CN113851503A - 一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法 - Google Patents
一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113851503A CN113851503A CN202111122655.2A CN202111122655A CN113851503A CN 113851503 A CN113851503 A CN 113851503A CN 202111122655 A CN202111122655 A CN 202111122655A CN 113851503 A CN113851503 A CN 113851503A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- quantum dot
- light
- substrate
- semi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 178
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 331
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
本申请实施例提供一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法，属于显示基板技术领域，包括：基板，基板上具有多个发光区；界定层，界定层位于所述发光器件远离所述基板的一侧，并限定出多个出光区；反射层，反射层覆盖界定层及出光区的基板，反射层在基板的发光区处开设有透光区；量子点层，填充在出光区内并覆盖出光区的反射层，包括层叠设置的第一量子点层和第二量子点层；半透半反层，位于第一量子点层和第二量子点层之间，半透半反层在反射层上的正投影覆盖透光区。通过本申请实施例提供的一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法，可以减少出现蓝光穿透显示基板的情况。
Description
技术领域
本申请实施例涉及显示基板技术领域，具体而言，涉及一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法。
背景技术
量子点(QD，Quantum Dots)是在把激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构。在量子点中，能级根据量子点的尺寸而改变，因此可以通过改变量子点的尺寸来控制能隙，从而控制量子点的发射光谱。量子点壳通过外部光源如发光二极管的照射激发出高亮度的纯色光线，其发光特性远远超过LED背光的荧光粉的发光特性。
将由量子点材料制成的显示基板安装到显示设备上，可以提高显示设备的显示画质。
在通常情况下，量子点显示设备会使用蓝光或者波长更短的紫外光作为激发光源。但是，任何材料对光的吸收都很难做到100％，因此，部分蓝光会穿透显示基板，而穿透的蓝光一方面会降低显示产品的色域，对显示设备的显示效果造成一定的影响。
发明内容
本申请实施例提供一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法，旨在减少出现蓝光穿透显示基板的情况。
本申请实施例第一方面提供一种显示基板，包括：
基板；
多个发光器件，位于所述基板上并限定出多个发光区；
界定层，所述界定层位于所述发光器件远离所述基板的一侧，并限定出多个出光区；
反射层，所述反射层覆盖所述界定层及所述出光区，所述反射层包括多个透光区，和所述多个发光区一一对应；
量子点层，位于所述至少一个所述出光区内并覆盖所述出光区的反射层，包括层叠设置的第一量子点层和第二量子点层；
半透半反层，位于所述第一量子点层和第二量子点层之间，所述半透半反层在所述基板上的正投影覆盖所述透光区。
可选地，保护层，覆盖在所述界定层上的反射层上及所述量子点层上；
光学调整层，覆盖在所述保护层上；
透镜层，覆盖在所述光学调整层上。
可选地，所述出光区在所述基板上的正投影覆盖所述发光区，所述透光区在所述基板上的正投影位于所述发光区内。
可选地，所述第一量子点层靠近所述基板设置，所述第一量子点层的量子点浓度大于所述第二量子点层的量子点浓度。
可选地，所述第一量子点层的散射粒子浓度小于所述第二量子点层的散射粒子浓度。
可选地，所述第一量子点层的厚度大于所述第二量子点层的厚度。
可选地，所述界定层的材料为黑色光刻胶。
可选地，所述半透半反层的材料为纳米银或含有散射粒子的可雾化材料。
可选地，所述保护层的折射率大于所述光学调整层的折射率。
可选地，所述透镜层的折射率大于所述光学调整层的折射率。
本申请实施例第二方面提供一种显示面板，包括如本申请实施例第一方面提供的显示基板，以及，设置在所述显示基板上的驱动电路与驱动控制电路，所述驱动控制电路与所述驱动电路电连接，所述驱动控制电路用于向所述驱动电路输出控制信号，以使所述显示基板显示图像。
本申请实施例第三方面提供一种显示基板的制备方法，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板的发光侧形成所述界定层，所述界定层在所述基板上划分出多个出光区；
在所述界定层及所述出光区上形成所述反射层，所述反射层包括有多个透光区；
在所述反射层上形成所述量子点层的第一量子点层，所述第一量子点层填充在所述出光区内；
在所述第一量子点层上形成所述半透半反层，且所述半透半反层在所述基板上的正投影覆盖所述透光区；
在所述第一量子点层和所述半透半反层上形成所述量子点层的第二量子点层，所述第二量子点层填充在所述出光区内。
可选地，所述方法还包括：在所述界定层的反射层及所述量子点层上形成所述保护层；
在所述保护层上形成所述光学调整层；
在所述光学调整层上形成所述透镜层。
可选地，形成所述半透半反层的步骤，包括：
将纳米银或有散射粒子的可雾化材料溶于含羧基的溶剂材料后，通过打印工艺形成所述半透半反层；
对所述半透半反层进行真空固化；
利用短波UV光对所述半透半反层进行半结晶。
有益效果：
本申请提供一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法，通过在基板上设置界定层，在界定层上设置反射层，并在反射层上设置透光区，同时在界定层形成的出光区内填充层叠设置的第一量子点层和第二量子点层，并在第一量子点层和第二量子点层之间设置半透半反层；在蓝光通过透光区进入出光区内，部分蓝光会在第一量子点层内与量子点进行能量交换，而未进行能量交换的蓝光会被半透半反层阻隔并反射到反射层，反射层又将蓝光反射回第一量子点层和第二量子点层，从而增加了蓝光的光程，使得蓝光与量子点层内的量子点进行能量交换的几率增加，同时也减少了发生蓝光直接穿透出光区的情况发生，提高了显示基板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例提出的一种显示基板的剖面结构示意图；
图2是本申请一实施例提出的一种显示基板的部分剖面结构示意图；
图3是本申请一实施例提出的一种显示基板中光线通过的光路示意图；
图4是本申请一实施例提出的一种显示面板的结构示意图；
图5是图4中A-A’剖面的结构示意图；
图6是本申请一实施例提出的一种显示面板的像素结构示意图；
图7是本申请一实施例提出的显示基板的制备方法的步骤流程图；
图8是本申请一实施例完成基板制作的显示基板的剖面结构示意图；
图9是本申请一实施例完成界定层制作的显示基板的剖面结构示意图；
图10是本申请一实施例完成反射层制作的显示基板的剖面结构示意图；
图11是本申请一实施例完成反射层上的透光区制作的显示基板的剖面结构示意图；
图12是本申请一实施例完成第一量子点层制作的显示基板的剖面结构示意图；
图13是本申请一实施例完成半透半反层制作的显示基板的剖面结构示意图；
图14是本申请一实施例完成第二量子点层制作的显示基板的剖面结构示意图；
图15是本申请一实施例完成保护层制作的显示基板的剖面结构示意图；
图16是本申请一实施例完成光学调整层制作的显示基板的剖面结构示意图；
图17是本申请一实施例完成透镜层制作的显示基板的剖面结构示意图。
附图标记说明：100、基板；101、发光器件；102、TFT层；103、封装层；11、界定层；12、反射层；13、量子点层；131、第一量子点层；132、第二量子点层；14、半透半反层；15、保护层；16、光学调整层；17、透镜层；200、显示面板；LA、发光区；EA、出光区；TA、透光区。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
参照图1所示，为本申请实施例公开的一种显示基板，由显示基板的底层到顶层依次包括：基板100、界定层11以及覆盖在界定层11上的反射层12，覆盖在反射层12上的量子点层13，量子点层13包括层叠设置的第一量子点层131和第二量子点层132，以及位于第一量子点层131和第二量子点层132之间的半透半反层14。
具体地，参照图2和图6所示，基板100可以是TFT阵列基板，其中，基板100上覆盖有TFT层102，在TFT层102上有多个发光器件101(在图2中仅示意出一个)，并且多个发光器件101在基板100上限定出多个发光区LA，发光器件101上覆盖有封装层103。
界定层11位于基板100的出光侧，并且界定层11在基板100上划分出多个出光区EA，多个出光区EA与多个发光区LA一一对应，并且出光区在基板100上的正投影覆盖发光区LA，使得从基板100的发光区LA发出的光会全部进入出光区EA内。界定层11选用黑色光刻胶材质，这样，在反射层12出现被蓝光穿透的情况时，黑色的界定层11可以将蓝光吸收，从而减少了出现蓝光侧漏的情况，同时也可以减少发生光学上的干扰。例如，界定层11的厚度为10μm-15μm。
界定层11还可以选用环氧树脂类的材料，并在其中混入黑色染料进行染色。
参照图2和图6所示，反射层12覆盖于界定层11及出光区EA内的基板100上，反射层12可以反射光线，并且反射层12包括有多个透光区TA，多个透光区TA与多个发光区LA一一对应，透光区TA在基板100上正投影位于基板的发光区LA内，这样，基板100的发光区LA发出的激发光便可以通过透光区TA进入出光区EA内。为了保证出光量，透光区TA的面积占发光区LA单个像素面积的50％-70％。
反射层12的材料可以为金属，例如银或铝/钛/铝的叠层结构；选用银时，反射层12的厚度设置为
选用铝/钛/铝的叠层结构时，反射层12的厚度为
参照图1所示，量子点层13填充在出光区EA内，量子点层13包括第一量子点层131和第二量子点层132。
第一量子点层131覆盖在反射层12的表面并靠近基板100设置，第一量子点层131选用丙烯酸类树脂材料作为主体聚合材料，第一量子点层131的厚度为5μm-8μm，从而确保大部分的蓝光会在第一量子点层131内参与第一量子点层131的激发过程。
第二量子点层132覆盖在第一量子点层131和半透半反层14表面，并且第二量子点层132也完全位于出光区EA内。第二量子点层132同样选用丙烯酸类树脂材料作为主体聚合材料，并且，第二量子点层132的厚度小于第一量子点层131的厚度，第二量子点层132的厚度为2μm-5μm。
同时为了确保有足够的量子点参与激发发光并减少蓝光穿透，第一量子点层131的量子点浓度大于第二量子点层132的量子点浓度，第一量子点层131的散射粒子浓度小于第二量子点层132的散射粒子浓度。
具体地，第一量子点层131的量子点浓度控制在30％-40％，散射粒子浓度控制在15％-20％。第二量子点层132中的量子点浓度控制在15％-20％，散射粒子浓度控制在30％-40％。
这样，大部分的蓝光会在第一量子点层131内参与激发发光，而第二量子点层132可以在再次激发发光的情况下，对通过第一量子点层131和半透半反层14的光线进行散射，从而减少出现蓝光直接穿透量子点层13的情况。
参照图1所示，半透半反层14位于第一量子点层131和第二量子点层132之间，半透半反层14在反射层12的正投影覆盖透光区TA，且半透半反层14的面积小于第一量子点层131的面积，大于透光区TA的面积，这样从透光区TA通过的蓝光便可以全部照射到半透半反层14上。
半透半反层14能够透射光线，同时也能够反射光线。为了达到这样的效果，半透半反层14的材料可以是纳米银，也可以是含有散射粒子的可雾化材料。
在本实施例中，半透半反层14的材料选用纳米银。
参照图3所示，在本实施例中，发光区LA发出的蓝光，在通过透光区TA进入出光区EA内后，蓝光的光路主要包括以下情况：
1、竖直朝向的蓝光从透光区TA进入第一量子点层131后，与第一量子点层131中的量子点进行能量交换，使第一量子点层131中的量子点激发发光，而没有参与能量交换的蓝光则会被半透半反层14阻隔，这样可以减少发生蓝光穿透的情况；即使有一部分蓝光透过了半透半反层14进入第二量子点层132，在第二量子点层132中，由于第二量子点层132内的散射粒子浓度较高，蓝光会更多地在第二量子点层132内发生散射，这样也从一方面减少了蓝光的穿透。
2、具有一定角度的蓝光穿过透光区TA后，这部分蓝光会照射到反射层12上，并被反射层12反射到第一量子点层131内，然后在第一量子点层131内与第一量子点层131中的量子点进行能量交换，从而使得这部分蓝光不会直接穿透量子点层13，进一步减少了蓝光的穿透。
3、在第一种情况中，被半透半反层14阻隔的蓝光会被反射到反射层12上，然后再被反射层12反射到第一量子点层131内，从而使得这部分蓝光在第一量子点层131内光程增加，进而提高了蓝光与量子点进行能量交换的几率，同时，减少了蓝光的穿透。
如此，反射层12、第一量子点层131、半透半反层14和第二量子点层132的设置增加了蓝光在通过出光区EA时的光程，使得第一量子点层131和第二量子点层132中的量子点可以更有效地参与激发发光，同时也减少了蓝光直接穿透量子点层13的情况，使得蓝光可以被更有效地利用。
参照图17所示，在一种实施例中，为了进一步减少蓝光的穿透，提高发光效果，显示基板还包括保护层15、光学调整层16和透镜层17。
具体地，保护层15覆盖在界定层11上的反射层12上及量子点层13上，保护层15将出光区EA完全覆盖，从而对整个显示基板形成保护效果。
保护层15选用无机材料膜，例如Al2O3、SiNx或SiO2，保护层15的厚度为300nm-1000nm，保护层15的折射率控制在1.7左右，这样可以保证显示基板的发光效果。
光学调整层16选用折射率较低的有机材料，例如亚克力材料或环氧树脂材料，光学调整层16的折射率小于保护层15的折射率，光学调整层16的折射率控制在1.3-1.5，这样光学调整层16可以使大角度的光线和短波长的蓝光发生权反射，从而减少蓝光的穿透。
透镜层17选用与光学调整层16相似的材料，但是透镜层17的折射率要高于光学调整层16，从而使得透镜层17可以对第一量子点层131和第二量子点层132激发出的光进行提取，增加光的出射率，提高发光效果。
实施例二
基于同一发明构思，本申请实施例提供一种显示面板，包括本申请实施例一提供的显示基板。
具体地，图4和图5示意出了显示面板200的整体结构。
并且，该显示面板200上还包括有设置在显示基板上的驱动电路(图中未示出)，该显示面板200还可以包括绑定在显示基板上的驱动控制电路(图中未示出)，该驱动控制电路与驱动电路电连接，以向驱动电路输出控制信号，控制显示基板上各像素点发光、显示图像。
该显示面板200还可以包括柔性电路板，以及封装盖板等。
该显示面板200，用于实现显示图像(即画面)功能。该显示面板可以是柔性显示面板或普通显示面板(可以称为刚性显示器)。示例的，包含该显示面板的产品可以包括：计算机显示器、电视、广告牌、具有显示功能的激光打印机、电话、手机、个人数字助理(PersonalDigital Assistant，PDA)、膝上型计算机、数码相机、便携式摄录机、取景器、车辆、大面积墙壁、剧院的屏幕或体育场标牌等。
实施例三
图7为本申请一实施例提出的显示基板的制备方法的步骤流程图。参照图7所示，本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，应用于以上任一实施例所述的显示基板，所述方法包括：
步骤301：提供基板100。
具体地，提供基板100的步骤可以包括完成基板100、TFT层102、发光器件101及封装层103的制作，如图8所示。
步骤302：在基板100的发光侧形成界定层11，界定层11在基板100上划分出多个出光区EA。
具体地，界定层11通过涂胶工艺、曝光工艺和烘烤工艺得到，界定层11的厚度为10μm-15μm，为了照顾基板100上有机电发光层和量子点层13的耐温性，界定层11的工艺处理温度控制在80～110度之间，如图9所示。
步骤303：在界定层11及出光区EA上形成反射层12，反射层包括有多个透光区TA。
具体地，反射层12选用银材料，通过sputter溅射工艺在界定层11上形成，反射层12的厚度为
然后通过刻蚀工艺，在反射层12上形成透光区TA，透光区TA在基板100上的正投影位于发光区LA内，如图10和图11所示。
步骤304：在反射层12上形成量子点层13的第一量子点层131，第一量子点层131填充在出光区EA内。
具体地，通过打印工艺在反射层12上形成第一量子点层131，然后进行UV固化，第一量子点层131选用丙烯酸类树脂材料，第一量子点层131的厚度为5μm-8μm，第一量子点层131的量子点浓度控制在30％-40％，散射粒子浓度控制在15％-20％。，如图12所示。
步骤305：在第一量子点层131上形成半透半反层14，半透半反层14在反射层12的正投影覆盖透光区TA。
具体地，半透半反层14的材料选用纳米银或含有散射粒子的可雾化材料，将纳米银或含有散射粒子的可雾化材料溶于含羧基的溶剂材料中后，通过打印工艺在第一量子点层131上形成半透半反层14，然后使用真空设备进行真空固化，随后再用短波UV光进行半结晶，如图13所示。
含羧基的溶剂材料不会与第一量子点层131互溶，且疏液性强，在打印后，墨水会收缩，从而使得半透半反层14固化后，半透半反层14的面积会比第一量子点层131的面积小，因此只要选择合适的墨水量，便可以得到需要的半透半反层14的面积。
当然，溶剂材料可以选用其他与第一量子点层相正交的材料。
步骤306：在第一量子点层131和半透半反层14上形成量子点层13的第二量子点层132，第二量子点层132填充在出光区EA内。
具体地，通过打印工艺在第一量子点层131和半透半反层14上形成第二量子点层132，第二量子点层132同样选用丙烯酸类树脂材料，第二量子点层132的厚度为2μm-5μm，第二量子点层132中的量子点浓度控制在15％-20％，散射粒子浓度控制在30％-40％，如图14所示。
在一种实施例中，为了进一步减少蓝光的穿透，在步骤306之后，所述方法还包括：
步骤401：在界定层11的反射层12及量子点层13上形成保护层15。
具体地，通过气相沉积法或者层间介质工艺制作保护层15，保护层15的材料选用Al2O3、SiNx或SiO2，保护层15的厚度为300nm-1000nm，如图15所示。
步骤402：在保护层15上形成光学调整层16。
具体地，通过喷墨打印或者涂胶工艺，纳米压印形成光学调整层16，光学调整层16材料可以选用亚克力材料或环氧树脂材料，如图16所示。
步骤403：在光学调整层16上形成透镜层17。
具体地，通过纳米压印和热回流工艺制作透镜层17，如图17所示。
本申请提供一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法，通过在基板上设置界定层，在界定层上设置反射层，并在反射层上设置透光区，同时在界定层形成的出光区内填充层叠设置的第一量子点层和第二量子点层，并在第一量子点层和第二量子点层之间设置半透半反层；在蓝光通过透光区进入出光区内，部分蓝光会在第一量子点层内与量子点进行能量交换，而未进行能量交换的蓝光会被半透半反层阻隔并反射到反射层，反射层又将蓝光反射回第一量子点层和第二量子点层，从而增加了蓝光的光程，使得蓝光与量子点层内的量子点进行能量交换的几率增加，同时也减少了发生蓝光直接穿透出光区的情况发生，提高了显示基板的显示效果。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
还需要说明的是，在本文中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，诸如“第一”和“第二”之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本申请所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请，在具体实施方式及应用范围上均会有不同形式的改变之处，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请的保护范围之中。
Claims (13)
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
基板；
多个发光器件，位于所述基板上并限定出多个发光区；
界定层，所述界定层位于所述发光器件远离所述基板的一侧，并限定出多个出光区；
反射层，所述反射层覆盖所述界定层及所述出光区，所述反射层包括多个透光区，和所述多个发光区一一对应；
量子点层，位于所述至少一个所述出光区内并覆盖所述出光区的反射层，包括层叠设置的第一量子点层和第二量子点层；
半透半反层，位于所述第一量子点层和第二量子点层之间，所述半透半反层在所述基板上的正投影覆盖所述透光区。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：
保护层，覆盖在所述界定层上的反射层上及所述量子点层上；
光学调整层，覆盖在所述保护层上；
透镜层，覆盖在所述光学调整层上。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：
所述出光区在所述基板上的正投影覆盖所述发光区，所述透光区在所述基板上的正投影位于所述发光区内。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：
所述第一量子点层位于所述第二量子点层靠近所述基板的一侧，所述第一量子点层的量子点浓度大于所述第二量子点层的量子点浓度。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于：
所述第一量子点层的散射粒子浓度小于所述第二量子点层的散射粒子浓度。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于：
所述第一量子点层的厚度大于所述第二量子点层的厚度。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：
所述半透半反层的材料为纳米银或含有散射粒子的可雾化材料。
8.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于：
所述保护层的折射率大于所述光学调整层的折射率。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于：
所述透镜层的折射率大于所述光学调整层的折射率。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一项所述的显示基板，以及，设置在所述显示基板上的驱动电路与驱动控制电路，所述驱动控制电路与所述驱动电路电连接，所述驱动控制电路用于向所述驱动电路输出控制信号，以使所述显示基板显示图像。
11.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板的发光侧形成界定层，所述界定层在所述基板上划分出多个出光区；
在所述界定层及所述出光区上形成反射层，所述反射层包括有多个透光区；
在所述反射层上形成量子点层的第一量子点层，所述第一量子点层填充在所述出光区内；
在所述第一量子点层上形成半透半反层，且所述半透半反层在所述基板上的正投影覆盖所述透光区；
在所述第一量子点层和所述半透半反层上形成所述量子点层的第二量子点层，所述第二量子点层填充在所述出光区内。
12.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述界定层的反射层及所述量子点层上形成所述保护层；
在所述保护层上形成所述光学调整层；
在所述光学调整层上形成所述透镜层。
13.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，形成所述半透半反层的步骤，包括：
将纳米银或有散射粒子的可雾化材料溶于含羧基的溶剂材料后，通过打印工艺形成所述半透半反层；
对所述半透半反层进行真空固化；
利用短波UV光对所述半透半反层进行半结晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111122655.2A CN113851503A (zh) | 2021-09-24 | 2021-09-24 | 一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111122655.2A CN113851503A (zh) | 2021-09-24 | 2021-09-24 | 一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113851503A true CN113851503A (zh) | 2021-12-28 |
Family
ID=78979325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111122655.2A Pending CN113851503A (zh) | 2021-09-24 | 2021-09-24 | 一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113851503A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115117223A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-09-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
-
2021
- 2021-09-24 CN CN202111122655.2A patent/CN113851503A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115117223A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-09-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI660222B (zh) | 包括量子點膜和色彩純度增強薄膜的液晶顯示器 | |
| CN108873465B (zh) | 量子点显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| JP6890470B2 (ja) | フォトルミネセンス表示装置およびその製造方法 | |
| US11335874B2 (en) | Quantum dot color filter substrate, fabricating method thereof, and display panel | |
| US10712615B2 (en) | Display substrate, method for fabricating the same, display panel and display device | |
| CN112233567A (zh) | 色彩转化组件及其制作方法、显示面板 | |
| US10962836B2 (en) | Display device | |
| JP7081688B2 (ja) | ブラックマトリクス基板、及びブラックマトリクス基板を備えた表示装置 | |
| US20190004375A1 (en) | Optical film, backlight module and display device for backlight module | |
| CN112987423B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN107450218B (zh) | 光致发光显示装置及其制造方法 | |
| WO2020233291A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板 | |
| CN109671735B (zh) | 量子点显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| US10168569B2 (en) | Display device, adhesive-layer-including light-diffusion member, and method of manufacturing the light-diffusion member | |
| CN113675244A (zh) | 显示装置及制造显示装置的方法 | |
| US20230327058A1 (en) | Display element and display apparatus | |
| JP2013254071A (ja) | 蛍光体基板、表示装置 | |
| CN113782572B (zh) | 彩膜基板及其制备方法、显示面板 | |
| CN113851503A (zh) | 一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法 | |
| US10330265B2 (en) | Front light source and display device comprising the front light source | |
| EP3944346A1 (en) | Method of manufacturing a light emitting device | |
| US20220029047A1 (en) | Method of manufacturing a light emitting device | |
| CN111799387B (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| CN111580307B (zh) | 显示模组及其制作方法、显示装置 | |
| CN114649387A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |