CN113795744A - 一种用于确定流体样品中的颗粒特性和/或用于确定流体样品的污染特性的方法 - Google Patents
一种用于确定流体样品中的颗粒特性和/或用于确定流体样品的污染特性的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113795744A CN113795744A CN201980096366.4A CN201980096366A CN113795744A CN 113795744 A CN113795744 A CN 113795744A CN 201980096366 A CN201980096366 A CN 201980096366A CN 113795744 A CN113795744 A CN 113795744A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal surface
- substrate
- metal
- particles
- fluid sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 263
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 196
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 490
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 490
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 242
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 118
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 48
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- -1 for example Polymers 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000541 cathodic arc deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000203 droplet dispensing Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N15/1425—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry using an analyser being characterised by its control arrangement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/2813—Producing thin layers of samples on a substrate, e.g. smearing, spinning-on
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
- G01N15/0211—Investigating a scatter or diffraction pattern
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
- G01N15/0227—Investigating particle size or size distribution by optical means using imaging; using holography
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
- G01N15/0606—Investigating concentration of particle suspensions by collecting particles on a support
- G01N15/0612—Optical scan of the deposits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N15/1434—Optical arrangements
- G01N2015/144—Imaging characterised by its optical setup
- G01N2015/1443—Auxiliary imaging
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N2015/1488—Methods for deciding
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N2015/1493—Particle size
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
根据本发明,提供了一种用于确定流体样品中的颗粒特性和/或用于确定流体样品的污染特性的方法,所述方法包括以下步骤,(a)在衬底的表面上沉积金属膜,以在所述衬底上提供光滑的金属表面;(b)使流体样品与衬底的所述金属表面接触;(c)从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上;(d)在所述金属表面和保留在衬底的所述金属表面上的所述颗粒上沉积金属层,使得每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面的没有颗粒的区域被提供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在间隙;(e)用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线被所述颗粒上的金属层散射以分别产生散射的电磁射线;或者用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线的至少一部分被所述颗粒上的金属层吸收,并且所述电磁射线的另一部分被衬底上的金属表面反射以产生反射的电磁射线;(f)在光电二极管阵列处接收散射的电磁射线;或者在光电二极管阵列处接收所述反射的电磁射线;(g)形成包括像素的图像,其中图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管,其中所述图像中每个像素的亮度对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的电磁射线的强度;(h)处理所述形成的图像以确定所述颗粒特性,和/或处理所述形成的图像以确定流体样品的污染特性。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于确定流体样品中颗粒特性的方法;并且特别地但不排他地,涉及一种方法,该方法涉及在已经粘着于衬底的金属表面的颗粒上和衬底的金属表面上提供金属层;用电磁射线照射衬底的颗粒和金属表面上的所述金属层;使用散射的电磁射线或反射的电磁射线形成图像;以及处理所述图像以确定流体样品中的颗粒特性和/或确定流体样品的污染特性。
背景技术
现有的用于表征颗粒的技术是不足够的,所述颗粒定义了样品流体中的杂质。例如,确定样品流体中颗粒浓度的现有技术是不足够的。
基于光学散射的暗场成像被广泛用于检测在表面上沉积的颗粒。光学散射截面与颗粒半径的六次方成比例。因此,检测小颗粒(例如具有小于50nm直径的半径的颗粒)需要强照明源和灵敏光电二极管。此外,使用强照明源和灵敏光电二极管的方法对来自表面上固有缺陷(诸如表面粗糙度)的背景噪声非常灵敏。不利的是,沉积的颗粒和表面粗糙度二者可以以相似的强度散射光,使得区分在表面上沉积的颗粒和表面粗糙度具有挑战性。
在另一种方法中,基于光学吸收和散射的明场成像用于检测在表面上沉积的颗粒;在这种方法中,反射光被收集并用于形成明场图像,并且然后从该明场图像检测颗粒的存在。表面上的颗粒由于其光吸收而导致明场图像中像素的色调更暗。在这种情况下,背景信号是亮的,因为来自平坦表面的反射更强。然而,大多数颗粒具有非常小的光吸收,使得使用这种明场成像技术难以检测到它们。
本发明的目的是减轻或消除与所述现有技术相关联的缺点。
发明内容
根据本发明,这些目的借助于具有本申请的独立权利要求1中所述步骤的方法来实现;其中从属权利要求叙述了优选实施例的可选特征。
有利地,在本发明的方法中,实现了颗粒(其定义流体样品中的杂质)对光的放大散射和吸收;因此,可以实现从光学图像(例如暗场图像;和/或明场图像)更准确地检测到所述颗粒特性。
附图说明
借助于通过示例的方式给出并由附图图示的实施例的描述,将更好地理解本发明,其中:
图1示出了当施行根据本发明的方法时所采取的步骤的流程图;
图2示出了当施行根据本发明实施例的方法时所采取的步骤的流程图;
图3示出了当施行根据本发明进一步实施例的方法时所采取的步骤的流程图。
具体实施方式
一种用于确定流体样品中的颗粒特性和/或用于确定流体样品的污染特性的方法,该方法包括以下步骤:
(a)在衬底的表面上沉积金属膜,以在所述衬底上提供光滑的金属表面;
(b)使流体样品与衬底的所述金属表面接触;
(c)从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上;
(d)在所述金属表面和保留在衬底的所述金属表面上的所述颗粒上沉积金属层,使得每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面的没有颗粒的区域被提供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在间隙;
(e)用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线被所述颗粒上的金属层散射以分别产生散射的电磁射线;或者用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线的至少一部分被所述颗粒上的金属层吸收,并且所述电磁射线的另一部分被衬底上的金属表面反射以产生反射的电磁射线;
(f)在光电二极管阵列处接收散射的电磁射线;或者在光电二极管阵列处接收所述反射的电磁射线;
(g)形成包括像素的图像,其中图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管,其中所述图像中每个像素的亮度对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的电磁射线的强度;
(h)处理所述形成的图像以确定所述颗粒特性,和/或处理所述形成的图像以确定流体样品的污染特性。
在一个实施例中,该方法包括以下步骤:
(a)在衬底的表面上沉积金属膜,以在所述衬底上提供光滑的金属表面;
(b)使流体样品与衬底的所述金属表面接触;
(c)从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上;
(d)在所述金属表面和保留在衬底的所述金属表面上的所述颗粒上沉积金属层,使得每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面的没有颗粒的区域被提供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在间隙;
(e)用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线被所述颗粒上的金属层散射以产生散射的电磁射线;
(f)在光电二极管阵列处接收散射的电磁射线;
(g)形成包括像素的暗场图像,其中图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管,其中所述图像中的每个像素的亮度对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的散射光的强度;
(h)处理所述暗场图像以确定所述颗粒特性和/或处理所述暗场图像以确定流体样品的污染特性。
优选地,散射的电磁射线是瑞利散射的电磁射线。
在另一个实施例中,该方法包括以下步骤:
(a)在衬底的表面上沉积金属层,以在所述衬底上提供光滑的金属表面;
(b)使流体样品与衬底的所述金属表面接触;
(c)从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上;
(d)在所述金属表面和保留在衬底的所述金属表面上的所述颗粒上沉积金属层,使得每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面的没有颗粒的区域被提供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在间隙;
(e)用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线的至少一部分被所述颗粒上的金属层吸收,并且所述电磁射线的另一部分被衬底上的金属表面反射以产生反射的电磁射线;
(f)在光电二极管阵列处接收反射的电磁射线;
(g)形成包括像素的明场图像,其中明场图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管,其中所述明场图像中的每个像素的亮度对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的光的强度;
(h)处理所述明场图像以确定所述颗粒特性,和/或处理所述明场图像以确定流体样品的污染特性。
在优选实施例中,所确定的流体样品的污染特性是流体样品污染表面的能力。例如,在优选实施例中,所确定的流体样品的污染特性是流体样品污染表面的统计概率(污染表面包括但不限于在表面上沉积不想要的颗粒和/或在表面上生成缺陷)。
在本发明的实施例中,颗粒可能不溶于流体样品。在本发明的实施例中,颗粒可能可溶于流体样品。在又另一实施例中,颗粒包括不溶于流体样品的颗粒和可溶于流体样品的颗粒。
步骤(a)-在衬底的表面上沉积金属膜:
优选地,在衬底的表面上沉积金属膜以在所述衬底上提供光滑的金属表面的步骤包括首先提供衬底。在优选实施例中,衬底优选是刚性的;并且更优选地,衬底的表面将没有任何外来颗粒(诸如灰尘或污垢),换句话说,衬底的表面优选是干净的。如果衬底的表面是干净的,则那么在衬底的表面上沉积金属膜的步骤优选包括沉积具有大于30nm的厚度的金属膜,并且更优选沉积具有大于50nm的厚度的金属膜。应当理解,衬底可以采取任何合适的形式;在一个实施例中,衬底是硅晶片;或者替代地,衬底可以包括金属。
应当理解,可以提供任何合适尺寸的衬底;然而,更优选地,衬底的直径将至少为1cm,以便避免具有不同表面能量的边缘区域。更优选地,衬底的尺寸将在2.5cm(1英寸)和450cm(17.7英寸)之间。在又另一实施例中,衬底也可以是较大衬底的切割部分(例如较大晶片的一段)。在这种情况下,切割的晶片块的尺寸将优选大于1cmx1cm。衬底可以包括硅、金属、塑料、玻璃和/或石英。最优选地,衬底将是硅晶片。
金属膜可以包括任何合适的材料。金属膜可以包括单个类型的金属或不同金属(诸如合金)的组合物。通常,金属膜的成分将取决于流体样品的成分。例如,如果流体样品包括酸,诸如H2SO4或HCl,则那么金属膜将优选包括金或铂;如果流体样品包括H2SO4和/或H2O2(食人鱼溶液),则那么金属膜将优选包括金或铂;如果样品包括超纯水(UPW),则那么金属膜将优选包括金或铂。在又另一示例中,如果流体样品没有腐蚀性(例如如果样品流体包括异丙醇),则那么金属膜可以包括金属,诸如银、铜和/或铝等。
优选地,金属膜进一步包括天然氧化物层。
在实施例中,该方法进一步包括在衬底的表面上提供粘附层的步骤;并且然后在粘附层上提供金属膜。在该实施例中,金属膜不直接施加到衬底的表面,而是施加到粘附层;因此,在该实施例中,金属膜在衬底的表面上间接沉积。通常,当使用预期对衬底的表面具有低黏附力的金属膜时,实行在衬底的表面上提供粘附层的步骤。粘附层可以包括铬(Cr)和/或钛(Ti)。例如,该方法可以进一步包括在衬底的表面上沉积包括Cr或Ti的粘附层的步骤;并且然后在Cr或Ti粘附层上沉积金属膜。优选地,粘附层将具有大于5nm的厚度。还优选在沉积粘附层之前清洁衬底的表面;清洁衬底的表面的步骤可以包括用辉光放电清洁衬底的表面,用氧等离子体清洁衬底的表面,通过使用湿法清洁过程、用UV光清洁衬底的表面,或者通过施行上述清洁步骤的任何组合。
应当理解,可以使用任何合适的沉积方法在衬底的表面上(或在粘附层上)沉积金属膜。在实施例中,沉积金属膜的步骤可以包括使用物理气相沉积(PVD)来沉积金属膜;例如,沉积金属膜的步骤可以包括使用电子束蒸发、热蒸发、脉冲激光沉积、阴极电弧沉积或溅射来沉积金属膜。在又另一实施例中,沉积金属膜的步骤可以包括使用化学气相沉积(CVD)来沉积金属膜。在又另一实施例中,沉积金属膜的步骤可以包括通过用金属膜电镀衬底的所述表面来沉积金属膜。在又另一实施例中,沉积金属膜的步骤可以包括通过原子层沉积(ALD)来沉积金属膜。
通常,金属膜以每秒1-3埃之间的沉积速率沉积;并且最优选地,金属膜以每秒2埃的沉积速率沉积。
优选地,具有金属膜的衬底大体上在金属膜已经提供在衬底的表面上之后立即使用,以便限制污染。换句话说,该过程中的下一个步骤大体上在金属膜已经提供在衬底的表面上之后立即实行。
通常在金属膜已经在衬底的表面上沉积之后,衬底然后在其用于本发明方法的后续步骤之前被存储一段时间。当存储时,外来颗粒可能聚集在金属膜上,因此,在衬底从存储中被取出之后,金属膜优选在其用于本发明方法的后续步骤之前被清洁。最优选地,在衬底从存储中被取出之后,金属膜在其用于本发明方法的后续步骤之前(即在实行使样品流体与金属表面直接接触使得所述流体样品中的颗粒可以粘着到所述金属表面之前)使用合适的清洁方法被清洁。清洁步骤优选不损坏或氧化金属膜。最优选地,使用空气或氧等离子体清洁衬底的表面上的金属膜;例如,如果金属((诸如金))在短暂的氧等离子体暴露下是稳定的,则氧等离子体可以施加到金属膜持续1秒至15秒。不推荐将氧等离子体施加到金属(诸如银),因为它们的表面将由于氧等离子体而被化学更改。
步骤(b)-使所述流体样品与衬底的所述金属表面接触:
在已经在衬底的表面上直接沉积金属膜(或者通过在衬底的表面上提供的粘附层上沉积金属膜而在衬底的表面上间接沉积)以在所述衬底上提供光滑的金属表面之后,然后实行使所述流体样品与衬底的所述金属表面接触的步骤。如下面将更详细描述的,使所述流体样品与衬底的所述金属表面接触的步骤可以以多种不同的方式实行;例如,当所述金属表面静止时,预定义量的所述流体样品可以在所述金属表面上分配;或者当所述金属表面正在旋转时,预定义量的所述流体样品可以在所述金属表面上分配;或者所述衬底可以在包含限定流体样品的气体的腔室中提供,使得衬底的金属表面暴露于气态流体样品(优选暴露预定义时间长度)。
流体样品可以包括任何合适的成分;流体样品可以包括气体、液体或光致抗蚀剂(可以溶解在溶剂中的聚合物树脂)。例如,如果流体样品是液体,则它可以包括超纯水(UPW)、酒精、酸、离子溶液、氧化剂和/或这些的任何混合物中的任何一个或多个。例如,如果流体样品是气体,则它可以包括N2、O2、CO2、氩、氦、NH3或半导体工业中使用的任何过程气体中的任何一个或多个。使所述流体样品与衬底的所述金属表面接触的步骤被实行的方式可以取决于流体样品是液体、光致抗蚀剂还是气体而变化。
在一个实施例中,其中流体样品包括液体,旋转衬底,并且在衬底正在旋转的同时将流体样品分配到衬底的金属表面上。优选地,衬底以低于400rpm的非零速度旋转。最优选地,样品流体散布在所述衬底的整个金属表面上(通常衬底的旋转将使样品流体散布在衬底的整个金属表面上)。当流体样品接触衬底的金属表面时,流体样品中存在的颗粒(其定义杂质)粘着于衬底的金属表面。在另一实施例中,其中流体样品包括液体,衬底是静止的(即具有固定的位置,并且不旋转),并且流体样品被分配到衬底的金属表面上。优选地,分配到衬底的金属表面上的流体样品被布置成覆盖所述金属表面的整个表面。当流体样品接触衬底的金属表面时,流体样品中存在的颗粒(其定义杂质)粘着于衬底的金属表面。
在一个实施例中,其中流体样品包括气体,衬底被简单地放置在包含气体样品的外壳中预定义时间长度。衬底暴露于气体的时间长度应该优选地反映生产中的物体(诸如用于半导体工业的硅晶片)暴露于所述外壳中的所述气体样品的时间长度。在外壳中,当衬底的金属表面暴露于气态流体样品时,气态流体样品中存在的颗粒(其定义杂质)将在预定义时间期间在衬底的金属表面上沉积。在另一实施例中,除了粘着于金属表面的颗粒之外,其它分子可以在衬底的金属表面上凝结或再凝固。
在另一实施例中,其中流体样品包括液体,衬底被简单地浸没在包含流体样品的容器中预定义时间长度。衬底暴露于液体的预定义时间长度应该优选地反映生产中的物体(诸如用于半导体工业的硅晶片)暴露于所述容器中的所述液体样品的时间长度;理想地,预定义时间长度取决于应用、液体的纯度和/或金属表面;最优选地,预定义时间长度将使表面上的颗粒和液体中的颗粒之间的相关性最大化;最优选地,预定义时间长度不会太短以至于对于相同的液体具有大的变化,并且不会太长使得其对于不同纯度水平的液体导致在金属表面上具有相同数量的颗粒。在容器中,在衬底的金属表面浸没在液体流体样品中的预定义时间期间,液体流体样品中存在的颗粒(其定义杂质)将粘着于衬底的金属表面。
在另一实施例中,其中流体样品包括液体,该方法包括在倾斜取向上布置衬底的步骤;并且使所述流体样品与衬底的所述金属表面接触的步骤是在衬底保持在其倾斜取向上的同时实行的。在该实施例中,流体样品被分配到衬底的金属表面上;当衬底在倾斜取向上时,分配到金属表面上的流体样品将在重力的影响下流出金属表面。
在一个实施例中,其中流体样品包括光致抗蚀剂(例如,优选溶解在溶剂中的聚合物树脂),旋转衬底,并且在衬底正在旋转的同时将光致抗蚀剂分配到衬底的金属表面上。优选地,衬底以低于400rpm的非零速度旋转。最优选地,光致抗蚀剂散布在所述衬底的整个金属表面上(通常,衬底的旋转将使光致抗蚀剂散布在衬底的整个金属表面上)。
在另一实施例中,其中流体样品包括光致抗蚀剂(聚合物树脂,其优选地溶解在溶剂中),衬底是静止的(即具有固定的位置,并且不旋转),并且光致抗蚀剂被分配到衬底的金属表面上。优选地,被分配到衬底的金属表面上的光致抗蚀剂被布置成覆盖所述金属表面的整个表面。
在另一实施例中,其中样品流体包括液体,使所述流体样品与衬底的所述金属表面接触的步骤包括通过从没有污染的分配器尖端逐滴分配流体样品来将流体样品提供到衬底的金属表面上(优选分配器尖端由化学稳定的塑料组成,所述化学稳定的塑料诸如例如全氟烷氧基烷烃(PFA)或聚四氟乙烯(PTFE))。最优选地,从尖端分配的每个液滴的体积在预定义范围内(优选地,预定义范围是1-100微升);可以使用本领域已知的任何合适的部件来控制每个液滴的体积,诸如例如使用泵(例如注射泵)、流量计、对微滴成像的相机、测量微滴的重量的天平等。最优选地,连续液滴以其从分配器尖端分配到衬底金属表面上的速率在预定义范围内(优选地,预定义范围是1-240秒)。
步骤(c)-从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述
流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上:
在一个实施例中,其中所述流体样品在衬底(例如以低于400rpm的非零速度)旋转时与衬底的金属表面接触,从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上的步骤包括增加旋转速度。最优选地,衬底的旋转速度增加到1000rpm和4000rpm范围内的速度。在该实施例中,大部分所述液体流体样品通过离心力从所述金属表面移除,并且一些通过蒸发移除。在移除样品流体之后,仅颗粒(其定义流体样品中的杂质)保持粘着在衬底的所述金属表面上。
在另一实施例中,其中所述流体样品在衬底静止时(即不旋转)与衬底的金属表面接触,从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上的步骤包括使衬底旋转。最优选地,衬底的旋转速度增加到1000rpm和4000rpm范围内的速度。这种干燥方法被称为旋转干燥。在该过程期间,大部分所述液体流体样品被离心力从所述金属表面驱出,并且一些被蒸发。在该实施例中,大部分所述液体流体样品通过离心力从所述金属表面移除,并且一些通过蒸发移除。在移除样品流体之后,仅颗粒(其定义流体样品中的杂质)保持粘着在衬底的所述金属表面上。
如上面已经提到的,在另一实施例中,衬底在倾斜取向上布置;以及从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上的步骤包括允许与衬底的所述金属表面接触的流体样品在重力的影响下流出金属表面。在该实施例的变型中,该方法进一步包括提供干燥空气流,该干燥空气流将流体样品吹离金属表面;优选使用加压气枪来提供干燥空气流。
在其中所述流体样品包括光致抗蚀剂的一个实施例中,移除与衬底的金属表面接触的流体样品的步骤包括移除与金属表面接触的大部分光致抗蚀剂。移除与金属表面接触的大部分光致抗蚀剂的步骤包括以预定义范围内的速度使衬底旋转,例如以1000rpm和4000rpm之间的速度使衬底旋转(要么衬底从静止位置旋转到预定义范围内的速度,要么衬底已经旋转,旋转速度增加到预定义范围内的速度)。在光致抗蚀剂已经与衬底的金属表面接触之后,以所述预定义范围内的速度使衬底旋转将确保光致抗蚀剂散布在衬底的整个金属表面上,从而在衬底的所述金属表面上形成光致抗蚀剂层;优选地,光致抗蚀剂层将具有均匀的厚度。最优选地,光致抗蚀剂层将包括光致抗蚀剂树脂(其优选没有任何溶剂)。在实施例中,光致抗蚀剂层可以在热板上烘烤,以从光致抗蚀剂层移除溶剂(热板温度优选在60和160摄氏度之间)。
该方法可以进一步包括固化光致抗蚀剂层的步骤(固化光致抗蚀剂层改变光致抗蚀剂的化学结构,诸如例如使光致抗蚀剂聚合);固化光致抗蚀剂层的步骤可以包括使用入射在光致抗蚀剂层上的电磁射线来提供或者加热光致抗蚀剂层。
旋转和固化步骤取决于光致抗蚀剂的类型。理想地,实际用于所述光致抗蚀剂样品的半导体制造过程的相同旋转和固化参数被应用来估计所使用的旋转和固化过程的污染。
优选地,然后移除光致抗蚀剂的固化层。在一个实施例中,光致抗蚀剂层使用干法过程(诸如向光致抗蚀剂层施加氧等离子体)移除。光致抗蚀剂层将包括聚合物基质,并且向光致抗蚀剂层施加氧等离子体将移除所述聚合物基质。
在光致抗蚀剂层的聚合物基质已经被移除之后,颗粒(其定义光致抗蚀剂中的杂质)保留在衬底的所述金属表面上。剩余的颗粒表示所述原始流体样品(即与衬底的金属表面接触的原始光致抗蚀剂)的污染能力。
在一个实施例中,由于光致抗蚀剂的聚合物结构在其生产或存储期间的化学降解,在光致抗蚀剂层已经固化(例如即UV处理)并后续被移除(例如用TMAH、丙酮或另一湿法清洁过程移除光致抗蚀剂层)之后,颗粒残渣可以保留在衬底的金属表面上。这样的缺陷的最可能的原因源自UV处理期间聚合物的不成功交联。在这种情况下,在总体过程之后在表面上沉积的大多数颗粒不是来自光致抗蚀剂中的颗粒杂质,而仅仅是光致抗蚀剂的有缺陷的聚合物结构。
在另一实施例中,用湿法清洁过程剥离(或移除)衬底的金属表面上的光致抗蚀剂层;例如将TMAH(四甲基氢氧化铵)施加到光致抗蚀剂层,或者将丙酮施加到光致抗蚀剂层。向光致抗蚀剂层施加TMAH或丙酮将移除所述聚合物基质。在光致抗蚀剂层的聚合物基质已经被移除之后,颗粒(其定义光致抗蚀剂中的杂质)保留在衬底的所述金属表面上。剩余的颗粒表示所述原始流体样品(即与衬底的金属表面接触的原始光致抗蚀剂)和TMAH或丙酮的污染能力。
在实施例中,其中样品流体是气体,并且所述金属表面暴露于所述外壳中的所述气体,移除与衬底的金属表面接触的流体样品的步骤包括从外壳移除衬底。最优选地,在预定义时间段之后,将衬底从外壳移除。从外壳移除衬底之后,颗粒(其定义气体中的杂质)将保留在衬底的所述金属表面上;所述颗粒将包括已经粘着于金属表面的颗粒和已经凝结或再凝固到金属表面上的分子。
在所述实施例中,其中流体样品包括液体,并且衬底简单地浸没在包含流体样品的容器中预定义时间长度,移除与衬底的金属表面接触的流体样品的步骤包括从所述流体样品的容器移除所述衬底。从容器移除衬底之后,颗粒(其定义流体样品中的杂质)将保留在衬底的所述金属表面上。最优选地,该方法进一步包括在衬底已经从容器移除之后提供跨金属表面的干燥气体流的步骤,以便干燥金属表面。例如,干燥气体可以包括氮气和/或氩气。并且可以使用加压气枪来提供干燥气体流。
在又另一实施例中,样品流体包括液体。在该实施例中,使所述流体样品与衬底的所述金属表面接触的步骤包括通过从没有污染的分配器尖端逐滴分配流体样品来将流体样品提供到衬底的金属表面上(优选地,分配器尖端由化学稳定的塑料组成,所述化学稳定的塑料诸如全氟烷氧基烷烃(PFA)或聚四氟乙烯(PTFE))。最优选地,从尖端分配的每个液滴的体积在预定义范围内(优选地,预定义范围是1-100微升);可以使用本领域已知的任何合适的部件来控制每个液滴的体积,诸如例如使用泵(例如注射泵)、流量计、对液滴成像的相机、测量液滴的重量的天平等。最优选地,连续液滴从分配器尖端分配到衬底的金属表面上的速率在预定义范围内(优选地,预定义范围是1-240秒)。
参考所述实施例,其中所述样品流体包括液体,并且其中使所述流体样品与衬底的所述金属表面接触的步骤包括通过从分配器尖端逐滴分配流体样品(每个液滴优选具有预定义体积)来将流体样品提供到衬底的金属表面上,移除与衬底的金属表面接触的流体样品的步骤包括, 在每个相应液滴与金属表面接触之后蒸发每个相应液滴,或者允许多个样品流体液滴与金属表面接触,并且然后集体蒸发多个液滴。换句话说,在一个实施例中,在每个连续的液滴被分配到衬底的金属表面上之后,该液滴中的流体从衬底的金属表面蒸发。在另一实施例中,在每个连续的液滴被分配到衬底的金属表面上之后,在下一个液滴被分配到衬底的金属表面上并被部分蒸发之前,该液滴中的流体从衬底的金属表面被部分蒸发(优选地,液滴体积的65%-90%被蒸发)(这些步骤优选地针对分配到金属表面上的每个连续的液滴被重复)。替代地,在又另一实施例中,在所有的液滴已经分配到衬底的金属表面上之后,那些液滴中的流体从衬底的金属表面蒸发。换句话说,可以要么在每个连续的液滴已经从分配器尖端分配到衬底的金属表面上之后,要么在所有的液滴已经从分配器尖端分配到衬底的金属表面上之后,完成衬底的金属表面上的流体蒸发。在流体已经蒸发之后,存在于液体流体样品中的颗粒(其在该实施例中是非挥发性颗粒和分子;并且其定义杂质)保持粘着于衬底的金属表面。在每个相应液滴与金属表面接触之后蒸发每个相应液滴或者集体蒸发多个液滴的步骤包括使用任何合适的加热部件来加热金属表面上的液滴/集体液滴。总而言之,如本段所描述的,使所述流体样品逐滴与衬底的所述金属表面接触至少存在三种变型:沉积所有液滴并一起蒸发所有液滴;沉积一个液滴,部分蒸发该液滴并且然后沉积下一个液滴,并且重复多次;沉积一个液滴,完全蒸发该液滴,并且然后沉积下一个液滴,并且重复多次。
为了促进已经分配到衬底的金属表面上的每滴样品流体滴的快速蒸发,或者已经分配到衬底的金属表面上的样品流体的集体液滴的蒸发,所述金属表面的温度被提高(优选地提高到低于所述液体样品沸点的值)。优选用来自位于所述衬底下方的热源的热传送来提高温度;所述热源优选被布置成与衬底的相对于金属表面的表面机械接触。在一个实施例中,热源包括电阻加热器。最优选地,热源的温度低于流体样品的沸点温度。在另一实施例中,热源被配置为发射入射在金属表面上的电磁射线,以加热金属表面和/或液滴。在一个实施例中,所述电磁射线是在光谱的红外区域内的射线。在进一步实施例中,通过进一步实行在衬底的金属表面上提供气体流的步骤来实现更快的蒸发;气体优选包括干燥空气、干燥N2或干燥氩气。
最优选地,在一滴样品流体已经被分配到衬底的金属表面上之后,该滴流体蒸发的速度优选地使得该滴流体被防止与所述金属表面的边缘接触。(一个或多个)分配的样品流体滴散布在其上的金属表面的面积取决于衬底的金属表面上存在的(一个或多个)液滴的总体积。优选地,调谐分配的每个液滴的体积和连续液滴分配的速率,以确保所述样品流体将不会扩散到多于80%的衬底的金属表面上并与金属表面的边缘接触。
步骤(d)-在所述金属表面和保留在衬底的所述金属表面上的所述颗粒上沉积金
属层,使得每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面的没有颗粒的区域被提
供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在
间隙:
在使所述流体样品与衬底的所述金属表面接触,并从所述金属表面移除所述流体样品,使得样品流体中的颗粒保留在所述金属表面上的步骤已经实行之后,接下来在所述金属表面和已经保留于所述金属膜的颗粒上沉积金属层,使得已经保留于所述金属膜的每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面的没有颗粒的所述区域被提供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在间隙的步骤被实行。每个颗粒上的每个金属层和所述金属表面上的金属层之间的间隙将有利地用于提供放大的光散射和/或放大的光吸收。最优选地,在所述金属表面和保留在衬底的所述金属表面上的颗粒上沉积金属层的步骤(c)包括使用物理气相沉积,诸如溅射、脉冲激光沉积、电子束蒸发或热蒸发,以在所述金属表面和所述金属表面上的颗粒上沉积金属层。
重要的是,在所述金属表面上提供的金属层的厚度不延伸到预定义厚度之上;所述预定义厚度限定了可以检测到的最小尺寸的颗粒。例如,如果颗粒具有5nm的半径,并且在所述金属表面上提供的金属层具有大于5nm的厚度,则那么所讨论的颗粒可以完全埋入在衬底的所述金属表面上提供的金属层内;结果,所讨论的颗粒将不会延伸到在衬底的所述金属表面上提供的金属层之上,并且因此将不会散射光和/或吸收光,并且因此最终将不会被检测到。为了检测颗粒,该颗粒的一部分必须延伸到在衬底的所述金属表面上提供的金属层之上,使得该颗粒的该部分可以被提供有其自己的相应金属层,并且在颗粒上的金属层和在衬底的所述金属表面上提供的金属层之间将存在间隙。因此,用户选取他们希望检测的最小颗粒尺寸,并确保在衬底的所述金属表面上提供的金属层的预定义厚度低于所述选取的最小颗粒尺寸;这将确保尺寸高于所述选取的最小颗粒尺寸的所有颗粒将突出到在衬底的所述金属表面上提供的金属层之上,并且因此可以被提供有相应金属层,并且在所述颗粒上的相应金属层和衬底的所述金属表面上的金属层之间将存在间隙。
因此,在衬底的所述金属表面上提供的金属层的厚度优选小于所述选取的最小颗粒尺寸。然而,优选的是,所述相应颗粒上的金属层和衬底的所述金属表面上的金属层之间的间隙小(优选在1-5nm之间),因为较小的间隙导致在较低频率下的强混合等离子体共振,在间隙处具有较强的电场增强,并最终导致放大的光吸收和散射,这继而促进颗粒检测。
最优选地,在衬底的所述金属表面上提供的金属层的厚度将至多为最小颗粒尺寸的一半;这将确保待检测的颗粒不会变得完全埋入在所述金属表面上提供的金属层中,并且还促进形成足够小的间隙,以实现光散射的良好放大,从而允许更可靠的颗粒检测。例如,提供在衬底的所述金属表面上提供的具有3-7nm之间厚度的金属层允许检测尺寸为10nm或更大的颗粒。
在所述相应颗粒上的所述金属层可以由单个金属颗粒或多个金属颗粒(例如多个紧密堆积的金属纳米颗粒)组成。
步骤(e)至(g):(e)用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所
述电磁射线被所述颗粒上的金属层散射以分别产生散射的电磁射线;或者用电磁射线照射
所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线的至少一部分被所述颗粒上的金
属层吸收,并且所述电磁射线的另一部分被衬底上的金属表面反射以产生反射的电磁射
线;(f)在光电二极管阵列处接收散射的电磁射线;或者在光电二极管阵列处接收所述反射
的电磁射线;(g)形成包括像素的图像,其中图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光
电二极管,其中所述图像中每个像素的亮度对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的
电磁射线的强度:
接下来,用电磁射线照射每个所述相应颗粒上和金属表面上的所述相应金属层,使得所述电磁射线被所述颗粒上的金属层散射,以分别产生散射的电磁射线(优选地,散射的电磁射线包括瑞利散射的电磁射线);或者用电磁射线照射每个所述相应颗粒上和金属表面上的所述相应金属层,使得所述电磁射线的至少一部分被所述颗粒上的金属层吸收,并且所述电磁射线的另一部分被衬底上的金属表面反射以产生反射的电磁射线。然后,散射的电磁射线在光电二极管阵列处被接收;或者反射的电磁射线在所述光电二极管阵列处被接收。然后是图像,其中图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管,其中所述图像中的每个像素的亮度对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的电磁射线的强度。
在一个实施例中,所述颗粒和金属表面上的所述金属层在暗场设置中用电磁射线照射,并且所述电磁射线的至少一部分被所述颗粒上的金属层散射以产生散射的电磁射线(例如瑞利散射)。散射的电磁射线在光电二极管阵列处被接收,并且然后形成包括像素的暗场图像,其中暗场图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管。所述暗场图像中每个像素的颜色对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的散射的电磁射线的强度。接收较高比例散射的电磁射线的光电二极管将比对应于接收较小比例散射的电磁射线的光电二极管的像素看起来更亮。换句话说,暗场图像中的每个像素具有对应于阵列中对应光电二极管接收到的散射的电磁射线的强度的颜色。已经被所述颗粒上的所述金属层散射的电磁射线在暗场图像中产生明亮颜色的像素。在一个实施例中,暗场图像包括单色图像;在另一实施例中,暗场图像包括多色图像。使用多色图像允许确定与颗粒尺寸相关的关于颗粒共振频率的信息(颗粒顶部具有其金属层以及颗粒顶部的金属层和衬底的金属表面上的金属层之间具有其间隙)。替代地,为了生成多色图像,散射或反射二者任一的电磁波在入射在光电二极管上之前穿过(一个或多个)波长滤波器;优选地,在使用光电二极管或多色光电传感器之前,可以使用衍射光栅来分离波长。
在使用暗场图像的上述实施例中,优选地,电磁射线以与衬底的所述金属表面上的金属层表面平面成90度偏移的角度入射在所述颗粒和金属表面上的所述金属层上。优选地,通过用宽带照明(例如用白光)照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层来提供电磁射线。
在另一实施例中,在所述颗粒和金属表面上的所述金属层用设置的明场中的电磁射线照射,并且所述电磁射线的至少一部分被所述颗粒上的金属层吸收,并且所述电磁射线的另一部分被衬底上的金属表面反射以产生反射的电磁射线。反射的电磁射线在光电二极管阵列处被接收,并且然后形成包括像素的明场图像,其中明场图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管。所述明场图像中每个像素的颜色对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的反射的电磁射线的强度。接收到较高比例的反射的电磁射线的光电二极管将具有对应的像素,该像素将比对应于接收到较低比例的反射的电磁射线的光电二极管的像素看起来更亮。在该实施例中,由于所述电磁射线的一部分被所述颗粒上的金属层吸收,这将导致一些光电二极管接收到的电磁射线的数量减少。
明场图像中的每个像素具有对应于阵列中对应光电二极管接收到的反射的电磁射线的强度的颜色。已经被所述颗粒上的所述金属层吸收的电磁射线将导致明场图像中较暗颜色的像素,因为由于所述颗粒上的所述金属层对那些电磁射线的吸收,对应于那些像素的光电二极管将已经接收到较少的电磁射线。在一个实施例中,明场图像包括单色图像;在另一实施例中,明场图像包括多色图像。使用多色图像允许确定与颗粒尺寸相关的关于颗粒共振频率的信息。替代地,为了生成多色图像,任一电磁波在入射在光电二极管上之前穿过(一个或多个)波长滤波器;优选地,在使用光电二极管或多色光电传感器之前,可以使用衍射光栅来分离波长。
在使用明场图像的所述上述实施例中,电磁射线以优选地与衬底的所述金属表面上的金属层的表面平面大体上成90度的角度入射在所述颗粒和金属表面上的所述金属层上。优选地,通过用宽带照明(例如用白光)照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层来提供电磁射线。
在每个上述实施例中,优选地,通过用宽带照明(例如用白光)照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层。
在又另一实施例中,在明场设置和暗场设置二者中,用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得形成明场图像和暗场图像。
在任何上述实施例的变型中,为了捕获暗场图像或明场图像,用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,用多个不同的光源照射;换句话说,照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层的电磁射线由多个不同的光源提供。最优选地,所述多个不同的光源包括多个不同的光源,每个光源具有不同的频带;这允许确定与颗粒尺寸相关的关于颗粒共振频率的信息。
步骤(h)-处理所述形成的图像以确定所述颗粒特性和/或处理所述形成的图像以
确定流体样品的污染特性:
接下来,处理在上述步骤中形成的图像(即暗场图像和/或明场图像)。一般而言,处理图像的步骤是通过将图像输入到预定义模型来实行的;其中预定义模型定义了预定义图像特性的不同组合和与预定义图像特性的不同组合中的每一个相关联的(样本流体中或表面上的)颗粒的任何预定义特性(例如尺寸;浓度;类型)。模型接收图像;从所述接收到的图像提取特性;并且标识匹配所述提取的特性的预定义图像特性的组合;并且输出与匹配所述提取的特性的所述预定义图像特性的所标识组合相关联的指定特性。应当理解,预定义模型可以采取任何合适的形式;特别地,颗粒的预定义特性可以是任何合适的特性(例如尺寸;浓度;类型)。
例如,在一个实施例中,处理形成的图像以确定流体样本中的颗粒浓度:在该实施例中,捕获的图像被输入到预定义模型,其中预定义模型定义了预定义图像特性的不同组合以及与预定义图像特性的不同组合中的每一个相关联的颗粒浓度。模型接收图像;从所述接收到的图像提取特性;并且标识匹配所述提取的特性的预定义图像特性的组合;并且输出与匹配所述提取的特性的所述预定义图像特性的所标识组合相关联的颗粒浓度。输出的颗粒浓度定义了表面上的颗粒浓度。在另一实施例中,输出的颗粒浓度定义了流体样品中的颗粒浓度。
例如,在一个实施例中,模型从所述接收到的图像提取具有高于预定义阈值灰度值的灰度值的像素数量的特性;并且从高于所述预定义阈值灰度值的所述像素数量确定由相应颗粒上的金属层占据的区域。然后,该模型从该区域导出流体样品中的颗粒浓度。
在另一示例中,处理形成的图像以确定粘着于衬底的金属表面的颗粒的尺寸:在该实施例中,捕获的图像被输入到预定义模型,其中预定义模型定义了预定义图像特性的不同组合以及与预定义图像特性的不同组合中的每一个相关联的颗粒尺寸。模型接收图像;从所述接收到的图像提取特性;并且标识与匹配所述提取的特性的预定义图像特性的组合;并且输出与匹配所述提取的特性的所述预定义图像特性的所标识组合相关联的颗粒尺寸。输出的颗粒尺寸定义了流体样品中颗粒的尺寸。具体地,输出的颗粒尺寸定义了金属表面上的颗粒尺寸,其定义了与所述金属表面接触的流体样品中的颗粒尺寸。
在另一示例中,处理形成的图像以确定粘着于衬底的金属表面的颗粒类型:在该实施例中,捕获的图像被输入到预定义模型,其中预定义模型定义了预定义图像特性的不同组合以及与预定义图像特性的不同组合中的每一个相关联的颗粒类型。模型接收图像;从所述接收到的图像提取特性;并且标识匹配所述提取的特性的预定义图像特性的组合;并且输出与匹配所述提取的特性的所述预定义图像特性的所标识组合相关联的颗粒类型。输出的颗粒类型定义了流体样品中颗粒的类型。具体地,输出的颗粒尺寸定义了金属表面上的颗粒尺寸,其定义了与所述金属表面接触的流体样品中的颗粒尺寸。
在又另一示例中,处理形成的图像以确定流体样本中的颗粒数量:在该实施例中,捕获的图像被输入到预定义模型,其中预定义模型定义了预定义图像特性的不同组合以及与预定义图像特性的不同组合中的每一个相关联的颗粒数量。模型接收图像;从所述接收到的图像提取特性;并且标识匹配所述提取的特性的预定义图像特性的组合;并且输出与匹配所述提取的特性的所述预定义图像特性的所标识组合相关联的颗粒数量。输出的颗粒数量定义了表面上的颗粒数量。在另一实施例中,输出的颗粒浓度定义了流体样品中的颗粒浓度。
在优选实施例中,处理形成的图像以估计流体样品的污染特性。在该实施例中,捕获的图像被输入到预定义模型,其中预定义模型定义了所述流体样本的预定义图像特性和污染特性的不同组合。模型接收图像;从所述接收到的图像提取特性;并且标识匹配所述提取的特性的预定义图像特性的组合;并且输出与匹配所述提取的特性的所述预定义图像特性的所标识组合相关联的所述流体样本的污染特性。从所述流体样品的污染特性来看,优选流体样品污染表面的能力。最优选地,流体样品污染表面的能力是当流体样品接触所述表面时,流体样品污染表面(例如硅晶片的表面)的统计概率。
衬底的可选再使用:
可选地,在上述步骤中使用的衬底可以再使用。为了准备衬底以再用于对另一流体样品施行上述步骤。然而,在衬底可以再使用之前,必须首先准备衬底。为了准备用于再使用的衬底,在衬底的所述金属表面上的所述金属层和已经粘着于衬底的所述金属表面的所述相应颗粒上沉积进一步的金属膜。新的金属膜将用于为衬底提供新的金属表面,并且然后可以针对所述另一种流体样品实行步骤(b)-(g)。
根据本发明的进一步方面,进一步提供了一种组装件,其可操作以执行上面所描述的任何方法实施例,该组装件包括:第一站,包括用于在衬底的表面上沉积金属膜的部件,以在所述衬底上提供光滑的金属表面;第二站,包括用于使所述流体样品在所述金属表面上流动的部件,使得所述流体样品中的颗粒可以粘着于所述金属表面;站,包括用于在所述金属表面和已经粘着于所述金属膜的颗粒上沉积金属层的部件,使得已经粘着于所述金属膜的每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面上没有颗粒的所述区域被提供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在间隙;以及第四站,包括用于用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层的部件,使得所述电磁射线可以被所述颗粒上的金属层散射以产生瑞利散射;光电二极管阵列,其可以接收散射的电磁射线;用于形成包括像素的图像的部件,其中图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管,并且其中每个像素的颜色对应于对应二极管接收到的电磁射线的强度;以及用于处理所述形成的图像以确定流体样品中的颗粒特性的部件。
在不脱离如所附权利要求限定的本发明的范围的情况下,对本发明所描述的实施例的各种修改和变型对于本领域技术人员来说将是显而易见的。尽管已经结合特定的优选实施例描述了本发明,但是应当理解,所要求保护的本发明不应当不适当地限于这样的特定实施例。
Claims (14)
1.一种用于确定流体样品中的颗粒特性和/或用于确定流体样品的污染特性的方法,所述方法包括以下步骤,
(a)在衬底的表面上沉积金属膜,以在所述衬底上提供光滑的金属表面;
(b)使流体样品与衬底的所述金属表面接触;
(c)从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上;
(d)在所述金属表面和保留在衬底的所述金属表面上的所述颗粒上沉积金属层,使得每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面的没有颗粒的区域被提供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在间隙;
(e)用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线被所述颗粒上的金属层散射以分别产生散射的电磁射线;或者用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线的至少一部分被所述颗粒上的金属层吸收,并且所述电磁射线的另一部分被衬底上的金属表面反射以产生反射的电磁射线;
(f)在光电二极管阵列处接收散射的电磁射线;或者在光电二极管阵列处接收所述反射的电磁射线;
(g)形成包括像素的图像,其中图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管,其中所述图像中每个像素的亮度对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的电磁射线的强度;
(h)处理所述形成的图像以确定所述颗粒特性,和/或处理所述形成的图像以确定流体样品的污染特性。
2.根据权利要求1的方法,其中所述方法包括以下步骤,
(a)在衬底的表面上沉积金属膜,以在所述衬底上提供光滑的金属表面;
(b)使流体样品与衬底的所述金属表面接触;
(c)从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上;
(d)在所述金属表面和保留在衬底的所述金属表面上的所述颗粒上沉积金属层,使得每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面的没有颗粒的区域被提供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在间隙;
(e)用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线被所述颗粒上的金属层散射以产生散射的电磁射线;
(f)在光电二极管阵列处接收散射的电磁射线;
(g)形成包括像素的暗场图像,其中图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管,其中所述图像中的每个像素的亮度对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的散射光的强度;
(h)处理所述暗场图像以确定所述颗粒特性和/或处理所述暗场图像以确定流体样品的污染特性。
3.根据权利要求2的方法,其中散射的电磁射线包括瑞利散射的电磁射线。
4.根据权利要求1的方法,其中所述方法包括以下步骤:
(a)在衬底的表面上沉积金属层,以在所述衬底上提供光滑的金属表面;
(b)使流体样品与衬底的所述金属表面接触;
(c)从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上;
(d)在所述金属表面和保留在衬底的所述金属表面上的所述颗粒上沉积金属层,使得每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面的没有颗粒的区域被提供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在间隙;
(e)用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线的至少一部分被所述颗粒上的金属层吸收,并且电磁射线的另一部分被衬底上的金属表面反射以产生反射的电磁射线;
(f)在光电二极管阵列处接收反射的电磁射线;
(g)形成包括像素的明场图像,其中明场图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管,其中所述明场图像中的每个像素的亮度对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的光的强度;
(h)处理所述明场图像以确定所述颗粒特性,和/或处理所述明场图像以确定流体样品的污染特性。
5.根据前述权利要求之一的方法,其中流体样品的污染特性是当流体样品与所述表面接触时,流体样品污染表面的能力。
6.根据前述权利要求中任一项的方法,其中处理所述形成的图像以确定流体样品中的颗粒特性的所述步骤包括处理所述形成的图像以确定流体样品中的颗粒数量;流体样品中的颗粒浓度;流体样品中的颗粒类型;和/或流体样品中的颗粒尺寸中的一个或多个。
7.根据前述权利要求中任一项的方法,进一步包括当所述样品流体与衬底的金属表面接触时使衬底旋转的步骤。
8.根据前述权利要求中任一项的方法,进一步包括从金属表面蒸发样品流体的步骤。
9.根据前述权利要求中任一项的方法,进一步包括选择其特性要被确定的颗粒的最小尺寸;并且其中在所述金属表面和所述金属膜上的颗粒上沉积金属层的步骤包括在所述金属表面和颗粒上沉积金属层,所述金属层具有小于颗粒的所选择的最小尺寸的厚度。
10.根据前述权利要求中任一项的方法,其中处理所述形成的图像以确定流体样品中的颗粒特性的步骤包括将图像输入到预定义模型;其中所述预定义模型定义了预定义图像特性的不同组合以及与预定义图像特性的不同组合中的每一个相关联的颗粒的预定义特性;从所述图像提取特性;以及标识匹配所述提取的特性的预定义图像特性的组合;以及输出与匹配所述提取的特性的所述预定义图像特性的所标识组合相关联的预定义特性。
11.根据前述权利要求中任一项的方法,所述方法进一步包括在所述衬底的所述表面上沉积粘附层的步骤,并且其中步骤(a)包括在所述粘附层上沉积所述金属膜。
12.根据前述权利要求中任一项的方法,其中所述方法进一步包括在所述颗粒上的所述金属层和衬底的金属表面上沉积进一步金属膜,以便在所述衬底上提供新的金属表面,使得衬底可以被再使用。
13.根据权利要求12的方法,其中所述方法进一步包括使用所述衬底针对另一种流体样品重复至少步骤(b)-(h)。
14.一种可操作来执行根据权利要求1所述的方法的组装件,包括:
站,包括用于使流体样品与衬底的所述金属表面接触的部件;
站,包括用于从所述金属表面移除与所述金属表面接触的所述流体样品的部件,使得仅所述流体样品中的颗粒保留在衬底的金属表面上;
站,包括用于在所述金属表面和保留在衬底的所述金属表面上的所述颗粒上沉积金属层的部件,使得每个所述颗粒被提供有相应金属层,并且所述金属表面上没有颗粒的区域被提供有金属层,其中,对于每个颗粒,在颗粒上的金属层和所述金属表面上的金属层之间存在间隙;
站,包括用于用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层的部件,使得所述电磁射线被所述颗粒上的金属层散射,以分别产生散射的电磁射线;或者用电磁射线照射所述颗粒和金属表面上的所述金属层,使得所述电磁射线的至少一部分被所述颗粒上的金属层吸收,并且所述电磁射线的另一部分被衬底上的金属表面反射以产生反射的电磁射线;
站,包括光电二极管阵列,所述站可以在光电二极管阵列处接收散射的电磁射线;或者所述站可以接收所述反射的电磁射线;
站,包括用于形成包括像素的图像的部件,其中图像中的每个像素对应于所述阵列中的相应光电二极管,其中所述图像中的每个像素的亮度对应于与该像素相对应的光电二极管接收到的电磁射线的强度;
站,包括用于处理所述形成的图像以确定所述颗粒特性的部件。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/IB2019/053934 WO2020229876A1 (en) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | A method for determining a characteristic of particles in a fluid sample and/or for determining a contamination characteristic of the fluid sample |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113795744A true CN113795744A (zh) | 2021-12-14 |
Family
ID=67070880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980096366.4A Pending CN113795744A (zh) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | 一种用于确定流体样品中的颗粒特性和/或用于确定流体样品的污染特性的方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11761878B2 (zh) |
EP (1) | EP3969878A1 (zh) |
KR (1) | KR102592554B1 (zh) |
CN (1) | CN113795744A (zh) |
IL (1) | IL285912B2 (zh) |
TW (1) | TWI833904B (zh) |
WO (1) | WO2020229876A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202227806A (zh) * | 2021-01-14 | 2022-07-16 | 瑞士商通用表面增強光譜學股份有限公司 | 用於判定顆粒尺寸之方法 |
US12014483B2 (en) * | 2022-02-14 | 2024-06-18 | International Business Machines Corporation | Analyzing edge closures of metal surface particles based on graph structures |
WO2023209426A1 (en) | 2022-04-29 | 2023-11-02 | Unisers Ltd | A method for determining which of a plurality of liquids pose the highest risk of depositing particle impurities on a surface of a wafer |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5225886A (en) * | 1989-09-18 | 1993-07-06 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for detecting foreign substances |
GB2388189B (en) | 2002-04-29 | 2006-01-11 | Robert Jeffrey Geddes Carr | Optical detection and analysis of particles |
JP3978498B2 (ja) | 2004-02-09 | 2007-09-19 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単一分子ラマン分光用金属ナノ三角柱構造アレイ基板の形成方法及びそれによる単一分子分析法 |
CA2681523C (en) * | 2007-03-20 | 2017-11-28 | Kristin Weidemaier | Assays using surface-enhanced raman spectroscopy (sers)-active particles |
US20080280374A1 (en) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | General Electric Company | Methods and systems for detecting biological and chemical materials on a submicron structured substrate |
KR101530047B1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-22 | 주식회사 창강화학 | 광학 부재 및 이를 구비하는 표시 장치 |
CA2976633A1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | Lamdagen Corporation | Digital lspr for enhanced assay sensitivity |
JPWO2016088236A1 (ja) | 2014-12-04 | 2017-09-21 | オリンパス株式会社 | 液体試料の成分分析方法 |
GB201603088D0 (en) * | 2016-02-23 | 2016-04-06 | Isis Innovation | Cell sorting |
US10386331B2 (en) * | 2016-04-08 | 2019-08-20 | International Business Machines Corporation | Particle manipulation and trapping in microfluidic devices using two-dimensional material |
FR3063147B1 (fr) | 2017-02-20 | 2023-08-25 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur optique de particules |
EP3401670A1 (en) * | 2017-05-10 | 2018-11-14 | ETH Zurich | Method, uses of and device for surface enhanced raman spectroscopy |
WO2019084515A1 (en) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Essenlix Corporation | DEVICES AND METHODS FOR COLORING TISSUES AND CELLS |
US20220057315A1 (en) * | 2019-01-23 | 2022-02-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Particle monitoring |
-
2019
- 2019-05-13 EP EP19733866.8A patent/EP3969878A1/en active Pending
- 2019-05-13 IL IL285912A patent/IL285912B2/en unknown
- 2019-05-13 CN CN201980096366.4A patent/CN113795744A/zh active Pending
- 2019-05-13 US US17/605,032 patent/US11761878B2/en active Active
- 2019-05-13 WO PCT/IB2019/053934 patent/WO2020229876A1/en active Application Filing
- 2019-05-13 KR KR1020217031519A patent/KR102592554B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-02-18 TW TW109105154A patent/TWI833904B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11761878B2 (en) | 2023-09-19 |
IL285912B1 (en) | 2024-02-01 |
US20220214263A1 (en) | 2022-07-07 |
KR20220005439A (ko) | 2022-01-13 |
TWI833904B (zh) | 2024-03-01 |
IL285912B2 (en) | 2024-06-01 |
TW202041845A (zh) | 2020-11-16 |
IL285912A (en) | 2021-10-31 |
EP3969878A1 (en) | 2022-03-23 |
KR102592554B1 (ko) | 2023-10-23 |
WO2020229876A1 (en) | 2020-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI833904B (zh) | 測定一流體樣本之顆粒特性及/或測定該流體樣本之污染特性的方法 | |
TWI764979B (zh) | 用於光譜組成分析之晶圓粒子缺陷之活化 | |
JP4759228B2 (ja) | 反射率測定によるエッジビード除去の検査 | |
CN110753838B (zh) | 表面增强拉曼光谱的方法、用途和装置 | |
TWI512865B (zh) | 晶圓邊緣檢查技術 | |
FR2482783A1 (fr) | Procede de detection de l'instant final pour un traitement d'attaque physique | |
CZ378297A3 (cs) | Odstranění materiálu polarizovaným zářením a působením záření na spodní stranu | |
JP2012533737A (ja) | パターン付き層上における改良された感度のための光学的欠陥増幅 | |
Ioanid et al. | Surface changes upon high-frequency plasma treatment of heritage photographs | |
JP2005208046A (ja) | 反応性硬化樹脂の硬化状態測定装置及び方法 | |
US7471762B2 (en) | Total reflection X-ray fluorescence analysis method | |
TW201307620A (zh) | 銅膜蝕刻工序控制方法及銅膜蝕刻液組合物的再生方法 | |
US20050117165A1 (en) | Semiconductor etching process control | |
WALTON et al. | Preparation of ultra thin polystyrene, polypropylene and polyethylene films on Si substrate using spin coating technology | |
US20060001868A1 (en) | System and method for spectroscopy and imaging | |
EP3822622B1 (en) | X-ray analysis system, x-ray analysis device, and vapor phase decomposition device | |
WO2010009253A1 (en) | Systems and methods for detecting scratches on non-semiconductor wafer surfaces | |
JP5887760B2 (ja) | 半導体装置の検査方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2001147198A (ja) | 試料表面の付着物検査システム,試料表面の付着物検査方法,試料表面の付着物除去システム,試料表面の付着物固着システム並びに試料表面の付着物処理システム | |
FR2849180A1 (fr) | Procede et appareil pour la mesure sans contact de l'epaisseur d'un revetement sur un substrat | |
JPH07221148A (ja) | 表面汚染評価装置及び表面汚染評価方法 | |
JPH06208989A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20230408413A1 (en) | Single sensor imaging spectroscopy for detecting nanoparticles to qualify clean chamber parts | |
JP2706920B2 (ja) | 光学材料の表面処理方法 | |
FR2902514A1 (fr) | Procede pour controler l'epaisseur d'un revetement sur un substrat |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |