CN107488871B - 铝箔的发孔腐蚀方法及腐蚀箔的制造方法 - Google Patents
铝箔的发孔腐蚀方法及腐蚀箔的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107488871B CN107488871B CN201710701626.9A CN201710701626A CN107488871B CN 107488871 B CN107488871 B CN 107488871B CN 201710701626 A CN201710701626 A CN 201710701626A CN 107488871 B CN107488871 B CN 107488871B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- engaging aperture
- hair engaging
- corrosion
- aluminium foil
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000003518 caustics Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 75
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 75
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 49
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims abstract description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 6
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 52
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000008399 tap water Substances 0.000 claims description 10
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 claims description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000329 aluminium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/04—Etching of light metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明涉及一种铝箔的发孔腐蚀方法,该发孔腐蚀方法包括N级发孔腐蚀处理和N‑1次剥离处理,其中N为大于或等于2的整数,每两级发孔腐蚀处理之间进行一次剥离处理;每一级发孔腐蚀处理为:将铝箔置于含有硫酸和盐酸的腐蚀液中浸泡,同时施加电流进行电解腐蚀;每一次剥离处理为:将铝箔置于氟硅酸溶液中浸泡。本发明还涉及一种腐蚀箔的制造方法,该制造方法依序包括预处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理步骤,所述发孔腐蚀按照上述发孔腐蚀方法进行。本发明的发孔腐蚀方法能提高铝箔发孔的均匀性和数量,从而能提升腐蚀箔的比容,其具有容易实现、减薄厚度、有利于缩小电容器体积的优点。
Description
技术领域
本发明涉及本发明涉及电解电容器用铝箔的制造工艺,特别涉及铝箔的发孔腐蚀方法及腐蚀箔的制造方法。
背景技术
铝电解电容器是广泛应用于电子电器行业的一种储能元件,而铝电解电容器用阳极箔是其重要的原材料,阳极箔的结构特性决定着铝电解电容器的电性能。随着电子信息技术的快速发展,新型整机的诞生,对小型化、片式化、中高压大容量电解容器的需求量不断增长,这对阳极箔的比容提出了更高的要求。
阳极箔是指在电解电容器中用作阳极的铝箔,其由高纯铝箔先经过电解腐蚀工艺扩大表面积,再经过电化成工艺在表面形成一层氧化膜而制得。阳极箔按使用电压可分为中高压阳极箔和低压阳极箔。中高压阳极箔的电解腐蚀工艺通常为:铝箔→预处理→一级发孔腐蚀→扩孔腐蚀→后处理→腐蚀箔。预处理的作用是除去光箔表面油污、杂质及氧化膜,改善表面状态,促进铝箔下一步发孔腐蚀时形成均匀分布的隧道孔。发孔腐蚀的作用是通过施加电流在铝箔表面形成具有一定孔径和深度的初始隧道孔。扩孔腐蚀的作用是在初始隧道孔的基础上进一步通电腐蚀,使隧道孔的孔径进一步扩大至所需尺寸,获得高比容。后处理的主要作用则是消除铝箔表面残留的金属杂质、箔灰以及隧道孔内的氯离子等。
在实际生产中,各厂家通过各种手段提升铝箔单位面积的比容,如提升发孔腐蚀的均匀性、提高光箔厚度、保持腐蚀后铝箔的余厚等等。最理想方式是通过同时提升腐蚀发孔的均匀性和隧道孔深入发展的均匀性,再提高铝箔整体的发孔密度,自然能提升腐蚀箔的比容,但这种方式在技术上实现的难度最大,腐蚀过程中的均匀性控制也是阳极箔制造技术发展中难以突破的瓶颈。而增大光箔厚度或者保持腐蚀后铝箔的余厚的方式,在一定程度上能提高比容,但由于制得的阳极箔厚度过厚,在制造电容器卷绕时会增加卷包的体积,影响电容器的壳号,而且制得的电容器的性能也会受到影响。
发明内容
基于此,本发明的目的在于,提供一种铝箔的发孔腐蚀方法,该发孔腐蚀方法能提高铝箔发孔的均匀性和数量,从而能提升阳极箔的比容,其具有容易实现、减薄厚度、有利于缩小电容器体积的优点。
本发明通过以下技术方案来实现:
一种铝箔的发孔腐蚀方法,该发孔腐蚀方法包括N级发孔腐蚀处理和N-1次剥离处理,其中N为大于或等于2的整数,每两级发孔腐蚀处理之间进行一次剥离处理;每一级发孔腐蚀处理为:将铝箔置于含有硫酸和盐酸的腐蚀液中浸泡,同时施加电流进行电解腐蚀;每一次剥离处理为:将铝箔置于氟硅酸溶液中浸泡。
本发明的发孔腐蚀方法在多级发孔腐蚀处理之间采取剥离处理措施,利用氟硅酸溶液对硫酸铝膜即Al2(SO4)3的溶解能力,对铝箔在上一级发孔腐蚀处理时表面形成的硫酸铝膜进行剥离,因此能重新裸露出更多的铝基材,并制造出新的缺陷点,使铝箔在下一级发孔腐蚀处理中重新获得更多的箔面发孔和孔洞深入的机会,从而提高铝箔整体发孔的均匀性和数量,达到比容提升的目的,同时适当地减薄了铝箔整体的厚度。
相对于现有技术采取的一级发孔腐蚀处理方式,本发明采取至少两级发孔腐蚀处理和至少一次剥离处理相配合的发孔腐蚀模式,能及时除去铝箔在发孔腐蚀处理时表面形成的酸化膜,便于后续发孔腐蚀阶段新孔洞的产生和深入,更容易实现对铝箔发孔的均匀性和数量的有效控制,提高铝箔整体发孔的均匀性和数量,进而获得高比容。
相对于通过增大光箔厚度、保持腐蚀后铝箔的余厚来提升比容的方式,本发明采取的剥离处理措施虽然会使铝箔厚度减薄,但因为发孔数量的增加,能有效确保铝箔的比容不会下降甚至有所提升,而且由于铝箔整体厚度适当减薄,在保证机械强度的前提下,有利于在制造电容器卷绕时减小卷包的体积,从而缩小电容器的体积,符合电解容器向小型化发展的趋势。
进一步地,每一级发孔腐蚀处理中,所用腐蚀液中硫酸的质量百分比为32~35%、盐酸的质量百分比为4~5%,浸泡温度为70~76℃,施加电流的平均电流密度为0.5~0.55A/cm2,处理时间为25~50秒。通过限定每一级发孔腐蚀处理所用腐蚀液的浓度、温度、电流密度、处理时间的工艺参数,确保发孔的均匀性和数量。
进一步地,每一次剥离处理中,所用氟硅酸溶液的质量分数为1~4%,浸泡温度为50~70℃,浸泡时间为25~50秒。通过限定每一次剥离处理所用氟硅酸溶液的浓度、温度和时间,确保能有效去除铝箔表面硫酸铝膜,同时避免铝箔被过度剥蚀。
进一步地,N级发孔腐蚀处理的总时间为50~200秒,N-1次剥离处理的总时间为25~150秒。
进一步地,N为3或4。发孔腐蚀处理的级数N和剥离处理的次数N-1可根据实际所需做出调整,当N等于3或4时,能有效控制铝箔发孔的均匀性和数量,而且发孔腐蚀槽和剥离处理槽所需的数量适中,在现有生产线的基础上容易对设备进行改造。
本发明还提供一种腐蚀箔的制造方法,该制造方法依序包括预处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理步骤,所述发孔腐蚀按照上述任一项所述的发孔腐蚀方法进行。
通过扫描隧道显微镜图片分析,本发明的制造方法所得腐蚀箔表面的孔洞分布均匀,孔径主要分布在0.08~0.1μm,孔密度在107~108/cm2,整体厚度比现有常规技术得到的腐蚀箔更薄2~4μm。
进一步地,所述预处理为:取纯度大于或等于99.99%的软态电子铝箔置于质量分数为0.5~5%的磷酸溶液中浸泡,浸泡温度为60~90℃,浸泡时间为50~70秒。
进一步地,所述扩孔腐蚀为:将经过发孔腐蚀的铝箔置于质量分数为5~8%的硝酸溶液中浸泡,浸泡温度为60~75℃,同时施加平均电流密度为0.15~0.2A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为400~600秒。
进一步地,所述后处理为:将经过扩孔腐蚀的铝箔置于质量分数为4~6%的硝酸溶液中浸泡,浸泡温度为60~70℃,浸泡时间为60~80秒,取出后用纯水洗净,然后在120~200℃下烘干,得到腐蚀箔。
进一步地,在发孔腐蚀之后、扩孔腐蚀之前,用自来水对铝箔进行清洗;在扩孔腐蚀之后、后处理之前,用自来水对铝箔进行清洗。
为了更好地理解和实施,下面结合附图详细说明本发明。
附图说明
图1为实施例1制造腐蚀箔的工艺流程图;
图2为实施例2制造腐蚀箔的工艺流程图;
图3为实施例3制造腐蚀箔的工艺流程图。
具体实施方式
实施例1
请参阅图1,其为本实施例制造腐蚀箔的工艺流程图,本实施例具体按以下步骤进行:
(1)预处理:取纯度大于或等于99.99%、厚度为123μm的软态电子铝箔置于质量分数为4%的磷酸溶液中浸泡,浸泡温度为65℃,浸泡时间为60秒。
(2)第1级发孔腐蚀:将经过预处理的铝箔置于按质量百分比计含有35%硫酸和5%盐酸的腐蚀液中浸泡,浸泡温度为75℃,同时施加平均电流密度为0.5A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为50秒。
(3)第1次剥离处理:将经过第1级发孔腐蚀的铝箔置于质量分数为3%的氟硅酸溶液中浸泡,浸泡温度为65℃,浸泡时间为35秒。
(4)第2级发孔腐蚀:将经过第1次剥离处理的铝箔置于按质量百分比计含有35%硫酸和5%盐酸的腐蚀液中浸泡,浸泡温度为75℃,同时施加平均电流密度为0.5A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为50秒。
(5)水洗:用自来水对经过第2级发孔腐蚀的铝箔进行清洗。
(6)扩孔腐蚀:将水洗后的铝箔置于质量分数为7%的硝酸溶液中浸泡,浸泡温度为70℃,同时施加平均电流密度为0.15A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为500秒。
(7)水洗:用自来水对经过扩孔腐蚀的铝箔进行清洗。
(8)后处理:将水洗后的铝箔置于质量分数为5%的硝酸溶液中浸泡,浸泡温度为60℃,浸泡时间为80秒,取出后用纯水洗净,然后在150℃下烘干,得到腐蚀箔。
实施例2
请参阅图2,其为本实施例制造腐蚀箔的工艺流程图,本实施例具体按以下步骤进行:
(1)预处理:取纯度大于或等于99.99%、厚度为123μm的软态电子铝箔置于质量分数为5%的磷酸溶液中浸泡,浸泡温度为65℃,浸泡时间为60秒。
(2)第1级发孔腐蚀:将经过预处理的铝箔置于按质量百分比计含有33%硫酸和4.5%盐酸的腐蚀液中浸泡,浸泡温度为74.5℃,同时施加平均电流密度为0.53A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为40秒。
(3)第1次剥离处理:将经过第1级发孔腐蚀的铝箔置于质量分数为2.5%的氟硅酸溶液中浸泡,浸泡温度为60℃,浸泡时间为30秒。
(4)第2级发孔腐蚀:将经过第1次剥离处理的铝箔置于按质量百分比计含有33%硫酸和4.5%盐酸的腐蚀液中浸泡,浸泡温度为74.5℃,同时施加平均电流密度为0.53A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为40秒。
(5)第2次剥离处理:将经过第2级发孔腐蚀的铝箔置于质量分数为2.5%的氟硅酸溶液中浸泡,浸泡温度为60℃,浸泡时间为30秒。
(6)第3级发孔腐蚀:将经过第2次剥离处理的铝箔置于按质量百分比计含有33%硫酸和4.5%盐酸的腐蚀液中浸泡,浸泡温度为74.5℃,同时施加平均电流密度为0.53A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为40秒。
(7)水洗:用自来水对经过第3级发孔腐蚀的铝箔进行清洗。
(8)扩孔腐蚀:将水洗后的铝箔置于质量分数为7%的硝酸溶液中浸泡,浸泡温度为70℃,同时施加平均电流密度为0.15A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为500秒。
(9)水洗:用自来水对经过扩孔腐蚀的铝箔进行清洗。
(10)后处理:将水洗后的铝箔置于质量分数为5%的硝酸溶液中浸泡,浸泡温度为60℃,浸泡时间为80秒,取出后用纯水洗净,然后在180℃下烘干,得到腐蚀箔。
实施例3
请参阅图3,其为本实施例制造腐蚀箔的工艺流程图,本实施例具体按以下步骤进行:
(1)预处理:取纯度大于或等于99.99%、厚度为123μm的软态电子铝箔置于质量分数为2%的磷酸溶液中浸泡,浸泡温度为75℃,浸泡时间为60秒。
(2)第1级发孔腐蚀:将经过预处理的铝箔置于按质量百分比计含有32%硫酸和4.2%盐酸的腐蚀液中浸泡,浸泡温度为74℃,同时施加平均电流密度为0.55A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为30秒。
(3)第1次剥离处理:将经过第1级发孔腐蚀的铝箔置于质量分数为2%的氟硅酸溶液中浸泡,浸泡温度为60℃,浸泡时间为25秒。
(4)第2级发孔腐蚀:将经过第1次剥离处理的铝箔置于按质量百分比计含有32%硫酸和4.2%盐酸的腐蚀液中浸泡,浸泡温度为74℃,同时施加平均电流密度为0.55A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为30秒。
(5)第2次剥离处理:将经过第2级发孔腐蚀的铝箔置于质量分数为2%的氟硅酸溶液中浸泡,浸泡温度为60℃,浸泡时间为25秒。
(6)第3级发孔腐蚀:将经过第2次剥离处理的铝箔置于按质量百分比计含有32%硫酸和4.2%盐酸的腐蚀液中浸泡,浸泡温度为74℃,同时施加平均电流密度为0.55A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为30秒。
(7)第3次剥离处理:将经过第3级发孔腐蚀的铝箔置于质量分数为2%的氟硅酸溶液中浸泡,浸泡温度为60℃,浸泡时间为25秒。
(8)第4级发孔腐蚀:将经过第3次剥离处理的铝箔置于按质量百分比计含有32%硫酸和4.2%盐酸的腐蚀液中浸泡,浸泡温度为74℃,同时施加平均电流密度为0.55A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为30秒。
(9)水洗:用自来水对经过第4级发孔腐蚀的铝箔进行清洗。
(10)扩孔腐蚀:将水洗后的铝箔置于质量分数为7%的硝酸溶液中浸泡,浸泡温度为70℃,同时施加平均电流密度为0.15A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为500秒。
(11)水洗:用自来水对经过扩孔腐蚀的铝箔进行清洗。
(12)后处理:将水洗后的铝箔置于质量分数为6%的硝酸溶液中浸泡,浸泡温度为65℃,浸泡时间为60秒,取出后用纯水洗净,然后在200℃下烘干,得到腐蚀箔。
性能测试
对实施例1~3制得的腐蚀箔以及现有技术制得的腐蚀箔分别进行性能测试,现有技术在发孔腐蚀工序中不进行剥离处理。性能测试项目包括折曲强度、静电容量和减薄厚度,其中,减薄厚度=预处理前的软态电子铝箔厚度-腐蚀箔厚度,具体的检测结果如下表1。
表1
由表1可看出,实施例2、3所得的腐蚀箔的静电容量明显高于现有技术制得的腐蚀箔,实施例1所得的腐蚀箔的静电容量与现有技术制得的腐蚀箔相当,实施例1-3所得的腐蚀箔的折曲强度与现有技术制得的腐蚀箔相当,且厚度更加减薄了2~4μm。该检测结果表明,本发明在多级发孔腐蚀处理之间采取剥离处理的发孔模式,能在保证腐蚀箔机械强度的前提下,提升腐蚀箔的静电容量和减小腐蚀箔的厚度。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种铝箔的发孔腐蚀方法,其特征在于:包括N级发孔腐蚀处理和N-1次剥离处理,其中N为大于或等于2的整数,每两级发孔腐蚀处理之间进行一次剥离处理;每一级发孔腐蚀处理为:将铝箔置于含有硫酸和盐酸的腐蚀液中浸泡,同时施加电流进行电解腐蚀;每一次剥离处理为:将铝箔置于氟硅酸溶液中浸泡。
2.根据权利要求1所述的铝箔的发孔腐蚀方法,其特征在于:每一级发孔腐蚀处理中,所用腐蚀液中硫酸的质量百分比为32~35%、盐酸的质量百分比为4~5%,浸泡温度为70~76℃,施加电流的平均电流密度为0.5~0.55A/cm2,处理时间为25~50秒。
3.根据权利要求1所述的铝箔的发孔腐蚀方法,其特征在于:每一次剥离处理中,所用氟硅酸溶液的质量分数为1~4%,浸泡温度为50~70℃,浸泡时间为25~50秒。
4.根据权利要求1-3任一项所述的铝箔的发孔腐蚀方法,其特征在于:N级发孔腐蚀处理的总时间为50~200秒,N-1次剥离处理的总时间为25~150秒。
5.根据权利要求4所述的铝箔的发孔腐蚀方法,其特征在于:N为3或4。
6.一种腐蚀箔的制造方法,依序包括预处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理步骤,其特征在于:所述发孔腐蚀按照权利要求1-5任一项所述的发孔腐蚀方法进行。
7.根据权利要求6所述的腐蚀箔的制造方法,其特征在于:所述预处理为:取纯度大于或等于99.99%的软态电子铝箔置于质量分数为0.5~5%的磷酸溶液中浸泡,浸泡温度为60~90℃,浸泡时间为50~70秒。
8.根据权利要求6所述的腐蚀箔的制造方法,其特征在于:所述扩孔腐蚀为:将经过发孔腐蚀的铝箔置于质量分数为5~8%的硝酸溶液中浸泡,浸泡温度为60~75℃,同时施加平均电流密度为0.15~0.2A/cm2的电流进行电解腐蚀,处理时间为400~600秒。
9.根据权利要求6所述的腐蚀箔的制造方法,其特征在于:所述后处理为:将经过扩孔腐蚀的铝箔置于质量分数为4~6%的硝酸溶液中浸泡,浸泡温度为60~70℃,浸泡时间为60~80秒,取出后用纯水洗净,然后在120~200℃下烘干,得到腐蚀箔。
10.根据权利要求6-9任一项所述的腐蚀箔的制造方法,其特征在于:在发孔腐蚀之后、扩孔腐蚀之前,用自来水对铝箔进行清洗;在扩孔腐蚀之后、后处理之前,用自来水对铝箔进行清洗。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710701626.9A CN107488871B (zh) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | 铝箔的发孔腐蚀方法及腐蚀箔的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710701626.9A CN107488871B (zh) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | 铝箔的发孔腐蚀方法及腐蚀箔的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107488871A CN107488871A (zh) | 2017-12-19 |
CN107488871B true CN107488871B (zh) | 2018-12-25 |
Family
ID=60646137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710701626.9A Active CN107488871B (zh) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | 铝箔的发孔腐蚀方法及腐蚀箔的制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107488871B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110195232B (zh) * | 2018-02-26 | 2022-08-12 | 东莞市东阳光电容器有限公司 | 一种频闪灯电容器用阳极箔的腐蚀方法 |
CN110438554B (zh) * | 2019-07-26 | 2020-06-23 | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 | 一种提高中压腐蚀箔比容的预处理方法及其制备的中压腐蚀箔 |
CN112863879B (zh) * | 2021-01-22 | 2022-09-30 | 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 | 一种中高压阳极铝箔中处理减薄的工艺方法 |
CN113913914A (zh) * | 2021-08-16 | 2022-01-11 | 南通南辉电子材料股份有限公司 | 一种军工用电容器电极箔的制造方法 |
CN114141542B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-12-29 | 江苏立富电极箔有限公司 | 一种直流和脉冲叠加腐蚀的工艺 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4420367A (en) * | 1981-05-07 | 1983-12-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for etching a recrystallized aluminum foil for electrolytic capacitors |
CN101275269A (zh) * | 2008-04-22 | 2008-10-01 | 日丰(清远)电子有限公司 | 电解电容器用铝箔腐蚀工艺 |
CN101503801A (zh) * | 2009-03-30 | 2009-08-12 | 日丰(清远)电子有限公司 | 一种电解电容器用铝箔腐蚀工艺 |
CN105957717A (zh) * | 2016-05-26 | 2016-09-21 | 乳源县立东电子科技有限公司 | 中高压阳极箔的多段多次发孔方法 |
CN106637380A (zh) * | 2016-12-13 | 2017-05-10 | 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 | 一种中高压电子铝箔腐蚀方法 |
-
2017
- 2017-08-16 CN CN201710701626.9A patent/CN107488871B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4420367A (en) * | 1981-05-07 | 1983-12-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for etching a recrystallized aluminum foil for electrolytic capacitors |
CN101275269A (zh) * | 2008-04-22 | 2008-10-01 | 日丰(清远)电子有限公司 | 电解电容器用铝箔腐蚀工艺 |
CN101503801A (zh) * | 2009-03-30 | 2009-08-12 | 日丰(清远)电子有限公司 | 一种电解电容器用铝箔腐蚀工艺 |
CN105957717A (zh) * | 2016-05-26 | 2016-09-21 | 乳源县立东电子科技有限公司 | 中高压阳极箔的多段多次发孔方法 |
CN106637380A (zh) * | 2016-12-13 | 2017-05-10 | 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 | 一种中高压电子铝箔腐蚀方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107488871A (zh) | 2017-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107488871B (zh) | 铝箔的发孔腐蚀方法及腐蚀箔的制造方法 | |
KR20180001513A (ko) | 결정질 실리콘 태양전지의 텍스쳐 구조의 제조방법 | |
CN106024988B (zh) | 一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法 | |
KR102598338B1 (ko) | 자동차 전자용 나노 미세다공성 구조 알루미늄 전극박의 제조 방법 | |
CN101425390A (zh) | 一种中高压阳极铝箔的腐蚀方法 | |
CN109554746B (zh) | 一种高压高比容腐蚀箔的制造方法 | |
CN105957717B (zh) | 中高压阳极箔的多段多次发孔方法 | |
CN104357886B (zh) | 中高压阳极用高纯铝箔表面化学沉积弥散锡、锌晶核的方法 | |
Ban et al. | Effect of chemical plating Zn on DC-etching behavior of Al foil in HCl–H2SO4 | |
CN113436891A (zh) | 一种采用阳极氧化后的纳米凹坑来诱导中高压阳极箔均匀腐蚀发孔的方法 | |
CN109786113A (zh) | 一种铝电解电容器用化成箔及其生产工艺 | |
CN113437176A (zh) | 一种异质结电池制备方法 | |
CN102888642A (zh) | 大面积高度有序多孔阳极氧化铝膜的制备方法 | |
CN103695983A (zh) | 一种尺寸可控的铝表面周期性纳米坑织构的制备方法 | |
CN114446667B (zh) | 一种高介电常数电极箔的制备方法 | |
CN114808076A (zh) | 一种弯曲性能良好电极箔的制备方法 | |
CN109817891B (zh) | 一种钛材料表面原位制备纳米结构的方法 | |
CN112899789B (zh) | 一种采用电化学法预处理单晶硅片表面的制绒方法 | |
JP4576192B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
CN113201774A (zh) | 长寿命铝电解电容器用化成箔及其制备工艺 | |
JP2000003835A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
CN114686960B (zh) | 一种制备中高压腐蚀箔的预处理方法及其应用 | |
CN110438554B (zh) | 一种提高中压腐蚀箔比容的预处理方法及其制备的中压腐蚀箔 | |
CN115602758B (zh) | 硅片制绒后不良片的处理方法 | |
JP4421765B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Hole corrosion method of aluminum foil and manufacturing method of corrosion foil Effective date of registration: 20220629 Granted publication date: 20181225 Pledgee: Industrial and Commercial Bank of China Limited Ruyuan sub branch Pledgor: RUYUAN YAOZUZHIZHIXIAN DONGYANGGUANG FORMED FOIL Co.,Ltd. Registration number: Y2022980009427 |
|
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |