CN113826199B - 电子设备热管理和电磁屏蔽 - Google Patents

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Abstract

本公开的各方面涉及诸如被配置用于无线通信网络中的无线通信的移动设备等设备的热管理。一种设备包括多个电子组件。电磁干扰(EMI)屏蔽被安置在电子组件上,并且多个EMI垫片被安置在电子组件之间。多个EMI垫片中的每个EMI垫片包围多个电子组件中的相应一个电子组件。嵌入在EMI屏蔽内的蒸发冷却器设备被配置为将热量从电子组件的至少一部分中传递出去。

Description

电子设备热管理和电磁屏蔽
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年5月14日在美国专利商标局提交的第16/874,542号非临时专利申请和于2019年5月16日在美国专利商标局提交的第62/848,896号临时专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文,如同在下文中出于所有适用目的而完整阐述一样。
技术领域
下面讨论的技术通常涉及设备内的电磁干扰(EMI)屏蔽,更具体地说,涉及在设备中提供EMI屏蔽和热管理。
背景技术
在诸如5G或新无线电(NR)移动设备之类的消耗非常高功率的下一代无线通信设备中,系统性能可能会受到芯片结温(Tj)和设备表面温度(Tskin)的热限制。在一些示例中,在Tskin或Tj达到最高温度规范之前,毫米波(mmW)5G下行链路或上行链路操作可能只能持续几分钟,在此时5G吞吐量性能可能会因热缓解程序而被降级到较低的数据速率。
随着对5G通信需求的增加,研究和开发继续推进5G移动设备技术,以提供降低Tj和Tskin二者的热解决方案,从而改善设备性能。
发明内容
下面给出了本公开的一个或多个方面的概述,以便提供对这些方面的基本理解。该概述不是对本公开的所有预期特征的广泛概述,并且既不旨在识别本公开的所有方面的关键或必要元素,也不旨在描绘本公开的任何或所有方面的范围。其唯一目的是以一种作为稍后提出的更详细描述的前序的形式来提出本公开的一个或多个方面的一些概念。
在一个示例中,公开了一种设备,该设备包括:多个电子组件;安置在多个电子组件上的电磁干扰(EMI)屏蔽;蒸发冷却器设备,嵌入在EMI屏蔽内并被配置为将热量从多个电子组件的至少一部分中传递出去;以及安置在多个电子组件之间的多个EMI垫片。多个EMI垫片中的每个EMI垫片包围多个电子组件中的相应的一个电子组件。
另一个示例提供了用于制造设备的方法。该方法包括将多个电子组件安装在印刷电路板上并插入电磁干扰(EMI)垫片。EMI垫片中的每个包围多个电子组件中的一个电子组件。该方法还包括将EMI垫片附接到印刷电路板并提供安置在多个电子组件和EMI垫片上的电磁干扰(EMI)屏蔽。EMI屏蔽包括嵌入其中的蒸发冷却器设备。该方法还包括将EMI垫片附接到EMI屏蔽以形成围绕多个电子组件中的每个电子组件的相应的密封装置。
另一个示例提供了一种用于设备中的热管理的方法。该方法包括使用安置在该设备的多个电子组件上的EMI屏蔽在该多个电子组件的操作期间防止该多个电子组件与该设备外部的至少一个外部噪声源之间的第一电磁干扰(EMI)。该方法还包括使用安置在多个电子组件之间的多个EMI垫片在多个电子组件的操作期间防止多个电子组件之间的第二EMI。多个EMI垫片中的每一个EMI垫片包围多个电子组件中的相应的一个电子组件。该方法还包括利用嵌入在EMI屏蔽内的蒸发冷却器设备在多个电子组件的操作期间将热量从多个电子组件的至少一部分中传递出去。
另一示例提供了一种设备,该设备包括用于在该设备的多个电子组件的操作期间防止该多个电子组件与该设备外部的至少一个外部噪声源之间的第一电磁干扰(EMI)的部件。用于防止第一EMI的部件被安置在多个电子组件上。该设备还包括用于在多个电子组件的操作期间防止多个电子组件之间的第二EMI的部件。用于防止第二EMI的部件被安置在电子组件之间并且被配置为形成围绕多个电子组件中的每一个电子组件的相应的密封装置。该设备还包括用于在多个电子组件的操作期间将热量从多个电子组件的至少一部分中传递出去的部件。用于传递热量的部件被嵌入在用于防止第一EMI的部件内。
在阅读下面的详细描述后,本发明的这些和其他方面将得到更加充分的理解。在结合附图阅读本发明的具体示例性实施例的以下描述后,本发明的其他方面、特征和实施例对于本领域普通技术人员将变得显而易见。虽然本发明的特征可以相对于下文的某些实施例和附图来进行讨论,但是本发明的所有实施例可以包括本文所讨论的有益特征中的一个或多个有益特征。换言之,虽然一个或多个实施例可以被讨论为具有某些有益特征,但也可以根据本文所讨论的本发明的各种实施例来使用这样的特征中的一个或多个特征。以类似的方式,虽然示例性实施例可以在下面被讨论为设备、系统或方法实施例,但是应当理解,这样的示例性实施例可以在各种设备、系统和方法中实现。
附图说明
图1是示例性移动设备的分解图。
图2A是图示了移动设备的示例性印刷电路板(PCB)和中间框架的图。
图2B是图示了移动设备的各种电子组件的示例性电磁干扰(EMI)屏蔽的图。
图3是安置在移动设备的电子组件上方、包括嵌入的蒸发冷却器设备的EMI屏蔽的示例的截面图。
图4是安置在移动设备的电子组件上方、包括嵌入的蒸发冷却器设备的EMI屏蔽板的截面图。
图5是安置在移动设备的各种电子组件上方、包括嵌入的蒸发冷却器设备的中间框架的示例的截面图。
图6是安置在移动设备的各种电子组件上方、包括嵌入的蒸发冷却器设备的中间框架的另一示例的截面图。
图7是安置在移动设备的各种电子组件上方、包括嵌入的蒸发冷却器设备的中间框架的另一示例的截面图。
图8图示了包括具有嵌入的蒸发冷却器设备的EMI屏蔽的集成器件的剖面图。
图9是蒸发冷却器设备的示例的截面图。
图10是用于制造包括具有嵌入的蒸发冷却器设备的EMI屏蔽的设备的示例性方法的流程图。
图11是用于设备中的热管理的示例性方法的流程图。
图12图示了可以集成本文描述的管芯、集成设备、封装和/或设备封装的各种电子设备。
具体实施方式
下面结合附图所阐述的详细描述旨在作为对各种配置的描述,并且不旨在表示可以实践本文所描述的概念的唯一配置。详细描述包括用于提供对各种概念的透彻理解的特定细节。然而,对于本领域技术人员而言,显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下实践这些概念。在一些实例中,众所周知的结构和组件以框图形式示出,以避免混淆这些概念。
本公开的各个方面涉及用于改进诸如移动设备等设备的热性能的机制。设备可以包括多个电子组件。此外,电磁干扰(EMI)屏蔽可以被安置在电子组件上。为了降低设备的温度和大功率电子组件的结温,可以在EMI屏蔽内嵌入蒸发冷却器设备。蒸发冷却器设备被配置为将热量从(一个或多个)高功率电子组件中传递出去。在一些示例中,蒸发冷却器设备可以是包括封套和被吸液芯结构包围的蒸汽腔的两相冷却设备。蒸汽腔还可以包括被选择为在操作温度范围内蒸发成蒸汽并冷凝回液体的工作流体。
在一个方面,EMI屏蔽可以被配置为多个EMI屏蔽罩(shielding can),每个EMI屏蔽罩都包围电子组件中的相应的一个。在一些示例中,EMI屏蔽罩可以与多个电子组件一起被安装在印刷电路板上。每个EMI屏蔽罩还可以包括嵌入其中的相应的蒸发冷却器设备,以将热量从每个电子组件中传递出去。
在另一方面,EMI屏蔽可以被配置为包括嵌入的蒸发冷却器设备的EMI屏蔽板。EMI屏蔽板可以被安置在电子组件上。在一些示例中,EMI屏蔽板可以包括金属材料(例如,铜、铝、钢、钛或其他合适的金属材料)或基于聚合物的材料。例如,可以使用薄的基于铜的蒸汽腔或基于聚合物的蒸汽腔来制造EMI屏蔽板。EMI屏蔽板还可以包括在基于聚合物的材料上的金属涂层。例如,涂层可以包括铜、铝、镍、钛或其他合适的金属材料。此外,多个EMI垫片可以被安置在每个电子组件之间以防止电子组件之间的EMI。每个EMI垫片可以包围电子组件中的一个电子组件以形成围绕电子组件中的每个电子组件的相应的密封装置。在一些示例中,EMI垫片由导电橡胶材料形成。
在另一方面,EMI屏蔽可以被配置为设备的中间框架。中间框架作为用于设备的内部机械支撑。在一些示例中,中间框架由诸如铜、铝、钢或其他合适的金属材料等金属材料形成。中间框架可以包括覆盖电子组件的外壳。外壳可以包括安置在电子组件上的顶部段(top segment)和安置在外壳的相应侧上的至少两个外侧段。在一个示例中,蒸发冷却器结构可以被嵌入在外壳的顶部段内以覆盖电子组件。在另一示例中,蒸发冷却器设备可以被嵌入在外壳的顶部段和至少两个外侧段内以包围电子组件。此外,EMI垫片可以被安置在电子组件之间。
图1是示例性移动设备100的分解图。在第三代合作伙伴计划(3GPP)颁布的标准和规范中,移动设备100通常可以被称为用户设备(UE),但是也可以被那些本领域技术人员称为移动站(MS)、订户站、移动单元、订户单元、无线单元、远程单元、无线设备、无线通信设备、远程设备、移动订户站、接入终端(AT)、移动终端、无线终端、远程终端、手机、终端、移动客户端、蜂窝(小区)电话、智能电话或一些其他合适的术语。UE可以是向用户提供对网络服务的接入的装置。
移动设备100包括前盖102、中间框架106、印刷电路板(PCB)108、电池110和后壳112。在图1中所示的示例中,前盖可以包括显示器104,其例如可以是触摸屏。附加的组件或所图示的组件的变体也可以被包括在移动设备100内。
PCB 108可以包括例如安装在其上的多个电子组件(例如,电路和/或管芯)。例如,各种电子组件可以被焊接到PCB 108。例如使用被实现为PCB上的迹线的总线架构,PCB 108可以进一步促进多个电子组件和/或其他外围设备之间的通信。PCB 108还可以包括连接到诸如显示器104和电池110等各种外围设备和其他外部组件的连接器。
中间框架106被安置在前盖102和PCB 108之间。作为示例而非限制,中间框架106可以由铝、铝合金、铜、铜合金、钢或其他金属、金属合金或金属化合物组成。中间框架106可以具有实心结构,如图1中所示,或者可以包括沿着中间框架106的一侧或多侧和/或在中间框架106内的开口,以适应移动设备100的各种配置(例如,电源连接器、音量按钮、相机等的位置)以及支持PCB 108、显示器104和电池110之间的连接。
图2A是图示了移动设备的示例性PCB 208和中间框架206的图。图2A图示了暴露PCB 208的一部分的中间框架206的截面图。PCB208包括安装在其上的多个电子组件202(例如,电路或管芯)。作为示例而非限制,电子组件202可以包括片上系统(SOC)、功率管理电路(PMIC)、功率放大器(PA)、存储器芯片、调制解调器和/或移动设备的其他电子组件。在一些示例中,SOC可以包括中央处理单元(CPU)、图形处理器单元(GPU)、存储器控制器、随机存取存储器(RAM),并且还可以包括一个或多个调制解调器(例如,蜂窝无线电、蓝牙、Wi-Fi等)。
在PCB 208上的电子组件202之间和/或在电子组件202和外部噪声源之间经由电磁感应、静电耦合或传导而可能发生电磁干扰(EMI)(当移动设备在射频频谱中操作时,也称为射频干扰(RMI))。由特定电子组件202所经历的EMI可能降低电子组件的性能或者阻止电子组件一起起作用。为了保护移动设备免受EMI,已经开发了多种方法来屏蔽PCB 208上的电子组件202。
图2B是图示了移动设备的各种电子组件的示例性电磁干扰(EMI)屏蔽的图。如图2A中那样,图2B图示了暴露包括多个电子组件的PCB 208的一部分的中间框架206的截面图。利用EMI屏蔽罩204促进电子组件的EMI屏蔽,每个EMI屏蔽罩204被安置在电子组件中的一个电子组件的上方。在一些示例中,EMI屏蔽罩204可以由金属片材(例如,铜、铝或钢)制成并形成适配电子组件的形状。EMI屏蔽罩204然后可以被直接安装到PCB 208以完全遮盖电路免受EMI和/或防止电路生成EMI。在其他示例中,EMI屏蔽罩204可以与电子组件集成(例如,经由将金属屏蔽层施加到电子组件的顶部和侧面)。
除了EMI之外,移动设备的性能可能会由于高功耗导致的热缓解而降级。例如,5GSOC芯片组的性能可以受到芯片结温(Tj)和设备表面温度(Tskin)的热限制。当前温度规范指示最高表面温度(Tskin)为43℃以及最大结温(Tj)为85℃。一旦在5G下行链路或上行链路操作期间达到最大Tj或Tskin,5G吞吐量性能将降级到较低的数据速率以降低功耗,由此降低Tj和Tskin
本公开的各个方面涉及降低Tj和Tskin的热解决方案,这可以延迟达到最大Tj和Tskin的时间,以提高5G性能。在一些示例中,蒸发冷却器设备可以被嵌入到EMI屏蔽(例如,EMI屏蔽罩204或其他EMI屏蔽层,诸如EMI屏蔽板或中间框架)中以提供PCB 208上的电子组件的EMI屏蔽和冷却。蒸发冷却器设备的一个示例操作为利用流体(例如,水或氨)的蒸发和冷凝将热量从设备的一端传递到设备的另一端。包括嵌入的蒸发冷却器设备的EMI屏蔽可以被包括在移动设备中(如图1、图2A和/或图2B中),或者被包括在其他合适的设备内。
图3是包括EMI屏蔽302(例如,EMI屏蔽罩)的结构300的示例的截面图,该EMI屏蔽302安置在电子组件306(例如,管芯)上方、具有嵌入的蒸发冷却器设备304。结构300可以被包括在设备中,诸如移动设备或其他合适的设备。包括嵌入式蒸发冷却器设备304的EMI屏蔽302操作为屏蔽电子组件306(例如,高功率芯片,诸如SOC、PMIC、调制解调器等)免受EMI并且冷却电子组件306以降低设备的Tj和Tskin
在图3中所示的示例中,电子组件(例如,管芯)306被焊接到PCB 308。模塑料(moldcompound)310被安置在电子组件306上并且热界面312被安置在模塑料310上。然后EMI屏蔽302被安置在热界面312上并且被安装到PCB 308。EMI屏蔽302具有被选择为包围电子组件306、模塑料310和热界面312的形状。EMI屏蔽302例如可以包括顶部段314,被配置为覆盖电子组件306的顶表面(例如,热界面312)。EMI屏蔽302例如还可以包括多个侧段316a和316b(示出了其中的两个),每个侧段被配置为覆盖电子组件306的相应侧(例如,电子组件306、模塑料310和热界面312的相应侧)。
蒸发冷却器设备304被嵌入在EMI屏蔽302的顶部段314内,以使得EMI屏蔽302的顶部段314在蒸发冷却器设备304的所有表面上完全包围蒸发冷却器设备304。此外,蒸发冷却器设备304具有至少等于电子组件306的长度的长度。在一些示例中,蒸发冷却器设备304跨越EMI屏蔽302的顶部段314的基本上整个长度延伸(例如,EMI屏蔽302和两相冷却设备之间的长度差可以小于或等于5μm),并且因此可以具有大于电子组件306的长度的长度。在一些示例中,蒸发冷却器设备304被放置在EMI屏蔽302内部以与电子组件306的中心竖直对齐,从而最大化其冷却。在一些示例中,EMI屏蔽302的顶部段314可以具有介于200μm-250μm之间的厚度,并且蒸发冷却器设备304可以具有介于125μm-200μm之间的厚度。
图4是包括EMI屏蔽402(例如,EMI屏蔽板)的结构400的示例的截面图,该EMI屏蔽402安置在多个电子组件406a和406b(为了方便,示出了其中的两个)上方、具有嵌入的蒸发冷却器设备404。结构400可以被包括在设备中,诸如移动设备或其他合适的设备。包括嵌入的蒸发冷却器设备404的EMI屏蔽402操作为屏蔽电子组件406a和406b免受EMI并且冷却电子组件406a和406b以降低设备的Tj和Tskin
在图4中所示的示例中,每个电子组件(例如,管芯)406a和406b被焊接到PCB 408,PCB 408提供了用于安装电子组件406a和406b的部件。相应的模塑料410a和410b被安置在相应的电子组件406a和406b上,并且相应的热界面412a和412b被安置在相应的模塑料410a和410b上。
EMI屏蔽402覆盖PCB 408的至少一部分。例如,EMI屏蔽402可以至少覆盖包括电子组件406a和406b的PCB 408的部分。EMI屏蔽402操作为EMI屏蔽板以提供用于防止电子组件406a和406b与外部噪声源之间的EMI的部件。
EMI屏蔽402由包围蒸发冷却器设备404的材料形成。在一些示例中,该材料可以包括金属材料或基于聚合物的材料。例如,金属材料可以包括铜、铝、钢、钛或其他合适的金属材料。在一些示例中,EMI屏蔽402可以使用薄的基于铜的蒸汽腔或基于聚合物的蒸汽腔来制造。在EMI屏蔽402由基于聚合物的材料形成的示例中,EMI屏蔽402还可以包括在基于聚合物的材料上的金属涂层。金属涂层可以包括铜、铝、镍、钛或其他合适的金属材料。涂层可具有例如介于5微米(μm)与20μm之间的厚度。
除了EMI屏蔽402之外,多个EMI垫片414a和414b被安置在EMI屏蔽402和PCB 408之间以用于EMI屏蔽。例如,EMI垫片414a和414b可以被安装在印刷电路板上并被附接到EMI屏蔽402以形成围绕电子组件406a和406b中的每一个的相应的密封装置。在一些示例中,EMI垫片414a和414b可以包括导电橡胶材料。每个EMI垫片414a和414b包围电子组件406a和406b中的相应的一个电子组件以提供用于防止电子组件406a和406b之间的EMI干扰的部件。因此,每个EMI垫片414a和414b,连同EMI屏蔽402,可以操作为EMI屏蔽罩以完全屏蔽电子组件406a和406b免受EMI和/或防止电子组件406a和406b生成朝向其他电子组件的EMI。
蒸发冷却器设备404被嵌入在EMI屏蔽402内,以使得EMI屏蔽402在蒸发冷却器设备404的所有表面上完全包围蒸发冷却器设备404。在一些示例中,蒸发冷却器设备404可以跨越EMI屏蔽402的基本上整个长度延伸(例如,EMI屏蔽402的长度和蒸发冷却器设备404的长度之间的长度差可以是5μm或更少)。在一些示例中,EMI屏蔽402可以具有介于200μm-250μm之间的厚度,并且蒸发冷却器设备404可以具有介于125μm-200μm之间的厚度。
蒸发冷却器设备404使得能够在电子组件406a和406b之间进行热耦合和热扩散,以降低设备的表面温度和高功率电子组件的相应的管芯温度。因此,蒸发冷却器设备404提供用于在电子组件406a和406b的操作期间将热量从电子组件406a和406b的至少一部分中传递出去的部件。在电子组件406a(管芯1)是高功率电子组件并且电子组件406b(管芯2)是低功率电子组件的示例中,EMI屏蔽402内的蒸发冷却器设备404可以增强热量传递以将热量从管芯1转移到管芯2,从而实现热扩散并降低管芯1的结温Tj和设备的表面温度Tskin
图5是包括EMI屏蔽502(例如,中间框架)的结构500的示例的截面图,该EMI屏蔽502安置在各种电子组件506a和506b(为了方便,示出了其中的两个)上方、具有嵌入的蒸发冷却器设备504。结构500可以被包括在设备中,诸如移动设备或其他合适的设备。包括嵌入的蒸发冷却器设备504的EMI屏蔽502操作为屏蔽电子组件506a和506b(例如,高功率芯片,诸如SOC、PMIC、调制解调器等,或低功率芯片)免受EMI,冷却高功率电子组件506a和506b,并为PCB 508和安装在PCB 508上的芯片组(例如,电子组件506a和506b)提供机械和结构支撑。此外,由于EMI屏蔽由EMI屏蔽502来提供,所以设备可以不包括在单个电子组件506a和506b上方的附加的EMI屏蔽层或附加的EMI屏蔽罩,从而减小了设备的整体形状因数并简化了设备组装过程。
在图5中所示的示例中,每个电子组件(例如,管芯)506a和506b被焊接到PCB 508,相应的模塑料510a和510b被安置在相应的电子组件506a和506b上,并且相应的热界面512a和512b被安置在相应的模塑料510a和510b上。
EMI屏蔽502包括覆盖PCB 508的至少一部分的外壳514。例如,外壳514可以覆盖包括电子组件506a和506b的PCB 508的部分。在一些示例中,外壳514可以在PCB 508的相应边缘处被安装或以其他方式被安置在PCB 508上。EMI屏蔽外壳514可以包括安置在电子组件506a和506b上(例如,热界面512a和512b)的顶部段516、外侧段518a和518b以及多个内侧段518c(为了方便,示出了其中的一个)。外侧段518a和518b形成EMI屏蔽外壳514的侧面。内侧段518c被放置在顶部段516的底表面上位于与电子组件506a和506b对齐的位置处,以使得内侧段518c与外侧段518a和518b一起形成包围电子组件506a和506b中的每一个的相应EMI屏蔽罩。
EMI屏蔽外壳514的顶部段516操作为EMI屏蔽层以防止电子组件506a和506b与外部噪声源之间的EMI。EMI屏蔽外壳514的侧段518a、518b和518c进一步用于防止电子组件506a和506b之间的EMI干扰。在一些示例中,EMI屏蔽502由诸如铜、铝、钢或其他合适的金属材料等金属材料形成。
蒸发冷却器设备504使得能够在电子组件506a和506b之间进行热耦合和热扩散,以降低设备的表面温度(Tskin)和高功率电子组件的相应的管芯温度(Tj)。蒸发冷却器设备504被嵌入在EMI屏蔽外壳514的顶部段516内,以使得EMI屏蔽502的金属材料在蒸发冷却器设备504的所有表面上完全包围蒸发冷却器设备504。在一些示例中,蒸发冷却器设备504可以跨越EMI屏蔽502的顶部段516的基本上整个长度延伸(例如,EMI屏蔽502的顶部段516和蒸发冷却器设备504之间的长度差可以是5μm或更小),并且因此,可以具有大于电子组件506a和506b中的任一个的长度的长度。在一些示例中,EMI屏蔽502的顶部段516可以具有介于200μm-250μm之间的厚度,并且蒸发冷却器设备504可以具有介于125μm-200μm之间的厚度。
图6是包括EMI屏蔽602(例如,中间框架)的结构600的另一示例的截面图,该EMI屏蔽602安置在各种电子组件606a和606b(为了方便起见,示出了其中的两个)上方、具有嵌入的蒸发冷却器设备604。结构600可以被包括在设备中,诸如移动设备或其他合适的设备。每个电子组件(例如,管芯)606a和606b被焊接到PCB 608,相应的模塑料610a和610b被安置在相应的电子组件606a和606b上,并且相应的热界面612a和612b被安置在相应的模塑料610a和610b上。
如图5中那样,EMI屏蔽602操作为为PCB 608和安装在PCB 608上的芯片组(例如,电子组件606a和606b)提供机械和结构支撑。此外,EMI屏蔽602还操作为屏蔽电子组件606a和606b(例如,高功率或低功率芯片)免受来自外部噪声源产生的EMI。然而,在图6中所示的示例中,使用EMI垫片614a和614b代替EMI屏蔽的附加的内侧段来防止电子组件606a和606b之间的EMI。EMI垫片614a和614b被安置在EMI屏蔽602的顶部段和PCB 608之间用于EMI屏蔽,以形成围绕电子组件606a和606b中的每一个的相应的密封装置。在一些示例中,EMI垫片614a和614b可以包括导电橡胶材料。由于EMI屏蔽由EMI屏蔽602以及EMI垫片614a和614b提供,因此,设备可以不包括在单个的电子组件上的附加的EMI屏蔽板或附加的EMI屏蔽罩,从而降低了设备的整体形状因数并简化了设备组装过程。
嵌入在EMI屏蔽602内的蒸发冷却器设备604操作为通过促进电子组件606a和606b之间的热耦合和热扩散来冷却高功率电子组件606a和606b。在一些示例中,蒸发冷却器设备604可以跨越EMI屏蔽602的基本上整个长度延伸(例如,EMI屏蔽602和蒸发冷却器设备604之间的长度差可以是5μm或更小)。在一些示例中,EMI屏蔽602可以具有介于200μm-250μm之间的厚度,并且蒸发冷却器设备604可以具有介于125μm-200μm之间的厚度。
图7是包括EMI屏蔽702(例如,中间框架)的结构700的另一示例的截面图,该EMI屏蔽702安置在各种电子组件706a和706b(为了方便起见,示出了其中的两个)上方、具有嵌入的蒸发冷却器设备704。结构700可以被包括在设备中,诸如移动设备或其他合适的设备。在图7中所示的示例中,每个电子组件(例如,管芯)706a和706b被焊接到PCB 708,相应的模塑料710a和710b被安置在相应的电子组件706a和706b上,并且相应的热界面712a和712b被安置在相应的模塑料710a和710b上。
如图5中那样,包括图7中所示的嵌入的蒸发冷却器设备704的EMI屏蔽702操作为屏蔽电子组件706a和706b(例如,高功率或低功率芯片)免受EMI,冷却高功率电子组件706a和706b,并为PCB708和PCB 708上的芯片组(例如,电子组件706a和706b)提供机械和结构支撑。此外,EMI屏蔽702包括覆盖PCB 708的至少一部分的外壳714。例如,EMI屏蔽外壳714可以至少覆盖包括电子组件706a和706b的PCB 708的部分。EMI屏蔽外壳714还包括安置在电子组件706a和706b上(例如,热界面712a和712b)的顶部段716、外侧段718a和718b(为了方便,示出了其中的两个)以及多个内侧段718c(为了方便,示出了其中的一个)。内侧段718c与外侧段718a和718b一起形成围绕电子组件706a和706b中的每一个的相应EMI屏蔽罩。在其他示例中,如图6中所示,可以使用EMI垫片代替内侧段以形成围绕电子组件706a和706b中的每一个的相应的密封装置。
在图7所示的示例中,蒸发冷却器设备704被嵌入在EMI屏蔽外壳714的顶部段716内并且进一步被嵌入在EMI屏蔽外壳714的外侧段718a和718b内,以使得EMI屏蔽702的金属材料(例如,铜、铝、或钢)在蒸发冷却器设备704的所有表面上完全包围蒸发冷却器设备704。在一些示例中,外侧段718a和718b被安置在PCB 708的相应侧面(例如,边缘)上并且形成EMI屏蔽外壳714的侧面。因此,在该示例中,蒸发冷却器设备704在所有电子组件706a和706b的至少两个侧面上包围所有电子组件706a和706b。
在一些示例中,蒸发冷却器设备704可以跨越EMI屏蔽702的基本上整个长度延伸,并且因此可以具有大于电子组件706a和706b中的任一个的长度的长度。在一些示例中,EMI屏蔽外壳714的顶部段716和包括蒸发冷却器设备704的侧部段718a和718b中的每一个可以具有介于300μm-1000μm之间的厚度,并且蒸发冷却器设备704可以具有介于100μm-800μm之间的厚度。在一些示例中,如图7中所示,蒸发冷却器设备704的厚度可以变化,以使得EMI屏蔽外壳714的顶部段716内的厚度可以小于EMI屏蔽外壳714的侧段718a和718b内的厚度。
图8图示了包括具有嵌入的蒸发冷却器设备的EMI屏蔽的集成设备800的剖面图。集成设备800可以形成图4、图6或图7中所示的任何结构的一部分。集成设备800包括PCB802、焊球804、电子组件(例如,管芯)806、模塑料808、热界面810、具有嵌入的蒸发冷却器设备814的EMI屏蔽812、以及EMI垫片816。
电子组件806经由焊球804被附接到(例如,被安装在)PCB 802上。模塑料808形成在电子组件806上方并且热界面810形成在模塑料808上方。EMI垫片816包围电子组件806、模塑料808和热界面810。EMI垫片816经由焊球804被进一步附接到(例如,被安装在)PCB802上。包括嵌入的蒸发冷却器设备814的EMI屏蔽812被安置在热界面810上并且使用焊料、粘合剂化合物或任何其他合适的粘合剂材料而被附接到EMI垫片。因此,EMI屏蔽812、PCB802和EMI垫片816共同地形成围绕电子组件806的密封装置,以防止电子组件806与PCB 802上的其他电子组件之间以及电子组件806与外部噪声源之间的EMI。
图9是蒸发冷却器设备900的示例的截面图。蒸发冷却器设备900可以对应于图3-图8中的任一个中所示的蒸发冷却器设备。例如,蒸发冷却器设备900可以是两相冷却设备。在图9中所示的示例中,蒸发冷却器设备900包括封套902、蒸汽腔904和吸液芯结构(wickerstructure)906。
蒸发冷却器设备900被配置为密封的管道(pipe)或管(tube),其中封套902由与蒸汽腔904内部的工作流体908相容的材料制成。工作流体908可以包括蒸馏水、氨、甲醇、丙酮、R134a或其他合适的工作流体。例如,如果流体908包括蒸馏水,则封套902可以由铜制成,而如果流体908包括氨,则封套902可以由铝制成。蒸汽腔904被吸液芯结构906包围并且部分地填充有流体908,以使得蒸汽腔904可以在操作温度范围内同时包含蒸汽和液体。在一些示例中,吸液芯结构906可以包括烧结金属粉末芯(sintered metal powder wick)、筛网芯(screen wick)或沟槽芯(grooved wick)。沟槽芯可以具有一系列平行于蒸发冷却器设备的轴线的沟槽。
蒸发冷却器设备900可以被划分为蒸发器部910、绝热部912和冷凝器部914。随着热量被消散到蒸发冷却器设备900的蒸发器部910中,蒸汽腔904中的流体908开始蒸发以在蒸汽腔904的中心(中间)附近产生蒸汽916。然后绝热部912将蒸汽916通过蒸汽腔904传送到冷凝器部914,冷凝器部914释放潜热并将蒸汽916冷凝回液体。液体(流体908)然后可以通过毛细力(capillary force)通过吸液芯结构906返回到蒸发器部910。在一些示例中,蒸发冷却器设备900可以实现10,000-30,000W/m-K的热导率,这可以降低Tskin和PCB上的电子组件(例如SOC)的Tj,从而延迟那些电子组件中的每一个达到最大Tj和Tskin的时间,以提高5G性能。在一些示例中,Tskin可以被降低2至10℃之间,并且Tj可以被降低5至15℃之间。
图10是用于制造包括具有嵌入的蒸发冷却器设备的EMI屏蔽的设备的示例性方法1000的流程图。如下所述,在本公开的范围内的特定实现中可以省略一些或全部所示特征,并且一些所示特征可能不是所有实施例的实现所必需的。在一些示例中,方法1000可以被用于制造图1中所示的移动设备100或其他合适的设备。方法1000也可以被用来制造图4-图8中所示的任何结构或集成设备或其他合适的结构或集成设备。
在框1002处,可以将多个电子组件安装在设备内的印刷电路板(PCB)上。电子组件可以包括例如片上系统(SOC)、功率管理电路(PMIC)、功率放大器(PA)、存储器芯片、调制解调器和/或设备的其他电子组件。电子组件可以经由例如焊球被安装在PCB上。
在框1004处,可以将EMI垫片插入到设备中,使得每个EMI垫片包围多个电子组件中的一个电子组件。在一些示例中,EMI垫片由导电橡胶材料形成。
在框1006处,可以将EMI垫片附接到PCB。例如,可以通过经由例如焊球将EMI垫片安装在PCB上来将EMI垫片附接到PCB。
在框1008处,可以提供EMI屏蔽,其被安置在多个电子组件和EMI垫片上。EMI屏蔽可以包括例如如图4中所示的EMI屏蔽板,或如图5-图7中所示的中间框架。在EMI屏蔽是中间框架的示例中,中间框架还可以用于为移动设备提供内部机械和结构支撑。EMI屏蔽还可以包括嵌入其中的蒸发冷却器设备。在一些示例中,蒸发冷却器设备可以包括如图9中所示的设备。
在框1010处,可以将EMI垫片附接到EMI屏蔽以形成围绕电子组件中的每个电子组件的相应的密封装置。密封装置可以操作为防止相应的电子组件之间以及电子组件与外部噪声源之间的EMI。在一些示例中,可以使用任何合适的粘合剂材料将EMI垫片附接到EMI屏蔽。
图11是用于设备中的热管理的示例性方法1100的流程图。如下所述,在本公开的范围内的特定实现中可以省略一些或全部所示特征,并且一些所示特征可以不是所有实施例的实现所必需的。在一些示例中,该方法可以在图1中所示的移动设备100或其他合适的设备的操作期间被使用。方法1100也可以在图4-图8中所示的任何结构或集成设备或其他合适的结构或集成设备的操作期间被使用。
在框1102处,可以使用安置在设备内或其他结构内的多个电子组件上的EMI屏蔽,在该多个电子组件的操作期间防止该设备内或其他结构内的多个电子组件与设备外部或结构外部的至少一个外部噪声源之间的第一电磁干扰(EMI)。
在框1104处,可以使用多个EMI垫片在该多个电子组件的操作期间防止该多个电子组件之间的第二EMI。多个EMI垫片中的每个EMI垫片可以包围该多个电子组件中的相应的一个电子组件以防止第二EMI。
在框1106处,可以利用嵌入在EMI屏蔽中的蒸发冷却器设备在该多个电子组件的操作期间将热量从该多个电子组件的至少一部分中传递出去。例如,蒸发冷却器设备可以包括在加热时变成蒸汽的液体(工作流体)。然后蒸汽可以沿着蒸发冷却器设备行进到另一端,在那里蒸汽冷凝回液体,从而释放潜热。
图12图示了可以与上述设备、集成设备、结构、集成电路(IC)封装、集成电路(IC)设备、半导体设备、集成电路、管芯、中介层(interposer)、封装、封装上封装(PoP)、系统级封装(SiP)或片上系统(SoC)中的任一个相集成的各种电子设备。例如,移动电话设备1202、膝上型计算机设备1204、固定位置终端设备1206、可穿戴设备1208或机动车辆1210可以包括如本文所述的设备1200。设备1200可以是例如本文所描述的任何设备和/或集成电路(IC)封装。图12中所图示的设备1202、1204、1206和1208以及车辆1210仅仅是示例性的。其他电子设备也可以以设备1200为特征,包括但不限于如下一组设备(例如,电子设备),包括:移动设备、手持个人通信系统(PCS)单元、诸如个人数字助理等便携式数据单元、支持全球定位系统(GPS)的设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐设备、诸如仪表读数设备等固定位置数据单元、通信设备、智能电话、平板计算机、计算机、可穿戴设备(例如手表、眼镜)、物联网(IoT)设备、服务器、路由器、在汽车中实现的电子设备(例如,自动驾驶汽车)或任何其他存储或检索数据或计算机指令的设备、或其任何组合。
在一种配置中,设备(例如,移动设备100或其他合适的设备)包括用于在该设备的多个电子组件的操作期间防止该设备的多个电子组件与该设备外部的至少一个外部噪声源之间的第一电磁干扰(EMI)的部件。用于防止第一EMI的部件被安置在多个电子组件上。该设备还包括用于在多个电子组件的操作期间防止多个电子组件之间的第二EMI的部件。用于防止第二EMI的部件被安置在电子组件之间并且被配置为形成围绕多个电子组件中的每个电子组件的相应的密封装置。该设备还包括用于在多个电子组件的操作期间将热量从多个电子组件的至少一部分中传递出去的部件。用于传递热量的部件被嵌入在用于防止第一EMI的部件内。
在一个方面,用于防止第一EMI的部件可以是图4-图8中所示的EMI屏蔽402、502、602、702或812。此外,用于防止第二EMI的部件可以是图4中所示的EMI垫片414a和414b、图6中所示的EMI垫片614a和614b、或者图8中所示的EMI垫片816。此外,用于将热量从多个电子组件的至少一部分中传递出去的部件可以是图4-图9中所示的蒸发冷却器设备404、504、604、704、814或900。在另一方面,前述部件可以是被配置为执行前述部件所述的功能的任何设备、组件或装置。
在下文中,描述了进一步的实施例以促进对本发明的理解。
示例1:一种设备,包括:多个电子组件;安置在所述多个电子组件上的电磁干扰(EMI)屏蔽;蒸发冷却器设备,嵌入在所述EMI屏蔽内,并且被配置为将热量从所述多个电子组件的至少一部分传递出去;以及多个EMI垫片,安置在所述多个电子组件之间,所述多个EMI垫片中的每个EMI垫片包围所述多个电子组件中的相应的一个电子组件。
示例2:根据示例1所述的设备,其中所述多个EMI垫片包括导电橡胶材料。
示例3:根据示例1或2所述的设备,还包括:印刷电路板,具有安装在其上的所述多个电子组件,其中所述印刷电路板、所述EMI屏蔽和所述多个EMI垫片形成围绕多个电子组件中的每个电子组件的相应的密封装置。
示例4:根据示例1、2或3所述的设备,其中所述EMI屏蔽包括包围所述蒸发冷却器设备的金属材料或基于聚合物的材料。
示例5:根据示例4所述的设备,其中所述EMI屏蔽板还包括在所述基于聚合物的材料上的金属涂层。
示例6:根据示例1至5中任一项所述的设备,其中所述EMI屏蔽包括安置在所述多个电子组件上的中间框架,其中所述中间框架被配置为为所述设备提供内部机械和结构支撑。
示例7:根据示例1至6中任一项所述的设备,其中:所述EMI屏蔽包括外壳,其中所述外壳包括安置在所述个电子组件上的顶部段和安置在所述外壳的相应侧上的至少两个外侧段;以及所述蒸发冷却器设备嵌入在所述外壳的所述顶部段和所述至少两个外侧段内。
示例8:根据示例6或7所述的设备,其中所述EMI屏蔽包括金属材料。
示例9:根据示例1至8中任一项所述的设备,其中所述蒸发冷却器设备包括被吸液芯结构包围的蒸汽腔,所述蒸汽腔包括工作流体。
示例10:根据示例9所述的设备,其中所述吸液芯结构包括介于50微米与100微米之间的第一厚度,并且所述蒸汽腔包括介于75微米与125微米之间的第二厚度。
示例11:根据示例1至10中任一项所述的设备,其中所述EMI屏蔽包括至少200微米的厚度。
示例12:根据示例1至11中任一项所述的设备,其中所述多个电子组件中的每个电子组件包括片上系统、功率管理集成电路、功率放大器或存储器芯片。
实施例13:一种用于制造设备的方法,包括:将多个电子组件安装在印刷电路板上;插入电磁干扰(EMI)垫片,所述EMI垫片中的每个EMI垫片包围所述多个电子组件中的一个电子组件;将所述EMI垫片附接到所述印刷电路板;提供安置在所述多个电子组件和所述EMI垫片上的电磁干扰(EMI)屏蔽,所述EMI屏蔽包括嵌入其中的蒸发冷却器设备;以及将所述EMI垫片附接到所述EMI屏蔽以形成围绕所述多个电子组件中的每个电子组件的相应的密封装置。
示例14:根据示例13所述的方法,其中所述EMI垫片包括导电橡胶材料。
示例15:根据示例13或14所述的方法,其中所述EMI屏蔽包括包围所述蒸发冷却器设备的金属材料或基于聚合物的材料。
实例16:根据示例15所述的方法,其中所述EMI屏蔽还包括在所述基于聚合物的材料上的金属涂层。
示例17:根据示例13或14中任一项所述的方法,其中所述EMI屏蔽包括安置在所述印刷电路板上的中间框架,并且所述方法还包括:使用所述中间框架为所述设备提供内部机械和结构支撑。
示例18:根据示例13至17中任一项所述的方法,其中:所述EMI屏蔽包括覆盖所述印刷电路板的至少一部分的外壳,其中所述外壳包括安置在所述多个电子组件上的顶部段和安置在所述印刷电路板的相应侧上的至少两个外侧段;并且所述蒸发冷却器设备被嵌入在所述外壳的所述顶部段和所述少两个外侧段内。
示例19:根据示例13至18中任一项所述的方法,其中所述蒸发冷却器设备包括被吸液芯结构包围的蒸汽腔,所述蒸汽腔包括工作流体。
示例20:一种用于设备中的热管理的方法,包括:使用安置在所述设备的多个电子组件上的EMI屏蔽在所述多个电子组件的操作期间防止所述多个电子组件与所述设备外部的至少一个外部噪声源之间的第一电磁干扰(EMI);使用安置在所述多个电子组件之间的多个EMI垫片在所述多个电子组件的操作期间防止所述多个电子组件之间的第二EMI,所述多个EMI垫片中的每个EMI垫片包围多个电子组件中的相应的一个电子组件;以及利用嵌入在所述EMI屏蔽内的蒸发冷却器设备在所述多个电子组件的操作期间将热量从所述多个电子组件的至少一部分中传递出去。
示例21:根据示例20所述的方法,其中所述多个EMI垫片包括导电橡胶材料。
示例22:根据示例20或21所述的方法,其中所述EMI屏蔽包括包围所述蒸发冷却器设备的金属材料或基于聚合物的材料。
示例23:根据示例22所述的方法,其中所述EMI屏蔽还包括在所述基于聚合物的材料上的金属涂层。
示例24:根据示例20至23中任一项所述的方法,其中所述EMI屏蔽包括所述设备的中间框架,并且所述方法还包括:使用所述中间框架在所述设备的操作期间为所述设备提供内部机械和结构支撑。
示例25:根据示例20至24中任一项所述的方法,其中:所述EMI屏蔽包括外壳,其中所述外壳包括安置在所述多个电子组件上的顶部段和安置在所述外壳的相应侧上的至少两个外侧段;并且所述蒸发冷却器设备被嵌入在所述外壳的所述顶部段和所述至少两个外侧段内。
示例26:根据示例20至25中任一项所述的方法,其中所述蒸发冷却器设备包括被吸液芯结构包围的蒸汽腔,所述蒸汽腔包括工作流体。
示例27:一种设备,包括:用于在所述设备的多个电子组件的操作期间防止所述多个电子组件与所述设备外部的至少一个外部噪声源之间的第一电磁干扰(EMI)的部件,其中用于防止第一EMI的部件被安置在所述多个电子组件上;用于在所述多个电子组件的操作期间防止所述多个电子组件之间的第二EMI的部件,其中用于防止第二EMI的部件被安置在所述多个电子组件之间并且被配置为形成围绕所述多个电子组件中的每个电子组件的相应的密封装置;以及用于在所述多个电子组件的操作期间将热量从多个所述电子组件的至少一部分中传递出去的部件,其中用于传递热量的部件被嵌入在用于防止第一EMI的部件中。
示例28:根据示例27所述的设备,其中用于防止第二EMI的所述部件包括导电橡胶材料。
示例29:根据示例27或28中任一项所述的设备,其中用于防止第一EMI的所述部件包括包围用于传递热量的所述部件的金属材料或基于聚合物的材料。
示例30:根据示例29所述的设备,其中用于防止第一EMI的所述部件还包括在所述基于聚合物的材料上的金属涂层。
示例31:根据示例27至30中任一项所述的设备,还包括:用于使用用于防止第一EMI的所述部件为所述设备提供内部机械和结构支撑的部件。
已经参考示例性实现提出了无线通信网络和无线通信设备的若干方面。本领域技术人员将容易了解,贯穿本公开所描述的各个方面可以被扩展到其他电信系统、网络架构和通信标准。
在本公开内,单词“示例性”被用来意指“用作示例、实例或说明”。本文中被描述为“示例性”的任何实现或方面不一定被解释为优于或胜于本公开的其他方面。同样,术语“方面”并不要求本公开的所有方面都包括所讨论的特征、优点或操作模式。术语“耦合”在本文中被用来指代两个对象之间的直接或间接耦合。例如,如果对象A物理接触对象B,而对象B接触对象C,则对象A和C仍可以被视为彼此耦合——即使它们没有直接相互物理接触。例如,即使第一对象从来没有与第二对象直接物理接触,第一对象也可以耦合到第二对象。术语“电路”和“电路系统”被广泛使用,并且旨在包括电气设备和导体的硬件实现,当它们被连接和配置时,使得能够执行本公开中描述的功能,而对电子电路的类型以及信息和指令的软件实现没有限制,当这些指令由处理器执行时,使得能够执行本公开中描述的性能。
图1-图11中所图示的一个或多个组件、步骤、特征和/或功能可以被重新布置和/或组合成单个组件、步骤、特征或功能,或被体现在若干组件、步骤或功能中。在没有背离本文所公开的新颖特征的情况下,还可以添加附加元件、组件、步骤和/或功能。图1-图9中所图示的装置、设备和/或组件可以被配置为执行本文所描述的一个或多个方法、特征或步骤。本文所描述的新颖算法也可以在软件中有效地实现和/或被嵌入在硬件中。
应当理解,所公开的方法中的步骤的具体顺序或层次结构是示例性过程的说明。基于设计偏好,应当理解,方法中的步骤的特定顺序或层次结构可以被重新布置。随附的方法权利要求以示例顺序呈现各个步骤的要素,除非本文中具体叙述,否则并不意味着限于所呈现的特定顺序或层次结构。
提供先前的描述以使得本领域任何技术人员能够实践本文所描述的各个方面。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员来说将是显而易见的,并且本文所限定的一般原理可以被应用于其他方面。因此,权利要求不旨在局限于本文所示出的各方面,而是符合与权利要求的语言一致的全部范围,其中除非具体指出,否则对单数形式的元件的引用不旨在意指“一个且仅一个”,而是指“一个或多个”。除非另有具体指出,否则术语“一些”是指一个或多个。提及项列表中的“至少一个”的短语是指包括单个构件在内的这些项的任何组合。例如,“a、b或c中的至少一个”旨在涵盖:a;b;c;a和b;a和c;b和c;以及a、b和c。本领域的普通技术人员已知的或稍后已知的整个本公开中描述的各个方面的元素的所有结构和功能等效物通过引用明确地并入本文并且旨在被权利要求所涵盖。此外,本文中所公开的任何内容并非旨在贡献给公众,无论这样的公开是否在权利要求书中被明确地叙述。

Claims (28)

1.一种设备,包括:
多个电子组件;
电磁干扰EMI屏蔽,被安置在所述多个电子组件上;
蒸发冷却器设备,被嵌入在所述EMI屏蔽内并且被配置为将热量从所述多个电子组件的至少一部分传递出去,其中所述蒸发冷却器设备包括被吸液芯结构包围的蒸汽腔,所述蒸汽腔包括工作流体;以及
多个EMI垫片,被安置在所述多个电子组件之间,所述多个EMI垫片中的每个EMI垫片包围所述多个电子组件中的相应的一个电子组件。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个EMI垫片包括导电橡胶材料。
3.根据权利要求1所述的设备,还包括:
印刷电路板,其上安装有所述多个电子组件,其中所述印刷电路板、所述EMI屏蔽和所述多个EMI垫片形成围绕所述多个电子组件中的每个电子组件的相应的密封装置。
4.根据权利要求3所述的设备,其中EMI屏蔽包括包围所述蒸发冷却器设备的金属材料或基于聚合物的材料。
5.根据权利要求4所述的设备,其中所述EMI屏蔽还包括在所述基于聚合物的材料上的金属涂层。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述EMI屏蔽包括安置在所述多个电子组件上的中间框架,其中所述中间框架被配置为:为所述设备提供内部机械和结构支撑。
7.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述EMI屏蔽包括外壳,其中所述外壳包括安置在所述多个电子组件上的顶部段和安置在所述外壳的相应侧上的至少两个外侧段;并且
所述蒸发冷却器设备被嵌入在所述外壳的所述顶部段和所述至少两个外侧段内。
8.根据权利要求7所述的设备,其中所述EMI屏蔽包括金属材料。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述吸液芯结构包括介于50微米与100微米之间的第一厚度,并且所述蒸汽腔包括介于75微米与125微米之间的第二厚度。
10.根据权利要求1所述的设备,其中所述EMI屏蔽包括至少200微米的厚度。
11.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个电子组件中的每个电子组件包括片上系统、功率管理集成电路、功率放大器或存储器芯片。
12.一种用于制造设备的方法,包括:
在印刷电路板上安装多个电子组件;
插入电磁干扰EMI垫片,所述EMI垫片中的每个EMI垫片包围所述多个电子组件中的一个电子组件;
将所述EMI垫片附接到所述印刷电路板;
提供安置在所述多个电子组件和所述EMI垫片上的EMI屏蔽,所述EMI屏蔽包括嵌入其中的蒸发冷却器设备,其中所述蒸发冷却器设备包括被吸液芯结构包围的蒸汽腔,所述蒸汽腔包括工作流体;以及
将所述EMI垫片附接到所述EMI屏蔽以形成围绕所述多个电子组件中的每个电子组件的相应的密封装置。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述EMI垫片包括导电橡胶材料。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述EMI屏蔽包括包围所述蒸发冷却器设备的金属材料或基于聚合物的材料。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述EMI屏蔽还包括在所述基于聚合物的材料上的金属涂层。
16.根据权利要求12所述的方法,其中所述EMI屏蔽包括安置在所述印刷电路板上的中间框架,并且所述方法还包括:
使用所述中间框架为所述设备提供内部机械和结构支撑。
17.根据权利要求12所述的方法,其中:
所述EMI屏蔽包括覆盖所述印刷电路板的至少一部分的外壳,其中所述外壳包括安置在所述多个电子组件上的顶部段和安置在所述印刷电路板的相应侧上的至少两个外侧段;并且
所述蒸发冷却器设备被嵌入在所述外壳的所述顶部段和所述至少两个外侧段内。
18.一种用于设备中的热管理的方法,包括:
使用安置在所述设备的多个电子组件上的电磁干扰EMI屏蔽,在所述多个电子组件的操作期间防止所述多个电子组件与所述设备外部的至少一个外部噪声源之间的第一EMI;
使用安置在所述多个电子组件之间的多个EMI垫片,在所述多个电子组件的操作期间防止所述多个电子组件之间的第二EMI,所述多个EMI垫片中的每一个EMI垫片包围所述多个电子组件中的相应的一个电子组件;以及
利用嵌入在所述EMI屏蔽内的蒸发冷却器设备在所述多个电子组件的操作期间将热量从所述多个电子组件的至少一部分传递出去,其中所述蒸发冷却器设备包括被吸液芯结构包围的蒸汽腔,所述蒸汽腔包括工作流体。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述多个EMI垫片包括导电橡胶材料。
20.根据权利要求18所述的方法,其中所述EMI屏蔽包括包围所述蒸发冷却器设备的金属材料或基于聚合物的材料。
21.根据权利要求20所述的方法,其中所述EMI屏蔽还包括在所述基于聚合物的材料上的金属涂层。
22.根据权利要求18所述的方法,其中所述EMI屏蔽包括所述设备的中间框架,并且所述方法还包括:
使用所述中间框架在所述设备的操作期间为所述设备提供内部机械和结构支撑。
23.根据权利要求18所述的方法,其中:
所述EMI屏蔽包括外壳,其中所述外壳包括安置在所述多个电子组件上的顶部段和安置在所述外壳的相应侧上的至少两个外侧段;并且
所述蒸发冷却器设备被嵌入在所述外壳的所述顶部段和所述至少两个外侧段内。
24.一种设备,包括:
用于在所述设备的多个电子组件的操作期间防止所述多个电子组件与所述设备外部的至少一个外部噪声源之间的第一电磁干扰EMI的部件,其中用于防止所述第一EMI的所述部件被安置在所述多个电子组件上;
用于在所述多个电子组件的操作期间防止所述多个电子组件之间的第二EMI的部件,其中用于防止所述第二EMI的所述部件被安置在所述多个电子组件之间并且被配置为形成围绕所述多个电子组件中的每个电子组件的相应的密封装置;以及
用于在所述多个电子组件的操作期间将热量从所述多个电子组件的至少一部分传递出去的部件,其中用于传递热量的所述部件被嵌入在用于防止所述第一EMI的所述部件中,其中用于传递热量的所述部件包括被吸液芯结构包围的蒸汽腔,所述蒸汽腔包括工作流体。
25.根据权利要求24所述的设备,其中用于防止所述第二EMI的所述部件包括导电橡胶材料。
26.根据权利要求24所述的设备,其中用于防止所述第一EMI的所述部件包括包围用于传递热量的所述部件的金属材料或基于聚合物的材料。
27.根据权利要求26所述的设备,其中用于防止所述第一EMI的所述部件还包括在所述基于聚合物的材料上的金属涂层。
28.根据权利要求24所述的设备,还包括:
用于使用防止所述第一EMI的所述部件为所述设备提供内部机械和结构支撑的部件。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022078601A (ja) * 2020-11-13 2022-05-25 レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド 情報機器
US12021003B2 (en) * 2021-08-12 2024-06-25 Marvell Asia Pte, Ltd. Semiconductor device package with semiconductive thermal pedestal

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002130887A (ja) * 2000-07-31 2002-05-09 Hewlett Packard Co <Hp> 磁気結合ポンプを利用した一体型emi閉込め噴霧冷却モジュール
CN102037714A (zh) * 2008-04-17 2011-04-27 莱尔德电子材料(深圳)有限公司 便携式通信终端的集成天线和emi屏蔽支撑构件
CN103563493A (zh) * 2011-06-09 2014-02-05 苹果公司 用于屏蔽基板上的部件的电磁屏蔽结构
CN107211555A (zh) * 2014-10-17 2017-09-26 3M创新有限公司 包括emi屏蔽结构和散热垫的电子电路板组件
CN107852842A (zh) * 2015-07-31 2018-03-27 莱尔德技术股份有限公司 用于电子装置的多功能部件以及提供热管理和板极屏蔽的相关方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2129073C (en) 1993-09-10 2007-06-05 John P. Kalinoski Form-in-place emi gaskets
US7254034B2 (en) * 2004-12-15 2007-08-07 Lucent Technologies Inc. Thermal management for shielded circuit packs
US7965514B2 (en) * 2009-06-05 2011-06-21 Laird Technologies, Inc. Assemblies and methods for dissipating heat from handheld electronic devices
KR101941024B1 (ko) * 2014-03-27 2019-01-22 삼성전자주식회사 쉴드 캔 조립체 및 그것을 갖는 전자 장치
US20160135336A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-12 Asia Vital Components Co., Ltd. Emi shielding structure for electronic components
CN104902727B (zh) 2015-05-26 2018-06-19 华为技术有限公司 一种移动终端的中框及移动终端
US20170163302A1 (en) 2015-12-02 2017-06-08 Qualcomm Incorporated Heat transfer electromagnetic interference shield
US20190045666A1 (en) * 2015-12-24 2019-02-07 Intel Corporation Electronic device heat transfer system and related methods
US10098220B2 (en) * 2015-12-24 2018-10-09 Intel Corporation Electronic device heat transfer system and related methods
US10561041B2 (en) 2017-10-18 2020-02-11 Pimems, Inc. Titanium thermal module
CN109890174A (zh) 2018-12-14 2019-06-14 奇鋐科技股份有限公司 中框散热结构
CN110234216B (zh) 2019-06-28 2021-03-12 Oppo广东移动通信有限公司 壳体组件、其制备方法以及电子设备
US10775856B1 (en) * 2019-12-02 2020-09-15 Management Services Group, Inc. Compute device housing with layers of electromagnetic interference shields, and devices and systems for the same
US20210153340A1 (en) * 2020-12-18 2021-05-20 Intel Corporation Electromagnetic interference shielding enclosure with thermal conductivity

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002130887A (ja) * 2000-07-31 2002-05-09 Hewlett Packard Co <Hp> 磁気結合ポンプを利用した一体型emi閉込め噴霧冷却モジュール
CN102037714A (zh) * 2008-04-17 2011-04-27 莱尔德电子材料(深圳)有限公司 便携式通信终端的集成天线和emi屏蔽支撑构件
CN103563493A (zh) * 2011-06-09 2014-02-05 苹果公司 用于屏蔽基板上的部件的电磁屏蔽结构
CN107211555A (zh) * 2014-10-17 2017-09-26 3M创新有限公司 包括emi屏蔽结构和散热垫的电子电路板组件
CN107852842A (zh) * 2015-07-31 2018-03-27 莱尔德技术股份有限公司 用于电子装置的多功能部件以及提供热管理和板极屏蔽的相关方法

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