CN113802173A - 一种超高容量腐蚀箔的制造方法 - Google Patents

一种超高容量腐蚀箔的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电容器用电极材料技术领域,具体涉及一种超高容量腐蚀箔的制造方法,首先,将高纯铝箔置于预处理液中,去除表面杂质;然后,置于一定温度的电化学腐蚀液中浸泡,进行电化学腐蚀;接下来,置于一定温度和电流密度A直流电条件下的发孔腐蚀液中浸泡腐蚀,进行发孔腐蚀;清洗后,置于含大分子缓蚀剂的扩孔腐蚀液中,于一定温度和电流密度B的直流电条件下,浸泡腐蚀进行扩孔腐蚀;最后,经过洗涤和烘干的后处理,制得超高容量腐蚀箔。本发明能大幅度提高铝箔表面和隧道孔口附近的电化学反应的阻力,加速了孔内的扩孔过程,大幅提高比容,满足超高容量腐蚀箔使用要求。

Description

一种超高容量腐蚀箔的制造方法
技术领域
本发明涉及电容器用电极材料技术领域,具体涉及一种超高容量腐蚀箔的制造方法。
背景技术
电子工业的繁荣,带动了电子信息产业的发展,人们对中高档的电解电容器腐蚀化成箔的需求量越来越大,这也导致电解电容器腐蚀化成箔市场的供不应求,为了满足电子信息产业的发展,人们迫切的要求电解电容器的比容不断提高。
腐蚀箔是以电子光箔为原材料,通过电化学腐蚀方法刻蚀电子光箔向内形成孔洞,从而扩大有效面积,形成较高比容。在形成孔洞的过程中,极易发生只腐蚀电子光箔表面,不向内里扩孔,或者把前期形成的孔洞并起来的情况,导致容量降低,影响腐蚀箔的应用及发展。
发明内容
针对上述现有领域存在的问题,本发明的目的在于提供一种容量超高、操作简单且生产效果好的超高容量腐蚀箔的制造方法。为实现本发明的目的,采用如下技术方案:
一种超高容量腐蚀箔的制造方法,包括以下步骤:
(1)预处理:将高纯铝箔置于预处理液中,去除表面杂质;
(2)电化学腐蚀:将上述预处理后的箔片置于电化学腐蚀液中,于一定的温度下浸泡2-4min;
(3)发孔腐蚀:将上述电化学腐蚀后的箔片置于发孔腐蚀液中,于一定的温度和电流密度A的直流电条件下,浸泡腐蚀40-80s;
(4)扩孔腐蚀:上述发孔腐蚀后的箔片采用20-30℃的自来水清洗30-90s后,置于含大分子缓蚀剂的扩孔腐蚀液中,于一定的温度和电流密度B的直流电条件下,浸泡腐蚀400-600s;
(5)后处理:上述扩孔腐蚀后的箔片采用20-30℃的自来水清洗多次,然后于150-250℃温度下烘干60-120s,即制得超高容量腐蚀箔。
优选的,步骤(1)中所述预处理液为磷酸的水溶液。
优选的,步骤(2)中所述电化学腐蚀的温度为70-85℃。
优选的,所述电化学腐蚀液和发孔腐蚀液的组成相同。
优选的,所述电化学腐蚀液和发孔腐蚀液均由0.55-1.4mol/L盐酸、3.4-4.0mol/L硫酸、0.45-0.9mol/L Al3+构成。
优选的,步骤(3)中所述发孔腐蚀的温度为65-80℃,所述发孔腐蚀的电流密度A为300-400mA/cm2
优选的,步骤(4)中所述扩孔腐蚀液由1.2-1.7mol/L盐酸、0.45-0.9mol/L Al3+、0.1-0.6mol/L大分子缓蚀剂构成。
优选的,所述扩孔腐蚀的温度为80-90℃,所述扩孔腐蚀的电流密度B为20-60mA/cm2
优选的,所述大分子缓蚀剂为大分子缓蚀剂CMC、大分子缓蚀剂PS-5或大分子缓蚀剂PSSA中的一种。
优选的,步骤(5)中所述自来水清洗的次数为两次,且两次所述自来水清洗的时间分别为30-90s和4-8min。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明通过添加大分子缓蚀剂,使腐蚀箔隧道孔由孔口大、孔内小的“锥子”状转变为孔口小、孔内大的“垒球棒”状,铝箔表面的电位显著上升,而隧道孔内的电位基本保持不变,提高铝箔表面和隧道孔口附近的电化学反应的阻力,电流主要分布到孔内,加速了孔内的扩孔过程,减少只腐蚀电子光箔表面、不向内里扩孔或者把前期形成的孔洞并起来的情况,大幅提高比容,满足超高容量腐蚀箔使用要求。
附图说明
图1为本发明一种超高容量腐蚀箔的制造方法的流程图;
图2为采用本发明生成的电极箔截面扫描电镜示意图;
图3为现有生产方式生成的电极截表面扫描电镜示意图;
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
具体实施例1
图1为本发明一种超高容量腐蚀箔的制造方法的流程图,从中可以看出,本发明的超高容量腐蚀箔的制造方法具体包括以下步骤:
步骤S1:预处理:将高纯铝箔置于磷酸水溶液中,去除表面杂质。
步骤S2:电化学腐蚀:将上述预处理后的箔片置于0.55mol/L盐酸、3.4mol/L硫酸、0.45mol/L Al3+的混合液中,于70℃下浸泡4min。
步骤S3:发孔腐蚀:将上述电化学腐蚀后的箔片置于0.55mol/L盐酸、3.4mol/L硫酸、0.45mol/L Al3+的混合液中,于65℃和电流密度为300mA/cm2的直流电条件下,浸泡腐蚀80s。
步骤S4:扩孔腐蚀:上述发孔腐蚀后的箔片采用20℃的自来水清洗90s后,置于含1.2mol/L盐酸、0.45mol/L Al3+、0.1mol/L大分子缓蚀剂CMC的混合溶液中,于80℃和电流密度为20mA/cm2的直流电条件下,浸泡腐蚀600s。
步骤S5:后处理:上述扩孔腐蚀后的箔片采用20℃的自来水清洗两次,两次清洗的时间分别为90s和8min,然后于150℃温度下烘干120s,即制得超高容量腐蚀箔。
具体实施例2
图1为本发明一种超高容量腐蚀箔的制造方法的流程图,从中可以看出,本发明的超高容量腐蚀箔的制造方法具体包括以下步骤:
步骤S1:预处理:将高纯铝箔置于磷酸水溶液中,去除表面杂质。
步骤S2:电化学腐蚀:将上述预处理后的箔片置于1.4mol/L盐酸、4.0mol/L硫酸、0.9mol/L Al3+的混合液中,于85℃下浸泡2min。
步骤S3:发孔腐蚀:将上述电化学腐蚀后的箔片置于1.4mol/L盐酸、4.0mol/L硫酸、0.9mol/L Al3+的混合液中,于80℃和电流密度为400mA/cm2的直流电条件下,浸泡腐蚀40s。
步骤S4:扩孔腐蚀:上述发孔腐蚀后的箔片采用30℃的自来水清洗30s后,置于含1.7mol/L盐酸、0.9mol/L Al3+、0.6mol/L大分子缓蚀剂PS-5的混合溶液中,于90℃和电流密度为60mA/cm2的直流电条件下,浸泡腐蚀400s。
步骤S5:后处理:上述扩孔腐蚀后的箔片采用30℃的自来水清洗两次,两次清洗的时间分别为30s和4min,然后于250℃温度下烘干60s,即制得超高容量腐蚀箔。
具体实施例3
图1为本发明一种超高容量腐蚀箔的制造方法的流程图,从中可以看出,本发明的超高容量腐蚀箔的制造方法具体包括以下步骤:
步骤S1:预处理:将高纯铝箔置于磷酸水溶液中,去除表面杂质。
步骤S2:电化学腐蚀:将上述预处理后的箔片置于0.75mol/L盐酸、3.8mol/L硫酸、0.45mol/L Al3+的混合液中,于75℃下浸泡2min。
步骤S3:发孔腐蚀:将上述电化学腐蚀后的箔片置于0.75mol/L盐酸、3.8mol/L硫酸、0.45mol/L Al3+的混合液中,于72℃和电流密度为350mA/cm2的直流电条件下,浸泡腐蚀50s。
步骤S4:扩孔腐蚀:上述发孔腐蚀后的箔片采用25℃的自来水清洗90s后,置于含1.5mol/L盐酸、0.45mol/L Al3+、0.4mol/L大分子缓蚀剂CMC的混合溶液中,于83℃和电流密度为30mA/cm2的直流电条件下,浸泡腐蚀600s。
步骤S5:后处理:上述扩孔腐蚀后的箔片采用25℃的自来水清洗两次,两次清洗的时间分别为90s和5min,然后于200℃温度下烘干100s,即制得超高容量腐蚀箔。
具体实施例4
图1为本发明一种超高容量腐蚀箔的制造方法的流程图,从中可以看出,本发明的超高容量腐蚀箔的制造方法具体包括以下步骤:
步骤S1:预处理:将高纯铝箔置于磷酸水溶液中,去除表面杂质。
步骤S2:电化学腐蚀:将上述预处理后的箔片置于0.75mol/L盐酸、3.8mol/L硫酸、0.45mol/L Al3+的混合液中,于75℃下浸泡2min。
步骤S3:发孔腐蚀:将上述电化学腐蚀后的箔片置于0.75mol/L盐酸、3.8mol/L硫酸、0.45mol/L Al3+的混合液中,于72℃和电流密度为350mA/cm2的直流电条件下,浸泡腐蚀50s。
步骤S4:扩孔腐蚀:上述发孔腐蚀后的箔片采用25℃的自来水清洗90s后,置于含1.5mol/L盐酸、0.45mol/L Al3+、0.4mol/L大分子缓蚀剂PS-5的混合溶液中,于83℃和电流密度为30mA/cm2的直流电条件下,浸泡腐蚀600s。
步骤S5:后处理:上述扩孔腐蚀后的箔片采用25℃的自来水清洗两次,两次清洗的时间分别为90s和5min,然后于200℃温度下烘干100s,即制得超高容量腐蚀箔。
具体实施例5
图1为本发明一种超高容量腐蚀箔的制造方法的流程图,从中可以看出,本发明的超高容量腐蚀箔的制造方法具体包括以下步骤:
步骤S1:预处理:将高纯铝箔置于磷酸水溶液中,去除表面杂质。
步骤S2:电化学腐蚀:将上述预处理后的箔片置于0.75mol/L盐酸、3.8mol/L硫酸、0.45mol/L Al3+的混合液中,于75℃下浸泡2min。
步骤S3:发孔腐蚀:将上述电化学腐蚀后的箔片置于0.75mol/L盐酸、3.8mol/L硫酸、0.45mol/L Al3+的混合液中,于72℃和电流密度为350mA/cm2的直流电条件下,浸泡腐蚀50s。
步骤S4:扩孔腐蚀:上述发孔腐蚀后的箔片采用25℃的自来水清洗90s后,置于含1.5mol/L盐酸、0.45mol/L Al3+、0.4mol/L大分子缓蚀剂PSSA的混合溶液中,于83℃和电流密度为30mA/cm2的直流电条件下,浸泡腐蚀600s。
步骤S5:后处理:上述扩孔腐蚀后的箔片采用25℃的自来水清洗两次,两次清洗的时间分别为90s和5min,然后于200℃温度下烘干100s,即制得超高容量腐蚀箔。
本发明腐蚀电极箔与现有工艺的腐蚀化成电极箔生产线对比数据结果如下:
(化成条件:Vfe=660V):
Figure BDA0003213093340000041
Figure BDA0003213093340000051
从对比结果可以看出,扩孔时添加大分子缓蚀剂的腐蚀工艺产出的腐蚀箔静电容量比现有腐蚀工艺产出的腐蚀箔提升30.9%以上。此外,图2为采用本发明生成的电极箔截面扫描电镜示意图,图3为现有生产方式生成的电极截表面扫描电镜示意图,从中可以看出,由本方法所生成的腐蚀箔孔洞致密而均匀,现有制备工艺所生成的腐蚀箔表面存在较多未形成孔洞区域,且并孔较多。
从本发明的以上各实施例及分析可看出,本发明通过添加大分子缓蚀剂,使腐蚀箔隧道孔由孔口大、孔内小的“锥子”状转变为孔口小、孔内大的“垒球棒”状,铝箔表面的电位显著上升,而隧道孔内的电位基本保持不变,提高铝箔表面和隧道孔口附近的电化学反应的阻力,电流主要分布到孔内,加速了孔内的扩孔过程,减少只腐蚀电子光箔表面、不向内里扩孔或者把前期形成的孔洞并起来的情况,大幅提高比容,满足超高容量腐蚀箔使用要求。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内,可理解想到的变换或更替,都应涵盖在本发明的包含范围之内,因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)预处理:将高纯铝箔置于预处理液中,去除表面杂质;
(2)电化学腐蚀:将上述预处理后的箔片置于电化学腐蚀液中,于一定的温度下浸泡2-4min;
(3)发孔腐蚀:将上述电化学腐蚀后的箔片置于发孔腐蚀液中,于一定的温度和电流密度A的直流电条件下,浸泡腐蚀40-80s;
(4)扩孔腐蚀:上述发孔腐蚀后的箔片采用20-30℃的自来水清洗30-90s后,置于含大分子缓蚀剂的扩孔腐蚀液中,于一定的温度和电流密度B的直流电条件下,浸泡腐蚀400-600s;
(5)后处理:上述扩孔腐蚀后的箔片采用20-30℃的自来水清洗多次,然后于150-250℃温度下烘干60-120s,即制得超高容量腐蚀箔。
2.根据权利要求1所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:步骤(1)中所述预处理液为磷酸的水溶液。
3.根据权利要求1所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:步骤(2)中所述电化学腐蚀的温度为70-85℃。
4.根据权利要求1或3所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:所述电化学腐蚀液和发孔腐蚀液的组成相同。
5.根据权利要求4所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:所述电化学腐蚀液和发孔腐蚀液均由0.55-1.4mol/L盐酸、3.4-4.0mol/L硫酸、0.45-0.9mol/L Al3+构成。
6.根据权利要求1所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:步骤(3)中所述发孔腐蚀的温度为65-80℃,所述发孔腐蚀的电流密度A为300-400mA/cm2
7.根据权利要求1所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:步骤(4)中所述扩孔腐蚀液由1.2-1.7mol/L盐酸、0.45-0.9mol/L Al3+、0.1-0.6mol/L大分子缓蚀剂构成。
8.根据权利要求1或7所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:所述扩孔腐蚀的温度为80-90℃,所述扩孔腐蚀的电流密度B为20-60mA/cm2
9.根据权利要求1或7所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:所述大分子缓蚀剂为大分子缓蚀剂CMC、大分子缓蚀剂PS-5或大分子缓蚀剂PSSA中的一种。
10.根据权利要求1所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:步骤(5)中所述自来水清洗的次数为两次,且两次所述自来水清洗的时间分别为30-90s和4-8min。
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