CN113745137B - 微型发光二极管的转移方法与显示面板 - Google Patents

微型发光二极管的转移方法与显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN113745137B
CN113745137B CN202010487106.4A CN202010487106A CN113745137B CN 113745137 B CN113745137 B CN 113745137B CN 202010487106 A CN202010487106 A CN 202010487106A CN 113745137 B CN113745137 B CN 113745137B
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting diode
adhesive layer
light emitting
substrate
transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010487106.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113745137A (zh
Inventor
牛红林
何大鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Machine Co Ltd
Original Assignee
Huawei Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Machine Co Ltd filed Critical Huawei Machine Co Ltd
Priority to CN202010487106.4A priority Critical patent/CN113745137B/zh
Publication of CN113745137A publication Critical patent/CN113745137A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113745137B publication Critical patent/CN113745137B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本申请实施例提供一种转移效率与修复效率较高的微型发光二极管转移方法：提供第一输出基板，多个呈阵列排布的微型发光二极管芯片通过剥离层设置于第一输出基板表面；将第一转移基板与第一输出基板对准并将多个微型发光二极管芯片与第一基板表面的第一粘着层粘着固定；采用激光处理第一输出基板目标位置的微型发光二极管芯片对应的区域，目标位置的微型发光二极管芯片与剥离层相剥离；提供设置有接收粘着层的接收基板，将第一转移基板与接收基板对准并使得目标位置的微型发光二极管芯片与接收粘着层固定；处理第一粘着层，目标位置的微型发光二极管芯片与第一粘着层脱离转移至接收基板上。本申请实施例还提供一种通过前述转移方法制作的显示面板。

Description

微型发光二极管的转移方法与显示面板
技术领域
本申请涉及微型发光二极管制作领域，尤其涉及一种微型发光二极管的转移方法，以及采用前述转移法制作的显示面板。
背景技术
Micro LED(μ-LED)称为微型发光二极管，为将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率。Micro LED具备无需背光源、能够自发光的特性，Micro LED色彩较容易准确的调试，且具有较长的发光寿命和更高的亮度，且封装要求低，更容易实现柔性及无缝拼接显示，是未来极具发展前景的显示器类型之一。
在Micro LED显示面板的制备过程中，需要将Micro LED芯片快速的巨量转移至电路基板或者阵列基板。目前采用的转移方法为通过基板接合(Wafer Bonding)将微型元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微型元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。或者通过多次转移与剥离步骤后转移至接收基板，在此过程中，通过转置头可将位于中间承载基板上的部分微型元件阵列拾起，然后再将微型元件阵列接合至接收基板，接着再把转置头移除。但现有技术中均为批量的将多个连续位置的Micro LED进行同时转移，而无法单独针对一个或者单独将多个位置不连续位置的Micro LED进行转移。尤其是在接收基板完成转移后再发现其中多个位置中的Micro LED损坏失效需要修补时，目前的转移方式完全无法执行，如此就会导致具有个位置中的Micro LED损坏失效的接收基板无法得到维修而被废弃，进而使得MicroLED的转移成本提高且转移效率低下。
发明内容
为解决前述技术问题，本申请实施例提供一种转移效率较高且成本较低的微型发光二极管的转移方法以及据此转移方法制作的显示面板。
第一方面，在本申请的一种实现方式中，提供一种微型发光二极管的转移方法，包括步骤：
提供第一输出基板，所述第一输出基板包括相对的第一表面与第二表面，所述第一输出基板的第一表面设置剥离层，所述剥离层远离所述第一表面的表面设置有呈阵列排布的多个微型发光二极管芯片；
提供第一转移基板，所述第一转移基板上设置有第一粘着层；
将所述第一转移基板与所述第一输出基板的第一表面对准，将所述多个微型发光二极管芯片与所述第一粘着层粘着固定；
采用激光处理所述第一输出基板的第二表面上与目标位置的微型发光二极管芯片相对应的区域，使得目标位置的微型发光二极管芯片与所述剥离层相剥离；
提供接收基板，所述接收基板上设置有接收粘着层，将所述第一转移基板与所述接收基板的第一表面对准并使得所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定；
处理所述第一粘着层，使得所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述第一粘着层脱离，以将所述目标位置的微型发光二极管芯片转移至所述接收基板上。
当接收基板上出现部分位置出现损坏失效的发光元件时，将出现损坏失效的发光元件的位置即作为目标位置，即可仅针对目标位置的发光元件进行转移，从而完成损坏失效的发光元件的修复，
在其中一种实施例中，所述接收粘着层为包含有沟道的图案形状，所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述接收基板表面之间具有镂空的沟道。由于发光元件与接收基板之间的粘着层具有沟道，即发光元件与接收基板之间具有镂空的非粘着区域，发光元件与粘着层相对粘着面积以及粘着力较小，发光元件则较为容易自转移基板上剥离，保证了发光元件的转移正确率与效率。
在其中一种实施例中，所述多个微型发光二极管芯片中的每一个微型发光二极管芯片包括芯片主体、至少一个连接端、连接端面与出光面，其中，所述连接端设置于所述芯片主体的连接表面并与所述芯片主体内的电路元件电性连接，连接端与所述芯片主体的连接表面构成所述连接端面，所述芯片主体自所述出光面出射光线。当所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述第一粘着层粘着固定时，所述连接端与第一粘着层粘着固定。所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定时，所述出光面与所述接收粘着层固定。依据实际需求，微型发光二极管芯片的连接端显露于接收基板表面，从而便于微型发光二极管芯片与其他基板的转移固定。
在其中一种实施例中，在目标位置的微型发光二极管芯片与所述剥离层相剥离之后还包括步骤：
提供第二转移基板，所述第二转移基板上设置有第二粘着层；
将所述第一转移基板与所述第二转移基板对准，并将所述多个微型发光二极管芯片与所述第二粘着层粘着固定；
处理所述第一粘着层，使得所述目标位置微型发光二极管芯片与所述第一粘着层脱离，以将所述目标位置的微型发光二极管芯片转移至所述第二转移基板上；
将所述第二转移基板与所述接收基板的第一表面对准并使得所述目标位置微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定后，执行与所述第二粘着层脱离以并转移至所述接收基板的所述目标位置。
在其中一种实施例中，所述多个微型发光二极管芯片中的每一个微型发光二极管芯片包括芯片主体、至少一个连接端、连接端面与出光面，其中，所述连接端设置于所述芯片主体的连接表面并与所述芯片主体内的电路元件电性连接，所述连接端与所述芯片主体的连接表面构成所述连接端面，所述芯片主体自所述出光面出射光线。在所述第一输出基板上，所述连接端位于所述芯片主体远离所述剥离层的表面，当所述多个微型发光二极管芯片与所述第一粘着层粘着固定时，所述连接端与第一粘着层粘着固定；所述多个微型发光二极管芯片与所述第二粘着层粘着固定时，所述出光面与所述第二粘着层固定；当所述第二转移基板与所述接收基板对准并粘着固定，所述目标位置微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定时，所述连接端与所述接收粘着层固定。依据实际需求，微型发光二极管芯片的出光面显露于接收基板表面，以便于微型发光二极管芯片在接收基板上工作时进行光线出射。
在其中一种实施例中，所述第二粘着层的粘着力大于所述第一粘着层的粘着力，以便于微型发光二极管芯片较为容易以及准确地自第一转移基板转移至第二转移基板。
具体地，所述连接端面包括第一面积为(S1)，所述出光面包括第二面积(S2)；所述第二粘着层具有第一粘着力(F1)，所述第一粘着层具有第二粘着力(F2)；其中，S1*F1≤1.1*S2*F2。
在其中一种实施例中，所述接收粘着层具有第三粘着力(F3)，其中，S2*F2≤1.1*S1*F3。
在其中一种实施例中，在所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定后，所述连接端与所述接收基板的接收连接端通过加热或者加压的方式固定，且所述连接端与所述接收基板的接收连接端具有第一固定力度为F4，其中，S2*F2≤1.1*S1*F4。
在其中一种实施例中，所述第一粘着层具有第一厚度(H1)，所述微型发光二极管具有第二厚度(H2)，H1≤H2，所述第一粘着层的粘着力的范围为0.1Mpa～1.5Mpa，所述第一粘着层的邵氏硬度为范围为10～100度。其中，当所述第一输出基板与所述第一转移基板对位固定时，所述微型发光二极管嵌入所述第一粘着层的深度(D1)的范围为：0≤D1≤H2/2。
在其中一种实施例中，所述第二粘着层具有第三厚度(H3)，其中，所述第三厚度(H3)小于所述微型发光二极管的厚度(H1)，所述第二粘着层的粘着力范围为：0.1Mpa～1Mpa，邵氏硬度范围为20～100。当所述第二转移基板与所述第一转移基板对位固定时，所述微型发光二极管嵌入所述第二粘着层的深度(D2)的范围为0≤D2≤H2/2，所述第二粘着层的深度(D2)的前述范围能够保证微型发光二极管准确固定于转移基板的同时，还能够保证微型发光二极管在转移过程中能够较为容易地与转移基板上的粘着层剥离，实现准确、高效的转移。
在其中一种实施例中，所述第一输出基板设置的阵列排布的多个微型发光二极管芯片出射第一颜色的光线；
提供第二输出基板，所述第二输出基板包括用于出射第二颜色光线的多个微型发光二极管芯片；
提供第三转移基板，所述转移基板上设置有第三粘着层；
将所述第三转移基板与所述第二输出基板的第一表面对准，且将所述多个微型发光二极管芯片与所述第三粘着层粘着固定；
采用激光处理所述第二输出基板上与所述目标位置的微型发光二极管芯片相对应的区域，使得所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述第二输出基板剥离；
提供第四转移基板，所述第四转移基板上设置有第四粘着层；
将所述第四转移基板与所述第三转移基板对应第二粘着层对准，将所述多个微型发光二极管芯片在所述第三粘着层与所述第四粘着层粘着固定；
处理所述第三粘着层，所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述第三粘着层脱离，以将所述目标位置微型发光二极管芯片转移至所述第四转移基板上；
将所述第四转移基板与所述接收基板对位固定，且在所述目标位置微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定后，执行与所述第四粘着层脱离以并转移至所述接收基板上；
其中，出射所述第一颜色光线的微型发光二极管芯片与出射所述第二颜色光线的微型发光二极管芯片在所述接收基板上的位置不同。
进一步，提供第三输出基板，所述三输出基板包括用于出射第三颜色光线的多个微型发光二极管芯片，
提供第五转移基板，所述转移基板上设置有第五粘着层；
将所述第五转移基板与所述第三输出基板的第一表面对准，将所述多个微型发光二极管芯片与所述第五粘着层粘着固定；
在所述第二表面采用激光处理对应目标位置微型发光二极管芯片对应的所述剥离层，目标位置微型发光二极管芯片与所述第三输出基板脱离；
提供第六转移基板，所述第六转移基板上设置有第六粘着层；
将所述第六转移基板与所述第五转移基板对应第五粘着层对准，将所述多个微型发光二极管芯片在所述第五粘着层与所述第六粘着层之间粘着固定；
处理所述第五粘着层，使得所述目标位置微型发光二极管芯片与所述第五粘着层脱离，以将所述目标位置微型发光二极管芯片转移至所述第六转移基板上；
将所述第六转移基板与所述接收基板对位固定，并在所述目标位置微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定后，执行与所述第六粘着层脱离以并转移至所述接收基板上；
其中，出射所述第一颜色光线的微型发光二极管芯片、出射所述第二颜色光线的微型发光二极管芯片、出射所述第三颜色光线的微型发光二极管芯片在所述接收基板上的位置不同。
当损坏失效的发光元件为出射不同颜色的发光元件时，可以将目标位置的出射不同颜色光线的发光元件进行转移，完成损坏失效的发光元件的修复。
在其中一种实施例中，所述第一输出基板设置的阵列排布的多个微型发光二极管芯片出射第一颜色的光线；
提供第二输出基板，所述二输出基板包括用于出射第二颜色光线的多个微型发光二极管芯片，
提供第三转移基板，所述转移基板上设置有第三粘着层；
将所述第三转移基板与所述第二输出基板的第一表面对准，将所述多个微型发光二极管芯片与所述第三粘着层粘着固定；
在所述第二表面采用激光处理对应目标位置微型发光二极管芯片对应的所述剥离层，目标位置微型发光二极管芯片与所述第二输出基板脱离；
将所述第二转移基板与所述第三转移基板对应第二粘着层对准，将所述多个微型发光二极管芯片在所述第二粘着层与所述第三粘着层粘着固定，
处理所述第三粘着层，使得所述目标位置微型发光二极管芯片与所述第三粘着层脱离，将所述目标位置微型发光二极管芯片转移至所述第二转移基板上；
其中，出射所述第一颜色光线的微型发光二极管芯片与出射所述第二颜色光线的微型发光二极管芯片在所述第二基板上的位置不同。
进一步，提供第三输出基板，所述三输出基板包括用于出射第三颜色光线的多个微型发光二极管芯片，
提供第五转移基板，所述转移基板上设置有第五粘着层；
将所述第五转移基板与所述第三输出基板的第一表面对准，将所述多个微型发光二极管芯片与所述第五粘着层粘着固定；
在所述第二表面采用激光处理对应目标位置微型发光二极管芯片对应的所述剥离层，目标位置微型发光二极管芯片与所述第三输出基板脱离；
将所述第二转移基板与所述第五转移基板对应第二粘着层对准，将所述多个微型发光二极管芯片在所述第二粘着层与所述第五粘着层粘着固定，
处理所述第五粘着层，使得所述目标位置微型发光二极管芯片与所述第五粘着层脱离，以将所述目标位置微型发光二极管芯片转移至所述第二转移基板上；
其中，出射所述第一颜色光线的微型发光二极管芯片、出射所述第二颜色光线的微型发光二极管芯片、出射所述第三颜色光线的微型发光二极管芯片在所述第二转移基板上的位置不同；
将所述第二转移基板与所述接收基板对位固定，并使得出射所述第一颜色光线、第二颜色关系以及第三颜色光线的所述目标位置微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定后，执行与所述第二粘着层脱离以并转移至所述接收基板上。
当损坏失效的发光元件为出射不同颜色的发光元件时，可以将目标位置的出射不同颜色光线的发光元件进行转移，完成损坏失效的发光元件的修复。
在其中一种实施例中，识别所述接收基板包括多个不同位置的微型发光二极管芯片损坏时，确定所述损坏的微型发光二极管所在位置为目标位置；对应所述第一输出基板的第二表面，所述多个目标位置的微型发光二极管芯片剥离所述目标位置微型发光二极管芯片，并转移至所述第一转移基板。准确识别损坏失效的微型发光二极管所在的位置，即准确确定前述的目标位置，便于对损坏失效的微型发光二极管更换替换修复。
在第二方面，在本申请一种实施例中，提供一种显示面板，所述显示面板包括多个微型发光二极管，其中，所述多个微型发光二极管由前述微型发光二极管的转移方法制备形成，有效提高了显示面板中微型发光二极管的转移效率，同时也便于损坏失效的微型发光二极管的修复。
附图说明
图1为本申请一种显示终端的侧面结构示意图；
图2为图1所示承载面板的平面结构示意图；
图3为图2所示显示面板的中像素单元的立体结构示意图；
图4为如图3所示发光元件的侧面结构示意图；
图5为发光元件制作于晶圆上时的平面结构示意图；
图6为本申请第一实施例中自第一输出基板将多个发光元件转移至阵列基板时工艺制程示意图；
图7为如图6所示的转移流程示意图；
图8为图6所示第一转移基板上设置的第一粘着层的图案的图案的平面结构示意图；
图9为发光元件与第一粘着层固定时的结构示意图；
图10为本申请第二实施例中自第一输出基板将多个发光元件转移至阵列基板时工艺制程示意图；
图11为如图10所示的转移流程示意图；
图12为如图11所示部分步骤的放大结构示意图；
图13为如图11所示部分步骤的放大结构示意图；
图14为本申请第三实施例中将自多个输出基板将出射三种颜色光线的发光元件转移分别至阵列基板时工艺制程示意图；
图15为如图14所示的转移流程示意图；
图16为本申请第四实施例中将自多个输出基板将出射三种颜色光线的发光元件转移分别至阵列基板时工艺制程示意图；
图17为如图16所示的转移流程示意图；
图18为采用图14-图17所示方式形成的接收基板的侧面结构示意图；
图19为本申请第五实施例中发光元件检测维修的流程示意图；
图20为图19所示检测维修时转移过程中基板的平面结构示意图；
图21为执行如图6-图20发光元件从输出基板转移至接收基板的转移系统的功能模块示意图。
具体实施方式
下面以具体的实施例对本申请进行说明。
请参阅图1，其为本申请一种显示终端的侧面结构示意图。如图1所示，电子终端10包括层叠设置的保护层13与承载面板11。其中，承载面板11包括阵列基板111以及多个呈矩阵排列并设置于阵列基板111表面、用于出射光线以显示图像的发光元件11a，发光元件11a夹设于保护层13与阵列基板111之间，保护层13用于保护发光元件11a，防止发光元件11a损坏。
本实施例中，发光元件11a为微型发光二极管(Micro-Size Light EmittingDiode,μ-LED)，其中，发光元件11a的尺寸范围为1～100μm。
本实施例中，电子终端10为显示终端时，承载面板11即为显示面板，阵列基板111上设置的发光元件11a即作为图像显示的像素元件，用于执行图像显示。在本申请其他实施例中，电子终端10还可以为光源，阵列基板111则可以为电路板等支撑结构。
本实施例中，以承载面板11为显示面板为例具体说明其面板层结构以及具体的制程。
请参阅图2与图3，图2为图1所示承载面板11的平面结构示意图。如图2所述，在显示面板11的显示区域AA(Active Area)内包括多个阵列均匀排布的像素单元P，每一个像素单元P包括多个间隔预设距离设置的发光元件11a其中，像素单元P中包括有多个出射不同颜色光线的发光元件11a。
请参阅图3，其为图2所示显示面板11的中像素单元的立体结构示意图。如图3所示，像素单元P包括出射红色光线的发光元件11a-R、绿色光线的发光元件11a-G，蓝色光线的发光元件11a-B，通过控制发光元件11a出射的不同颜色光线的灰阶亮度，即可使得像素单元P出射不同颜色彩色光线，进而使得显示面板11能够执行彩色图像的显示。本实施例中，红色定义为第一颜色，绿色定义为第二颜色，蓝色定义为第三颜色。
在本申请其他实施例中，像素单元P还可以包括出射红色光线、绿色光线、蓝色光线、白色光线四种颜色发光元件。此时，第一颜色则可为红色、绿色、蓝色与白色四种颜色中的一种颜色，第二颜色则可为红色、绿色、蓝色与白色四种颜色中的一种颜色，第三颜色则可为红色、绿色、蓝色与白色四种颜色中的一种颜色。其中，在同一个像素单元P中，第一颜色、第二颜色与第三颜色互不相同即可。举例而言，第一颜色为绿色，第二颜色为蓝色、第三颜色为红色；或者，第一颜色为蓝色，第二颜色为红色、第三颜色为绿色；或者，第一颜色为白色，第二颜色为蓝色、第三颜色为红色；或者，第一颜色为绿色，第二颜色为白色、第三颜色为红色；或者，第一颜色为绿色，第二颜色为蓝色、第三颜色为白色。
请参阅图4，其为如图3所示发光元件11a的侧面结构示意图。
如图4所示，发光元件11a包括芯片主体11c、连接端11b、连接端面11a-1与出光面11a-2。其中，芯片主体11c内设置有电路，并且芯片主体11c还包括连接表面11c-1，连接端11b设置于连接端面11a-1的连接表面11c-1并与芯片主体11c内的电路电性连接，连接端11b用于将接收到的电流、电压信号传输至芯片主体11c，以驱动芯片主体11c自出光面11a-2出射对应于前述电流、电压的亮度的光线。连接端11b与芯片主体11c的连接表面11c-1构成连接端面11a-1。
需要说明的是，阵列面板111上还设置用于传输图像信号与显示驱动信号的走线以及驱动电路，驱动电路根据待显示图像的图像数据提供发光元件11a出射光线的电流与电压，从而驱动发光元件11a出射相应灰阶亮度的光线以正确显示图像。
发光元件11a在制作过程中需要经过高温制程、化学试剂蚀刻等制程，但是阵列基板111的材料是无法直接承受高温、蚀刻制程的，另外，基于发光元件11a尺寸较小，通常采用预先将多个发光元件11a制作在晶圆(wafer)上，然后自晶圆快速的巨量转移至阵列基板111上。
请参阅图5，其为发光元件11a制作于晶圆上时的平面结构示意图。
如图5所示，第一输出基板100作为晶圆，设置有多个发光元件11a。本实施例中，第一输出基板100为蓝宝石(Sapphire)材料。
具体地，第一输出基板100包括相对的第一表面101与第二表面102。其中，第一表面102设置表有剥离层110(sacrificial layer)，剥离层110远离所述第一表面101的表面设置阵列排布的多个发光元件11a，本实施例中，发光元件11a为微型发光二极管芯片(Micro-LED，μ-LED)。其中，剥离层110在接收到激光(layer)、紫外线(UV)照射时或者加热处理时，剥离层110材料发生质变失去粘着力，使得发光元件11a较为容易与第一输出基板100剥离(lift off)。本实施例中，剥离层110的材料可以为GaN材料。
对于发光元件11a而言，芯片主体11c的出光面11a-2直接设置于剥离层110的表面，芯片主体11c的连接端面11a1远离剥离层110则显露于剥离层110之外。
请一并参阅图6-图7，图6为本申请第一实施例中自第一输出基板将多个发光元件转移至阵列基板时工艺制程示意图，图7为如图6所示的转移流程示意图。
如图6-图7所示，将设置有多个发光元件的第一输出基板100作为输出基板，将阵列基板11作为接收基板，转多个发光元件自第一输出基板100转移接收基板的步骤包括：
步骤S01：提供第一输出基板100。其中，第一输出基板100即为如图5所示包含有剥离层110以及阵列排布设置于剥离层110表面的发光元件11a。
步骤S02：提供第一转移基板(Carrier)CA1，第一转移基板CA1上设置有第一粘着层(Adhesive1)L1。
其中第一转移基板CA1材料可以为玻璃、石英、硅材料，第一粘着层L1的材料可以为聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS),光敏胶(UV胶膜)或者胶带(Glue)。其中，第一粘着层L1在紫外线(UV)照射时或者加热处理时，第一粘着层L1的材料发生质变失去粘着力。
步骤S03：将第一转移基板CA1与第一输出基板100的第一表面101对位，将多个发光元件11a与所述第一粘着层L1粘着固定。
当所述多个发光元件11a与第一粘着层L1粘着固定时，连接端11b与第一粘着层L1粘着固定。
步骤S04：对应目标位置的发光元件11a所在的区域，采用激光照射处理第一输出基板100的第二表面102，目标位置的发光元件11a对应的剥离层110降低固定强度，目标位置的发光元件11a与第一输出基板100上的剥离层110剥离。
在本申请其他实施例中，还可以采用紫外线或者其他方式使得目标位置的剥离层110降低固定强度。
步骤S05：提供接收基板RE，接收基板RE上设置有接收粘着层L3，将第一转移基板CA1与接收基板RE对位，并使得目标位置的发光元件11a与接收粘着层L3固定。
其中，目标位置的发光元件11a与接收粘着层L3固定时，出光面11a-2与接收粘着层L3固定。
步骤S06：处理第一粘着层L1，使得目标位置的发光元件11a与第一粘着层L1脱离，以将目标位置的发光元件11a转移至接收基板RE上。此时，出光面11a-2与接收粘着层L3固定，连接端11b显露于接收基板RE的表面。
本实施例中，接收基板RE为图1所示的阵列基板11。
请参阅图8，其为图6所示第一转移基板CA1上设置的第一粘着层L1的平面结构示意图。
如图8所示，第一粘着层L1包括多个间隔预设距离的沟道(channel)CH1，沟道的形状可以为如图8所示直线延伸的矩形，在本申请其他实施例中，沟道CH1还可以为折线延伸、曲线延伸。
本实施例中，沟道CH1未设置有粘着材料。在本申请其他实施例中，沟道CH1中也设置有粘着材料，但是沟道CH1中粘着材料的厚度小于第一粘着层L1的厚度。
如图9所示，其为发光元件11a与第一粘着层L1固定时的结构示意图。
当将第一转移基板CA1与接收基板RE对位并使得发光元件11a与接收粘着层L3固定后，需要将发光元件11a与第一粘着层L1剥离而将发光元件11a转移至接收基板RE时，由于发光元件11a与接收基板RE之间的第一粘着层L1具有沟道，即发光元件11a与接收基板RE之间具有镂空的非粘着区域，那么，发光元件11a与第一粘着层L1相对粘着面积以及粘着力较小，使得发光元件11a较为容易自第一转移基板CA1上剥离，保证了发光元件11a的转移正确率与效率。
对于如图3所示的当一个像素单元P中包括不同颜色的发光元件11a-R～11a-B(11a-R、11a-G和11a-B)时，由于不同颜色的发光元件无法制作于同一个晶圆(输出基板)上，因此，不同颜色的发光元件11a-R～11a-B需要单独执行转移到接收基板的制程。其中，不同颜色的发光元件11a-R～11a-B可以分别转移至同一个第二转移基板CV2上然后再转移至接收基板RE，也可以不同颜色的发光元件11a-R～11a-B分别单独直接执行转移至接收基板RE上。
图10-图11所示，图10为本申请第二实施例中自第一输出基板将多个发光元件转移至阵列基板时工艺制程示意图，图11为如图10所示的转移流程示意图。
如图10-图11所示，将设置有多个发光元件的第一输出基板100作为输出基板，将阵列基板11为接收基板，转多个发光元件自第一输出基板100转移接收基板的步骤包括：
步骤S01：提供第一输出基板100。其中，第一输出基板100即为如图5所示包含有剥离层110以及阵列排布设置于剥离层110表面的发光元件11a。
步骤S02：提供第一转移基板(Carrier)CA1，第一转移基板CA1上设置有第一粘着层(Adhesive1)L1。
其中第一转移基板CA1材料可以为玻璃、石英、硅材料，第一粘着层L1的材料可以为聚二甲基硅氧烷PDMS,光敏胶(UV胶膜)或者胶带(Glue)。其中，第一粘着曾L1在接收到激光(layer)、紫外线(UV)照射时或者加热处理时，剥离层110材料发生质变失去粘着力。
其中，所述第一粘着层L1具有第一粘着力F1。
步骤S03：将第一转移基板CA1与第一输出基板100的第一表面101对位，将多个发光元件11a与所述第一粘着层L1粘着固定。
当所述多个发光元件11a与第一粘着层L1粘着固定时，连接端11b与第一粘着层L1粘着固定。
步骤S04：对应目标位置的发光元件11a所在的区域，采用激光照射处理第一输出基板100的第二表面102，目标位置的发光元件11a对应的剥离层110降低固定强度，目标位置的发光元件11a与第一输出基板100上的剥离层110剥离。
在本申请其他实施例中，还可以采用紫外线或者其他方式使得目标位置的剥离层110降低固定强度。
步骤S041，提供第二转移基板CA2，第二转移基板CA2上设置有第二粘着层L2。
其中第二转移基板CA2材料可以为玻璃、石英、硅材料，第二粘着层L2的材料可以为聚二甲基硅氧烷(PDMS),光敏胶(UV胶膜)或者胶带(Glue)。其中，第一粘着层L1在接收到紫外线(UV)照射时或者加热处理时，第二粘着层L2材料发生质变失去粘着力。
本实施例中，第二粘着层L2具有第二粘着力F2。
步骤S042，将第一转移基板CA1与第二转移基板CA2对应第二粘着层L2对位固定，并将多个发光元件11a与第二粘着层L2粘着固定。
本实施例中，多个发光元件11a与第二粘着层L2粘着固定时，发光面11a-2与第二粘着层L2固定。
步骤S043，处理第一粘着层L1，使得目标位置发光元件11a与第一粘着层L1脱离，以将所述目标位置发光元件11a转移至第二转移基板CA2上。
本实施例中，为便于目标位置发光元件11a与所述第一粘着层L1脱离，所述第二粘着层L2具有的第二粘着力F2大于第一粘着层L1具有的第一粘着力。
在本申请一种实现方式中，所述连接端面11a-1包含第一面积S1，所述出光面11a-2包含第二面积S2。所述第二粘着层L2具有第二粘着力F2，所述第一粘着层具有第一粘着力F1；其中，S1*F1≤1.1*S2*F2。
步骤S05：提供接收基板RE，接收基板RE上设置有接收粘着层L3，将第二转移基板CA2与接收基板RE对位，并使得目标位置的发光元件11a与接收粘着层L3固定。
其中，目标位置的发光元件11a与接收粘着层L3固定时，连接端11b与接收粘着层L3固定。
步骤S06：处理所述第二粘着层L2，目标位置的发光元件11a与第二粘着层L2脱离，以将目标位置的发光元件11a转移至接收基板RE上。此时，连接端11b通过接收粘着层L3固定于接收基板RE上，出光面11a-2显露于接收基板RE的表面。
本实施例中，接收粘着层L3具有第三粘着力F3，其中，S2*F2≤1.1*S1*F3。
在目标位置的发光元件11a与接收粘着层L3固定后，连接端11b与接收基板RE的接收连接端PAD通过加热或者加压的方式固定，此时，连接端11b与接收基板RE的接收连接端PAD具有第一固定力度为F4，其中，S2*F2≤1.1*S1*F4。
请参阅图12-图13，图12为如图11所示部分步骤的放大结构示意图，图13为如图11所示部分步骤的放大结构示意图。
如图12所示，在步骤S03中，当第一转移基板CA1与第一输出基板100的第一表面101对位，多个发光元件11a与所述第一粘着层L1粘着固定时，第一粘着层L1具有第一厚度H1，发光元件11a具有第二厚度H2，其中，H1≤H2，H1的范围为：0.5～10um。当第一输出基板100与第一转移基板CA1对位固定时，发光元件11a嵌入所述第一粘着层L1第一深度D1，其中第一深度D1取值的范围为：0≤D1≤H2/2，该限定可以有效防止第一粘着层L1的堆积效应，同时还能够防止第一粘着层L1堆积而包裹发光元件11a，不便于发光元件11a的转移。
本实施例中，第一粘着层L1材料可以为UV解胶或者热解胶能力的UV Tap或选择具有粘接力的PDMS、PI。本实施例中，第一粘着层L1的粘度(粘着力)范围为0.1Mpa～1.5Mpa，邵氏硬度short A的为10～100度。
如图13所示，在步骤S042中，第一转移基板CA1与第二转移基板CA2对应第二粘着层L2对位固定，并将多个发光元件11a与第二粘着层L2粘着固定时，第二粘着层L2具有第三厚度H3，其中，H1≤H2。第二粘着层L2的粘度介于0.1Mpa～1Mpa，硬度short A介于20～100度。当第二转移基板CA2与第一转移基板CA1对位固定时，发光元件11a嵌入第二粘着层L2第二深度D2，其中第二深度D2的取值范围为0≤D2≤H2/2。本实施例中，第二粘着层L2能够耐高温，并可以通过激光或者紫外线(UV)降低粘性实现解胶，以使得发光元件11a能够自第二转移基板CA2转移至接收基板RE。
请参阅图14-图15，图14为本申请第三实施例中将位于第一输出基板上的出射三种颜色光线的发光元件转移分别至阵列基板时工艺制程示意图，图15为如图14所示的转移流程示意图。
第一输出基板100上设置的多个矩阵排布的发光元件11a出射红色光线，即第一输出基板100设置矩阵排布的发光元件11a-R，由此，在将第一输出基板100上目标位置上的发光元件11a-R转移至接收基板RE之后，分别执行出射绿色光线的发光元件11a-G，蓝色光线的发光元件11a-B转移至接收基板RE。
步骤S01：提供第一输出基板100。其中，第一输出基板100即为如图5所示包含有剥离层110以及阵列排布设置于剥离层110表面的发光元件11a。
步骤S02：提供第一转移基板(Carrier)CA1，第一转移基板CA1上设置有第一粘着层(Adhesive1)L1。
步骤S03：将第一转移基板CA1与第一输出基板100的第一表面101对位，将多个发光元件11a与所述第一粘着层L1粘着固定。
步骤S04：对应目标位置的发光元件11a所在的区域，采用激光照射处理第一输出基板100的第二表面102，目标位置的发光元件11a对应的剥离层110降低固定强度，目标位置的发光元件11a与第一输出基板100上的剥离层110剥离。
步骤S041，提供第二转移基板CA2，第二转移基板CA2上设置有第二粘着层L2。
步骤S042，将第一转移基板CA1与第二转移基板CA2对应第二粘着层L2对位固定，并将多个发光元件11a与第二粘着层L2粘着固定。
步骤S043，处理第一粘着层L1，使得目标位置发光元件11a与第一粘着层L1脱离，以将所述目标位置发光元件11a转移至第二转移基板CA2上。
步骤S05：提供接收基板RE，接收基板RE上设置有接收粘着层L3，将第二转移基板CA2与接收基板RE对位，并使得目标位置的发光元件11a与接收粘着层L3固定。
S06：处理所述第二粘着层L2，目标位置的发光元件11a与第二粘着层L2脱离，以将目标位置的发光元件11a转移至接收基板RE上。此时，连接端11b通过接收粘着层L3固定于接收基板RE上，出光面11a-2显露于接收基板RE的表面。
本实施例中，步骤S01～步骤S06将第一输出基板100上目标位置上的红色发光元件11a-R转移至接收基板RE。
步骤S07，针对出射绿色光线的发光元件11a-G转移至接收基板RE上。
其执行的步骤与S01-S06基本相同，具体地，
提供第二输出基板200，第二输出基板200设置的阵列排布的多个出射绿色光线的发光元件11a-G。
提供第三转移基板CV3，转移基板CV3上设置有第三粘着层(图未示出)。本实施例中，第三粘着层与第一粘着层L1的材质与形状相同。
将所述第三转移基板CV3与第二输出基板200对准，将所述多个发光元件11a-G与所述第三粘着层粘着固定。
在第二输出基板200上采用激光处理对应目标位置微型发光二极管芯片对应的剥离层，目标位置的发光元件11a-G与第二输出基板200脱离，使得目标位置的发光元件11a-G转移至第三转移基板CV3。
提供第四转移基板CV4，第四转移基板上设置有第四粘着层(图未示出)。本实施例中，第四粘着层与第二粘着层L2的材质与形状相同。
将第四转移基板CV4与第三转移基板CV3对应第三粘着层对准，将所述多个发光元件11a-G在第三粘着层与第四粘着层粘着固定。
处理第三粘着层，使得目标位置的发光元件11a-G与所述第三粘着层脱离，以将所述目标位置的发光元件11a-G转移至所述第四转移基板CV4上.
将第四转移基板CV4与接收基板RE对位并使得所述目标位置的发光元件11a-G与所述接收粘着层固定后，执行与所述第四粘着层脱离以并转移至接收基板RE。
其中，出射所述红色光线的发光元件11a-R与出射所述绿色光线的发光元件11a-G在接收基板RE上的位置不同。
步骤S08，针对出射蓝色光线的发光元件11a-B转移至接收基板RE上。
其执行的步骤与S01-S06基本相同，具体地，
提供第三输出基板300，第三输出基板300包括用于出射蓝色光线的多个发光元件11a-B。
提供第五转移基板CV5，第五转移基板500上设置有第五粘着层(图未示出)。本实施例中，第五粘着层与第一粘着层L1的材质与形状相同。
将第五转移基板CV5与第三输出基板300对位，将多个发光元件11a-B与第五粘着层粘着固定。
在第三输出基板300上采用激光处理对应目标位置发光元件11a-B的剥离层，使得目标位置的发光元件11a-B与第三输出基板300脱离。
提供第六转移基板CV6，第六转移基板上设置有第六粘着层(图未示出)。本实施例中，第六粘着层与第二粘着层L2的材质与形状相同。
将第六转移基板CV6与第五转移基板CV5对位固定，所述多个发光元件11a-B在第五粘着层与第六粘着层之间粘着固定。
处理第五粘着层，使得所述目标位置的发光元件11a-B与第五粘着层脱离，以将目标位置的发光元件11a-B转移至所述第六转移基板上。
将第六转移基板CV6与接收基板RE对准，并使得所述目标位置的发光元件11a-B与接收粘着层固定后，执行与第六粘着层脱离以并转移至接收基板RE；
其中，出射红色光线的11a-R、出射所述绿色光线的11a-G、出射所述蓝色光线的11a-R在接收基板RE上的位置不同。
请参阅图16-图17，图16为本申请第四实施例中将自多个输出基板将出射三种颜色光线的发光元件转移分别至阵列基板时工艺制程示意图，图17为如图16所示的转移流程示意图。
第一输出基板100上设置的多个矩阵排布的发光元件11a出射红色光线，即第一输出基板100设置矩阵排布的发光元件11a-R，由此，在将第一输出基板100上目标位置上的红色发光元件11a-R转移至接收基板RE之后，分别执行出射绿色光线的发光元件11a-G，蓝色光线的发光元件11a-B转移至接收基板RE。
步骤S01：提供第一输出基板100。其中，第一输出基板100即为如图5所示包含有剥离层110以及阵列排布设置于剥离层110表面的发光元件11a。
步骤S02：提供第一转移基板(Carrier)CA1，第一转移基板CA1上设置有第一粘着层(Adhesive1)L1。
步骤S03：将第一转移基板CA1与第一输出基板100的第一表面101对位，将多个发光元件11a与所述第一粘着层L1粘着固定。
步骤S04：对应目标位置的发光元件11a，采用激光照射第一输出基板100的第二表面102，目标位置的发光元件11a对应的剥离层110降低固定强度，目标位置的发光元件11a与第一输出基板100脱离。
步骤S041，提供第二转移基板CA2，第二转移基板CA2上设置有第二粘着层L2。
步骤S042，将第一转移基板CA1与第二转移基板CA2对应第二粘着层L2对位固定，并将多个发光元件11a与第二粘着层L2粘着固定。
步骤S043，处理第一粘着层L1，使得目标位置发光元件11a与第一粘着层L1脱离，以将所述目标位置发光元件11a转移至第二转移基板CA2上。
本实施例中，步骤S01～步骤S043将第一输出基板100上目标位置上的红色发光元件11a-R转移至第二转移基板CA2上。
步骤S09，针对出射绿色光线的发光元件11a-G转移至第二接收基板CA2上。
其执行的步骤与S01-S043基本相同，具体地，
提供第二输出基板200，第二输出基板200设置的阵列排布的多个出射绿色光线的发光元件11a-G。
提供第三转移基板CV3，转移基板CV3上设置有第三粘着层(图未示出)。本实施例中，第三粘着层与第一粘着层L1的材质与形状相同。
将所述第三转移基板CV3与第二输出基板200对准，将所述多个发光元件11a-G与所述第三粘着层粘着固定。
在第二输出基板200上采用激光处理对应目标位置微型发光二极管芯片对应的剥离层，目标位置的发光元件11a-G与第二输出基板200脱离。
将第二转移基板CV2与第三转移基板CV3对位固定，并将所述多个发光元件11a-G在第二粘着层L2与第三粘着层粘着固定。
处理第三粘着层，使得目标位置的发光元件11a-G与第三粘着层脱离，以将所述目标位置的发光元件11a-G转移至所述第二转移基板CV2。
其中，出射红色光线的发光元件11a-R与出射所述绿色光线的发光元件11a-G在第二转移基板上的位置不同。
步骤S10，针对出射蓝色光线的发光元件11a-B转移至第二接收基板CA2上。
其执行的步骤与S01-S043基本相同，具体地，
提供第三输出基板300，第三输出基板300包括用于出射第三颜色光线的多个发光元件11a-B。
提供第五转移基板CV5，第五转移基板CV5上设置有第五粘着层(图未示出)。本实施例中，第五粘着层与第一粘着层L1的材质与形状相同。
将第五转移基板CV5与第三输出基板300对位，将多个发光元件11a-B与第五粘着层粘着固定。
在第三输出基板300上采用激光处理对应目标位置的发光元件11a-B的剥离层，使得目标位置的发光元件11a-B与第三输出基板300脱离。
将第二转移基板CV2与第五转移基板CV5对位固定，以使得多个发光元件11a-B在第二粘着层L2与第五粘着层粘着固定。
处理第五粘着层，使得目标位置的发光元件11a-B与第五粘着层脱离，以将所述目标位置的发光元件11a-B转移至所述第二转移基板CV2。
其中，出射红色光线的发光元件11a-R、出射所述绿色光线的发光元件11a-G以及出射所述蓝色光线的发光元件11a-G在第二转移基板CV2上的位置不同。
步骤S05～步骤S06，提供包含有接收粘着层L3的接收基板RE，将第二转移基板CV2与接收基板RE对位固定，并使得出射所述红色光线、绿色光线以及蓝色光线的所述目标位置的发光元件11a与接收粘着层L3固定后，执行与第二粘着层L2脱离以并转移至接收基板RE上。
请参阅图18，其为采用图14-图17所示方式形成的接收基板RE的侧面结构示意图，如图18所示，接收基板RE在不同位置上设置有出射不同颜色光线的发光元件11a-R、发光元件11a-G、发光元件11a-B，也即是构成如图1、图3所示的显示基板11。
请参阅图19-图20，图19为本申请第五实施例中发光元件检测维修的流程示意图，图20为图19所示检测维修时转移过程中基板的平面结构示意图。
如图19所示，通过检测装置DE检测接收基板RE上出现损坏失效的发光元件11a的位置，记录出现损坏失效的发光元件11a的位置即作为目标位置。需要说明的是，目标位置上损坏失效的发光元件11a在检测完成后被移除。
通过如图19-图20所示，当损坏失效的发光元件11a均为出射相同颜色的发光元件11a时，可以采用本申请第一实施例、第二实施例中的步骤S01～S06进行将目标位置的发光元件11a进行转移，完成损坏失效的发光元件11a的修复。
当损坏失效的发光元件11a均为出射不同颜色的发光元件11a时，可以采用本申请图14-图15所示的第三实施例或者图16～图17所示的第四实施例中的步骤S01～S10进行将目标位置的发光元件11a进行转移，完成损坏失效的发光元件11a的修复。
请参阅图21，其为执行如图6-图20发光元件从输出基板转移至接收基板的转移系统的功能模块示意图。
转移系统TS包括控制系统1000、对位系统1001、激光系统1002、运动系统1003以及检测系统1004，其中，对位系统1001、激光系统1002、运动系统1003以及检测系统1004均分别于控制系统1000连接并进行信息交互，控制系统1000则针对其他功能系统的工作状态进行控制。
其中，检测系统1004用于控制检测装置DE检测接收基板RE上出现损坏失效的发光元件11a的位置，并且提供给控制系统1000，以便于控制系统1000执行转移策略来控制其他系统准确执行目标位置发光元件11a的转移，以及还用于检测发光元件11a陷入第一粘着层L1、第二粘着层L2以及接收粘着层L3的第一深度D1与第二深度D2，以便于调整发光元件11a陷入粘着层的深度保持一致。
对位系统1001用于执行步骤S01～S10中第一输出基板110、第一转移基板CV1、第二转移基板CV2、第三转移基板CV3、第四转移基板CV4、第五转移基板CV5、第六转移基板CV6以及接收基板RE之间的对位，保证发光元件11a准确处于目标位置。
激光系统1002用于在控制系统1000下从输出基板100～300的目标位置将发光元件11a自输出基板100～300脱离，以逐步转移至第一转移基板～第六转移基板CV6，最后转移至接收基板RE。
运动系统1003用于依据控制系统1000的控制，执行第一输出基板110、第一转移基板CV1、第二转移基板CV2、第三转移基板CV3、第四转移基板CV4、第五转移基板CV5、第六转移基板CV6以及接收基板RE之间的贴合固定，并通过压力系统使得针对两个贴合的基板相互靠近，同时驱动发光元件11a陷入第一粘着层L1、第二粘着层L2以及接收粘着层L3中，以保证发光元件11a与待转移基板的粘合强度，保证转移的正确率与效率。
以上所述是本申请的优选实施例，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (16)

1.一种微型发光二极管的转移方法，其特征在于，包括：
提供第一输出基板，所述第一输出基板包括相对的第一表面与第二表面，所述第一输出基板的第一表面设置剥离层，所述剥离层远离所述第一表面的表面设置有呈阵列排布的多个微型发光二极管芯片；
提供第一转移基板，所述第一转移基板上设置有第一粘着层；
将所述第一转移基板与所述第一输出基板的第一表面对准，将所述多个微型发光二极管芯片与所述第一粘着层粘着固定；
采用激光处理所述第一输出基板的第二表面上与目标位置的微型发光二极管芯片相对应的区域，使得目标位置的微型发光二极管芯片与所述剥离层相剥离；
提供接收基板，所述接收基板上设置有接收粘着层，将所述第一转移基板与所述接收基板的第一表面对准并使得所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定，其中，所述接收粘着层为包含有沟道的图案形状，所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述接收基板表面之间具有镂空的沟道；
处理所述第一粘着层，使得所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述第一粘着层脱离，以将所述目标位置的微型发光二极管芯片转移至所述接收基板上。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
所述多个微型发光二极管芯片中的每一个微型发光二极管芯片包括芯片主体、至少一个连接端、连接端面与出光面，其中，所述连接端设置于所述芯片主体的连接表面并与所述芯片主体内的电路元件电性连接，连接端与所述芯片主体的连接表面构成所述连接端面，所述芯片主体自所述出光面出射光线；
当所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述第一粘着层粘着固定时，所述连接端与第一粘着层粘着固定；
所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定时，所述出光面与所述接收粘着层固定。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，在目标位置的微型发光二极管芯片与所述剥离层相剥离之后还包括步骤：
提供第二转移基板，所述第二转移基板上设置有第二粘着层；
将所述第一转移基板与所述第二转移基板对准，并将所述多个微型发光二极管芯片与所述第二粘着层粘着固定；
处理所述第一粘着层，使得所述目标位置微型发光二极管芯片与所述第一粘着层脱离，以将所述目标位置的微型发光二极管芯片转移至所述第二转移基板上；
将所述第二转移基板与所述接收基板的第一表面对准并使得所述目标位置微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定后，执行与所述第二粘着层脱离以并转移至所述接收基板的所述目标位置。
4.根据权利要求3所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
所述多个微型发光二极管芯片中的每一个微型发光二极管芯片包括芯片主体、至少一个连接端、连接端面与出光面，其中，所述连接端设置于所述芯片主体的连接表面并与所述芯片主体内的电路元件电性连接，所述连接端与所述芯片主体的连接表面构成所述连接端面，所述芯片主体自所述出光面出射光线；
在所述第一输出基板上，所述连接端位于所述芯片主体远离所述剥离层的表面；
当所述多个微型发光二极管芯片与所述第一粘着层粘着固定时，所述连接端与第一粘着层粘着固定；
所述多个微型发光二极管芯片与所述第二粘着层粘着固定时，所述出光面与所述第二粘着层固定；
当所述第二转移基板与所述接收基板对准并粘着固定，所述目标位置微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定时，所述连接端与所述接收粘着层固定。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
所述第二粘着层的粘着力大于所述第一粘着层的粘着力。
6.根据权利要求4所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
所述连接端面包括第一面积为S1，所述出光面包括第二面积S2；
所述第二粘着层具有第一粘着力F1，所述第一粘着层具有第二粘着力F2；
其中，S1*F1≤1.1*S2*F2。
7.根据权利要求6所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
所述接收粘着层具有第三粘着力F3，其中，S2*F2≤1.1*S1*F3。
8.根据权利要求4-7任意一项所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
在所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定后，所述连接端与所述接收基板的接收连接端通过加热或者加压的方式固定，且所述连接端与所述接收基板的接收连接端具有第一固定力度为F4，其中，S2*F2≤1.1*S1*F4。
9.根据权利要求4-7任意一项所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
所述第一粘着层具有第一厚度H1，所述微型发光二极管具有第二厚度H2，H1≤H2，
所述第一粘着层的粘着力的范围为0.1Mpa～1.5Mpa，所述第一粘着层的邵氏硬度为范围为10～100度，其中，
当所述第一输出基板与所述第一转移基板对位固定时，所述微型发光二极管嵌入所述第一粘着层的深度D1的范围为：0≤D1≤H2/2。
10.根据权利要求9所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
所述第二粘着层具有第三厚度H3，其中，所述第三厚度H3小于所述微型发光二极管的第一厚度H1，
所述第二粘着层的粘着力范围为：0.1Mpa～1Mpa，邵氏硬度范围为20～100，其中，
当所述第二转移基板与所述第一转移基板对位固定时，所述微型发光二极管嵌入所述第二粘着层的深度D2的范围为0≤D2≤H2/2。
11.根据权利要求4-7任意一项所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
所述第一输出基板设置的阵列排布的多个微型发光二极管芯片出射第一颜色的光线；
提供第二输出基板，所述第二输出基板包括用于出射第二颜色光线的多个微型发光二极管芯片，
提供第三转移基板，所述转移基板上设置有第三粘着层；
将所述第三转移基板与所述第二输出基板的第一表面对准，且将所述多个微型发光二极管芯片与所述第三粘着层粘着固定；
采用激光处理所述第二输出基板上与所述目标位置的微型发光二极管芯片相对应的区域，使得所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述第二输出基板剥离；
提供第四转移基板，所述第四转移基板上设置有第四粘着层；
将所述第四转移基板与所述第三转移基板对应第二粘着层对准，将所述多个微型发光二极管芯片在所述第三粘着层与所述第四粘着层粘着固定；
处理所述第三粘着层，所述目标位置的微型发光二极管芯片与所述第三粘着层脱离，以将所述目标位置微型发光二极管芯片转移至所述第四转移基板上；
将所述第四转移基板与所述接收基板对位固定，且在所述目标位置微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定后，执行与所述第四粘着层脱离以并转移至所述接收基板上；
其中，出射所述第一颜色光线的微型发光二极管芯片与出射所述第二颜色光线的微型发光二极管芯片在所述接收基板上的位置不同。
12.根据权利要求11所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
提供第三输出基板，所述三输出基板包括用于出射第三颜色光线的多个微型发光二极管芯片，
提供第五转移基板，所述转移基板上设置有第五粘着层；
将所述第五转移基板与所述第三输出基板的第一表面对准，将所述多个微型发光二极管芯片与所述第五粘着层粘着固定；
在所述第二表面采用激光处理对应目标位置微型发光二极管芯片对应的所述剥离层，目标位置微型发光二极管芯片与所述第三输出基板脱离；
提供第六转移基板，所述第六转移基板上设置有第六粘着层；
将所述第六转移基板与所述第五转移基板对应第五粘着层对准，将所述多个微型发光二极管芯片在所述第五粘着层与所述第六粘着层之间粘着固定；
处理所述第五粘着层，使得所述目标位置微型发光二极管芯片与所述第五粘着层脱离，以将所述目标位置微型发光二极管芯片转移至所述第六转移基板上；
将所述第六转移基板与所述接收基板对位固定，并在所述目标位置微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定后，执行与所述第六粘着层脱离以并转移至所述接收基板上；
其中，出射所述第一颜色光线的微型发光二极管芯片、出射所述第二颜色光线的微型发光二极管芯片、出射所述第三颜色光线的微型发光二极管芯片在所述接收基板上的位置不同。
13.根据权利要求12所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
所述第一输出基板设置的阵列排布的多个微型发光二极管芯片出射第一颜色的光线；
提供第二输出基板，所述二输出基板包括用于出射第二颜色光线的多个微型发光二极管芯片，
提供第三转移基板，所述转移基板上设置有第三粘着层；
将所述第三转移基板与所述第二输出基板的第一表面对准，将所述多个微型发光二极管芯片与所述第三粘着层粘着固定；
在所述第二表面采用激光处理对应目标位置微型发光二极管芯片对应的所述剥离层，目标位置微型发光二极管芯片与所述第二输出基板脱离；
将所述第二转移基板与所述第三转移基板对应第二粘着层对准，将所述多个微型发光二极管芯片在所述第二粘着层与所述第三粘着层粘着固定，
处理所述第三粘着层，使得所述目标位置微型发光二极管芯片与所述第三粘着层脱离，将所述目标位置微型发光二极管芯片转移至所述第二转移基板上；
其中，出射所述第一颜色光线的微型发光二极管芯片与出射所述第二颜色光线的微型发光二极管芯片在所述第二转移基板上的位置不同。
14.根据权利要求13所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
提供第三输出基板，所述三输出基板包括用于出射第三颜色光线的多个微型发光二极管芯片，
提供第五转移基板，所述转移基板上设置有第五粘着层；
将所述第五转移基板与所述第三输出基板的第一表面对准，将所述多个微型发光二极管芯片与所述第五粘着层粘着固定；
在所述第二表面采用激光处理对应目标位置微型发光二极管芯片对应的所述剥离层，目标位置微型发光二极管芯片与所述第三输出基板脱离；
将所述第二转移基板与所述第五转移基板对应第二粘着层对准，将所述多个微型发光二极管芯片在所述第二粘着层与所述第五粘着层粘着固定，
处理所述第五粘着层，使得所述目标位置微型发光二极管芯片与所述第五粘着层脱离，以将所述目标位置微型发光二极管芯片转移至所述第二转移基板上；
其中，出射所述第一颜色光线的微型发光二极管芯片、出射所述第二颜色光线的微型发光二极管芯片、出射所述第三颜色光线的微型发光二极管芯片在所述第二转移基板上的位置不同；
将所述第二转移基板与所述接收基板对位固定，并使得出射所述第一颜色光线、所述第二颜色光线以及所述第三颜色光线的所述目标位置微型发光二极管芯片与所述接收粘着层固定后，执行与所述第二粘着层脱离并转移至所述接收基板上。
15.根据权利要求1-7任意一项所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于，
识别所述接收基板包括多个不同位置的微型发光二极管芯片损坏时，确定所述损坏的微型发光二极管所在位置为目标位置；
对应所述第一输出基板的第二表面，所述多个目标位置的微型发光二极管芯片剥离所述目标位置微型发光二极管芯片，并转移至所述第一转移基板。
16.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个微型发光二极管，所述多个微型发光二极管由权利要求1-15任意一项所述的微型发光二极管的转移方法制备形成。
CN202010487106.4A 2020-05-30 2020-05-30 微型发光二极管的转移方法与显示面板 Active CN113745137B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010487106.4A CN113745137B (zh) 2020-05-30 2020-05-30 微型发光二极管的转移方法与显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010487106.4A CN113745137B (zh) 2020-05-30 2020-05-30 微型发光二极管的转移方法与显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113745137A CN113745137A (zh) 2021-12-03
CN113745137B true CN113745137B (zh) 2023-12-19

Family

ID=78727926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010487106.4A Active CN113745137B (zh) 2020-05-30 2020-05-30 微型发光二极管的转移方法与显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113745137B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115148111A (zh) * 2022-06-24 2022-10-04 Tcl华星光电技术有限公司 显示装置及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107017319A (zh) * 2017-05-23 2017-08-04 深圳市华星光电技术有限公司 彩色微发光二极管阵列基板的制作方法
US10096740B1 (en) * 2017-05-23 2018-10-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for manufacturing color micro light-emitting diode array substrate
KR20190096256A (ko) * 2018-02-08 2019-08-19 한국과학기술원 전사부재 및 선택적 전사 기술을 이용한 액티브 매트릭스 rgb 수직형 마이크로led 디스플레이
CN110828364A (zh) * 2019-11-20 2020-02-21 广东省半导体产业技术研究院 巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置
CN110993749A (zh) * 2019-12-09 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 微型发光二极管的巨量转移方法及显示面板

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180190614A1 (en) * 2016-12-05 2018-07-05 Ananda H. Kumar Massively parallel transfer of microLED devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107017319A (zh) * 2017-05-23 2017-08-04 深圳市华星光电技术有限公司 彩色微发光二极管阵列基板的制作方法
US10096740B1 (en) * 2017-05-23 2018-10-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for manufacturing color micro light-emitting diode array substrate
KR20190096256A (ko) * 2018-02-08 2019-08-19 한국과학기술원 전사부재 및 선택적 전사 기술을 이용한 액티브 매트릭스 rgb 수직형 마이크로led 디스플레이
CN110828364A (zh) * 2019-11-20 2020-02-21 广东省半导体产业技术研究院 巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置
CN110993749A (zh) * 2019-12-09 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 微型发光二极管的巨量转移方法及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN113745137A (zh) 2021-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107251237B (zh) 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备
JP6533838B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
US10096740B1 (en) Method for manufacturing color micro light-emitting diode array substrate
JP6546278B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
JP6375063B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
JP2018506166A5 (zh)
JP2018515942A (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
KR102076904B1 (ko) Led 구조체 전사장치
JP2018515942A5 (zh)
JP2018506166A (ja) マイクロ発光ダイオードの事前排除方法、製造方法、装置及び電子機器
US11521887B2 (en) Method of transferring micro LED and micro LED transferring apparatus
JP2017539097A5 (zh)
JP6438536B2 (ja) Ｌｅｄチップグループのアレイを含むディスプレイモジュール
WO2019146862A1 (ko) 마이크로 ｌｅｄ 전사 방법
JP2021140144A (ja) マイクロｌｅｄを基板に組み付けるための方法及びシステム
CN113745137B (zh) 微型发光二极管的转移方法与显示面板
KR20210057006A (ko) 소자의 이재 방법 및 그것을 사용하는 이재판
JP2019140400A (ja) マイクロ発光ダイオードの事前排除方法、製造方法、装置及び電子機器
JP2014036060A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
WO2021085756A1 (ko) 도너 기판 및 이를 이용한 led 전사 방법
GB2545155A (en) Assembly of semiconductor devices
CN114787997A (zh) 形成多色磷光体转换led阵列
CN112530853A (zh) 元件移载装置和元件组件的制造方法
US11749786B2 (en) Multicolor phosphor-converted LED array
CN216719972U (zh) 芯片部件的转印装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant