与第一支撑柱7的第一底面18与第二基板2之间的距离相等，从而使得被垫高后的第二支撑柱12的高度与第一支撑柱7的高度相同，在第一基板1和第二基板2对盒之后，能够利用第二支撑柱12能够对第二电极4周边区域的盒厚进行稳定支撑。
或者，在本发明其他可选的实施例中，如图8所示，图8为图5沿B1-B2方向的另一种剖视图，垫高层11也可设置在第一基板1上，位于第一电极3朝向第二基板2的一侧，并且，为了保证第二支撑柱12的稳定支撑，可以令垫高层11的厚度与第一支撑柱7的第一底面18和第二基板2之间的距离相等。
可选地，垫高层11由光学胶材料形成，如此一来，在形成垫高层11的制作工艺中，光学胶在涂布时呈液态，因而涂布效率较高且流平性较好，所形成的垫高层11的表面更为平坦，进而降低了不同区域被垫高的第二支撑柱12的高度的差异性。
或者，为了提高垫高层11对第二支撑柱12的支撑强度，垫高层11也可以采用与第二支撑柱12相同的材料形成。
可选地，请再次参见图5和图6，单位面积内，第一支撑柱7的分布密度大于第二支撑柱12的分布密度，以利用第一支撑柱7对第二电极4所在区域的盒厚进行更稳定的支撑，更大程度地提高移相关键区域的盒厚均一性。而且，为了进一步提高关键区域不同位置处的盒厚均一性，第一支撑柱7可以在第二电极4上等间距地均匀排布。
可选地，如图9所示，图9为本发明实施例所提供的第一支撑柱的结构示意图，单个第一支撑柱7在第二基板2上的正投影的面积大于单个第二支撑柱12在第二基板2上的正投影的面积，以增大单个第一支撑柱7与第一基板1或第二基板2的交叠面积，提高第一支撑柱7的支撑强度，进而提高第一支撑柱7对第二电极4所在区域的支撑稳定性。
需要说明的是，当单个第一支撑柱7的正投影的面积大于单个第二支撑柱12的正投影的面积时，第一支撑柱7可以设置为与第二支撑柱12形状不同，但支撑面积更大的结构，也可以设置为与第二支撑柱12形状相同，但支撑面积更大的结构。
可选地，如图10所示，图10为本发明实施例所提供的第三支撑柱的结构示意图，支撑结构6还包括第三支撑柱21，在垂直第二基板2所在平面的方向上，第三支撑柱21的正投影与第二电极4的正投影不交叠；并且，在垂直于第二基板2所在平面的方向上，第三支撑柱21的高度大于第一支撑柱7的高度。在该种设置方式中，通过半色调掩膜板直接形成高度较大的第三支撑柱21和高度较小的第一支撑柱7，以利用高度较大的第三支撑柱21对第二电极4的周边区域进行稳定支撑，无需额外增设垫高层11，从而简化了工艺流程。
可选地，为增大了第一支撑柱7与第一基板1、第二基板2之间的交叠面积，提高第一支撑柱7的支撑稳定性，如图11所示，图11为本发明实施例所提供的第一支撑柱的另一种结构示意图，第一支撑柱7包括沿第一方向排列的多个第一子支撑柱30，每个第一子支撑柱30沿第二方向延伸，第一方向与第二方向相交。
或者，如图12所示，图12为本发明实施例所提供的第一支撑柱的再一种结构示意图，第一支撑柱7包括边缘支撑柱22和中心支撑柱23，边缘支撑柱22围绕中心支撑柱23设置，以对第二电极4的边缘区域及中心区域均进行有效支撑。
或者，如图13所示，图13为本发明实施例所提供的第一支撑柱的又一种结构示意图，第一支撑柱7包括主支撑柱24和辅支撑柱25，在垂直于第二基板2所在平面的方向上，主支撑柱24的高度大于辅支撑柱25的高度。如此设置，在第一基板1和第二基板2对盒之后，先利用高度较大的主支撑柱24对盒厚进行支撑，当受到外力挤压或是低温因素影响而导致移相器压缩时，再利用高度较小的辅支撑柱25对盒厚进行进一步地辅助支撑。
进一步地，请再次参见图13，为了使移相器的关键区域在第一基板1和第二基板2对盒之后就具有更好的盒厚均一性，主支撑柱24可等间距均匀排布。
或者，在本发明其他可选的实施例中，在垂直于第二基板2所在平面的方向上，多个第一支撑柱7也可设置为相同的高度。
或者，如图14所示，图14为本发明实施例所提供的第一支撑柱的另一种结构示意图，第一支撑柱7包括第一支撑部分26和第二支撑部分27，第一支撑部分26设于第一基板1，第二支撑部分27设于第二基板2，在垂直于第二基板2所在平面的方向上，第一支撑部分26与第二支撑部分27交叠，此时，单个第一支撑柱7由第一支撑部分26和第二支撑部分27两部分构成，更有利于实现高盒厚的设计。换句话说，当移相器采用高盒厚设计时，移相器内的支撑柱也需具有较大的高度，但是基于目前的工艺不易实现，而采用上述结构，通过将一个支撑柱拆分为两个支撑部分，两个支撑部分均无需设置太高即可使整体的支撑柱具有较高的高度，降低了第一支撑柱7的工艺难度。
可选地，请再次参见图2和图3，第一电极3上设置有用于耦合射频信号的开口，第二电极4包括连通的主电极28、第一耦合电极30和第二耦合电极31，在垂直第一基板1所在平面的方向上，第一耦合电极30的正投影与第一开口8交叠，第二耦合电极31的正投影与第二开口9交叠；其中，主电极28可以设置为条形电极结构，以使其具有更大的电极面积，提高与第一电极3所形成的电场强度的均匀性，或者，第二电极4也可设置为蛇状电极结构或梳状电极结构，以增大射频信号在主电极28上的传输路径，使其移相更充分。
可选地，如图15所示，图15为本发明实施例所提供的无机保护层的结构示意图，为保证液晶5的正常旋转，第一电极3朝向第二基板2的一侧设置有第一配向膜32，第二电极4朝向第一基板1的一侧设置有第二配向膜34，进一步地，第一配向膜32与第一电极3之间设置有第一无机保护层33，第二电极4与第二配向膜34之间设置有第二无机保护层35。
通过在第一配向膜32与第一电极3之间形成第一无机保护层33，以及在第二配向膜34与第二电极4之间形成第二无机保护层35，可以避免配向膜中的粒子扩散至第一电极3、第二电极4的铜金属中，避免对第一电极3和第二电极4的性能产生影响，而且，保护层由无机材料形成，还能降低对射频信号损耗的影响。
并且，需要说明的是，以第一支撑柱7设置在第二基板2上为例，请再次参见图15，为提高第二配向膜34对液晶5的配向效果，第二配向膜34设于第一支撑柱7背向第二基板2的一侧，也就是说，在制作工艺中，先形成第一支撑柱7，再形成第二配向膜34。
可选地，如图16所示，图16为本发明实施例所提供的限位部的结构示意图，第一基板1上还可设置有限位部36，限位部36设于第一电极3朝向第二基板2的一侧，且限位部36围绕第一支撑柱7，用于对第一支撑柱7的位置进行限定。当移相器受到外力挤压时，利用限位部36对第一支撑柱7的位置进行限定，避免第一支撑柱7在外力的作用下滑动至第一电极3的第一开口8或第二开口9中，避免对射频信号的耦合产生影响。
本发明实施例还提供了一种移相器的制作方法，结合图1～图3，如图17所示，图17为本发明实施例所提供的移相器的制作方法的流程图，该制作方法包括：
步骤S1：提供第一基板1，在第一基板1上形成用于接收接地信号的第一电极3。具体地，第一电极3可与柔性电路板的接地端子或是接地信号源电连接，用于接收柔性电路板或接地信号源所提供的接地信号。
步骤S2：提供第二基板2，在第二基板2上形成第二电极4。具体地，第二电极4可采用无源驱动，也可采用有源驱动。
步骤S3：在第一基板1或第二基板2上形成第一支撑柱7。
步骤S4：将第一基板1和第二基板2对盒，在垂直第二基板2所在平面的方向上，使第一支撑柱7的正投影位于第二电极4的正投影内。
采用本发明实施例所提供的制作方法，通过在第二电极4上设置第一支撑柱7，能够利用第一支撑柱7对第二电极4所在区域的盒厚进行稳定支撑，从而对第二电极4所在区域的盒厚均一性进行有效改善，降低该区域内不同位置处液晶5填充体积的差异，优化对射频信号的移相效果，提高移相器所辐射的射频信号的辐射角度的准确性。
而且，即使当移相器因外力挤压或低温环境等因素的影响发生压缩时，受到第一支撑柱7的支撑作用，该区域的压缩程度也能被显著降低，从而避免该区域的盒厚产生较大的波动。
可选地，结合图5和图6，在第二基板2上形成第二电极4后，制作方法还包括：第二基板2上形成垫高层11，在垂直第二基板2所在平面的方向上，垫高层11的正投影与第二电极4的正投影不交叠；在第一基板1或第二基板2上形成第二支撑柱12。并且，将第一基板1和第二基板2对盒后，在垂直第二基板2所在平面的方向上，第二支撑柱12的正投影位于垫高层11的正投影内。
通过进一步在第二电极4以外的区域设置垫高层11和第二支撑柱12，能够利用垫高层11对第二支撑柱12垫高，使被垫高后的第二支撑柱12的高度趋于设置在第二电极4上的第一支撑柱7的高度，从而利用第二支撑柱12对第二电极4的周边区域也进行稳定支撑，进一步提高移相器整体区域的盒厚均一性。
本发明实施例还提供了一种天线，如图18和图19所示，图18为本发明实施例所提供的天线的俯视图，图19为本发明实施例所提供的天线的局部剖视图，该天线包括：上述移相器100；馈电部200，馈电部200设于移相器的第一基板1上，馈电部200通过功分网络400连接至射频信号源700，用于接收射频信号源700提供的射频信号；辐射体300，辐射体300设于第一基板1上，辐射体300用于将移相后的射频信号辐射出去。
需要说明的是，图18所示的天线的结构示意图是以第二电极4采用无源驱动方式为例进行的示意，此时，天线还包括柔性电路板500，柔性电路板500的驱动端子600与第二电极4电连接。
此外，还需要说明的是，请再次参见图18，为降低差损，功分网络400的切角(如图中标记A所示意的位置)可呈45°设置。
由于本发明实施例所提供的天线包括上述移相器100，因此，采用该天线，不仅能够有效提高对射频信号进行移相的关键区域的盒厚均一性，而且还能够在移相器因外力挤压或低温环境等因素的影响发生压缩时，降低关键区域的压缩程度，避免该区域的盒厚产生较大的波动，从而有效提高了移相器所辐射的射频信号的辐射角度的准确性，进而提高天线增益。
进一步地，请再次参见图18和图19，移相器的接地电极上设有第一开口8和第二开口9；馈电部200和辐射体300分别设于接地电极背向第一基板1的一侧，在垂直第一基板1所在平面的方向上，馈电部200的正投影与第一开口8交叠，辐射体300的正投影与第二开口9交叠，以实现将馈电部200上传输的射频信号经由第一开口8耦合到第二电极4上，并将第二电极4上传输的移相后的射频信号经由第二开口9耦合到辐射体300上，经由辐射体300辐射出去。
本发明实施例还提供了一种天线的制作方法，结合图17～图19，如图20所示，图20为本发明实施例所提供的天线的制作方法的流程图，该制作方法包括：
步骤K1：形成移相器；其中，形成移相器的具体步骤已经在上述实施例中进行说明，此处不再赘述。
步骤K2：在移相器的第一基板1上形成用于接收射频信号馈电部200、以及形成用于将移相后的射频信号辐射出去的辐射体300。其中，馈电部200通过功分网络400连接至射频信号源700，接收射频信号源700提供的射频信号
采用本发明实施例所提供的制作方法，由于形成了上述实施例所述的移相器，因而不仅能够有效提高对射频信号进行移相的关键区域的盒厚均一性，而且还能够在移相器因外力挤压或低温环境等因素的影响发生压缩时，降低关键区域的压缩程度，避免该区域的盒厚产生较大的波动，从而有效提高了移相器所辐射的射频信号的辐射角度的准确性，进而提高天线增益。
进一步的，结合图18和图19，移相器的接地电极上设有第一开口8和第二开口9；基于此，在移相器的第一基板1上形成馈电部200和辐射体300具体可包括：在接地电极背向第一基板1的一侧形成馈电部200和辐射体300，并且，在垂直第一基板1所在平面的方向上，馈电部200的正投影与第一开口8交叠，辐射体300的正投影与第二开口9交叠，以实现将馈电部200上传输的射频信号经由第一开口8耦合到第二电极4上，并将第二电极4上传输的移相后的射频信号经由第二开口9耦合到辐射体300上，经由辐射体300辐射出去，保证天线能够正常辐射波束。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (23)

1.一种移相器，其特征在于，包括：
相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板上设置有用于接收接地信号的第一电极，所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设置有第二电极；
液晶，所述液晶封装在所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一电极和所述第二电极驱动所述液晶旋转；
支撑结构，所述支撑结构设于所述第一基板与所述第二基板之间，所述支撑结构包括第一支撑柱，所述第一支撑柱位于所述第二电极背向所述第二基板的一侧，且所述第一支撑柱在所述第二基板上的正投影位于所述第二电极在所述第二基板上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱由无机材料形成。
3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极上设置有用于耦合射频信号的第一开口和第二开口；
在垂直所述第一基板所在平面的方向上，所述第一支撑柱的正投影与所述第一开口、所述第二开口不交叠。
4.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二基板朝向所述第一基板的一侧还设置有垫高层，在垂直所述第二基板所在平面的方向上，所述垫高层的正投影与所述第二电极的正投影不交叠；
所述支撑结构还包括第二支撑柱，所述第二支撑柱设于所述垫高层背向所述第二基板的一侧，在垂直所述第二基板所在平面的方向上，所述第二支撑柱的正投影位于所述垫高层的正投影内。
5.根据权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板之间形成有正对腔体，所述正对腔体包括移相区和围绕所述移相区的封装区；
在垂直所述第二基板所在平面的方向上，所述垫高层的正投影和所述第二电极的正投影覆盖了所述移相区的全部区域，且所述垫高层背向所述第二基板的表面为平整表面。
6.根据权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱包括相对设置的第一顶面和第一底面，所述垫高层包括相对设置的第二顶面和第二底面，所述第一底面和所述第二底面分别为靠近所述第二基板的表面；
所述第二顶面与所述第二基板之间的距离为L1，所述第一底面与所述第二基板之间的距离为L2，L1＝L2。
7.根据权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述垫高层由光学胶材料形成。
8.根据权利要求4所述的移相器，其特征在于，单位面积内，所述第一支撑柱的分布密度大于所述第二支撑柱的分布密度。
9.根据权利要求4所述的移相器，其特征在于，单个所述第一支撑柱在所述第二基板上的正投影的面积大于单个所述第二支撑柱在所述第二基板上的正投影的面积。
10.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述支撑结构还包括第三支撑柱，在垂直所述第二基板所在平面的方向上，所述第三支撑柱的正投影与所述第二电极的正投影不交叠；
在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，所述第三支撑柱的高度大于所述第一支撑柱的高度。
11.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱包括包括沿第一方向排列的多个第一子支撑柱，每个所述第一子支撑柱沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交。
12.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱包括边缘支撑柱和中心支撑柱，所述边缘支撑柱围绕所述中心支撑柱设置。
13.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱包括主支撑柱和辅支撑柱，在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，所述主支撑柱的高度大于所述辅支撑柱的高度。
14.根据权利要求12所述的移相器，其特征在于，所述主支撑柱等间距均匀排布。
15.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱包括第一支撑部分和第二支撑部分，所述第一支撑部分设于所述第一基板，所述第二支撑部分设于所述第二基板，在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，所述第一支撑部分与所述第二支撑部分交叠。
16.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极上设置有用于耦合射频信号的第一开口和第二开口，所述第二电极包括连通的主电极、第一耦合电极和第二耦合电极，在垂直所述第一基板所在平面的方向上，所述第一耦合电极的正投影与所述第一开口交叠，所述第二耦合电极的正投影与所述第二开口交叠；
所述主电极为蛇状电极结构、条形电极结构或梳状电极结构。
17.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极朝向所述第二基板的一侧设置有第一配向膜，所述第一配向膜与所述第一电极之间设置有第一无机保护层；
所述第二电极朝向所述第一基板的一侧设置有第二配向膜，所述第二配向膜与所述第二电极之间设置有第二无机保护层。
18.一种移相器的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一基板，在所述第一基板上形成用于接收接地信号的第一电极；
提供第二基板，在所述第二基板上形成第二电极；
在所述第一基板或所述第二基板上形成第一支撑柱；
将所述第一基板和所述第二基板对盒，在垂直所述第二基板所在平面的方向上，使所述第一支撑柱的正投影位于所述第二电极的正投影内。
19.根据权利要求18所述的制作方法，其特征在于，在所述第二基板上形成第二电极后，所述制作方法还包括：
所述第二基板上形成垫高层，在垂直所述第二基板所在平面的方向上，所述垫高层的正投影与所述第二电极的正投影不交叠；
在所述第一基板或所述第二基板上形成第二支撑柱；
将所述第一基板和所述第二基板对盒后，在垂直所述第二基板所在平面的方向上，所述第二支撑柱的正投影位于所述垫高层的正投影内。
20.一种天线，其特征在于，包括：
如权利要求1～17任一项所述的移相器；
馈电部，所述馈电部设于所述移相器的第一基板上，所述馈电部用于接收射频信号；
辐射体，所述辐射体设于所述第一基板上，所述辐射体用于将移相后的射频信号辐射出去。
21.根据权利要求21所述的天线，其特征在于，所述移相器的接地电极上设有第一开口和第二开口；
所述馈电部和所述辐射体分别设于所述接地电极背向所述第一基板的一侧，在垂直所述第一基板所在平面的方向上，所述馈电部的正投影与所述第一开口交叠，所述辐射体的正投影与所述第二开口交叠。
22.一种天线的制作方法，其特征在于，包括：
形成如权利要求1～17任一项所述的移相器；
在所述移相器的第一基板上形成用于接收射频信号馈电部、以及形成用于将移相后的射频信号辐射出去的辐射体。
23.根据权利要求22所述的制作方法，其特征在于，所述移相器的接地电极上设有第一开口和第二开口；
所述在所述移相器的第一基板上形成馈电部和辐射体包括：在所述接地电极背向所述第一基板的一侧形成所述馈电部和所述辐射体，并且，在垂直所述第一基板所在平面的方向上，所述馈电部的正投影与所述第一开口交叠，所述辐射体的正投影与所述第二开口交叠。
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