CN113778472A - Flash芯片烧写方法、装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该方法包括：向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。该方法通过显示驱动芯片对FLASH芯片进行烧写，简化了目前FLASH烧写方法操作过程，提高了FLASH芯片的烧写效率。

Description

FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备

技术领域

本发明涉及电子设备制造技术领域，尤其是涉及一种FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备。

背景技术

随着显示技术的不断发展，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体屏幕有望成为下一代显示技术的主导技术。由于有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体屏幕的生产制造方面还未成熟，所以目前的有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体屏幕存在显示缺陷，需要通过算法对该显示缺陷进行补偿。该补偿技术需要在出厂时向FLASH芯片烧写补偿数据。

目前，FLASH烧写方法多以烧录器烧写为主，当FLASH芯片用于存储有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体屏幕相关数据时，需要在FPC电路上预留出用于烧写操作的引脚，从而与烧写设备相连。一方面，在烧写的过程中该烧写设备与该引脚需要进行对位，从而导致目前的FLASH烧写方法操作过程复杂，导致烧写效率低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备，以简化目前FLASH烧写方法操作过程，以提高FLASH芯片的烧写效率。

第一方面，本发明实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法，其中，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该方法包括：向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，该显示驱动芯片与终端设备相连；向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据的步骤包括：如果接收到该终端设备发送的控制指令，向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据。

结合第一方面的第一种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果的步骤，包括：向该待烧写芯片发送读取指令，如果该补偿数据被全部读取，确定该待烧写芯片烧写成功；否则，确定该待烧写芯片烧写失败；其中，该读取指令中携带有读起始地址，该读起始地址和该编程起始地址相同。

结合第一方面的第二种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，在确定该待烧写芯片烧写成功的步骤之后，该方法还包括：向该终端设备返回该补偿数据读取完成的通知信息。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成的步骤，包括：该待烧写芯片在接收到该编程指令后，获取该编程指令中携带的编程起始地址，从该编程起始地址开始以地址自加的方式烧写该补偿数据，直至该补偿数据烧写完成。

结合第一方面的第四种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，从该编程起始地址开始以地址自加的方式烧写该补偿数据，直至该补偿数据烧写完成的步骤，包括：从该编程起始地址开始以地址自加的方式烧写该补偿数据，并检测该待烧写芯片中用于指示编程状态的标志位的值，如果检测到该标志位的值为0，确定烧写完成，停止烧写操作。

结合第一方面的第五种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，该方法还包括：如果检测到该标志位的值为1，暂停检测该标志位的值，直至达到预设等待时长，重新检测该标志位的值。

结合第一方面至第一方面的第六种可能的实施方式任一项的FLASH芯片烧写方法，本发明实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中，该显示屏幕为有源矩阵有机发光二极体屏幕或主动矩阵有机发光二极体屏幕。

第二方面，本实施例还提供了一种FLASH芯片烧写装置，其中，该装置应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该装置包括：烧写启动模块，用于向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；烧写读取模块，用于将向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。

第三方面，本发明实施例还提供了一种电子设备，其中，该电子设备包括处理器和存储器，该存储器存储有能够被该处理器执行的计算机可执行指令，该处理器执行该计算机。

本发明实施例带来了以下有益效果：

本发明实施例提供的一种FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该方法包括：向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。该方法通过显示驱动芯片对FLASH芯片进行烧写，简化了目前FLASH烧写方法操作过程，提高了FLASH芯片的烧写效率。

本实施例公开的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，或者，部分特征和优点可以从说明书推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本公开的上述技术即可得知。

为使本公开的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法流程示意图；

图2为本发明实施例提供了另一种FLASH芯片烧写方法流程示意图；

图3为本发明实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法的烧写操作时序图；

图4为本发明实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法的读取操作时序图；

图5为本发明实施例提供了一种FLASH芯片烧写装置示意图；

图6为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

图标：51-烧写启动模块；52-烧写读取模块；61-存储器；62-处理器；63-总线；64-通信接口。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

目前，FLASH烧写方法多以烧录器烧写为主，当FLASH芯片用于存储AMOLED(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)屏幕相关数据时，需要在FPC电路上预留出用于烧写操作的引脚，从而与烧写设备相连。一方面，在烧写的过程中该烧写设备与该引脚需要进行对位，从而导致目前的FLASH烧写方法操作过程复杂，导致烧写效率低。

基于此，本发明实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备，该技术可以缓解上述技术问题，该技术通过显示驱动芯片对FLASH芯片进行烧写，简化了目前FLASH烧写方法操作过程，提高了FLASH芯片的烧写效率。为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种FLASH芯片烧写方法进行详细介绍。

实施例1

如图1所示，为本发明实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法流程示意图，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该方法包括：

步骤S101：向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成。

在本实施例中，该显示驱动芯片启动烧写操作，然后向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据。其中，该补偿数据用于补偿显示屏幕的显示缺陷。

在编程的过程中，根据该编程指令中携带的编程起始地址进行编程，该起始地址执行自加操作，直到该补偿数据烧写完成。

步骤S102：向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。

在本实施例中，当补偿数据烧写完成后，该显示驱动芯片向该待烧写芯片发送对该补偿数据的读取指令，根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果，从而确认烧写操作完成。

本发明实施例提供的一种FLASH芯片烧写方法，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该方法包括：向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。该方法通过显示驱动芯片对FLASH芯片进行烧写，简化了目前FLASH烧写方法操作过程，提高了FLASH芯片的烧写效率。

实施例2

在图1的基础上，本实施例还提供了另一种FLASH芯片烧写方法，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据。其中，该显示屏幕为有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体屏幕。

图2为本发明实施例提供了另一种FLASH芯片烧写方法流程示意图，其中，该显示驱动芯片与终端设备相连，该方法由图2所见：

步骤S201：如果接收到该终端设备发送的控制指令，向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据。

在本实施例中，该终端设备为具有编程功能的上位机，如果接到该上位机发送的烧写控制指令，该显示驱动芯片向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据。

步骤S202：向该待烧写芯片发送编程指令和所述补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成。

在其中一种实施方式中，该待烧写芯片在接收到所述编程指令后，获取该编程指令中携带的编程起始地址，从该编程起始地址开始以地址自加的方式烧写所述补偿数据，直至该补偿数据烧写完成。

在另一种实施方式中，上述方法还包括：从该编程起始地址开始以地址自加的方式烧写所述补偿数据，并检测该待烧写芯片中用于指示编程状态的标志位的值，如果检测到所述标志位的值为0，确定烧写完成，停止烧写操作。

进一步的，如果检测到该标志位的值为1，暂停检测该标志位的值，直至达到预设等待时长，重新检测该标志位的值。这里，上述步骤的执行次数可以根据需求设置为多次，通常情况下设置为两次，在两次等待该预设等待时长后，如果仍检测该标志位为1时，该显示驱动芯片会自动生成错误标志位。并且，该方法还包括：该显示驱动芯片生成故障信息，并将该故障信息发送给该上位机。

为了便于理解，图3为本发明实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法的烧写操作时序图。

步骤S203：向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。

在本实施例中，向该待烧写芯片发送读取指令，如果该补偿数据被全部读取，确定该待烧写芯片烧写成功；否则，确定该待烧写芯片烧写失败；其中，该读取指令中携带有读起始地址，所述读起始地址和该编程起始地址相同。

在其中一种实施方式中，在确定所述待烧写芯片烧写成功的步骤之后，所述方法还包括：向该终端设备返回所述补偿数据读取完成的通知信息。其中，该终端设备为上位机。

为了便于理解，图4为本发明实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法的读取操作时序图。

本发明实施例提供的一种FLASH芯片烧写方法，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该方法包括：如果接收到该终端设备发送的控制指令，向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据；向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。该方法通过终端设备控制显示驱动芯片对FLASH芯片进行烧写，简化了目前FLASH烧写方法操作过程，进一步提高了FLASH芯片的烧写效率。

实施例3

本发明实施例还提供一种FLASH芯片烧写装置，如图5所示，为本发明实施例提供了一种FLASH芯片烧写装置示意图，其中，该装置应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该装置包括：

烧写启动模块51，用于向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成。

烧写读取模块52，用于将向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。

其中，上述烧写启动模块51和烧写读取模块52相连。

在其中一种可能的实施方式中，上述烧写启动模块51还用于如果接收到该终端设备发送的控制指令，向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据。

在其中一种可能的实施方式中，上述烧写读取模块52还用于向该待烧写芯片发送读取指令，如果该补偿数据被全部读取，确定该待烧写芯片烧写成功；否则，确定该待烧写芯片烧写失败；其中，该读取指令中携带有读起始地址，所述读起始地址和所述编程起始地址相同。

在其中一种可能的实施方式中，上述烧写读取模块52还用于向该终端设备返回该补偿数据读取完成的通知信息。

在其中一种可能的实施方式中，上述烧写启动模块51还用于在该待烧写芯片在接收到所述编程指令后，获取该编程指令中携带的编程起始地址，从该编程起始地址开始以地址自加的方式烧写所述补偿数据，直至该补偿数据烧写完成。

在其中一种可能的实施方式中，上述烧写启动模块51还用于从该编程起始地址开始以地址自加的方式烧写所述补偿数据，并检测该待烧写芯片中用于指示编程状态的标志位的值，如果检测到该标志位的值为0，确定烧写完成，停止烧写操作。其中，如果检测到该标志位的值为1，暂停检测所述标志位的值，直至达到预设等待时长，重新检测该标志位的值。

本发明实施例提供的FLASH芯片烧写装置，与上述实施例提供的FLASH芯片烧写方法具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

实施例4

本实施例提供了一种电子设备，包括处理器和存储器，该存储器存储有能够被该处理器执行的计算机可执行指令，该处理器执行该计算机可执行指令以实现FLASH芯片烧写方法的步骤。

本实施例提供了一种计算机可读存储介质，其中存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现FLASH芯片烧写方法的步骤。

参见图6所示的一种电子设备的结构示意图，该电子设备包括：存储器61、处理器62，存储器61中存储有可在处理器62上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述FLASH芯片烧写方法提供的步骤。

如图6所示，该设备还包括：总线63和通信接口64，处理器62、通信接口64和存储器61通过总线63连接；处理器62用于执行存储器61中存储的可执行模块，例如计算机程序。

其中，存储器61可能包含高速随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。通过至少一个通信接口64(可以是有线或者无线)实现该系统网元与至少一个其他网元之间的通信连接，可以使用互联网，广域网，本地网，城域网等。

总线63可以是ISA总线、PCI总线或EISA总线等。总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图6中仅用一个双向箭头表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。

其中，存储器61用于存储程序，处理器62在接收到执行指令后，执行程序，前述本发明任一实施例揭示FLASH芯片烧写装置所执行的方法可以应用于处理器62中，或者由处理器62实现。处理器62可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器62中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器62可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，简称CPU)、网络处理器(Network Processor，简称NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital SignalProcessing，简称DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，简称FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器61，处理器62读取存储器61中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。

进一步地，本发明实施例还提供了一种机器可读存储介质，该机器可读存储介质存储有机器可执行指令，该机器可执行指令在被处理器62调用和执行时，机器可执行指令促使处理器62实现上述FLASH芯片烧写方法。

本发明实施例提供的电子设备和计算机可读存储介质具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。

另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

Claims (10)

1.一种FLASH芯片烧写方法，其特征在于，所述方法应用于显示驱动芯片，所述显示驱动芯片与待烧写芯片相连；所述待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；所述方法包括：

向所述待烧写芯片发送编程指令和所述补偿数据，以使所述待烧写芯片在接收到所述编程指令后，根据所述编程指令中携带的编程起始地址，执行对所述补偿数据的烧写操作，直至所述补偿数据烧写完成；

向所述待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认所述待烧写芯片的烧写结果。

2.根据权利要求1所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，所述显示驱动芯片与终端设备相连；向所述待烧写芯片发送编程指令和所述补偿数据的步骤包括：

如果接收到所述终端设备发送的控制指令，向所述待烧写芯片发送编程指令和所述补偿数据。

3.根据权利要求2所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，所述向所述待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认所述待烧写芯片的烧写结果的步骤，包括：

向所述待烧写芯片发送读取指令，如果所述补偿数据被全部读取，确定所述待烧写芯片烧写成功；否则，确定所述待烧写芯片烧写失败；其中，所述读取指令中携带有读起始地址，所述读起始地址和所述编程起始地址相同。

4.根据权利要求3所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，在确定所述待烧写芯片烧写成功的步骤之后，所述方法还包括：

向所述终端设备返回所述补偿数据读取完成的通知信息。

5.根据权利要求1所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，所述待烧写芯片在接收到所述编程指令后，根据所述编程指令中携带的编程起始地址，执行对所述补偿数据的烧写操作，直至所述补偿数据烧写完成的步骤，包括：

所述待烧写芯片在接收到所述编程指令后，获取所述编程指令中携带的编程起始地址，从所述编程起始地址开始以地址自加的方式烧写所述补偿数据，直至所述补偿数据烧写完成。

6.根据权利要求5所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，从所述编程起始地址开始以地址自加的方式烧写所述补偿数据，直至所述补偿数据烧写完成的步骤，包括：

从所述编程起始地址开始以地址自加的方式烧写所述补偿数据，并检测所述待烧写芯片中用于指示编程状态的标志位的值，如果检测到所述标志位的值为0，确定烧写完成，停止烧写操作。

7.根据权利要求6所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，所述方法还包括：

如果检测到所述标志位的值为1，暂停检测所述标志位的值，直至达到预设等待时长，重新检测所述标志位的值。

8.根据权利要求1-7任一项所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，所述显示屏幕为有源矩阵有机发光二极体屏幕或主动矩阵有机发光二极体屏幕。

9.一种FLASH芯片烧写装置，其特征在于，所述装置应用于显示驱动芯片，所述显示驱动芯片与待烧写芯片相连；所述待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；所述装置包括：

烧写启动模块，用于向所述待烧写芯片发送编程指令和所述补偿数据，以使所述待烧写芯片在接收到所述编程指令后，根据所述编程指令中携带的编程起始地址，执行对所述补偿数据的烧写操作，直至所述补偿数据烧写完成；

烧写读取模块，用于将向所述待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认所述待烧写芯片的烧写结果。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机可执行指令，所述处理器执行所述计算机可执行指令以实现权利要求1至8任一项所述的FLASH芯片烧写方法。

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