CN113841464A - 载置台的温度调节方法、检查装置和载置台 - Google Patents

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Abstract

本发明提供载置台的温度控制方法，其为进行能够载置基片的载置台的温度控制的方法，上述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对上述多个区域分别设置加热器，上述载置台的温度控制方法包括以下步骤，即：对上述基片载置面中的上述多个区域中的最中心的区域，进行调节该最中心的区域的上述加热器的操作量以成为设定温度的反馈控制；和对上述基片载置面中的上述多个区域中的比上述最中心的区域靠外侧的区域，进行调节该外侧的区域的上述加热器的操作量，以使得该外侧的区域与和该外侧的区域的径向内侧相邻的区域的温度差成为预先设定的值的反馈控制。

Description

载置台的温度调节方法、检查装置和载置台
技术领域
本发明涉及载置台的温度调节方法、检查装置和载置台。
背景技术
在专利文献1中，公开了一种检查装置用的加热器。构成该加热器的基板通过将圆板形状的中心的部分与以包围其外周的方式设置的宽幅的圆弧形状的多个部分组合，而整体形成为圆板形状。此外，专利文献1还公开了这样的技术：对基片的各部分安装测温元件，通过按每个部分进行温度控制，能够消除整个基片出现不均匀的温度分布这样的情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-184558号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明的技术是在将载置台的基片载置面在径向上划分为多个区域，并按每个区域设置加热器来控制基片载置面的温度的情况下，即使在过渡期中也能够使各区域的温度相对于设定值的偏离量处于所希望的范围内。
用于解决问题的技术手段
本发明的一方式的能够载置基片的载置台的温度控制方法，其中，所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对所述多个区域分别设置有加热器，所述载置台的温度控制方法包括以下步骤，即：对所述基片载置面的所述多个区域中的最中心的区域，进行调节该最中心的区域的所述加热器的操作量以使该最中心的区域成为设定温度的反馈控制；和对所述基片载置面的所述多个区域中的比所述最中心的区域靠外侧的区域，进行调节该外侧的区域的所述加热器的操作量，以使该外侧的区域和与该外侧的区域在径向内侧相邻的区域的温度差成为预先设定的值的反馈控制。
发明效果
依照本发明，能够在将载置台的基片载置面在径向上划分为多个区域，并按每个区域设置加热器来控制基片载置面的温度的情况下，即使在过渡期中也能够使各区域的温度相对于设定值的偏离量处于所希望的范围内。
附图说明
图1是表示本实施方式的检查装置的概要结构的立体图。
图2是表示本实施方式的检查装置的概要结构的正视图。
图3是概要地表示工作台的结构的截面图。
图4是概要地表示加热部的结构的俯视图。
图5是示意性地表示控制部的概要结构的框图。
图6是示意性地表示加热控制部的概要结构的框图。
图7是表示将作为检查对象的电子器件正在发热时和发热前后的、晶片载置面的各区域的温度进行模拟而得到的结果的比较例的图。
图8是表示将作为检查对象的电子器件正在发热时和发热前后的、晶片载置面的各区域的温度进行模拟而得到的结果的实施例的图。
具体实施方式
在半导体制造工艺中，在半导体晶片(以下，称为“晶片”。)上形成具有规定的电路图案的大量电子器件。对所形成的电子器件进行电特性等的检查，甄别出合格品和不合格品。电子器件的检查例如在各电子器件被分割之前的晶片的状态下使用检查装置来进行。
另外，在近年的检查装置中，为了能够在高温、低温下进行电子器件的电特性检查，也有在能够载置晶片的载置台设置有加热器、冷却机构的情况。
在载置台设置加热器的情况下，有时将载置台的基片载置面在径向上划分为2个区域，即划分为中央区域及包围其外周的周缘区域，对中央区域和周缘区域分别设置加热器。在该情况下，为了使基片载置面的温度在面内均匀，有时测量基片载置面的各区域的温度，进行反馈运算(PID运算等)来调节设置于各区域的加热器的操作量，以使得各区域成为设定温度，即，对各区域的温度独立地进行反馈控制。以下，将该控制称为通常的独立的反馈控制。
依照上述通常的独立的反馈控制，在各区域的温度稳定的稳定状态下能够得到良好的结果。但是，在上述通常的独立的反馈控制中，在过渡期(例如开始进行电特性检查而电子器件开始发热的时期等)中，有时相对于设定温度的偏离量仅在中央区域处于所希望的范围内，理由在后文说明。
将基片载置面在径向上不如上述那样划分为2个区域而划分为3个以上的区域，对各区域进行了与上述通常的独立的反馈控制同样的控制的情况下，也存在与上述同样的问题。具体而言，越靠近最中心，在过渡期中相对于设定温度的偏离量不处于所希望的范围内的可能性越高。
因此，本发明的技术是在将载置台的基片载置面在径向上划分为多个区域，并按每个区域设置加热器来控制基片载置面的温度的情况下，即使在过渡期中也能够使各区域的温度相对于设定值的偏离量处于所希望的范围内。
以下，参照附图，对本实施方式的载置台的温度调节方法、检查装置和载置台进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同功能构成的要素，标注相同的附图标记而省略重复说明実。
首先，对本实施方式的检查装置的结构进行说明。图1和图2分别是表示本实施方式的检查装置1的概要结构的立体图和正视图。在图2中，为表示图1的检查装置1的后述的收纳室和装载器内置的构成要素，将其一部分用截面来表示。
检查装置1进行形成于作为检查对象基片的晶片W的多个电子器件(未图示)各自的电特性的检查。该检查装置1如图1和图2所示，包括：检查时收纳晶片W的收纳室2；与收纳室2相邻地配置的装载器3；和以覆盖收纳室的上方的方式配置的测试器4。
收纳室2如图2所示为内部中空的壳体，具有作为能够载置晶片W的载置台的工作台10。工作台10以晶片W相对于该工作台10的位置不偏移的方式吸附保持晶片W。此外，工作台10构成为能够在水平方向和铅垂方向上移动，依照该结构，能够调节后述的探针卡11与晶片W的相对位置以使晶片W的表面的电极与探针卡11的探针11a接触。
在收纳室2中的该工作台10的上方，以与该工作台10相对的方式配置探针卡11。探针卡11具有与设置于晶片W的电子器件的电极等电接触的探针11a。
另外，探针卡11经由接口12与测试器4连接。各探针11a在电特性检查时与晶片W的各电子器件的电极接触，将来自测试器4的电功率经由接口12供给到电子器件，并且将来自电子器件的信号经由接口12传递到测试器4。
装载器3将收纳于作为输送容器的FOUP(未图示)的晶片W取出并将其输送到收纳室2的工作台10。此外，装载器3从工作台10接收电子器件的电特性检查已结束的晶片W，并将其收纳到FOUP。
而且，装载器3具有进行工作台10的温度控制等各种控制的控制部13。也被称为基础单元的控制部13，例如由具有CPU、存储器等的计算机构成，且具有程序保存部(未图示)。程序保存部保存有控制检查装置1中的各种处理的程序。此外，上述程序也可以记录于计算机可读取的存储介质中，从该存储介质被安装到控制部13。程序的一部分或者全部可以由专用硬件(电路板)实现。控制部13例如经由配线14与工作台10连接，基于工作台10的后述的顶板110的温度，控制后述的加热部120。此外，控制部13也可以设置于收纳室2。
测试器4具有再现搭载电子器件的主板的电路结构的一部分的测试板(未图示)。测试板与基于来自电子器件的信号判断该电子器件是否合格的测试器计算机15连接。在测试器4中，能够通过更换上述测试板，以再现多种主板的电路结构。
而且，检查装置1具有用于向用户显示信息或者供用户输入指示的用户接口部16。用户接口部16例如由触摸面板、键盘等输入部和液晶显示器等显示部构成。
在具有上述的各构成要素的检查装置1中，在检查电子器件的电特性时，测试器计算机15向经由电子器件和各探针11a与之连接的测试板发送数据。然后，测试器计算机15基于来自该测试板的电信号来判断发送来的数据是否被该测试板正确地处理了。
接着，使用图3和图4，对工作台10的结构进行说明。图3是概要地表示工作台10的结构的截面图。图4是概要地表示后述的加热部120的结构的俯视图。
工作台10如图3所示，是将包含加热部120的多个功能部层叠而成的。工作台10经由热绝缘部20载置在使该工作台10在水平方向和铅垂方向上移动的移动机构(未图示)上。热绝缘部20例如由树脂、石墨、热传导率低的陶瓷等构成。
工作台10从上方起依次具有顶板110、加热部120和冷却部130。
顶板110为其上表面110a成为能够载置W的基片载置面即晶片载置面的部件。此外，在下文中，将工作台10的上表面即顶板110的上表面110a记为晶片载置面110a。顶板110例如形成为圆板状。此外，顶板110使用热传导率和杨氏模量高的材料，以减小热容量的方式形成得较薄。通过减小顶板110的热容量，例如能够利用加热部120的加热使顶板110的温度高速地变化。此外，作为顶板110的材料，例如使用SiC、AlN等陶瓷，在需要进一步抑制成本的情况下，使用铜、铝等金属。
加热部120是加热顶板110的部件。加热部120设置于顶板110与冷却部130之间，换言之，设置于比冷却部130靠近晶片载置面110a的位置。该加热部120内置有通过供电而发热的电阻发热体。在本实施方式中，电阻发热体由电阻会根据温度的不同而发生变化的材料(例如钨)形成。此外，虽然省略图示，但在该加热部120与顶板110之间设置有由云母、聚酰亚胺等绝缘材料形成的绝缘层、由金属材料等导电率高的材料形成的电磁屏蔽层。
另外，由加热部120加热的顶板110的晶片载置面110a，如图4所示，在径向上被划分为2个区域。具体而言，顶板110被划分为俯视时位于中心的圆形的第1区域Z1和包围该第1区域Z1的周围的圆环的区域，在本实施方式中，上述圆环状的区域被三等分为第2～第4区域Z2～Z4。
而且，加热部120具有分别与顶板110的第1～第4区域Z1～Z4对应地设置的加热器1211～1214。加热器1211～1214各自内置有上述的电阻发热体，能够单独地控制。
另外，加热器1211与对应的晶片载置面110a的第1区域Z1的形状相匹配地形成为俯视时的圆形形状，加热器1212～1214与对应的晶片载置面110a的第2～第4区域Z2～Z4的形状相匹配地形成为俯视时的圆弧环状。
返回图3的说明。
冷却部130是将顶板110冷却的部件，例如形成为圆板状。在冷却部130的内部形成有供致冷剂流动的流路131。在冷却部130的侧部连接有端口132。端口132如图4所示，具有用于向流路131供给致冷剂的供给端口132a和用于从流路131排出致冷剂的排出端口132b。
另外，致冷剂例如能够使用氟类液体、乙二醇等液体、氮等气体。
另外，虽然省略图示，但在该冷却部130与加热部120之间设置有由金属材料等导电率高的材料形成的电磁屏蔽层。
如以上那样构成的加热部120和冷却部130由控制部13控制。
接着，使用图5和图6，对控制部13的与加热部120和冷却部130的控制有关的结构进行说明。图5是示意性地表示控制部13的概要结构的框图，图6是示意性地表示后述的加热控制部的概要结构的框图。
控制部13如图5所示具有存储部13a、温度获取部13b、加热控制部13c和冷却控制部13d。
存储部13a存储各种信息。例如，存储部13a存储工作台10的设定温度等。此外，存储部13a存储晶片载置面110a的第2～第4区域Z2～Z4各自的设定温度相对于工作台10的设定温度的偏离量。上述偏离量例如仅对靠近端口132且比其他区域容易冷却的第3区域Z3，设定零以外的值(+1℃等)，对第2区域Z2和第4区域Z4设定零。
温度获取部13b获取工作台10的温度。具体而言，温度获取部13b获取工作台10的晶片载置面110a的第1～第4区域Z1～Z4各自的温度。更具体而言，温度获取部13b测量与第1～第4区域Z1～Z4分别对应的加热器1211～1214所具有的电阻加热体的电阻。上述电阻加热体如前述那样根据温度的不同而电阻发生变化，因此温度获取部13b能够基于加热器1211～1214各自的电阻加热体的电阻的测量结果，来计算加热器1211～1214各自的电阻加热体的温度。然后，温度获取部13b将加热器1211的温度作为晶片载置面110a的第1区域Z1的温度，同样地，将加热器1212～1214的温度作为晶片载置面110a的第2～第4区域Z2～Z4的温度。
加热控制部13c基于温度获取部13b的获取结果来控制加热部120。
该加热控制部13c如图6所示具有第1～第4区域控制部201～204。
第1区域控制部201控制晶片载置面110a的最中心的区域即第1区域Z1的加热器1211。具体而言，第1区域控制部201对第1区域Z1，进行调节设置于该第1区域Z1的加热器1211的操作量以使得其温度成为作为控制目标温度的工作台10的设定温度的反馈控制(例如PID控制)。因此，第1区域控制部201具有：偏差计算器201a，其计算由温度获取部13b获取到的第1区域Z1的温度相对于设定温度的偏差；和基于上述偏差进行控制运算而输出加热器1211的操作量的控制器201b。控制器201b例如通过上述偏差的PID运算来计算加热器1211的操作量。
第2区域控制部202控制设置于第2区域Z2的加热器1212，该第2区域Z2位于晶片载置面110a的第1区域Z1的径向外侧。具体而言，第2区域控制部202对第2区域Z2，进行调节设置于该第2区域Z2的加热器1212的操作量以使其温度与第1区域Z1的温度差成为存储部13a所存储的第2区域Z2的偏离量的反馈控制(例如PID控制)。因此，第2区域控制部202具有：偏差计算器202a，其根据由温度获取部13b获取到的第1区域Z1和第2区域Z2的温度以及存储于存储部13a的上述偏离量，计算第2区域Z2与第1区域Z1之间的温度差与上述偏离量的偏差；以及基于上述偏差进行控制运算而输出加热器1212的操作量的控制器202b。控制器202b例如通过上述偏差的PID运算来计算加热器1212的操作量。
第3、第4区域控制部203、204控制设置于第3、第4区域Z3、Z4的加热器1213、1214。第3、第4区域控制部203、204的结构与第2区域控制部202的结构同样，因此省略其说明。
加热控制部13c，换言之，径向上相邻的第1区域Z1和第2～第4区域Z2～Z4之中，将第1区域Z1作为主区域，将第2～第4区域Z2～Z4作为副区域进行加热控制。而且，加热控制部13c对主区域，将工作台10的设定温度作为控制目标温度控制其加热器1211，对副区域，控制其加热器1212～1214以使得与主区域的温度差成为对该副区域设定的偏离量。
返回图5的说明。
冷却控制部13d控制冷却部130。具体而言，冷却控制部13d基于工作台10的设定温度，控制在冷却部130的流路131中流动的致冷剂的温度、流量。
在本实施方式中，在加热控制部13c和冷却控制部13d的控制之下，一边由冷却部130进行晶片载置面110a整体的冷却，一边由加热部120进行晶片载置面110a的各区域的加热。由此，晶片载置面110a的温度在面内变得均匀，而且即使在电特性检查时电子器件快速发热了的情况下，也能够将晶片载置面110a的温度维持为所希望的温度，因此，能够将晶片W和电子器件的温度都维持为所希望的温度。
下面，对使用检查装置1的检查处理的一例进行说明。
在检查处理中，首先，从装载器3的FOUP取出晶片W，将其输送并载置在工作台10。接着，移动工作台10，设置于工作台10的上方的探针11a与晶片W的作为检查对象的电子器件的电极接触。
然后，对探针11a输入检查用的信号。由此，电子器件的电特性检查开始。当电特性检查结束后，移动工作台10，对晶片W的作为下一检查对象的电子器件进行同样的处理。
之后，反复进行上述处理直至所有电子器件的电特性检查完成。
另外，在上述的电特性检查中，要求电子器件的温度成为所希望的温度。因此，在电特性检查中和电特性检查的前后，控制加热部120和冷却部130，以使得工作台10的晶片载置面110a的温度成为所希望的温度从而晶片W的温度即电子器件的温度成为所希望的温度。具体而言，例如，在电特性检查中和电特性检查的前后，通常，利用温度获取部13b获取晶片载置面110a的第1～第4区域Z1～Z4的温度。然后，基于获取到的第1～第4区域Z1～Z4和工作台10的设定温度，利用加热控制部13c进行反馈控制。此外，基于工作台10的设定温度，利用冷却控制部13d控制冷却部130。
如上所述，在本实施方式中，工作台10的晶片载置面110a在径向上被划分为2个区域。于是，对晶片载置面110a中的上述2个区域之中中心的第1区域Z1，进行调节对该第1区域Z1设置的加热器1211的操作量以使得成为设定温度的反馈控制。而且，对晶片载置面110a中的作为周缘区域的第2～第4区域Z2～Z4，进行调节该区域Z2～Z4的加热器1212～1214的操作量，以使得该区域Z2～Z4与第1区域Z1的温度差成为对各区域Z2～Z4设定的偏离量的反馈控制。
与本实施方式的控制和控制方法不同的前述的通常的独立的反馈控制中，如前所述，例如在电特性检查开始而电子器件开始发热的过渡期，超出设定温度的过冲量有时仅在基片载置面的中心区域不处于所希望的范围内。其理由如以下所述。此外，在下文中，有时将位于晶片W的中心的第1区域Z1记为中心区域Z1，将位于晶片W的周缘的第2～第4区域Z2～Z4记为周缘区域Z2～Z4等。
在中心区域Z1和周缘区域Z2～Z4的全部区域中，有时存在去往上表面的气氛和下表面的材料的热移动。另一方面，去往侧方的热移动，在周缘区域Z2～Z4，与外侧的气氛之间的温度差基本上大于与内侧的中心区域Z1之间的温度差，因此以去往外侧的气氛的热移动为主。与此相对，在中心区域Z1，仅有去往外侧的周缘区域Z2～Z4的热移动。而且，从中心区域Z1去往外侧的周缘区域Z2～Z4的热移动，小于从外侧的周缘区域Z2～Z4去往外侧的气氛的热移动。因此，中心区域Z1与周缘区域Z2～Z4相比，横向上的热移动小，因此中心区域Z1与周缘区域Z2～Z4相比存在散热的时间常数变大的倾向。其结果是，成为在过渡响应时来自周缘区域Z2～Z4的热移动成为对中心区域Z1的干扰而引起过冲、下冲的原因。
因此，为了解决该问题，将中心区域Z1和周缘区域Z2～Z4的热的移动控制得进行可能少这一点是重要的。热移动为零时没有干扰。
另一方面，在上述通常的独立的反馈控制中，由于不考虑各区域的干扰状态，因此容易发生过冲、下冲，尤其是在如中心区域Z1这样的具有慢控制模式的区域中过冲等变得显著。其结果是，有时仅中心区域Z1稳定至设定温度还需要时间，相对于设定温度的偏离量没有处于所希望的范围内。
更具体地说明上述的点，例如在设定温度比室温高，且电特性检查时来自电子器件的发热大的情况下，在上述通常的独立的反馈控制中，中心区域Z1在其俯视时的外侧，存在与该中心区域Z1大致等温的周缘区域Z2～Z4，因此俯视时的去往外侧的部分的热移动少。与之相对，对于周缘区域Z2～Z4而言，其俯视时的外侧为大气等周边气氛而为室温。因此，周缘区域Z2～Z4不在其与中心区域Z1之间，而在其与俯视时的外侧的部分之间存在热移动。因此，周缘区域Z2～Z4与中心区域Z1相比冷却能力高。这意味着，中心部分与周边部分相比保持慢时间常数的模式。
如上述那样周缘区域Z2～Z4的冷却能力比中心区域Z1的冷却能力高，因此在上述通常的独立的反馈控制中，周缘区域Z2～Z4向俯视时的外侧的部分释放来自电子器件的发热，比中心区域Z1更快地成为稳定状态。另一方面，中心区域Z1与周缘区域Z2～Z4相比稳定至设定温度更需要时间，相对于设定温度的偏离量不处于所希望的范围内。
过渡期的一例，如前所述，为电特性检查开始而电子器件开始发热的时期。在该时期中，周缘区域Z2～Z4和中心区域Z1都暂时成为比设定温度高的温度，但是在稳定状态下加热器耗费的功率密度高的周缘区域Z2～Z4，能够通过减小冷却能力高的加热器的功率而先减少至设定温度。此外，在该时期中，中心区域Z1与周缘区域Z2～Z4同样地通过减小加热器的功率而使温度下降至设定温度，但由于存在先到达了设定温度的周缘区域Z2～Z4，因此不能充分地散热。因此，中心区域Z1的相对于设定温度的偏离量(该时期中为过冲量)变大，有时处于所希望的范围外。
对此，在本实施方式中，如上所述，进行对晶片载置面110a中的周缘区域Z2～Z4的反馈控制，以使得该周缘区域Z2～Z4与中心区域Z1的温度差成为偏离量。换言之，基于中心区域Z1的温度控制进行周缘区域Z2～Z4的温度控制，来自周缘部分的热移动与具有最慢模式的控制特性相匹配地变得最小。因此，在该时期中，中心区域Z1的相对于设定温度的偏离量不会处于所希望的范围外。因此，在该时期中能够使第1～第4区域Z1～Z4的温度的相对于设定值的偏离量处于所希望的范围内。此外，依照本实施方式，也能够缩短稳定至第1～第4区域Z1～Z4的温度为设定温度的稳定状态的时间。
在其他过渡期(例如，刚刚变更为设定温度低的值后的时期等)中，也通过如本实施方式那样进行控制，与上述同样地，能够使第1～第4区域Z1～Z4的温度的相对于设定值的偏离量处于所希望的范围内。
另外，作为与本实施方式不同的控制方法，有使用基于现代控制论中的状态方程式构建彼此间的干扰而得到的模型进行控制的方法，但该方法的上述模型基本上都以线性模型来构建，因此当温度等状态量变化时就不能使用了。另外，正确地构建模型是困难的。
对此，在本实施方式中，对热最多且容易发生过冲、下冲的中心的第1区域Z1单独地进行控制，并且控制周缘的第2～第4区域Z2～Z4以使得流入第1区域Z1的热流速为零。在这样的简单的控制结构中，能够使中心的第1区域Z1与第2～第4区域Z2～Z4之间的热的干扰最小。因此，即使是PID控制、P控制、PI控制、PD控制等简单的控制方式的反馈控制，也能够使第1区域Z1的相对于设定温度的偏离量处于所希望的范围内。
另外，在本实施方式中，加热部120设置于比冷却部130靠近晶片载置面110a的位置，即，冷却部130没有设置在加热部120与晶片载置面110a之间。因此，对加热部120的热容量小，所以能够以良好的响应性进行利用加热部120的加热。
另外，在以上的说明中，在顶板110之下隔着电磁屏蔽层等设置有加热部120，但也可以在顶板之中设置加热部。在该情况下，作为加热部的发热体使用钨等导电性高的材料时，顶板的母材由氮化铝等电绝缘性和热传导性高的材料形成。
另外，在本实施方式中，将晶片载置面110a划分为多个区域，按每个区域，根据该区域的温度，利用设置于该区域的加热器从比冷却部130更近的位置进行晶片载置面110a的加热。由此，能够通过利用响应良好的加热部120的按每个区域的加热来应对晶片载置面110a的局部的温度变化。此外，通过与上述的加热一起，利用冷却部130进行晶片载置面110a整体的吸热，也能够应对发热密度高的电子器件在电特性检查时的局部的发热。
另外，现有技术中，与本实施方式不同，仅进行冷却和加热中的任一者，而且，使工作台的顶板变厚而增大热容量。于是，在电子器件发热时，以该顶板的热容量吸收了热。但是，近年来，电子器件的发热密度变高，在上述的现有技术中，不能将高发热密度的电子器件维持为所希望的温度。
对此，依照本实施方式，如上所述，对于发热密度高的电子器件，也能够应对电特性检查时的局部的发热，能够维持为所希望的温度。
另外，在本实施方式中，基于加热部120的加热器1211～1214的电阻来获取设置有加热器1211～1214的第1～第4区域Z1～Z4的温度。因此，在第1～第4区域Z1～Z4的温度获取中不使用温度传感器，能够低成本且简单地进行晶片载置面110a的被划分出的每个区域的温度控制。
另外，也可以与以上的说明不同，在工作台10设置温度传感器，测量第1～第4区域Z1～Z4的温度。
在以上的说明中，对每个电子器件进行了电特性检查，但电子器件的发热密度小的情况下，也可以对多个电子器件一并进行电特性检查。
另外，在上文中，晶片载置面在径向上被划分为2个区域，但也可以在径向上被划分为3个以上的区域。
在该情况下，控制部13对晶片载置面110a中的上述3个以上的区域中的最中心的区域，进行对与上述的第1区域Z1同样的控制。
另外，在该情况下，控制部13对晶片载置面110a中的比上述3个以上的区域中的最中心的区域靠外侧的区域进行以下的控制。即，控制部13进行调节对该外侧的区域设置的加热器的操作量，以使得该外侧的区域与在径向内侧与该外侧的区域相邻的区域的温度差成为预先设定的值。
实施例
图7和图8分别是表示对作为检查对象的电子器件正在发热时和发热前后的、晶片载置面110a的各区域的温度模拟而得到的结果的图，图7表示比较例，图8表示实施例。在图中，横轴表示时间，左侧的纵轴表示晶片载置面110a的温度，右侧的纵轴表示各加热器的操作量。此外，在各图中，第3区域Z3和第4区域Z4的温度和与之对应的加热器1213、1214的操作量，与第2区域Z2同样，因此省略图示。
比较例是使用比较用的检查装置时的仿真结果。上述比较用的检查装置仅晶片载置面110a的第2～第4区域Z2～Z4各自的温度的控制方法与本实施方式的检查装置不同。具体而言，在比较用的检查装置中，对第2～第4区域Z2～Z4也与第1区域Z1同样地进行温度的控制，基于第2～第4区域Z2～Z4各自的温度相对于设定温度的偏差，进行了反馈控制。即，在比较用的检查装置中，进行了前述的通常的独立的反馈控制。
实施例是使用本实施方式的检查装置1时的仿真结果。
另外，在上述仿真中，在经过大约300秒后至大约2700秒的期间电子器件发热。此外，致冷剂的温度为20℃，工作台10的顶板的材料为不锈钢，晶片载置面的设定温度为95℃。另外，电子器件的发热量为1000W，第1区域Z1的加热器1211的最大输出为1000W，第2～第4区域Z2～Z4的加热器1212～1214的最大输出为1000W，致冷剂的流量为一定的。此外，作为反馈控制进行PID控制。
如图7所示，在进行了前述的通常的独立的反馈控制的比较例中，在电子器件开始发热的过渡期中，晶片载置面110a的周缘部的第2区域Z2的相对于设定温度的过冲量最大为0.6℃程度。与之相对，晶片载置面110a的中心的第1区域Z1的过渡期中的上述过冲量，最大为1℃，与第2区域Z2相比非常大。
与之相对，在实施例中，如图8所示，过渡期中的上述过冲量在第2区域Z2中和第1区域Z1中均为0.6℃程度，在两个区域之间不存在差，处于所希望的范围内。另外，稳定至作为设定温度的95℃的时间也快于比较例。
本次公开的实施方式在所有方面均是例示而不应认为是限定性的。上述的实施方式在不脱离权利要求及其主旨的情况下能够以各种方式省略、替换、改变。
另外，如以下那样的构成也属于本发明的技术范围。
(1)一种能够载置基片的载置台的温度控制方法，其中，
所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对所述多个区域分别设置有加热器，
所述载置台的温度控制方法包括：
对所述基片载置面的所述多个区域中的最中心的区域，进行调节该最中心的区域的所述加热器的操作量以使该最中心的区域成为设定温度的反馈控制的步骤；和
对所述基片载置面的所述多个区域中的比所述最中心的区域靠外侧的区域，进行调节该外侧的区域的所述加热器的操作量，以使该外侧的区域和与该外侧的区域在径向内侧相邻的区域的温度差成为预先设定的值的反馈控制的步骤。
依照上述(1)，在将载置台的基片载置面在径向上划分为多个区域，并按每个区域设置加热器来控制基片载置面的温度的情况下，即使在过渡期中也能够使各区域的温度相对于设定值的偏离量处于所希望的范围内。
(2)在上述(1)记载的载置台的温度控制方法中，包括用冷却部将所述载置台的所述基片载置面冷却，并且用配置于比所述冷却部靠近所述基片载置面的位置的加热器来对所述基片载置面进行加热的步骤。
依照上述(2)，即使在所载置的基片以高发热密度急剧地发热的情况下，也能够将基片载置面的温度维持为所希望的温度，由此也能够将基片的温度维持为所希望的温度。
(3)在上述(1)或者(2)记载的载置台的温度控制方法中，包括测量所述加热器所具有的发热体的电阻，并基于其测量结果，获取所述基片载置面的设置有该加热器的区域的温度的步骤。
依照上述(3)，能够低成本且简单地进行基片载置面的被划分出的每个区域的温度控制。
(4)对检查对象基片进行检查的检查装置，其包括：
能够载置所述检查对象基片的载置台；和
控制部，
所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对所述多个区域分别设置有加热器，
所述控制部构成为，能够对所述基片载置面的所述多个区域中的最中心的区域，进行调节该最中心的区域的所述加热器的操作量以使该最中心的区域成为设定温度的反馈控制，并且，对所述基片载置面的所述多个区域中的比所述最中心的区域靠外侧的区域，进行调节该外侧的区域的所述加热器的操作量，以使该外侧的区域和与该外侧的区域在径向内侧相邻的区域的温度差成为预先设定的值的反馈控制。
(5)在上述(4)记载的检查装置中，所述载置台具有将所述基片载置面冷却的冷却部，所述加热器设置于比所述冷却部更靠近所述基片载置面的位置。
依照上述(5)，被加热器加热的部分的热容量小，因此能够以良好的响应进行利用加热器的加热。
(6)在上述(4)或者(5)记载的检查装置中，所述控制部构成为能够基于所述加热器所具有的发热体的电阻的测量结果来获取所述基片载置面的设置有该加热器的区域的温度。
(7)一种能够载置基片的载置台，其从基片载置面起依次具有：
加热层，其具有加热器，该加热器设置有通过通电而发热的发热体；和
形成有致冷剂的流路的冷却层，
所述基片载置面被划分为多个区域，
所述加热层对所述基片载置面的多个区域分别具有所述加热器。
附图标记说明
1 检查装置
10 工作台
13 控制部
110a 晶片载置面
1211、1212、1213、1214 加热器
W 晶片
Z1 第1区域
Z2 第2区域
Z3 第3区域
Z4 第4区域。

Claims (7)

1.一种能够载置基片的载置台的温度控制方法，其特征在于：
所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对所述多个区域分别设置有加热器，
所述载置台的温度控制方法包括以下步骤，即：
对所述基片载置面的所述多个区域中的最中心的区域，进行调节该最中心的区域的所述加热器的操作量以使该最中心的区域成为设定温度的反馈控制；和
对所述基片载置面的所述多个区域中的比所述最中心的区域靠外侧的区域，进行调节该外侧的区域的所述加热器的操作量，以使该外侧的区域和与该外侧的区域在径向内侧相邻的区域的温度差成为预先设定的值的反馈控制。
2.如权利要求1所述的载置台的温度控制方法，其特征在于：
包括用冷却部将所述载置台的所述基片载置面冷却，并且用配置于比所述冷却部靠近所述基片载置面的位置的加热器来对所述基片载置面进行加热的步骤。
3.如权利要求1或2所述的载置台的温度控制方法，其特征在于：
包括测量所述加热器所具有的发热体的电阻，并基于其测量结果来获取所述基片载置面的设置有该加热器的区域的温度的步骤。
4.一种对检查对象基片进行检查的检查装置，其特征在于，包括：
能够载置所述检查对象基片的载置台；和
控制部，
所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对所述多个区域分别设置有加热器，
所述控制部构成为，能够对所述基片载置面的所述多个区域中的最中心的区域，进行调节该最中心的区域的所述加热器的操作量以使该最中心的区域成为设定温度的反馈控制，并且，对所述基片载置面的所述多个区域中的比所述最中心的区域靠外侧的区域，进行调节该外侧的区域的所述加热器的操作量，以使该外侧的区域和与该外侧的区域在径向内侧相邻的区域的温度差成为预先设定的值的反馈控制。
5.如权利要求4所述的检查装置，其特征在于：
所述载置台具有将所述基片载置面冷却的冷却部，
所述加热器设置于比所述冷却部更靠近所述基片载置面的位置。
6.如权利要求4或5所述的检查装置，其特征在于：
所述控制部构成为能够基于所述加热器所具有的发热体的电阻的测量结果来获取所述基片载置面的设置有该加热器的区域的温度。
7.一种能够载置基片的载置台，其特征在于，从基片载置面起依次具有：
加热层，其具有加热器，该加热器设置有通过通电而发热的发热体；和
形成有致冷剂的流路的冷却层，
所述基片载置面被划分为多个区域，
所述加热层对所述基片载置面的多个区域分别具有所述加热器。
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