CN113782572B - 彩膜基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents
彩膜基板及其制备方法、显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113782572B CN113782572B CN202111054417.2A CN202111054417A CN113782572B CN 113782572 B CN113782572 B CN 113782572B CN 202111054417 A CN202111054417 A CN 202111054417A CN 113782572 B CN113782572 B CN 113782572B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pixel unit
- light
- color sub
- substrate
- color
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 14
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 96
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 18
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical group [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
- H01L21/02288—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating printing, e.g. ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供一种彩膜基板及其制备方法、显示面板;该彩膜基板包括衬底、设置在衬底上的遮光层和多个像素单元,遮光层上形成有多个开口,各开口裸露出部分衬底,每个像素单元包括分别位于不同开口内的第一颜色子像素单元、第二颜色子像素单元以及第三颜色子像素单元,在对应的开口内,第一颜色子像素单元和第二颜色子像素单元与衬底之间还设置有聚光构件,聚光构件可使第一颜色子像素单元和第二颜色子像素单元的出射光线会聚,以改变出射光线的出射角度,降低出射光线在衬底的界面发生全反射的几率,从而提高了出射光线的出光效率,使得在正视角下的亮度增大,以缓解现有QDCF在正视角下出光效率不佳的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种彩膜基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
QD-LED显示器由QDCF(Quantum Dot Color Filter,量子点彩膜基板)和Blue-OLED或Blue-Micro LED或Blue-Mini LED两部分组成,其通过蓝色自发光光源激发量子点,实现广视角、高色域、薄型化和柔性的特点。该结构器件利用QDCF中QD(Quantum Dot,量子点)的光致发光的特性,把蓝光转换成红光和绿光,从而实现全彩化显示的目的。常规的QDCF结构中量子点膜设置在基板上,并被黑矩阵(Black Matrix,BM)等吸光材料间隔开。然而在此QDCF结构中从量子点出射的光在经过基板以及从基板出射到空气时均会发生全反射,而且量子点膜之间的黑矩阵结构也会吸收和影响量子点膜的出射光,从而影响量子点膜的出光效率,导致QDCF在正视角下出光效率不佳。
发明内容
本申请提供一种彩膜基板及其制备方法、显示面板,以缓解现有QDCF在正视角下出光效率不佳的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请实施例提供一种彩膜基板,其包括:
衬底;
遮光层,设置于所述衬底一侧,且所述遮光层上形成有多个开口,每个所述开口裸露出部分所述衬底;以及
多个像素单元,每个所述像素单元包括分别位于不同所述开口内的第一颜色子像素单元、第二颜色子像素单元以及第三颜色子像素单元;
其中,在对应的所述开口内,所述第一颜色子像素单元和所述第二颜色子像素单元与所述衬底之间还设置有聚光构件,所述聚光构件用于使所述第一颜色子像素单元和所述第二颜色子像素单元的出射光线会聚。
在本申请实施例提供的彩膜基板中,所述聚光构件与对应的所述像素单元的接触面的截面为圆弧,所述圆弧的圆心位于对应的所述像素单元的一侧。
在本申请实施例提供的彩膜基板中,所述聚光构件的折射率小于对应的所述像素单元的折射率。
在本申请实施例提供的彩膜基板中,所述聚光构件边缘区域的厚度H1与所述聚光构件中间区域的厚度H2满足关系式:H1/H2>1.5。
在本申请实施例提供的彩膜基板中,所述聚光构件边缘区域的厚度H1与所述聚光构件底面长度L1满足关系式:H1/L1>5%。
在本申请实施例提供的彩膜基板中,所述遮光层在对应所述聚光构件的表面设置有亲水膜层。
在本申请实施例提供的彩膜基板中,所述第一颜色子像素单元包括红色量子点膜,所述第二颜色子像素单元包括绿色量子点膜,所述第三颜色子像素单元直接透过蓝光。
本申请实施例还提供一种显示面板,其包括前述实施例其中之一的彩膜基板以及发光单元,所述发光单元位于像素单元远离衬底的一侧。
本申请实施例还提供一种彩膜基板制备方法,其包括以下步骤:
提供衬底;
在所述衬底上制备遮光层,图案化所述遮光层形成多个开口,每三个所述开口对应一个像素单元;
采用喷墨打印工艺在所述像素单元对应的三个所述开口中的两个开口内打印第一墨水,以形成聚光构件;
在所述聚光构件上制备所述像素单元的第一颜色子像素单元和第二颜色子像素单元。
在本申请实施例提供的彩膜基板制备方法中,所述采用喷墨打印工艺在所述像素单元对应的三个所述开口中的两个开口内打印第一墨水,以形成聚光构件的步骤还包括:
在所述像素单元对应的两个开口的部分内壁上涂布亲水膜层;
在涂布有所述亲水膜层的所述开口内打印所述第一墨水,并干燥成膜,形成边缘厚中间薄的凹面聚光构件。
在本申请实施例提供的彩膜基板制备方法中,所述在所述聚光构件上制备所述像素单元的第一颜色子像素单元和第二颜色子像素单元的步骤还包括:
采用喷墨打印工艺在所述聚光构件上打印第二墨水形成红色量子点膜作为所述像素单元的第一颜色子像素单元,所述第一颜色子像素单元的折射率大于所述聚光构件的折射率;
采用喷墨打印工艺在所述聚光构件上打印第三墨水形成绿色量子点膜作为所述像素单元的第二颜色子像素单元,所述第二颜色子像素单元的折射率大于所述聚光构件的折射率。
本申请的有益效果为:本申请提供的彩膜基板及其制备方法、显示面板中通过采用喷墨打印工艺制备微透镜作为聚光构件,使得像素单元中的红色量子点膜和绿色量子点膜的出射光线经过聚光构件后发生会聚,以改变出射光线的出射角度,降低了出射光线在衬底的界面发生全反射的几率,提高了出射光线的出光效率,使得在正视角下的亮度增大,解决了现有QDCF在正视角下出光效率不佳的问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的彩膜基板的一种剖面结构示意图。
图2为本申请实施例提供的彩膜基板的细节结构示意图。
图3为本申请实施例提供的彩膜基板的另一种剖面结构示意图。
图4为本申请实施例提供的彩膜基板制备方法的流程示意图。
图5和图6为本申请实施例提供的彩膜基板制备方法中各步骤制得的彩膜基板的剖面结构示意图。
图7为本申请提供的显示面板的一种剖面结构示意图。
图8为本申请提供的显示面板的另一种剖面结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中,为了清晰理解和便于描述,夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的,但是本申请不限于此。
请结合参照图1和图2,图1为本申请实施例提供的彩膜基板的一种剖面结构示意图,图2为本申请实施例提供的彩膜基板的细节结构示意图。所述彩膜基板100包括衬底10以及设置在所述衬底10一侧的遮光层20和多个像素单元30。所述衬底10包括玻璃基板等高透过率的基板,以提高彩膜基板100的出光效率。所述遮光层20设置于所述衬底10一侧,且所述遮光层20上形成有多个开口21,每个所述开口21裸露出部分所述衬底10。每个所述像素单元30包括分别位于不同所述开口21内的第一颜色子像素单元31、第二颜色子像素单元32以及第三颜色子像素单元33。在对应的所述开口21内,所述第一颜色子像素单元31和所述第二颜色子像素单元32与所述衬底10之间还设置有聚光构件40,所述聚光构件40用于使所述第一颜色子像素单元31和所述第二颜色子像素单元32的出射光线会聚。
具体地,所述遮光层20的多个所述开口21中,每三个所述开口21对应一个像素单元30,每个所述像素单元30包括分别位于不同所述开口21内的第一颜色子像素单元31、第二颜色子像素单元32以及第三颜色子像素单元33,所述像素单元30用于呈现各种颜色,以实现彩色显示。每个所述开口21的顶部面积大于所述开口21的底部面积,使得所述开口21的截面形状呈倒梯形,避免所述开口21底部出现底切不利于其他器件的制备。其中所述开口21的底部是指所述开口21靠近所述衬底10的一侧,所述开口21的顶部是指所述开口21远离所述衬底10的一侧。可选地,所述遮光层20的材料包括黑矩阵(Black Matrix,BM)等吸光材料,以避免不同颜色的子像素单元30之间出现串扰。
所述第一颜色子像素单元31包括红色量子点膜,所述第二颜色子像素单元32包括绿色量子点膜,所述第三颜色子像素单元33直接透过蓝光,因所述第三颜色子像素单元33可以直接透过蓝光,则第三颜色子像素单元33对应的所述开口21内无需设置量子点膜以及所述聚光构件40,故图1中以虚线框示意所述第三颜色子像素单元33的区域。
所述红色量子点膜是把红色量子点掺杂在高分子聚合物溶液中固化成膜形成,所述绿色量子点膜是把绿色量子点掺杂在高分子聚合物溶液中固化成膜形成。量子点是由半导体材料构成的核壳结构,包括量子点中心核和外层壳,例如中心核可以是CdSe核,外层壳可以是ZnS壳。量子点可以将吸收的短波长的光转换为较长波长的光,且量子点的发射光波长随粒径和组成成分的不同而产生变化,例如红色量子点受光激发发射红光,绿色量子点受光激发发射绿光,绿色量子点的粒径较小,红色量子点的粒径较大。
另外,可选地,所述红色量子点彩膜和所述绿色量子点彩膜中还可掺杂散射粒子,所述散射粒子的材料包括二氧化钛、二氧化锆等高折射率的无机半导体材料。不同折射率的材料对光的散射强度不同,折射率越大,其散射强度越大。当激发光照射到高折射率的散射粒子时,激发光会被散射粒子散射,散射的光线可以再次去激发量子点,从而增加了激发光在量子点膜中的光路,提升了蓝光的利用率,进而提升量子点光效,减少量子点用量,降低成本。而且选择合适粒径的散射粒子,还可撑开量子点之间的相互距离,从而可以降低量子点之间的自吸收现象,提升光取出率,比如可把散射粒子的粒径范围设置为200纳米至1微米。
当所述彩膜基板100受到蓝色光源照射时,所述红色量子点膜因设置有红色量子点能够发射红光,使得所述第一颜色子像素单元31发射红光;所述绿色量子点膜因设置有绿色量子点能够发射绿光,使得所述第二颜色子像素单元32发射绿光,而所述第三颜色子像素单元33因不设置量子点,能够直接透过蓝光,使得每个所述像素单元30均包括有红、绿、蓝三基色光,能够呈现不同的色彩。
在每个所述像素单元30内,所述第一颜色子像素单元31和所述第二颜色子像素单元32与所述衬底10之间还设置有聚光构件40,所述聚光构件40能够使所述第一颜色子像素单元31和所述第二颜色子像素单元32的出射光线会聚。所述聚光构件40与对应的所述像素单元30的接触面的截面为圆弧,所述圆弧的圆心位于对应的所述像素单元30的一侧。也即所述聚光构件40设置在所述开口21的底部,并覆盖所述开口21裸露出的所述衬底10,所述聚光构件40远离所述衬底10的表面为凹面,该凹面的截面形状为圆弧,对应的所述像素单元30位于所述开口21内,并填充所述聚光构件40的凹面,使得所述聚光构件40与对应的所述像素单元30的接触面的截面形状为圆弧,所述圆弧的圆心位于对应的所述像素单元30的一侧,如此所述聚光构件40具有微透镜的功能。
可选地,所述聚光构件40可通过采用喷墨打印(Ink jet Print,IJP)工艺把具有一定折射率的第一墨水打印在对应的所述开口21内形成,而为了使所述聚光构件40的表面形成凹面,所述遮光层20在对应所述聚光构件40的表面设置有亲水膜层50,使得打印的第一墨水向靠近所述遮光层20的区域聚积,如此中间区域的墨水量会小于靠近所述遮光层20区域的墨水量,第一墨水固化成膜后形成预期的凹面。当然地,本申请实施例不限于在遮光层20表面设置亲水膜层50,比如还可在所述开口21裸露出的所述衬底10表面设置疏水膜层,也同样能够实现所述聚光构件40表面形成凹面的目的。
而且所述聚光构件40的折射率小于对应的所述像素单元30的折射率,其中所述像素单元30的折射率范围为1.8至2.1,所述聚光构件40的折射率范围为1.4至1.65,比如所述像素单元30的折射率为1.9,所述聚光构件40的折射率为1.5。以所述第一颜色子像素单元31为例,所述聚光构件40的折射率小于所述第一颜色子像素单元31的折射率,可使得所述第一颜色子像素单元31的出射光线会聚,如图2示意性示出的所述第一颜色子像素单元31的出射光线X在经过所述第一颜色子像素单元31和所述聚光构件40的界面时发生折射,折射光线会聚。具体地,当光线射入所述第一颜色子像素单元31后,被所述第一颜色子像素单元31转换成红光并出射,所述第一颜色子像素单元31出射的红光在经过所述第一颜色子像素单元31与所述聚光构件40的界面时,由于所述第一颜色子像素单元31与所述聚光构件40的界面为圆弧且所述第一颜色子像素单元31的折射率大于所述聚光构件40的折射率,使得所述第一颜色子像素单元31的出射光线的出射角改变,并向中间靠拢呈会聚状态,如此能够降低所述第一颜色子像素单元31的出射光线在进入所述衬底10时发生全反射的几率,同时还可减少所述遮光层20对所述第一颜色子像素单元31的出射光线的吸收,大大提高了所述第一颜色子像素单元31的出光效率,使得所述第一颜色子像素单元31在正视角度下的亮度增大。
相应地,因所述第二颜色子像素单元32对应的所述聚光构件40的存在,所述第二颜色子像素单元32的出射光线的出射角也会改变,并向中间靠拢呈会聚状态,如此能够降低所述第二颜色子像素单元32的出射光线在进入所述衬底10时发生全反射的几率,同时还可减少所述遮光层20对所述第二颜色子像素单元32的出射光线的吸收,大大提高了所述第二颜色子像素单元32的出光效率,使得所述第二颜色子像素单元32在正视角度下的亮度增大,解决了现有QDCF在正视角下出光效率不佳的问题。
进一步地,所述聚光构件40边缘区域的厚度H1与所述聚光构件40中间区域的厚度H2满足关系式:H1/H2>1.5,所述聚光构件40边缘区域的厚度H1与所述聚光构件40底面长度L1满足关系式:H1/L1>5%,以形成高曲率的所述聚光构件40,进而提高光取出效率。其中所述聚光构件40边缘区域的厚度H1小于或等于10微米,所述聚光构件40中间区域的厚度H2小于6.6微米,所述聚光构件40底面长度L1范围为15微米至100微米,比如所述聚光构件40边缘区域的厚度H1为9.9微米,所述聚光构件40中间区域的厚度H2为6.1微米,所述聚光构件40底面长度L1为99微米,则H1/H2=1.6,H1/L1=10%。
另外,所述聚光构件40远离所述衬底10的表面为凹面,则所述聚光构件40边缘区域也即指所述聚光构件40相对所述衬底10高度最高的区域,而所述聚光构件40中间区域也即指所述聚光构件40相对所述衬底10高度最低的区域。所述聚光构件40边缘区域的厚度H1与所述聚光构件40中间区域的厚度H2之间的厚度差异可通过控制所述遮光层20和所述衬底10之间相对于形成所述聚光构件40的第一墨水的亲疏性,表面亲液的所述遮光层20会导致所述第一墨水强烈的攀爬现象,进而控制所述第一墨水“咖啡环效应”的强弱,以控制所述聚光构件40边缘区域和中间区域的厚度差。
在一种实施例中,请参照图3,图3为本申请实施例提供的彩膜基板的另一种剖面结构示意图,与上述实施例不同的是,所述第一颜色子像素单元31和所述第二颜色子像素单元32对应的所述开口21内,所述遮光层20的表面设置有反射层60,所述第一颜色子像素单元31和所述第二颜色子像素单元32内的光线射向所述反射层60后,会被反射回所述第一颜色子像素单元31和所述第二颜色子像素单元32内,使光线不会进入所述遮光层20,提高了光线的利用率,并进一步提高了所述像素单元30的光线取出效率,其他说明请参照上述实施例,在此不再赘述。
在一种实施例中,提供一种彩膜基板制备方法,请结合参照图1至图6,图4为本申请实施例提供的彩膜基板制备方法的流程示意图,图5和图6为本申请实施例提供的彩膜基板制备方法中各步骤制得的彩膜基板的剖面结构示意图。所述彩膜基板制备方法包括以下步骤:
S301:提供衬底10;
具体地,所述衬底10包括玻璃基板等高透过率的基板,以提高彩膜基板100的出光效率。以玻璃基板为例,提供所述衬底10的步骤还包括对玻璃基板进行清洗、清洁、干燥等工艺步骤。
S302:在所述衬底10上制备遮光层20,图案化所述遮光层20形成多个开口21,每三个所述开口21对应一个像素单元30;
具体地,采用涂布或光刻工艺在所述衬底10上制备黑矩阵等吸光材料作为遮光层20,图案化所述遮光层20形成多个开口21,每三个所述开口21对应一个像素单元30。每个所述开口21的顶部面积大于所述开口21的底部面积,使得所述开口21的截面形状呈倒梯形,避免所述开口21底部出现底切不利于其他器件的制备。
S303:采用喷墨打印工艺在所述像素单元30对应的三个所述开口21中的两个开口21内打印第一墨水,以形成聚光构件40;
具体地,在所述像素单元30对应的三个所述开口21中的两个开口21内涂布亲水膜层50,所述亲水膜层50仅涂布在像素单元30对应的两个开口21的部分内壁上,也即所述开口21内靠近所述衬底10的所述遮光层20表面上。
在涂布有所述亲水膜层50的所述开口21内打印所述第一墨水,并干燥成膜,形成边缘厚中间薄的凹面聚光构件40,所述聚光构件40的边缘区域覆盖所述亲水膜层50。其中所述第一墨水可采用具有较好透光性的普通打印墨水材料即可,并通过调节所述第一墨水的浓度来调节所述第一墨水的折射率,使其达到预期的折射率。比如所述第一墨水为包括一定比例纳米粒子的墨水,通过不同折射率的纳米粒子的浓度调节所述第一墨水的整体折射率。
在所述开口21内打印所述第一墨水,由于所述遮光层20表面亲水膜层50的存在,会导致所述第一墨水朝着所述遮光层20表面攀爬,并在靠近所述遮光层20的区域聚积,使得中间区域的墨水量会小于靠近所述遮光层20区域的墨水量,所述第一墨水固化成膜后形成预期的凹面。
所述第一墨水形成的具有凹面的所述聚光构件40边缘区域的厚度H1与所述聚光构件40中间区域的厚度H2满足关系式:H1/H2>1.5,所述聚光构件40边缘区域的厚度H1与所述聚光构件40底面长度L1满足关系式:H1/L1>5%,以形成高曲率的所述聚光构件40,进而提高光取出效率。其中所述聚光构件40边缘区域的厚度H1与所述聚光构件40中间区域的厚度H2之间的厚度差异可通过控制所述遮光层20和所述衬底10之间相对于形成所述聚光构件40的第一墨水的亲疏性,表面亲液的所述遮光层20会导致所述第一墨水强烈的攀爬现象,进而控制所述第一墨水“咖啡环效应”的强弱,以控制所述聚光构件40边缘区域和中间区域的厚度差。
S304:在所述聚光构件40上制备所述像素单元30的第一颜色子像素单元31和第二颜色子像素单元32。
具体地,采用喷墨打印等工艺在所述聚光构件40上打印第二墨水形成红色量子点膜作为所述像素单元30的第一颜色子像素单元31,所述第一颜色子像素单元31的折射率大于所述聚光构件40的折射率。其中所述第一墨水是把红色量子点掺杂在高分子聚合物溶液中形成。当然地,为了提升量子点光效,减少量子点用量,降低成,还可把二氧化钛、二氧化锆等高折射率的无机半导体材料作为散射粒子和红色量子点一块掺杂在高分子聚合物溶液中,散射粒子散射的光线可以再次去激发量子点,从而增加了激发光在量子点增亮膜中的光路,提升了蓝光的利用率。而且选择合适粒径的散射粒子,还可撑开量子点之间的相互距离,从而可以降低量子点之间的自吸收现象,提升光取出率,比如可把散射粒子的粒径范围设置为200纳米至1微米。
可选地,所述高分子聚合物溶液是把高分子聚合物掺杂在有机溶剂中形成。所述高分子聚合物包括有机硅树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺、丙烯酸系树脂、光固化树脂、热固化树脂等高分子材料中的一种或多种。
进一步地,在所述开口21内打印完所述第二墨水后,需对打印的所述第二墨水进行固化成膜形成红色量子点膜作为所述第一颜色子像素单元31。其中固化成膜可以通过紫外光照射、加热、蒸发溶剂或者添加固化剂等方式固化实现。
进一步地,同样可采用喷墨打印等工艺在所述聚光构件40上打印第三墨水形成绿色量子点膜作为所述像素单元30的第二颜色子像素单元32,所述第二颜色子像素单元32的折射率大于所述聚光构件40的折射率。其中所述第二墨水是把绿色量子点掺杂在高分子聚合物溶液中形成。当然地,为了提升量子点光效,减少量子点用量,降低成,还可把二氧化钛、二氧化锆等高折射率的无机半导体材料作为散射粒子和绿色量子点一块掺杂在高分子聚合物溶液中。在所述开口21内打印完所述第三墨水后,需对打印的所述第三墨水进行固化成膜形成绿色量子点膜作为所述第二颜色子像素单元32。而未设置所述红色量子点膜和所述绿色量子点膜的所述开口作为所述像素单元30的第三颜色子像素单元33。
另外,在形成所述红色量子点膜和所述绿色量子点膜后,在所述红色量子点、所述绿色量子点膜以及所述遮光层20上制备无机薄膜作为保护层,以挡水气和氧气入侵所述红色量子点膜和所述绿色量子点膜,所述无机薄膜的材料包括氮化铝、氮氧化铝、氮化钛、氮氧化钛、氮化锆、氮氧化锆、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、石墨烯等中的至少一种。
在一种实施例中,还提供一种显示面板,所述显示面板包括上述实施例中的彩膜基板以及发光单元,所述发光单元位于像素单元远离衬底的一侧,所述发光单元用于提供蓝光。所述显示面板包括液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)面板、有机发光二极管显示(Organic Light Emitting Display,OLED)面板等。
具体地,请参照图7,图7为本申请提供的显示面板的一种剖面结构示意图。所述显示面板1000为液晶显示面板,所述液晶显示面板包括彩膜基板100和发光单元200,所述发光单元200包括背光模组70以及位于所述背光模组70和所述彩膜基板100之间的液晶盒80,所述背光模组70给所述液晶盒80提供蓝色背光,所述液晶盒80控制蓝色背光的透过,透过所述液晶盒80的蓝光射向所述彩膜基板100,蓝光透过所述彩膜基板100呈现不同的颜色,以实现所述液晶显示面板的彩色显示。其中所述液晶盒80包括阵列基板81和液晶层82,所述液晶层82位于所述阵列基板81和所述彩膜基板100之间。
请参照图8,图8为本申请提供的显示面板的另一种剖面结构示意图。所述显示面板1000为OLED面板,所述OLED面板包括彩膜基板100和发光单元200,所述发光单元200包括驱动电路层91以及位于所述驱动电路层91和所述彩膜基板100之间的发光功能层92,所述驱动电路层91驱动所述发光功能层92发光,所述发光功能层92包括多个发光器件,每个发光器件对应所述彩膜基板100上的一个子像素单元,所述发光器件在所述驱动电路层91的驱动下发射蓝光,所述蓝光透过所述彩膜基板100呈现不同的颜色,以实现所述OLED面板的彩色显示。当然地,为了保护所述发光功能层92,所述发光功能层92和所述彩膜基板100之间还设置有封装层93,所述封装层93可阻挡水氧入侵所述发光功能层92,避免所述发光功能层92的发光器件失效。
根据上述实施例可知:
本申请提供一种彩膜基板及其制备方法、显示面板,该彩膜基板包括衬底、设置在衬底上的遮光层和多个像素单元,遮光层上形成有多个开口,各开口裸露出部分衬底,每个像素单元包括分别位于不同开口内的第一颜色子像素单元、第二颜色子像素单元以及第三颜色子像素单元,在对应的开口内,第一颜色子像素单元和第二颜色子像素单元与衬底之间还设置有聚光构件,聚光构件可使第一颜色子像素单元和第二颜色子像素单元的出射光线会聚,以改变出射光线的出射角度,降低出射光线在衬底的界面发生全反射的几率,从而提高了出射光线的出光效率,使得在正视角下的亮度增大,解决了现有QDCF在正视角下出光效率不佳的问题。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (8)
1.一种彩膜基板,其特征在于,包括:
衬底;
遮光层,设置于所述衬底一侧,且所述遮光层上形成有多个开口,每个所述开口裸露出部分所述衬底;以及
多个像素单元,每个所述像素单元包括分别位于不同所述开口内的第一颜色子像素单元、第二颜色子像素单元以及第三颜色子像素单元;
其中,在对应的所述开口内,所述第一颜色子像素单元和所述第二颜色子像素单元与所述衬底之间还设置有聚光构件,每个所述聚光构件对应一个像素单元,所述聚光构件在所述衬底上的正投影落入对应的所述像素单元在所述衬底上的正投影范围内,且所述聚光构件在所述衬底上的正投影面积小于对应的所述像素单元在所述衬底上的正投影面积;所述聚光构件用于使所述第一颜色子像素单元和所述第二颜色子像素单元的出射光线会聚,且沿所述像素单元的出光方向所述开口的面积逐渐减小;
所述聚光构件与对应的所述像素单元的接触面的截面为圆弧,所述圆弧的圆心位于对应的所述像素单元的一侧;
所述聚光构件边缘区域的厚度H1与所述聚光构件中间区域的厚度H2满足关系式:H1/H2>1.5;所述聚光构件边缘区域的厚度H1与所述聚光构件底面长度L1满足关系式:H1/L1>5%;
所述第一颜色子像素单元和所述第二颜色子像素单元对应的所述开口内,所述遮光层的表面设置有反射层。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述聚光构件的折射率小于对应的所述像素单元的折射率。
3.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述遮光层在对应所述聚光构件的表面设置有亲水膜层。
4.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述第一颜色子像素单元包括红色量子点膜,所述第二颜色子像素单元包括绿色量子点膜,所述第三颜色子像素单元直接透过蓝光。
5.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至4任一项的彩膜基板以及发光单元,所述发光单元位于像素单元远离衬底的一侧。
6.一种彩膜基板制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上制备遮光层,图案化所述遮光层形成多个开口,每三个所述开口对应一个像素单元;
采用喷墨打印工艺在所述像素单元对应的三个所述开口中的两个开口内打印第一墨水,以形成聚光构件;
在所述聚光构件上制备所述像素单元的第一颜色子像素单元和第二颜色子像素单元,每个所述聚光构件对应一个像素单元,所述聚光构件在所述衬底上的正投影落入对应的所述像素单元在所述衬底上的正投影范围内,且所述聚光构件在所述衬底上的正投影面积小于对应的所述像素单元在所述衬底上的正投影面积;且沿所述像素单元的出光方向所述开口的面积逐渐减小;
所述聚光构件与对应的所述像素单元的接触面的截面为圆弧,所述圆弧的圆心位于对应的所述像素单元的一侧;
所述聚光构件边缘区域的厚度H1与所述聚光构件中间区域的厚度H2满足关系式:H1/H2>1.5;所述聚光构件边缘区域的厚度H1与所述聚光构件底面长度L1满足关系式:H1/L1>5%;所述第一颜色子像素单元和所述第二颜色子像素单元对应的所述开口内,所述遮光层的表面设置有反射层。
7.根据权利要求6所述的彩膜基板制备方法,其特征在于,所述采用喷墨打印工艺在所述像素单元对应的三个所述开口中的两个开口内打印第一墨水,以形成聚光构件的步骤还包括:
在所述像素单元对应的两个开口的部分内壁上涂布亲水膜层;
在涂布有所述亲水膜层的所述开口内打印所述第一墨水,并干燥成膜,形成边缘厚中间薄的凹面聚光构件。
8.根据权利要求6所述的彩膜基板制备方法,其特征在于,所述在所述聚光构件上制备所述像素单元的第一颜色子像素单元和第二颜色子像素单元的步骤还包括:
采用喷墨打印工艺在所述聚光构件上打印第二墨水形成红色量子点膜作为所述像素单元的第一颜色子像素单元,所述第一颜色子像素单元的折射率大于所述聚光构件的折射率;
采用喷墨打印工艺在所述聚光构件上打印第三墨水形成绿色量子点膜作为所述像素单元的第二颜色子像素单元,所述第二颜色子像素单元的折射率大于所述聚光构件的折射率。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111054417.2A CN113782572B (zh) | 2021-09-09 | 2021-09-09 | 彩膜基板及其制备方法、显示面板 |
PCT/CN2021/118543 WO2023035297A1 (zh) | 2021-09-09 | 2021-09-15 | 彩膜基板及其制备方法、显示面板 |
US17/607,332 US20240047626A1 (en) | 2021-09-09 | 2021-09-15 | Color film substrate, method for preparing color film substrate, and display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111054417.2A CN113782572B (zh) | 2021-09-09 | 2021-09-09 | 彩膜基板及其制备方法、显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113782572A CN113782572A (zh) | 2021-12-10 |
CN113782572B true CN113782572B (zh) | 2023-10-17 |
Family
ID=78841910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111054417.2A Active CN113782572B (zh) | 2021-09-09 | 2021-09-09 | 彩膜基板及其制备方法、显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240047626A1 (zh) |
CN (1) | CN113782572B (zh) |
WO (1) | WO2023035297A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114639712A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-06-17 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及其制作方法及电子设备 |
CN115407557B (zh) * | 2022-08-30 | 2024-07-19 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106707610A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-05-24 | 青岛海信电器股份有限公司 | 量子点彩色滤光片及制备方法、液晶面板、液晶显示设备 |
CN109148727A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及制备方法、显示装置 |
CN110911463A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示背板及其制作方法和oled显示装置 |
CN111261662A (zh) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled显示面板及oled显示装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070071293A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
CN108919560B (zh) * | 2018-06-25 | 2021-04-27 | 福州大学 | 一种量子点彩膜背光结构 |
CN111261663A (zh) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN110045539A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法和显示装置 |
CN111505866B (zh) * | 2020-04-21 | 2022-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
-
2021
- 2021-09-09 CN CN202111054417.2A patent/CN113782572B/zh active Active
- 2021-09-15 US US17/607,332 patent/US20240047626A1/en active Pending
- 2021-09-15 WO PCT/CN2021/118543 patent/WO2023035297A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106707610A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-05-24 | 青岛海信电器股份有限公司 | 量子点彩色滤光片及制备方法、液晶面板、液晶显示设备 |
CN109148727A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及制备方法、显示装置 |
CN111261662A (zh) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled显示面板及oled显示装置 |
CN110911463A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示背板及其制作方法和oled显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240047626A1 (en) | 2024-02-08 |
WO2023035297A1 (zh) | 2023-03-16 |
CN113782572A (zh) | 2021-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113782572B (zh) | 彩膜基板及其制备方法、显示面板 | |
CN110797378B (zh) | 一种量子点彩膜基板、制作方法及显示面板 | |
US12015022B2 (en) | Display panel and method for manufacturing the same, display device | |
CN115000322A (zh) | 有机发光显示面板及显示装置 | |
WO2013039141A1 (ja) | 色変換基板、画像表示装置および色変換基板の製造方法 | |
JP4806220B2 (ja) | 画像表示装置 | |
TWI591405B (zh) | 光致發光顯示裝置及其製造方法 | |
US20210341653A1 (en) | Color conversion component and display device | |
WO2021166772A1 (ja) | 発光デバイス、および発光デバイスの製造方法 | |
JP2015143723A (ja) | 色変換基板およびその製造方法、表示装置 | |
US10705374B2 (en) | Optical member, display device including the same, and method of manufacturing the optical member | |
US20190250322A1 (en) | Display device and method of manufacturing display device | |
US11895893B2 (en) | Display panel including stack of light-converging structure and band-pass filtering structure, manufacturing method thereof, and display apparatus | |
CN112750862B (zh) | 色彩转换结构、显示装置及色彩转换结构的制备方法 | |
US20230327058A1 (en) | Display element and display apparatus | |
KR100835841B1 (ko) | 집광시트 및 이의 제조방법 | |
CN111415973A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
KR101985606B1 (ko) | 저반사 디스플레이 장치 | |
CN115312579A (zh) | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 | |
CN113851503A (zh) | 一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法 | |
KR102236357B1 (ko) | 색변환 기능을 갖는 마이크로 렌즈 어레이 제조 방법 | |
KR101814809B1 (ko) | 표시장치 | |
KR101041678B1 (ko) | 일체형 고휘도 복합시트 | |
WO2022236841A1 (zh) | 滤色器结构及其制备方法、显示面板 | |
WO2023195239A1 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |