CN113764540A - 具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构 - Google Patents
具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113764540A CN113764540A CN202110090914.1A CN202110090914A CN113764540A CN 113764540 A CN113764540 A CN 113764540A CN 202110090914 A CN202110090914 A CN 202110090914A CN 113764540 A CN113764540 A CN 113764540A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- solution
- solar cell
- tio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 220
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 92
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims abstract description 65
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 62
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 40
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 263
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 105
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 101100425816 Dictyostelium discoideum top2mt gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and finally Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 101150082896 topA gene Proteins 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构，本制备方法包括：对第一FTO衬底预处理得到第二FTO衬底；在第二FTO衬底的部分上表面旋涂TiO2溶液得到TiO2电子传输层；在TiO2电子传输层的上表面旋涂PbBr2溶液得到PbBr2层；在PbBr2层的上表面旋涂PMMA溶液得到PMMA超薄隔阻层；在PMMA超薄隔阻层的上表面旋涂PbCl2溶液得到第一基底；对第一基底进行加热得到第二基底；在第二基底的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底；在第三基底的上表面淀积碳浆得到阳极碳电极，以制备具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池。本太阳能电池中的CsPbBr3层和CsPbBrCl2层具有不同的禁带宽度，可提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，极大的抑制了光生载流子间的复合，有利于载流子的提取和传输。
Description
技术领域
本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，具体涉及一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构。
背景技术
钙钛矿太阳能电池利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池，属于第三代太阳能电池。有机金属卤化物钙钛矿的优点显著，具有带隙可调、载流子扩散长度长、迁移率高、缺陷密度低等诸多优异的光、电学性质，这使得钙钛矿太阳能电池具有同硅基太阳能电池相当的效率，此外由于其光电转换效率高、制备工艺简单且成本低廉等潜在优势，使其成为了近年来光电器件研究领域的热点。
目前，由于有机-无机杂化铅卤钙钛矿包含有易挥发、亲水性的有机阳离子组份，使得它们在高温、高湿或者持续光照条件下易于分解而退化。因此，在高温、高湿或者持续光照等极端条件下，有机-无机杂化铅卤钙钛矿太阳能电池在可靠性差的问题难以避免，另一方面，大多数钙钛矿光伏器件包含有机的电荷传输层和金属电极，前者自身就有稳定性差的问题。加之，器件金属电极中的原子倾向于扩散至有机-无机杂化铅卤钙钛矿薄膜/电荷传输层界面，与薄膜中的卤素发生化学反应，进一步加剧了器件的衰退。
然而，碳基CsPbBr3-xClx无机钙钛矿太阳能电池完全避免了使用稳定性较差的有机-无机杂化铅卤钙钛矿材料、有机电荷传输材料以及金属电极，因而成为克服钙钛矿光伏器件所面临的可靠性问题的重要途径之一，同时，由于采用了廉价的碳电极取代了金属电极和有机电荷传输层，器件的制造成本得到了进一步的降低。碳基CsPbBr3-xClx无机钙钛矿光活性层通常采用一步溶液旋涂法或两步旋涂法来制备，但是，单层的光活性层对光谱利用范围有限，限制了器件的光电转换效率，光生电流随之减小，光活性层与碳电极的界面能级不匹配，界面处形成较多的缺陷，使得载流子的提取和传输受限，极易导致光生载流子的复合，较多的缺陷还也会一定程度上影响钙钛矿对于水和氧的稳定性，使得其性能发生严重的退化。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
本发明的一个实施例提供了一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，包括：
对第一FTO衬底进行预处理得到第二FTO衬底；
在所述第二FTO衬底的部分上表面旋涂TiO2溶液得到TiO2电子传输层；
在所述TiO2电子传输层的上表面旋涂PbBr2溶液得到PbBr2层；
在所述PbBr2层的上表面旋涂PMMA溶液得到PMMA超薄隔阻层；
在所述PMMA超薄隔阻层的上表面旋涂PbCl2溶液得到第一基底，所述第一基底由从下到上依次层叠的所述第二FTO衬底、所述TiO2电子传输层、所述PbBr2层、所述PMMA超薄隔阻层和PbCl2层组成；
对所述第一基底进行加热得到第二基底，所述第二基底由从下到上依次层叠的所述第二FTO衬底、所述TiO2电子传输层、所述PbBr2层和所述PbCl2层组成；
在所述第二基底的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底，所述第三基底由从下到上依次层叠的所述第二FTO衬底、所述TiO2电子传输层、CsPbBr3层和CsPbBrCl2层组成；
在所述第三基底的上表面淀积碳浆得到阳极碳电极，以制备具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池。
在本发明的一个实施例中，在所述第二FTO衬底的剩余部分的上表面设置有阴电极。
在本发明的一个实施例中，对所述第一基底进行加热得到第二基底，包括：
对所述第一基底进行加热使所述PMMA超薄隔阻层遇热分解蒸发，以制备所述第二基底。
在本发明的一个实施例中，利用高温热台对所述第一基底进行加热，所述高温热台的温度为280℃～300℃。
在本发明的一个实施例中，在所述第二基底的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底，包括：
在所述第二基底的上表面旋涂CsBr溶液，使所述PbBr2层和所述CsBr溶液反应得到所述CsPbBr3层，所述PbCl2层和所述CsBr溶液反应得到所述CsPbBrCl2层，以制备所述第三基底。
在本发明的一个实施例中，所述CsPbBr3层的厚度范围为300～350nm。
在本发明的一个实施例中，所述CsPbBrCl2层的厚度范围为50～150nm。
在本发明的一个实施例中，所述CsBr溶液的旋涂剂量为80～150μL。
本发明的一个实施例提供了一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池结构，包括：
第二FTO衬底；
TiO2电子传输层，设置于所述第二FTO衬底的上表面；
CsPbBr3层，设置于所述TiO2电子传输层的上表面；
CsPbBrCl2层，设置于所述CsPbBr3层的上表面；
阳极碳电极，设置于所述CsPbBrCl2层的上表面。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本申请公开了一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构，本制备方法制备的太阳能电池包括第二FTO衬底、TiO2电子传输层、CsPbBr3层、CsPbBrCl2层和阳极碳电极，在TiO2电子传输层的上表面依次生成PbBr2层、PMMA超薄隔阻层和PbCl2层，然后对形成的FTO/TiO2/PbBr2/PMMA/PbCl2基底进行加热后旋涂CsBr溶液，最终得到第三基底，第三基底中的CsPbBr3层和CsPbBrCl2层为双层钙钛矿光活性层，具有不同的禁带宽度，提高了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，进而增加光生电流，促进光活性层与阳极碳电极界面的能级匹配度。同时，CsPbBrCl2层的材料具有钝化界面缺陷的作用，极大的抑制了光生载流子间的复合；CsPbBrCl2层的带隙较宽，有利于载流子的提取和传输；CsPbBrCl2层的材料在室温环境下具有较好的稳定性，可以减少环境中水氧侵蚀对钙钛矿太阳能电池的影响，提升了钙钛矿太阳能电池的性能和稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法流程图；
图2a～图2i为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备过程示意图；
图3为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池结构图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
需要说明的是，本实施例中提到的“上”“下”“左”“右”为该双层钙钛矿光活性层的太阳能电池结构处于图示状态时的位置关系，“长”为该双层钙钛矿光活性层的太阳能电池结构处于图示状态时的横向尺寸，“深”为该双层钙钛矿光活性层的太阳能电池结构处于图示状态时的纵向尺寸。
实施例一
请参见图1和图2a～图2i，图1为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法流程图，图2a～图2i为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备过程示意图。本实施例公开了一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，包括：
步骤1、对第一FTO衬底1进行预处理得到第二FTO衬底2。
具体地，将第一FTO衬底1依次放入Decon-90水溶液、去离子水、丙酮和无水乙醇中进行超声清洗，清洗时间为15～20min。然后将超声清洗完成的第一FTO衬底1放入UV-zone中进行UV-O3处理得到第二FTO衬底2，UV-O3处理时间为15～30min。
步骤2、在第二FTO衬底2的部分上表面旋涂TiO2溶液得到TiO2电子传输层3。
具体地，利用匀胶机将80μL的TiO2溶液旋涂在第二FTO衬底2的部分上表面，匀胶机的转速为3000rpm，用时30s，然后置于500℃的马弗炉以空气氛围退火1h。匀胶机的型号例如可以为TP200。
步骤3、在TiO2电子传输层3的上表面旋涂PbBr2溶液得到PbBr2层4。
具体地，已制备完成的第二FTO衬底2和TiO2电子传输层3组成FTO/TiO2基底，将FTO/TiO2基底置于手套箱N2环境中，使用匀胶机将85μL的PbBr2溶液旋涂于FTO/TiO2基底的上表面，PbBr2溶液的浓度为367mg/mL，匀胶机的转速为2000rpm，旋涂时间为30s，然后将旋涂PbBr2溶液的FTO/TiO2基底放置于90℃热台上进行退火30min得到PbBr2层4。
PbBr2溶液的制备方法为：按比例将质量为367mg的PbBr2固体溶于体积为1mL的二甲基甲酰胺溶液中，在温度小于90℃时进行搅拌直至PbBr2固体完全溶解。
步骤4、在PbBr2层4的上表面旋涂PMMA溶液得到PMMA超薄隔阻层5。
具体地，使用匀胶机将50μL的PMMA溶液旋涂于PbBr2层4的上表面，匀胶机的转速为4000rpm，旋涂时间为30s，然后将FTO/TiO2/PbBr2基底置于室温条件下得到PMMA超薄隔阻层5，室温为25℃。
PMMA溶液的制备方法为：按比例将质量为1mg的PMMA粉末溶于体积为1mL的氯苯溶液中，常温环境下搅拌至完全溶解。
步骤5、在PMMA超薄隔阻层5的上表面旋涂PbCl2溶液得到第一基底7，第一基底7由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、PbBr2层4、PMMA超薄隔阻层5和PbCl2层6组成。
具体地，使用匀胶机将85μL的PbCl2溶液旋涂于PMMA超薄隔阻层5的上表面，匀胶机的转速为4000rpm，旋涂时间为30s，然后将旋涂完PbCl2溶液的FTO/TiO2/PbBr2/PMMA基底置于90℃热台上进行退火30min得到PbCl2层6。
PbCl2溶液的制备方法为：按比例将质量为27.8mg的PbCl2固体溶于体积为1mL的二甲基甲酰胺溶液中，常温环境下搅拌至完全溶解。
步骤6、对第一基底7进行加热得到第二基底8，第二基底8由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、PbBr2层4和PbCl2层6组成。
进一步地，对第一基底7进行加热使PMMA超薄隔阻层5遇热分解蒸发，以制备第二基底8。
具体地，利用高温热台对第一基底7进行加热，高温热台的温度为280℃～300℃，优选地，在280℃的温度加热3min。
步骤7、在第二基底8的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底9，第三基底9由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、CsPbBr3层11和CsPbBrCl2层12组成。
进一步地，在第二基底8的上表面旋涂CsBr溶液，使PbBr2层4和CsBr溶液反应得到CsPbBr3层11，PbCl2层6和CsBr溶液反应得到CsPbBrCl2层12，以制备第三基底9。
具体地，将第二基底8置于空气室温环境中，使用匀胶机将110μL的CsBr溶液旋涂于第二基底8的上表面，匀胶机的转速为2000rpm，旋涂时间为30s。然后将旋涂完CsBr溶液的第二基底8置于250℃热台上进行退火5min得到第三基底9。
步骤8、在第三基底9的上表面淀积碳浆得到阳极碳电极10，以制备具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池。
具体地，将第三基底9置于室温环境中，利用丝网印刷方法在第三基底9的上表面淀积导电的碳浆，然后置于120℃的热台上进行退火15min得到碳电极10，此碳电极10作为本申请的太阳能电池的阳极。
综上所述，本实施例公开了一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，通过在TiO2电子传输层的上表面依次生成PbBr2层、PMMA超薄隔阻层和PbCl2层，然后对形成的第一基底7基底进行加热后旋涂CsBr溶液，最终得到第三基底9，CsPbBr3层和CsPbBrCl2层为双层钙钛矿光活性层，具有不同的禁带宽度，不同的带隙吸收不同的太阳光光谱，CsPbBr3层和CsPbBrCl2层的双层结构可以拓宽光谱利用范围，利用宽带隙的钙钛矿太阳能电池吸收短波长的光，利用窄带隙的钙钛矿太阳能电池吸收长波长的光，极大限度的将光能变为电能，提高了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，进而增加光生电流，促进光活性层与阳极碳电极界面的能级匹配度。CsPbBrCl2层的材料具有钝化界面缺陷的作用，极大的抑制了光生载流子间的复合；CsPbBrCl2层的带隙较宽，有利于载流子的提取和传输；CsPbBrCl2层的材料在室温环境下具有较好的稳定性，可以减少环境中水氧侵蚀对钙钛矿太阳能电池的影响，提升了钙钛矿太阳能电池的性能和稳定性。
实施例二
请参见图3，图3为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池结构图。本实施例公开了一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池结构，包括：
第二FTO衬底2；
TiO2电子传输层3，设置于第二FTO衬底2的上表面；
CsPbBr3层11，设置于TiO2电子传输层3的上表面；
CsPbBrCl2层12，设置于CsPbBr3层11的上表面；
阳极碳电极10，设置于CsPbBrCl2层12的上表面。
在本实施例中，第二FTO衬底2是通过将第一FTO衬底1依次放入Decon-90水溶液、去离子水、丙酮和无水乙醇中进行超声清洗，然后放入UV-zone中进行UV-O3处理得到。第一FTO衬底1具体为FTO/Glass基底，第二FTO衬底2的厚度为1.5mm～2.5mm。
TiO2电子传输层3是通过在第二FTO衬底2的上表面旋涂TiO2溶液得到，TiO2电子传输层3的厚度为50nm～80nm。
进一步地，在TiO2电子传输层3的上表面旋涂PbBr2溶液得到PbBr2层4，继而在PbBr2层4的上表面旋涂PMMA溶液得到PMMA超薄隔阻层5，PMMA超薄隔阻层5的厚度为10nm～50nm，在PMMA超薄隔阻层5的上表面旋涂PbCl2溶液得到PbCl2层6，然后将FTO/TiO2/PbBr2/PMMA/PbCl2基底7置于高温热台进行加热使PMMA遇热分解蒸发，得到FTO/TiO2/PbBr2/PbCl2基底8，在FTO/TiO2/PbBr2/PbCl2基底8的上表面旋涂CsBr溶液，PbBr2层4和CsBr溶液反应得到CsPbBr3层11，CsPbBr3层11的厚度为300nm～350nm，PbCl2层6和CsBr溶液反应得到CsPbBrCl2层12，CsPbBrCl2层12的厚度为50nm～150nm，最后得到第三基底9。
在第三基底9的上表面淀积碳浆得到阳极碳电极10，阳极碳电极10的厚度为5μm～10μm，面积为0.09cm2。
综上所述，本太阳能电池的结构包括第二FTO衬底、TiO2电子传输层、CsPbBr3层、CsPbBrCl2层和阳极碳电极，在TiO2电子传输层的上表面依次生成PbBr2层、PMMA超薄隔阻层和PbCl2层，然后对形成的第一基底7进行加热后旋涂CsBr溶液，最终得到第三基底9，CsPbBr3层和CsPbBrCl2层为双层钙钛矿光活性层，具有不同的禁带宽度，提高了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，进而增加光生电流，促进光活性层与阳极碳电极界面的能级匹配度。同时，CsPbBrCl2层的材料具有钝化界面缺陷的作用，极大的抑制了光生载流子间的复合；CsPbBrCl2层的带隙较宽，有利于载流子的提取和传输；CsPbBrCl2层的材料在室温环境下具有较好的稳定性，可以减少环境中水氧侵蚀对钙钛矿太阳能电池的影响，提升了钙钛矿太阳能电池的性能和稳定性。
实施例三
请参见图1和图2a～图2i，图1为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法流程图，图2a～图2i为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备过程示意图。
本实施例公开了一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，包括：
步骤1、对第一FTO衬底1进行预处理得到第二FTO衬底2。
具体地，将第一FTO衬底1依次放入Decon-90水溶液、去离子水、丙酮和无水乙醇中进行超声清洗，清洗时间为15min。然后将超声清洗完成的第一FTO衬底1放入UV-zone中进行UV-O3处理得到第二FTO衬底2，UV-O3处理时间为15～30min。
步骤2、在第二FTO衬底2的部分上表面旋涂TiO2溶液得到TiO2电子传输层3。
具体地，利用匀胶机将80μL的TiO2溶液旋涂在第二FTO衬底2的部分上表面，匀胶机的转速为3000rpm，用时30s，然后置于500℃的马弗炉以空气氛围退火1h。
步骤3、在TiO2电子传输层3的上表面旋涂PbBr2溶液得到PbBr2层4。
具体地，已制备完成的第二FTO衬底2和TiO2电子传输层3组成FTO/TiO2基底，将FTO/TiO2基底置于手套箱N2环境中，使用匀胶机将85μL的PbBr2溶液旋涂于FTO/TiO2基底的上表面，PbBr2溶液的浓度为367mg/mL，匀胶机的转速为2000rpm，旋涂时间为30s，然后将旋涂PbBr2溶液的FTO/TiO2基底放置于90℃热台上进行退火30min得到PbBr2层4。
步骤4、在PbBr2层4的上表面旋涂PMMA溶液得到PMMA超薄隔阻层5。
具体地，使用匀胶机将50μL的PMMA溶液旋涂于PbBr2层4的上表面，PMMA溶液的密度为1mg/mL，匀胶机的转速为4000rpm，旋涂时间为30s，然后将FTO/TiO2/PbBr2基底置于室温条件下得到PMMA超薄隔阻层5，室温为25℃。
步骤5、在PMMA超薄隔阻层5的上表面旋涂PbCl2溶液得到第一基底7，第一基底7由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、PbBr2层4、PMMA超薄隔阻层5和PbCl2层6组成。
具体地，使用匀胶机将85μL的PbCl2溶液旋涂于PMMA超薄隔阻层5的上表面，PbCl2溶液的浓度为27.8mg/mL，匀胶机的转速为4000rpm，涂时间为30s，然后将旋涂完PbCl2溶液的FTO/TiO2/PbBr2/PMMA基底置于90℃热台上进行退火30min得到PbCl2层6。
步骤6、对第一基底7进行加热得到第二基底8，第二基底8由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、PbBr2层4和PbCl2层6组成。
进一步地，对第一基底7进行加热使PMMA超薄隔阻层5遇热分解蒸发，以制备第二基底8。
具体地，利用高温热台对第一基底7进行加热，高温热台的温度为280℃，加热3min。
步骤7、在第二基底8的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底9，第三基底9由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、CsPbBr3层11和CsPbBrCl2层12组成。
进一步地，在第二基底8的上表面旋涂CsBr溶液，使PbBr2层4和CsBr溶液反应得到CsPbBr3层11，PbCl2层6和CsBr溶液反应得到CsPbBrCl2层12，以制备第三基底9。
具体地，将第二基底8置于空气室温环境中，使用匀胶机将110μL的CsBr溶液旋涂于第二基底8的上表面，CsBr溶液的浓度为250mg/mL，匀胶机的转速为2000rpm，旋涂时间为30s。然后将旋涂完CsBr溶液的第二基底8置于250℃热台上进行退火5min得到第三基底9。
步骤8、在第三基底9的上表面淀积碳浆得到阳极碳电极10，以制备具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池。
具体地，将第三基底9置于室温环境中，利用丝网印刷方法在第三基底9的上表面淀积导电的碳浆，然后置于120℃的热台上进行退火15min得到碳电极10，此碳电极10作为本申请的太阳能电池的阳极。
实施例四
请参见图1和图2a～图2i，图1为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法流程图，图2a～图2i为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备过程示意图。
本实施例公开了一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，包括：
步骤1、对第一FTO衬底1进行预处理得到第二FTO衬底2。
具体地，将第一FTO衬底1依次放入Decon-90水溶液、去离子水、丙酮和无水乙醇中进行超声清洗，清洗时间为15min。然后将超声清洗完成的第一FTO衬底1放入UV-zone中进行UV-O3处理得到第二FTO衬底2，UV-O3处理时间为15～30min。
步骤2、在第二FTO衬底2的部分上表面旋涂TiO2溶液得到TiO2电子传输层3。
具体地，利用匀胶机将80μL的TiO2溶液旋涂在第二FTO衬底2的部分上表面，匀胶机的转速为3000rpm，用时30s，然后置于500℃的马弗炉以空气氛围退火1h。
步骤3、在TiO2电子传输层3的上表面旋涂PbBr2溶液得到PbBr2层4。
具体地，已制备完成的第二FTO衬底2和TiO2电子传输层3组成FTO/TiO2基底，将FTO/TiO2基底置于手套箱N2环境中，使用匀胶机将85μL的PbBr2溶液旋涂于FTO/TiO2基底的上表面，PbBr2溶液的浓度为367mg/mL，匀胶机的转速为2000rpm，旋涂时间为30s，然后将旋涂PbBr2溶液的FTO/TiO2基底放置于90℃热台上进行退火30min得到PbBr2层4。
步骤4、在PbBr2层4的上表面旋涂PMMA溶液得到PMMA超薄隔阻层5。
具体地，使用匀胶机将50μL的PMMA溶液旋涂于PbBr2层4的上表面，PMMA溶液的密度为2.5mg/mL，匀胶机的转速为4000rpm，旋涂时间为30s，然后将FTO/TiO2/PbBr2基底置于室温条件下得到PMMA超薄隔阻层5，室温为25℃。
步骤5、在PMMA超薄隔阻层5的上表面旋涂PbCl2溶液得到第一基底7，第一基底7由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、PbBr2层4、PMMA超薄隔阻层5和PbCl2层6组成。
具体地，使用匀胶机将85μL的PbCl2溶液旋涂于PMMA超薄隔阻层5的上表面，PbCl2溶液的浓度为27.8mg/mL，匀胶机的转速为4000rpm，涂时间为30s，然后将旋涂完PbCl2溶液的FTO/TiO2/PbBr2/PMMA基底置于90℃热台上进行退火30min得到PbCl2层6。
步骤6、对第一基底7进行加热得到第二基底8，第二基底8由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、PbBr2层4和PbCl2层6组成。
进一步地，对第一基底7进行加热使PMMA超薄隔阻层5遇热分解蒸发，以制备第二基底8。
具体地，利用高温热台对第一基底7进行加热，高温热台的温度为280℃，加热3min。
步骤7、在第二基底8的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底9，第三基底9由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、CsPbBr3层11和CsPbBrCl2层12组成。
进一步地，在第二基底8的上表面旋涂CsBr溶液，使PbBr2层4和CsBr溶液反应得到CsPbBr3层11，PbCl2层6和CsBr溶液反应得到CsPbBrCl2层12，以制备第三基底9。
具体地，将第二基底8置于空气室温环境中，使用匀胶机将150μL的CsBr溶液旋涂于第二基底8的上表面，CsBr溶液的浓度为250mg/mL，匀胶机的转速为2000rpm，旋涂时间为30s。然后将旋涂完CsBr溶液的第二基底8置于200℃热台上进行退火5min得到第三基底9。
步骤8、在第三基底9的上表面淀积碳浆得到阳极碳电极10。
具体地，将第三基底9置于室温环境中，利用丝网印刷方法在第三基底9的上表面淀积导电的碳浆，然后置于120℃的热台上进行退火15min得到碳电极10，此碳电极10作为本申请的太阳能电池的阳极。
实施例五
请参见图1和图2a～图2i，图1为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法流程图，图2a～图2i为本发明实施例提供的一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备过程示意图。
本实施例公开了一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，包括：
步骤1、对第一FTO衬底1进行预处理得到第二FTO衬底2。
具体地，将第一FTO衬底1依次放入Decon-90水溶液、去离子水、丙酮和无水乙醇中进行超声清洗，清洗时间为15min。然后将超声清洗完成的第一FTO衬底1放入UV-zone中进行UV-O3处理得到第二FTO衬底2，UV-O3处理时间为15～30min。
步骤2、在第二FTO衬底2的部分上表面旋涂TiO2溶液得到TiO2电子传输层3。
具体地，利用匀胶机将80μL的TiO2溶液旋涂在第二FTO衬底2的部分上表面，匀胶机的转速为3000rpm，用时30s，然后置于500℃的马弗炉以空气氛围退火1h。
步骤3、在TiO2电子传输层3的上表面旋涂PbBr2溶液得到PbBr2层4。
具体地，已制备完成的第二FTO衬底2和TiO2电子传输层3组成FTO/TiO2基底，将FTO/TiO2基底置于手套箱N2环境中，使用匀胶机将85μL的PbBr2溶液旋涂于FTO/TiO2基底的上表面，PbBr2溶液的浓度为367mg/mL，匀胶机的转速为2000rpm，旋涂时间为30s，然后将旋涂PbBr2溶液的FTO/TiO2基底放置于90℃热台上进行退火30min得到PbBr2层4。
步骤4、在PbBr2层4的上表面旋涂PMMA溶液得到PMMA超薄隔阻层5。
具体地，使用匀胶机将50μL的PMMA溶液旋涂于PbBr2层4的上表面，PMMA溶液的密度为5mg/mL，匀胶机的转速为4000rpm，旋涂时间为30s，然后将FTO/TiO2/PbBr2基底置于室温条件下得到PMMA超薄隔阻层5，室温为25℃。
步骤5、在PMMA超薄隔阻层5的上表面旋涂PbCl2溶液得到第一基底7，第一基底7由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、PbBr2层4、PMMA超薄隔阻层5和PbCl2层6组成。
具体地，使用匀胶机将85μL的PbCl2溶液旋涂于PMMA超薄隔阻层5的上表面，PbCl2溶液的浓度为27.8mg/mL，匀胶机的转速为4000rpm，涂时间为30s，然后将旋涂完PbCl2溶液的FTO/TiO2/PbBr2/PMMA基底置于90℃热台上进行退火30min得到PbCl2层6。
步骤6、对第一基底7进行加热得到第二基底8，第二基底8由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、PbBr2层4和PbCl2层6组成。
进一步地，对第一基底7进行加热使PMMA超薄隔阻层5遇热分解蒸发，以制备第二基底8。
具体地，利用高温热台对第一基底7进行加热，高温热台的温度为280℃，加热3min。
步骤7、在第二基底8的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底9，第三基底9由从下到上依次层叠的第二FTO衬底2、TiO2电子传输层3、CsPbBr3层11和CsPbBrCl2层12组成。
进一步地，在第二基底8的上表面旋涂CsBr溶液，使PbBr2层4和CsBr溶液反应得到CsPbBr3层11，PbCl2层6和CsBr溶液反应得到CsPbBrCl2层12，以制备第三基底9。
具体地，将第二基底8置于空气室温环境中，使用匀胶机将80μL的CsBr溶液旋涂于第二基底8的上表面，CsBr溶液的浓度为250mg/mL，匀胶机的转速为2000rpm，旋涂时间为30s。
具体地，将旋涂完CsBr溶液的第二基底8置于300℃热台上进行退火5min得到第三基底9。
步骤8、在第三基底9的上表面淀积碳浆得到阳极碳电极10。
具体地，将第三基底9置于室温环境中，利用丝网印刷方法在第三基底9的上表面淀积导电的碳浆，然后置于120℃的热台上进行退火15min得到碳电极10，此碳电极10作为本申请的太阳能电池的阳极。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
对第一FTO衬底(1)进行预处理得到第二FTO衬底(2)；
在所述第二FTO衬底(2)的部分上表面旋涂TiO2溶液得到TiO2电子传输层(3)；
在所述TiO2电子传输层(3)的上表面旋涂PbBr2溶液得到PbBr2层(4)；
在所述PbBr2层(4)的上表面旋涂PMMA溶液得到PMMA超薄隔阻层(5)；
在所述PMMA超薄隔阻层(5)的上表面旋涂PbCl2溶液得到第一基底(7)，所述第一基底(7)由从下到上依次层叠的所述第二FTO衬底(2)、所述TiO2电子传输层(3)、所述PbBr2层(4)、所述PMMA超薄隔阻层(5)和PbCl2层(6)组成；
对所述第一基底(7)进行加热得到第二基底(8)，所述第二基底(8)由从下到上依次层叠的所述第二FTO衬底(2)、所述TiO2电子传输层(3)、所述PbBr2层(4)和所述PbCl2层(6)组成；
在所述第二基底(8)的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底(9)，所述第三基底(9)由从下到上依次层叠的所述第二FTO衬底(2)、所述TiO2电子传输层(3)、CsPbBr3层(11)和CsPbBrCl2层(12)组成；
在所述第三基底(9)的上表面淀积碳浆得到阳极碳电极(10)，以制备具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述第二FTO衬底(2)的剩余部分的上表面设置有阴电极。
3.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述第一基底(7)进行加热得到第二基底(8)，包括：
对所述第一基底(7)进行加热使所述PMMA超薄隔阻层(5)遇热分解蒸发，以制备所述第二基底(8)。
4.根据权利要求3所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，利用高温热台对所述第一基底(7)进行加热，所述高温热台的温度为280℃～300℃。
5.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述第二基底(8)的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底(9)，包括：
在所述第二基底(8)的上表面旋涂CsBr溶液，使所述PbBr2层(4)和所述CsBr溶液反应得到所述CsPbBr3层(11)，所述PbCl2层(6)和所述CsBr溶液反应得到所述CsPbBrCl2层(12)，以制备所述第三基底(9)。
6.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述CsPbBr3层(11)的厚度范围为300～350nm。
7.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述CsPbBrCl2层(12)的厚度范围为50～150nm。
8.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述CsBr溶液的旋涂剂量为80～150μL。
9.一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池结构，其特征在于，利用权利要求1至8任一项所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法进行制备，包括：
第二FTO衬底(2)；
TiO2电子传输层(3)，设置于所述第二FTO衬底(2)的上表面；
CsPbBr3层(11)，设置于所述TiO2电子传输层(3)的上表面；
CsPbBrCl2层(12)，设置于所述CsPbBr3层(11)的上表面；
阳极碳电极(10)，设置于所述CsPbBrCl2层(12)的上表面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110090914.1A CN113764540B (zh) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110090914.1A CN113764540B (zh) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113764540A true CN113764540A (zh) | 2021-12-07 |
| CN113764540B CN113764540B (zh) | 2023-10-03 |
Family
ID=78786424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110090914.1A Active CN113764540B (zh) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113764540B (zh) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2804232A1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-11-19 | Abengoa Research S.L. | High performance perovskite-sensitized mesoscopic solar cells |
| US20150298161A1 (en) * | 2012-11-30 | 2015-10-22 | Universiteit Gent | Preferentially oriented perovskite-related thin film |
| WO2019008602A1 (en) * | 2017-07-06 | 2019-01-10 | INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT Madras) | BILOUCHE PHOTORESIN PHOTOLESISING APPROACH OF PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERNS ON POLYMER DIELECTRICS BASED ON PMMA |
| US20190097144A1 (en) * | 2016-03-15 | 2019-03-28 | Nutech Ventures | Insulating tunneling contact for efficient and stable perovskite solar cells |
| KR20190037463A (ko) * | 2017-09-29 | 2019-04-08 | 한국화학연구원 | 페로브스카이트 태양전지용 구조체, 향상된 광안정성을 보이는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
| WO2019070977A1 (en) * | 2017-10-04 | 2019-04-11 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | PEROVSKITE DEVICES AND METHODS OF MAKING THE SAME |
| CN110635040A (zh) * | 2019-09-02 | 2019-12-31 | 电子科技大学 | 一种制备双层钙钛矿吸光层的方法 |
| CN110635046A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-31 | 武汉理工大学 | 一种碳基双层电极的制备方法及钙钛矿型太阳能电池 |
| CN111628081A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | 北京宏泰创新科技有限公司 | 一种具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池 |
| CN111697140A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-09-22 | 西安九天孵化器科技有限公司 | 一种碳电极钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
| CN112151677A (zh) * | 2019-06-29 | 2020-12-29 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种钙钛矿薄膜的制备方法及其钙钛矿太阳能电池 |
-
2021
- 2021-01-22 CN CN202110090914.1A patent/CN113764540B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150298161A1 (en) * | 2012-11-30 | 2015-10-22 | Universiteit Gent | Preferentially oriented perovskite-related thin film |
| EP2804232A1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-11-19 | Abengoa Research S.L. | High performance perovskite-sensitized mesoscopic solar cells |
| US20190097144A1 (en) * | 2016-03-15 | 2019-03-28 | Nutech Ventures | Insulating tunneling contact for efficient and stable perovskite solar cells |
| WO2019008602A1 (en) * | 2017-07-06 | 2019-01-10 | INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT Madras) | BILOUCHE PHOTORESIN PHOTOLESISING APPROACH OF PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERNS ON POLYMER DIELECTRICS BASED ON PMMA |
| KR20190037463A (ko) * | 2017-09-29 | 2019-04-08 | 한국화학연구원 | 페로브스카이트 태양전지용 구조체, 향상된 광안정성을 보이는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
| WO2019070977A1 (en) * | 2017-10-04 | 2019-04-11 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | PEROVSKITE DEVICES AND METHODS OF MAKING THE SAME |
| CN111628081A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | 北京宏泰创新科技有限公司 | 一种具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池 |
| CN112151677A (zh) * | 2019-06-29 | 2020-12-29 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种钙钛矿薄膜的制备方法及其钙钛矿太阳能电池 |
| CN110635040A (zh) * | 2019-09-02 | 2019-12-31 | 电子科技大学 | 一种制备双层钙钛矿吸光层的方法 |
| CN110635046A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-31 | 武汉理工大学 | 一种碳基双层电极的制备方法及钙钛矿型太阳能电池 |
| CN111697140A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-09-22 | 西安九天孵化器科技有限公司 | 一种碳电极钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PO-KAI KUNG等: "Lead-Free Double Perovskites for Perovskite Solar Cells", 《SOLAR RRL》, vol. 4, no. 2 * |
| 吴亚美;杨瑞霞;田汉民;王如;花中秋;陈帅;: "钙钛矿太阳电池吸收层制备工艺", 半导体技术, no. 10 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113764540B (zh) | 2023-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Dong et al. | Chlorobenzenesulfonic potassium salts as the efficient multifunctional passivator for the buried interface in regular perovskite solar cells | |
| Dong et al. | A green anti‐solvent process for high performance carbon‐based CsPbI2Br all‐inorganic perovskite solar cell | |
| Liang et al. | Achieving high open-circuit voltage on planar perovskite solar cells via chlorine-doped tin oxide electron transport layers | |
| Wang et al. | Fully-ambient-processed mesoscopic semitransparent perovskite solar cells by islands-structure-MAPbI3-xClx-NiO composite and Al2O3/NiO interface engineering | |
| CN105244441B (zh) | 基于四苯乙烯聚合物空穴传输层的钙钛矿太阳能电池 | |
| CN106910828A (zh) | 一种具有双层钙钛矿薄膜结构的太阳能电池及其制备方法 | |
| CN106025085A (zh) | 基于Spiro-OMeTAD/CuXS复合空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| Xiang et al. | Sodium fluoride sacrificing layer concept enables high-efficiency and stable methylammonium lead iodide perovskite solar cells | |
| Deng et al. | All room-temperature processing efficient planar carbon-based perovskite solar cells | |
| Chen et al. | Improving Moisture/Thermal Stability and Efficiency of CH3NH3PbI3‐Based Perovskite Solar Cells via Gentle Butyl Acrylate Additive Strategy | |
| Barichello et al. | The effect of water in Carbon-Perovskite Solar Cells with optimized alumina spacer | |
| TW201101508A (en) | Dye-sensitized solar cells and manufacturing method for thereof | |
| KR102080729B1 (ko) | 균일한 페로브스카이트막, 이를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN113224241A (zh) | 钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| Zhang et al. | Phosphotungstic Acid Regulated Chemical Bath Deposition of Sb2S3 for High‐Efficiency Planar Heterojunction Solar Cell | |
| Tan et al. | Chemical linkage and passivation at buried interface for thermally stable inverted perovskite solar cells with efficiency over 22% | |
| CN109585661A (zh) | 一种界面增强型高光-热稳定钙钛矿薄膜的制备方法 | |
| CN111900254A (zh) | 一种SnO2薄膜钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| KR101794988B1 (ko) | 페로브스카이트 광흡수층 제조방법 및 이를 적용한 태양전지 제조방법 | |
| CN113764534A (zh) | 一种纯相高性能CsPbBr3太阳电池及其制备方法 | |
| CN108767112B (zh) | 具有不同空穴传输层的BiI3太阳能电池及其制备方法 | |
| CN111106251A (zh) | 一种基于疏水涂层的钙钛矿太阳能电池 | |
| CN108682740A (zh) | 钙钛矿电池及其制备方法 | |
| Chen et al. | Organic fluorine-based trifluoroethyl methacrylate as effective defect passivators enabling high-efficiency and stable perovskite solar cells | |
| KR101406969B1 (ko) | 고체 전해질 염료감응형 태양전지의 제조 방법 및 이에 이용되는 전해질 충진 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |