CN113759239B - 芯片测试装置及芯片测试方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种芯片测试装置及芯片测试方法，该芯片测试装置包括控制模块、采样电阻链、第一高速切换矩阵以及第二高速切换矩阵，通过第一高速切换矩阵、第二高速切换矩阵根据对应的第一切换控制信号、第二切换控制信号可以快速切换不同的待测试管脚对，与传统数量庞大的继电器切换测试管脚相比，具有更高的管脚对切换效率，进而有利于提高管脚测试效率；且以管脚对为最小单位进行测试，每次管脚切换至少可以进行两个管脚的测试，增加了每次测试的管脚数量，有利于进一步提高芯片测试效率。

Description

芯片测试装置及芯片测试方法

技术领域

本申请涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种芯片测试装置和显示面板。

背景技术

随着芯片封装技术的发展，芯片的封装密度越来越大，由于芯片进行封装后可能存在缺陷等问题，因此，迫切需要对封装后的芯片进行电性测试以判断封装后的器件质量。

在芯片进行电性测试的过程中，由于芯片的管脚数量较多，需要数量十分庞大的继电器切换待测试管脚，如此导致了测试效率较为低下。

需要注意的是，上述关于背景技术的介绍仅仅是为了便于清楚、完整地理解本申请的技术方案。因此，不能仅仅由于其出现在本申请的背景技术中，而认为上述所涉及到的技术方案为本领域所属技术人员所公知。

发明内容

本申请提供一种芯片测试装置及芯片测试方法，以缓解芯片的管脚测试效率较低的技术问题。

第一方面，本申请提供一种芯片测试装置，其包括控制模块、采样电阻链、第一高速切换矩阵以及第二高速切换矩阵，控制模块用于根据测试项目、与测试项目对应的测试条件输出对应的测试信号、第一切换控制信号以及第二切换控制信号；采样电阻链的输入端与控制模块的第一输出端电性连接，用于比例调节测试信号；第一高速切换矩阵的输入端与采样电阻链的输出端电性连接以接入测试信号，第一高速切换矩阵的控制端与控制模块的第二输出端电性连接，第一高速切换矩阵的输出端用于根据第一切换控制信号选择性连接待测试芯片的管脚对中的一个管脚；第二高速切换矩阵的输出端用于接入低电位信号，第二高速切换矩阵的控制端与控制模块的第三输出端电性连接，第二高速切换矩阵的输入端用于根据第二切换控制信号选择性连接管脚对中的另一个管脚。

在其中一些实施方式中，控制模块包括控制芯片和程控恒压限流源，控制芯片的一输出端与第一高速切换矩阵的控制端电性连接以输出第一切换控制信号至第一高速切换矩阵，控制芯片的另一输出端与第二高速切换矩阵的控制端电性连接以输出第二切换控制信号至第二高速切换矩阵；程控恒压限流源与控制芯片电性连接，用于根据接收的测试条件输出对应的测试信号，测试条件包括测试信号的电压设定信息和测试信号的极性控制信号。

在其中一些实施方式中，程控恒压限流源包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的输入电极用于电性连接正电源信号，第一晶体管的控制电极用于接入极性控制信号；第二晶体管的输入电极用于电性连接负电源信号，第二晶体管的控制电极用于接入极性控制信号，第二晶体管的输出电极与第一晶体管的输出电极、采样电阻链的输入端电性连接；其中，第一晶体管为NPN型的双极结型晶体管或者N沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管；第二晶体管为PNP型的双极结型晶体管或者P沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管。

在其中一些实施方式中，芯片测试装置还包括电源模块，电源模块包括可调电源、负压降控制单元以及正压降控制单元，可调电源的第一输出端与第一晶体管的输入电极电性连接以输出正电源信号至第一晶体管的输入电极，可调电源的第二输出端与第二晶体管的输入电极电性连接以输出负电源信号至第二晶体管的输入电极；负压降控制单元的第一输入端与第二晶体管的输入电极电性连接，负压降控制单元的第二输入端与可调电源的第二输出端电性连接，负压降控制单元的控制端与程控恒压限流源电性连接，负压降控制单元的输出端与可调电源的第一控制端电性连接，用于根据电压设定信息调节负电源信号的电压；正压降控制单元的第一输入端与第一晶体管的输入电极电性连接，正压降控制单元的第二输入端与可调电源的第一输出端电性连接，正压降控制单元的控制端与程控恒压限流源电性连接，正压降控制单元的输出端与可调电源的第二控制端电性连接，用于根据电压设定信息调节正电源信号的电压。

在其中一些实施方式中，芯片测试装置还包括电压比例测量模组，电压比例测量模组的第一输入端与第一高速切换矩阵的输出端电性连接，电压比例测量模组的第二输入端与第二高速切换矩阵的输入端电性连接，电压比例测量模组的输出端与控制芯片、程控恒压限流源电性连接，用于按照比例输出管脚对的两端电压至控制芯片、程控恒压限流源，以便程控恒压限流源实现电压闭环控制、控制芯片记录电压测试数据。

在其中一些实施方式中，芯片测试装置还包括电流比例测量模组，电流比例测量模组的第一输入端与采样电阻链的输入端电性连接，电流比例测量模组的第二输入端与采样电阻链的输出端电性连接，电流比例测量模组的输出端与控制芯片电性连接，用于按照比例输出测试信号的电流至控制芯片，以便控制芯片记录电流测试数据。

在其中一些实施方式中，芯片测试装置还包括电流测量档位选择模块，电流测量档位选择模块的输入端与采样电阻链的输出端电性连接，电流测量档位选择模块的输出端与电流比例测量模组的第二输入端电性连接，用于选择测试信号的电流测量档位。

在其中一些实施方式中，芯片测试装置还包括限流档位选择模块和限流放大单元电路，限流档位选择模块的输入端与采样电阻链的另一输出端电性连接，用于可选择地确定与测试信号的电流对应的限流值；限流放大单元电路的第一输入端与限流档位选择模块的输出端电性连接，限流放大单元电路的第二输入端与采样电阻链的输入端电性连接，限流放大单元电路的输出端与程控恒压限流源电性连接，用于输出限流值至程控恒压限流源，以实现程控恒压限流源的恒流控制；其中，当测试信号的电流达到或趋向于超过限流值时，程控恒压限流源自动转换为电流反馈模式，以维持测试信号的电流于限流值。

在其中一些实施方式中，芯片测试装置还包括上位机，上位机与控制芯片的RS232接口通信连接，用于输出测试项目、测试条件至控制芯片。

第二方面，本申请提供一种芯片测试方法，其包括：配置一控制模块，以根据测试项目、与测试项目对应的测试条件输出对应的测试信号、第一切换控制信号以及第二切换控制信号；电性连接采样电阻链的输入端与控制模块的第一输出端，以比例调节测试信号；电性连接第一高速切换矩阵的输入端与采样电阻链的输出端以接入测试信号，电性连接第一高速切换矩阵的控制端与控制模块的第二输出端，且根据第一切换控制信号选择性连接待测试芯片的管脚对中的一个管脚与第一高速切换矩阵的输出端；以及配置第二高速切换矩阵的输出端接入低电位信号，电性连接第二高速切换矩阵的控制端与控制模块的第三输出端，且根据第二切换控制信号选择性连接管脚对中的另一个管脚与第二高速切换矩阵的输入端。

本申请提供的芯片测试装置及芯片测试方法，第一高速切换矩阵、第二高速切换矩阵根据对应的第一切换控制信号、第二切换控制信号可以快速切换不同的待测试管脚对，与传统数量庞大的继电器切换测试管脚相比，具有更高的管脚对切换效率，进而有利于提高管脚测试效率；且以管脚对为最小单位进行测试，每次管脚切换至少可以进行两个管脚的测试，增加了每次测试的管脚数量，有利于进一步提高芯片测试效率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的芯片测试装置的一种结构示意图。

图2为本申请实施例提供的芯片测试装置的另一种结构示意图。

图3为本申请实施例提供的电源模块的结构示意图。

图4为本申请实施例提供的芯片测试方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1至图3，如图1所示，本实施例提供了一种芯片测试装置，其包括控制模块10、采样电阻链20、第一高速切换矩阵30以及第二高速切换矩阵40，控制模块10用于根据测试项目、与测试项目对应的测试条件输出对应的测试信号、第一切换控制信号以及第二切换控制信号；采样电阻链20的输入端与控制模块10的第一输出端电性连接，用于比例调节测试信号；第一高速切换矩阵30的输入端与采样电阻链20的输出端电性连接以接入测试信号，第一高速切换矩阵30的控制端与控制模块10的第二输出端电性连接，第一高速切换矩阵30的输出端用于根据第一切换控制信号选择性连接负载100的一端；第二高速切换矩阵40的输出端用于接入低电位信号，第二高速切换矩阵40的控制端与控制模块10的第三输出端电性连接，第二高速切换矩阵40的输入端用于根据第二切换控制信号选择性连接负载100的另一端管脚对中的另一个管脚。

其中，负载100的一端可以为待测试芯片的管脚对中的一个管脚。负载100的另一端可以为该管脚对中的另一个管脚。低电位信号可以为零电位或者与零电位相近的电位信号。

可以理解的是，本实施例提供的芯片测试装置，第一高速切换矩阵30、第二高速切换矩阵40根据对应的第一切换控制信号、第二切换控制信号可以快速切换不同的待测试管脚对，与传统数量庞大的继电器切换测试管脚相比，具有更高的管脚对切换效率，进而有利于提高管脚测试效率；且以管脚对为最小单位进行测试，每次管脚切换至少可以进行两个管脚的测试，增加了每次测试的管脚数量，有利于进一步提高芯片测试效率。

需要进行说明的是，待测试芯片可以为光芯片，具体地，该光芯片还可以为球栅阵列（BGA，Ball Grid Array）封装的光器件。其中，该光器件的内部集成了激光通信光信号收发所需的多路半导体激光二极管（LD）、用于监控LD发光强度的监控光电二极管（mPD）、光电二极管（PD）、半导体光放大器（SOA）、跨阻放大器（TIA）、驱动器（DRIVER）、串行外设接口（SPI）芯片、负温度系数（NTC）热敏电阻等，具有功能多、管脚多、价值高等特点，其采用本申请提供的芯片测试装置及芯片测试方法的话，可以具有更为明显的测试优势。

在其中一个实施例中，控制模块10包括控制芯片11和程控恒压限流源12，控制芯片11的一输出端与第一高速切换矩阵30的控制端电性连接以输出第一切换控制信号至第一高速切换矩阵30，控制芯片11的另一输出端与第二高速切换矩阵40的控制端电性连接以输出第二切换控制信号至第二高速切换矩阵40；程控恒压限流源12与控制芯片11电性连接，用于根据接收的测试条件输出对应的测试信号，测试条件包括测试信号的电压设定信息和测试信号的极性控制信号。

其中，控制芯片11可以为中央处理器（Central Processing Unit，CPU）或者微控制单元(Micro-Controller Unit，MCU)，也可以为其他可以实现本申请中控制芯片11的功能的其它器件或者电路。

其中，第一高速切换矩阵30、第二高速切换矩阵40均包括一些少量的继电器，以用于选择被测管脚。控制芯片11包括具有锁存以及输出使能作用的移位寄存器，移位寄存器的输出端与这些继电器电性连接，以控制这些继电器同步动作。

在CPU的输入输出接口一对一驱动继电器或者通过I2C接口中的输入输出接口扩展芯片做高端、低端分别选通切换继电器的传统控制方案中，继电器通断过程会对电路造成干扰，若不同时动作，则选择高端和低端输出、电流档位、限流档位时继电器均会对电路造成干扰，且需要经过一段时间后才能稳定下来，增加了测试等待的时间。

本申请提供的移位寄存器同步控制继电器的技术方案，有利于缩短测试稳定及等待稳定的过程时间，提高了测试效率，同时，继电器动作产生的干扰次数少且时间短。在本申请中，第一高速切换矩阵30、第二高速切换矩阵40中的继电器采用同时动作，则只需要等待一次，而且干扰也只会集中在继电器接通和断开时各一次。

其中，程控恒压限流源12可以包括数模转换器（DAC）和模数转换器（ADC），电压设定、电压反馈采用极性控制与DAC配合，通过将单极性DAC的输出电压叠加或不叠加固定电压后再放大输出同等幅度的正或负电压，充分利用单极性DAC的分辨力。比如：4.096V参考电压12bit的DAC，其输出范围为0~4.095V，1LSB电压是1mV，若不用极性控制信号配合，要输出-4.095V~+4.095V的电压，则需要放大两倍，分辨力就变成2mV了。加上极性控制信号配合则不需要放大，分辨力仍维持为1mV，即可以实现电压调节、电压测量分辨力倍增。

通过将负极性的输出电压或电流采样电阻的压降叠加或不叠加固定电压转换成同等幅度的正极性电压或电流，充分利用单极性ADC的分辨力。比如将-5V~0V和0~5V的都转换成0~2.5V电压给ADC（参考电压2.5V），则分辨力比直接将-5V~5V转换成0~2.5V给ADC测量的要高一倍，以此即可以用中等精度的DAC、ADC实现高分辨力参数给定和高精度测量。

在其中一个实施例中，程控恒压限流源12包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的输入电极用于电性连接正电源信号，第一晶体管的控制电极用于接入极性控制信号；第二晶体管的输入电极用于电性连接负电源信号，第二晶体管的控制电极用于接入极性控制信号，第二晶体管的输出电极与第一晶体管的输出电极、采样电阻链20的输入端电性连接；其中，第一晶体管为NPN型的双极结型晶体管或者N沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管；第二晶体管为PNP型的双极结型晶体管或者P沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管。

可以理解的是，在本实施例中，程控恒压限流源12可以根据需要通过第一晶体管、第二晶体管输出对应极性的正电源信号或者负电源信号。其中，第一晶体管、第二晶体管均可以为场效应晶体管、双极结型晶体管或者薄膜晶体管中的任一个。

其中，第一晶体管、第二晶体管作为程控恒压限流源12的输出级功率管，其压降可以自动控制，提高了负载100短路可靠性及电源效率；且即开即用，整机耗电极小。

如图3所示，在其中一个实施例中，芯片测试装置还包括电源模块120，电源模块120包括可调电源121、负压降控制单元122以及正压降控制单元123，可调电源121的第一输出端与第一晶体管的输入电极电性连接以输出正电源信号至第一晶体管的输入电极，可调电源121的第二输出端与第二晶体管的输入电极电性连接以输出负电源信号至第二晶体管的输入电极；负压降控制单元122的第一输入端与第二晶体管的输入电极电性连接，负压降控制单元122的第二输入端与可调电源121的第二输出端电性连接，负压降控制单元122的控制端与程控恒压限流源12电性连接，负压降控制单元122的输出端与可调电源121的第一控制端电性连接，用于根据电压设定信息调节负电源信号的电压；正压降控制单元123的第一输入端与第一晶体管的输入电极电性连接，正压降控制单元123的第二输入端与可调电源121的第一输出端电性连接，正压降控制单元123的控制端与程控恒压限流源12电性连接，正压降控制单元123的输出端与可调电源121的第二控制端电性连接，用于根据电压设定信息调节正电源信号的电压。

可以理解的是，在本实施例中，电源模块120除了可以为芯片测试装置提供正常的供电需求外，特别地，其还可以根据电压设定信息调节正电源信号的电压、负电源信号的电压，以满足不同测试项目需要施加不同电压的诉求。

在其中一个实施例中，电源模块120还包括直流电压转换模块124，直流电压转换模块124的输入端用于市电或者交流220V电源，直流电压转换模块124的输出端与可调电源121的输入端连接以供给对应的直流电压。

如图1所示，在其中一个实施例中，芯片测试装置还包括电压比例测量模组50，电压比例测量模组50的第一输入端与第一高速切换矩阵30的输出端电性连接，电压比例测量模组50的第二输入端与第二高速切换矩阵40的输入端电性连接，电压比例测量模组50的输出端与控制芯片11、程控恒压限流源12电性连接，用于按照比例输出管脚对的两端电压至控制芯片11、程控恒压限流源12，以便程控恒压限流源12实现电压闭环控制、控制芯片11记录电压测试数据。

可以理解的是，在本实施例中，CPU或MCU可以向程控恒压限流源12输出测试项目对应的测试电压，电压比例测量模组50将负载100的两端电压反馈给程控恒压限流源12形成闭环控制，使负载100得到测试项目需要的测试电压；同时将电压测量结果提供给CPU/MCU。

其中，线路的电阻和继电器的接触电阻都不能消除，但其影响可以消除。远端电压采样就是从被测器件的一对被测管脚处采样，这样采样得到的电压就不会再含有线路电阻或继电器触点接触电阻的压降。因此，所需的电压测试数据通过采取远端（负载端）采样，可以消除线路及继电器的接触电阻影响，确保实际的测试条件与规定的测试条件一致，避免误判。

在其中一个实施例中，芯片测试装置还包括电流比例测量模组60，电流比例测量模组60的第一输入端与采样电阻链20的输入端电性连接，电流比例测量模组60的第二输入端与采样电阻链20的输出端电性连接，电流比例测量模组60的输出端与控制芯片11电性连接，用于按照比例输出测试信号的电流至控制芯片11，以便控制芯片11记录电流测试数据。

可以理解的是，在本实施例中，CPU或MCU可以向程控恒压限流源12输出测试项目对应的测试电流，电流比例测量模组60将流经负载100的测试电流结果提供给CPU/MCU。

在其中一个实施例中，芯片测试装置还包括电流测量档位选择模块70，电流测量档位选择模块70的输入端与采样电阻链20的输出端电性连接，电流测量档位选择模块70的输出端与电流比例测量模组60的第二输入端电性连接，用于选择测试信号的电流测量档位。

可以理解的是，在本实施例中，可以根据测试项目从多电流测量档位中选择一个适合或者接近测试项目所需的测试电流值，可以减小测试电流的测量误差，能够提高电流测试结果的精确度。

在其中一个实施例中，芯片测试装置还包括限流档位选择模块80和限流放大单元电路90，限流档位选择模块80的输入端与采样电阻链20的另一输出端电性连接，用于可选择地确定与测试信号的电流对应的限流值；限流放大单元电路90的第一输入端与限流档位选择模块80的输出端电性连接，限流放大单元电路90的第二输入端与采样电阻链20的输入端电性连接，限流放大单元电路90的输出端与程控恒压限流源12电性连接，用于输出限流值至程控恒压限流源12，以实现程控恒压限流源12的恒流控制；其中，当测试信号的电流达到或趋向于超过限流值时，程控恒压限流源12自动转换为电流反馈模式，以维持测试信号的电流于限流值。

可以理解的是，在本实施例中，采用多档位电流测量与多档位限流共用采样电阻链20，限流精度与电流测量精度相当，可以提高测试的安全性。

同时，由于光器件在进行电性测试时，业内通常使用keithley2400系列通用源表（PMU）测试，但是，通用源表设计的输出电压范围很宽，上限电流也比较大，参数设置不当以及测试项目、功能切换时极易造成被测器件损坏。而本实施例可以采用电流电压双闭环电路结构，电压反馈的工作状态与电流反馈的工作状态可以自动转换，避免了测试中流经负载100的电流异常，进而造成被测器件损伤或损坏芯片测试装置。其中，芯片测试装置也可以为测试仪。

其中，电流测量档位选择模块70、限流档位选择模块80均可以包括对应的继电器，以用于选择对应的电流测量档位、限流档位。

如图2所示，在其中一个实施例中，芯片测试装置还包括上位机200，上位机200与控制芯片11的RS232接口通信连接，用于输出测试项目、测试条件至控制芯片11。

可以理解的是，在本实施例中，通过RS232接口与上位机200连接，对应的程序控制输出电压、限流电流、选择接入管脚、箝位电流，并读取测试电压、测试电流值。

如图4所示，在其中一个实施例中，本实施例提供一种芯片测试方法，其包括以下步骤：

步骤S10：配置一控制模块，以根据测试项目、与测试项目对应的测试条件输出对应的测试信号、第一切换控制信号以及第二切换控制信号。

步骤S20：电性连接采样电阻链的输入端与控制模块的第一输出端，以比例调节测试信号。

步骤S30：电性连接第一高速切换矩阵的输入端与采样电阻链的输出端以接入测试信号，电性连接第一高速切换矩阵的控制端与控制模块的第二输出端，且根据第一切换控制信号选择性连接待测试芯片的管脚对中的一个管脚与第一高速切换矩阵的输出端。

以及步骤S40：配置第二高速切换矩阵的输出端接入低电位信号，电性连接第二高速切换矩阵的控制端与控制模块的第三输出端，且根据第二切换控制信号选择性连接管脚对中的另一个管脚与第二高速切换矩阵的输入端。

可以理解的是，本实施例提供的芯片测试方法，第一高速切换矩阵、第二高速切换矩阵根据对应的第一切换控制信号、第二切换控制信号可以快速切换不同的待测试管脚对，与传统数量庞大的继电器切换测试管脚相比，具有更高的管脚对切换效率，进而有利于提高管脚测试效率；且以管脚对为最小单位进行测试，每次管脚切换至少可以进行两个管脚的测试，增加了每次测试的管脚数量，有利于进一步提高芯片测试效率。

需要进行说明的是，本实施提供的芯片测试方法可以按用户测试项目表，该用户测试项目表包括管脚对、测试电压、限流条件以及合格判据（电流上、下限），逐项自动测试，效率高，测量结果重复性（repeatability）、再现性（reproducibility）好；单个项目测试时间仅数毫秒~数十毫秒（大电流测试时间短，微小电流测试时间长），重复测试间隔时间数十秒，采样电阻发热量低且不会累积，对电流采样电阻的体积、额定功率、温度系数等要求与SMU/PMU相比低得多，显著降低了成本。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的芯片测试装置及芯片测试方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种芯片测试装置，其特征在于，包括：

控制模块，用于根据测试项目、与所述测试项目对应的测试条件输出对应的测试信号、第一切换控制信号以及第二切换控制信号，所述控制模块包括程控恒压限流源，所述程控恒压限流源用于根据接收的所述测试条件输出对应的所述测试信号，所述测试条件包括所述测试信号的电压设定信息和所述测试信号的极性控制信号，所述程控恒压限流源包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的输入电极用于电性连接正电源信号，所述第一晶体管的控制电极用于接入所述极性控制信号，所述第二晶体管的输入电极用于电性连接负电源信号，所述第二晶体管的控制电极用于接入所述极性控制信号，所述第二晶体管的输出电极与所述第一晶体管的输出电极电性连接；

采样电阻链，所述采样电阻链的输入端与所述控制模块的第一输出端电性连接，所述采样电阻链的输入端与所述第二晶体管的输出电极电性连接，用于比例调节所述测试信号；

第一高速切换矩阵，所述第一高速切换矩阵的输入端与所述采样电阻链的输出端电性连接以接入所述测试信号，所述第一高速切换矩阵的控制端与所述控制模块的第二输出端电性连接，所述第一高速切换矩阵的输出端用于根据所述第一切换控制信号选择性连接待测试芯片的管脚对中的一个管脚；

第二高速切换矩阵，所述第二高速切换矩阵的输出端用于接入低电位信号，所述第二高速切换矩阵的控制端与所述控制模块的第三输出端电性连接，所述第二高速切换矩阵的输入端用于根据所述第二切换控制信号选择性连接所述管脚对中的另一个管脚；以及

电源模块，所述电源模块包括负压降控制单元和正压降控制单元，所述负压降控制单元的第一输入端与所述第二晶体管的输入电极电性连接，所述负压降控制单元的控制端与所述程控恒压限流源电性连接，用于根据所述电压设定信息调节所述负电源信号的电压，所述正压降控制单元的第一输入端与所述第一晶体管的输入电极电性连接，所述正压降控制单元的控制端与所述程控恒压限流源电性连接，用于根据所述电压设定信息调节所述正电源信号的电压。

2.根据权利要求1所述的芯片测试装置，其特征在于，所述控制模块包括：

控制芯片，所述控制芯片的一输出端与所述第一高速切换矩阵的控制端电性连接以输出所述第一切换控制信号至所述第一高速切换矩阵，所述控制芯片的另一输出端与所述第二高速切换矩阵的控制端电性连接以输出所述第二切换控制信号至所述第二高速切换矩阵；所述控制芯片与所述程控恒压限流源电性连接。

3.根据权利要求2所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一晶体管为NPN型的双极结型晶体管或者N沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管；所述第二晶体管为PNP型的双极结型晶体管或者P沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管。

4.根据权利要求3所述的芯片测试装置，其特征在于，所述电源模块还包括：

可调电源，所述可调电源的第一输出端与所述第一晶体管的输入电极电性连接以输出所述正电源信号至所述第一晶体管的输入电极，所述可调电源的第二输出端与所述第二晶体管的输入电极电性连接以输出所述负电源信号至所述第二晶体管的输入电极，所述可调电源的第二输出端与所述负压降控制单元的第二输入端电性连接，所述可调电源的第一控制端与所述负压降控制单元的输出端电性连接，所述可调电源的第一输出端与所述正压降控制单元的第二输入端电性连接，所述可调电源的第二控制端与所述正压降控制单元的输出端电性连接。

5.根据权利要求2所述的芯片测试装置，其特征在于，所述芯片测试装置还包括：

电压比例测量模组，所述电压比例测量模组的第一输入端与所述第一高速切换矩阵的输出端电性连接，所述电压比例测量模组的第二输入端与所述第二高速切换矩阵的输入端电性连接，所述电压比例测量模组的输出端与所述控制芯片、所述程控恒压限流源电性连接，用于按照比例输出所述管脚对的两端电压至所述控制芯片、所述程控恒压限流源，以便所述程控恒压限流源实现电压闭环控制、所述控制芯片记录电压测试数据。

6.根据权利要求5所述的芯片测试装置，其特征在于，所述芯片测试装置还包括：

电流比例测量模组，所述电流比例测量模组的第一输入端与所述采样电阻链的输入端电性连接，所述电流比例测量模组的第二输入端与所述采样电阻链的输出端电性连接，所述电流比例测量模组的输出端与所述控制芯片电性连接，用于按照比例输出所述测试信号的电流至所述控制芯片，以便所述控制芯片记录电流测试数据。

7.根据权利要求6所述的芯片测试装置，其特征在于，所述芯片测试装置还包括：

电流测量档位选择模块，所述电流测量档位选择模块的输入端与所述采样电阻链的输出端电性连接，所述电流测量档位选择模块的输出端与所述电流比例测量模组的第二输入端电性连接，用于选择所述测试信号的电流测量档位。

8.根据权利要求7所述的芯片测试装置，其特征在于，所述芯片测试装置还包括：

限流档位选择模块，所述限流档位选择模块的输入端与所述采样电阻链的另一输出端电性连接，用于可选择地确定与所述测试信号的电流对应的限流值；

限流放大单元电路，所述限流放大单元电路的第一输入端与所述限流档位选择模块的输出端电性连接，所述限流放大单元电路的第二输入端与所述采样电阻链的输入端电性连接，所述限流放大单元电路的输出端与所述程控恒压限流源电性连接，用于输出所述限流值至所述程控恒压限流源，以实现所述程控恒压限流源的恒流控制；

其中，当所述测试信号的电流达到或趋向于超过所述限流值时，所述程控恒压限流源自动转换为电流反馈模式，以维持所述测试信号的电流于所述限流值。

9.根据权利要求2至8任一项所述的芯片测试装置，其特征在于，所述芯片测试装置还包括：

上位机，所述上位机与所述控制芯片的RS232接口通信连接，用于输出所述测试项目、所述测试条件至所述控制芯片。

10.一种芯片测试方法，其特征在于，包括：

配置一控制模块，以根据测试项目、与所述测试项目对应的测试条件输出对应的测试信号、第一切换控制信号以及第二切换控制信号，所述控制模块包括程控恒压限流源，所述程控恒压限流源用于根据接收的所述测试条件输出对应的所述测试信号，所述测试条件包括所述测试信号的电压设定信息和所述测试信号的极性控制信号，所述程控恒压限流源包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的输入电极用于电性连接正电源信号，所述第一晶体管的控制电极用于接入所述极性控制信号，所述第二晶体管的输入电极用于电性连接负电源信号，所述第二晶体管的控制电极用于接入所述极性控制信号，所述第二晶体管的输出电极与所述第一晶体管的输出电极电性连接；

电性连接采样电阻链的输入端与所述控制模块的第一输出端，并电性连接所述采样电阻链的输入端与所述第二晶体管的输出电极，以比例调节所述测试信号；

电性连接第一高速切换矩阵的输入端与所述采样电阻链的输出端以接入所述测试信号，电性连接所述第一高速切换矩阵的控制端与所述控制模块的第二输出端，且根据所述第一切换控制信号选择性连接待测试芯片的管脚对中的一个管脚与所述第一高速切换矩阵的输出端；配置第二高速切换矩阵的输出端接入低电位信号，电性连接所述第二高速切换矩阵的控制端与所述控制模块的第三输出端，且根据所述第二切换控制信号选择性连接所述管脚对中的另一个管脚与所述第二高速切换矩阵的输入端；以及

配置一电源模块，所述电源模块包括负压降控制单元和正压降控制单元，所述负压降控制单元的第一输入端与所述第二晶体管的输入电极电性连接，所述负压降控制单元的控制端与所述程控恒压限流源电性连接，用于根据所述电压设定信息调节所述负电源信号的电压，所述正压降控制单元的第一输入端与所述第一晶体管的输入电极电性连接，所述正压降控制单元的控制端与所述程控恒压限流源电性连接，用于根据所述电压设定信息调节所述正电源信号的电压。

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