CN113792516A - 电磁屏蔽构件电路的优化方法和电磁屏蔽构件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电磁屏蔽构件电路的优化方法和电磁屏蔽构件，其中电磁屏蔽构件电路的优化方法包括以下步骤：在待优化可透光基板的面积S上截取待优化导电层的截面，以获取截面积A；通过xA＝B以获得B，其中所述x大于等于0.5；以及根据所述B设计出优化导电层，所述B为在优化可透光基板的面积S上的相同位置截取优化导电层的截面的截面积。本发明的技术方案旨在面对相同的待设计的电磁屏蔽构件电路时，都能设计出相同的电磁屏蔽电路，该电磁屏蔽电路具有电磁波转换电流卸载效果，电磁屏蔽电路使线路不可视同时具有等效屏蔽功能。
Description
技术领域
本发明涉及电磁屏蔽技术领域，特别涉及一种电磁屏蔽构件电路的优化方法和电磁屏蔽构件。
背景技术
电磁屏蔽构件的技术日益成熟，然而对电磁屏蔽构件中导电层的优化还处于凭经验进行设计，可以理解，每个人的经验是不同的，如此，设计出的导电层各有不同，良莠不齐。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种电磁屏蔽构件电路的优化方法，旨在面对相同的待优化导电层时，都能设计出相同的优化导电层。
为实现上述目的，本发明提出的电磁屏蔽构件电路的优化方法包括以下步骤：
在待优化可透光基板的面积S上截取待优化导电层的截面，以获取截面积A；
通过xA＝B以获得B，其中所述x大于或等于0.5；以及
根据所述B设计出优化导电层，所述B为在优化可透光基板的面积S上的相同位置截取优化导电层的截面的截面积。
可选地，所述x的范围为大于或等于0.5，且小于或等于3。
可选地，所述根据所述B设计出优化导电层的步骤之后包括：
通过xA＝B1+B2+B3...+Bn设计优化导电层，以使所述优化导电层呈网格状，其中所述B包括B1、B2、B3...Bn，B1、B2、B3...Bn为在所述优化可透光基板的面积S上的相同位置截取所述优化导电层的截面的截面积。
可选地，所述通过xA＝B1+B2+B3...+Bn设计优化导电层的步骤之后包括：
将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成多边形。
可选地，所述将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成多边形的步骤之后包括：
将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成菱形。
可选地，所述将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成菱形的步骤之后包括：
将所述优化导电层的第一网孔的孔口一夹角的角度范围设置成30度至60度。
可选地，所述根据所述B设计出优化导电层的步骤之后包括：
将所述优化导电层设置出两个；
将一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板的一侧；
将另一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板相对的另一侧。
可选地，所述将另一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板相对的另一侧的步骤之后包括：
自所述优化可透光基板的一侧朝相对的另一侧的方向上看，将一所述优化导电层的网格线遮挡另一所述优化导电层的网格线。
可选地，所述根据所述B设计出优化导电层的步骤之后包括：
将所述优化导电层分隔出多个朝第一方向延伸的第一电极列和多个朝第二方向延伸的第二电极列，其中，多个所述第一电极列间隔设置，多个所述第二电极列间隔设置。
本发明还提出一种电磁屏蔽构件，采用前述的电磁屏蔽构件电路的优化方法设计而成。
本发明的技术方案中，通过公式xA＝B，其中x大于1，仅需要输入待设计的电磁屏蔽构件电路的导电层的截面积A，就能得到截面积B，根据截面积B设计出电磁屏蔽构件电路，如此，面对相同的待优化导电层时，都能设计出相同的优化导电层，统一了设计方法，避免因经验不同而设计出良莠不齐的导电层，另外，因为x大于1，则B大于A，从而提高了对电磁波在已设计导电层上感应产生的电流的导出速度，电磁屏蔽效果更加显著，当然，考虑到一优化导电层与另一优化导电层存在并联情形，则x大于或等于0.5。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明电磁屏蔽构件电路的优化方法一实施例的流程示意图；
图2为图1的细化流程示意图；
图3为图1的细化流程示意图；
图4为图1的细化流程示意图；
图5为本发明一实施例的待优化透明基板和待优化导电层的结构示意图；
图6为本发明一实施例的优化透明基板和优化导电层的结构示意图；
图7为本发明一实施例的两优化导电层网格线重叠的结构示意图；
图8为本发明一实施例的两优化导电层网格线错位的结构示意图；
图9为本发明一实施例的第一电极列和第二电极列的结构示意图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 710 | 待优化可透光基板 | 720 | 待优化导电层 |
| 721 | 待优化导电层的截面 | 810 | 优化可透光基板 |
| 820 | 优化导电层 | 821 | 网格 |
| 822 | 优化导电层的截面 | 910 | 第一电极列 |
| 920 | 第二电极列 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种电磁屏蔽构件电路的优化方法。
参照图1、图5和图6，在本发明一实施例中，该电磁屏蔽构件电路的优化方法包括以下步骤：
步骤S100，在待优化可透光基板的面积S上截取待优化导电层的截面，以获取截面积A；
步骤S200，通过xA＝B以获得B，其中所述x大于等于1；以及
步骤S300，根据所述B设计出优化导电层，所述B为在优化可透光基板的面积S上的相同位置截取优化导电层的截面的截面积。
本发明的技术方案中，通过公式xA＝B，其中x大于1，仅需要输入待设计的电磁屏蔽构件电路的导电层的截面积A，就能得到截面积B，根据截面积B设计出电磁屏蔽构件电路，如此，面对相同的待优化导电层720时，都能设计出相同的优化导电层820，统一了设计方法，避免因经验不同而设计出良莠不齐的导电层，另外，因为x大于1，则B大于A，从而提高了对电磁波在已设计导电层上感应产生的电流的导出速度，电磁屏蔽效果更加显著，当然，考虑到一优化导电层与另一优化导电层存在并联情形，则x大于或等于0.5。
其中A为待优化导电层的截面721的截面积，B为优化导电层的截面822的截面积，图5所示待优化可透光基板710。优化可透光基板810的材质可配置为玻璃或透明高分子材质。玻璃可为钠硅玻璃、钠钙硅玻璃、钾硅玻璃、铝硅玻璃等，但不以此为限；透明高分子，如聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate，PMMA)、透明聚酰亚胺(Polyimide，PI)、透明聚酰胺(Polyamide，PA)或聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)材料等，但不以此为限，优化可透光基材的穿透率需大于90％。
可选地，在本实施例中，所述x的范围为大于或等于0.5，且小于或等于3，可以理解，x的值过大会导致B增大，从而屏蔽电磁波的能力会得到极大地提高，然而B过大也会增加优化导电层的制作成本上升，另外在满足屏蔽电磁波的需求的情况下，过高的电磁波屏蔽能力还易造成资源浪费。具体地，x的范围为大于或等于1，且小于或等于1.5。
可选地，在本实施例中，步骤S300之后包括：
参照图2和参照图9，步骤401，通过xA＝B1+B2+B3...+Bn设计优化导电层，以使所述优化导电层呈网格状，其中所述B包括B1、B2、B3...Bn，B1、B2、B3...Bn为在所述优化可透光基板的面积S上的相同位置截取所述优化导电层的截面的截面积，具体为，优化导电层820的被截取的网格线的截面积，从而使得优化导电层820导电层具备透光性，值得一提的是，优化导电层820的可视性极大下降，因为此时优化导电层820的网格线细而密。
可选地，在本实施例中，步骤401之后包括：
步骤402，将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成多边形，进一步提高电磁屏蔽效果。当然，在其他实施例中，将优化导电层的第一网孔的孔口设计成可但不限于圆形或异形。
可选地，在本实施例中，步骤402之后包括：
步骤403，将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成菱形，进一步提高电磁屏蔽效果。
可选地，在本实施例中，步骤403之后包括：
步骤404，将所述优化导电层的第一网孔的孔口一夹角的角度范围设置成30度至60度，进一步提高电磁屏蔽效果，并且当具有优化导电层820的优化电磁屏蔽构件应用于屏幕时，可以抑制摩尔纹的产生，其中，屏幕包括触摸屏和显示屏，电磁屏蔽构件可但不限于设于触摸屏和显示屏之间。
可选地，参照图3，在本实施例中，步骤S300之后包括：
步骤S501，将所述优化导电层设置出两个；
将一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板的一侧；
将另一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板相对的另一侧。
如此，进一步提高了电磁屏蔽能力。
可选地，在本实施例中，步骤S501之后包括：
步骤S502，参照图4和图7，自所述优化可透光基板的一侧朝相对的另一侧的方向上看，将一所述优化导电层的网格线遮挡另一所述优化导电层的网格线，进一步提高了优化电磁屏蔽构件的透光性，具体地，在本实施例中，两优化导电层820的网格线重叠设置，当然，在其他实施例中，参照图不，两优化导电层820的网格线可错位设置。
可选地，一并参照图9，在本实施例中，步骤S300之后包括：
将所述优化导电层分隔出多个朝第一方向延伸的第一电极列和多个朝第二方向延伸的第二电极列，其中，多个所述第一电极列910间隔设置，多个所述第二电极列920间隔设置。在本实施例中，第一方向与第二方向不同，多个第一电极列910与多个第二电极列920相互交错形成网格821，在其他事实施例中，第一方向与第二方向相同，也即多个第一电极列与多个第二电极列相互并行且间隔设置，可以理解，此时的间隔应做广义理解，应理解为网格。
需要指出的是，步骤S401、S501和S601可不分前后顺序混合使用。
具体地，在设计出的优化导电层820的一实施例中，优化导电层820的厚度为2μm，网格线线宽为15μm，线距为150μm，其中优化导电层820为x＝1的条件下的设计。优化导电层820的网格线已不可视，穿透率可达70％以上，且有效实现18-40GHz高频波段遮蔽效果可超过30dB的要求。
本发明还提出一种电磁屏蔽构件，所述电磁屏蔽构件采用前述各实施例所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法设计而成。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，包括以下步骤：
在待优化可透光基板的面积S上截取待优化导电层的截面，以获取截面积A；
通过xA＝B以获得B，其中所述x大于或等于0.5；以及
根据所述B设计出优化导电层，所述B为在优化可透光基板的面积S上的相同位置截取优化导电层的截面的截面积。
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述x的范围为大于或等于0.5，且小于或等于3。
3.如权利要求1所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述根据所述B设计出优化导电层的步骤之后包括：
通过xA＝B1+B2+B3...+Bn设计优化导电层，以使所述优化导电层呈网格状，其中所述B包括B1、B2、B3...Bn，B1、B2、B3...Bn为在所述优化可透光基板的面积S上的相同位置截取所述优化导电层的截面的截面积。
4.如权利要求3所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述通过xA＝B1+B2+B3...+Bn设计优化导电层的步骤之后包括：
将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成多边形。
5.如权利要求4所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成多边形的步骤之后包括：
将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成菱形。
6.如权利要求5所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成菱形的步骤之后包括：
将所述优化导电层的第一网孔的孔口一夹角的角度范围设置成30度至60度。
7.如权利要求1所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述根据所述B设计出优化导电层的步骤之后包括：
将所述优化导电层设置出两个；
将一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板的一侧；
将另一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板相对的另一侧。
8.如权利要求7所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述将另一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板相对的另一侧的步骤之后包括：
自所述优化可透光基板的一侧朝相对的另一侧的方向上看，将一所述优化导电层的网格线遮挡另一所述优化导电层的网格线。
9.如权利要求1至8任一项所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述根据所述B设计出优化导电层的步骤之后包括：
将所述优化导电层分隔出多个朝第一方向延伸的第一电极列和多个朝第二方向延伸的第二电极列，其中，多个所述第一电极列间隔设置，多个所述第二电极列间隔设置。
10.一种电磁屏蔽构件，其特征在于，采用权利要求1至9任一项所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法设计而成。
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