CN113745081A - 一种隔离环组件、等离子体处理装置及处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子体处理装置，等离子体处理装置包括真空反应腔和设于真空反应腔的上电极与下电极，上电极与下电极之间形成一处理区域，上电极与下电极之间产生射频电场，用以将反应气体解离为等离子体，真空反应腔内设置一隔离环组件，隔离环组件包括：第一隔离环，环绕设置于上电极外周，包括一内壁表面，第一隔离环可在第一位置和第二位置之间移动，第一隔离环位于第一位置，内壁表面与上电极的外周相对，第一隔离环位于第二位置，内壁表面暴露于上电极和下电极形成的处理区域内；第二隔离环，环绕设置于第一隔离环外周。本申请使得隔离环与电极对应的缝隙处能够彻底清理，降低了后续对基片处理造成潜在污染的风险。

Description

一种隔离环组件、等离子体处理装置及处理方法

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种等离子体处理装置及处理方法。

背景技术

电容耦合等离子体刻蚀设备是一种由施加在极板上的射频电源通过电容耦合的方式在反应腔内产生等离子体并用于刻蚀的设备。其包括真空反应腔，真空反应腔侧壁上设置一开口用于容纳基片进出。反应腔内的上电极和下电极，上电极和下电极之间形成一反应区域。至少一射频电源通过匹配网络施加到上电极或下电极之一，在上电极和下电极之间产生射频电场，用以将反应气体解离为等离子体，等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片的表面发生多种物理和化学反应，使得基片表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。腔内通常还设有隔离环，用来约束等离子体的分布，并将反应腔室的金属腔壁与等离子体隔开，以保护腔壁不受等离子体的侵蚀。

由于电容耦合等离子体刻蚀工艺过程中会产生一些聚合物，会堆积在腔体零部件上，需要不定期通过特殊的工艺制成清除，通常在从反应腔室内取出完成处理的基片后，向反应腔室引入清洗用的蚀刻气体并将其解离生成清洗用的等离子体，用来对反应腔室的腔体及内部的各装置进行等离子体清洗，以去除附着的聚合物。然而，由于第一电极、第二电极边缘处的场强会受边缘条件的影响，导致一部分电场线弯曲，造成电场边缘部分场强不均匀，使得等离子体受电场控制在反应腔室边缘的密度较低，目前使用的隔离环是一个整体的，上电极和隔离环之间缝隙较窄，所以隔离环内径壁上的堆积物不宜清除，残余的聚合物会带来放电击穿影响，形成颗粒对后续的基片处理造成潜在污染的风险。

并且，为了满足隔离效果，隔离环的尺寸具有一定的限制，出于成本以及制作难度的考虑，通常只能采用石英等绝缘材料来制作满足规定尺寸的隔离环，而不能够在晶圆片外边缘区域设置其他一些提高刻蚀工艺结果的导体/半导体材料，功能比较单一。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种隔离环组件、等离子体处理装置及处理方法，解决了现有技术中无法有效清除隔离环内堆积的残余颗粒的技术问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

本申请提供一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括真空反应腔和设于真空反应腔的上电极与下电极，所述上电极与所述下电极之间形成一处理区域，所述上电极与下电极之间产生射频电场，用以将反应气体解离为等离子体，所述真空反应腔内设置一隔离环组件，所述隔离环组件包括：

第一隔离环，环绕设置于所述上电极外周，包括一内壁表面，所述第一隔离环可在第一位置和第二位置之间移动，所述第一隔离环位于所述第一位置，所述内壁表面与所述上电极的外周相对，所述第一隔离环位于所述第二位置，所述内壁表面暴露于所述上电极和所述下电极形成的处理区域内；

第二隔离环，环绕设置于所述第一隔离环外周。

进一步地，所述第一隔离环位于所述第二位置时，所述真空反应腔内的等离子体为清洁等离子体，所述清洁等离子体用于对所述内壁表面进行清洁。

进一步地，所述第一隔离环还能位于第一位置和第二位置之间的第五位置；所述第二隔离环可在第三位置和第四位置之间移动，所述第二隔离环位于所述第三位置，用于实现待处理基片在所述真空反应腔内、外传输；所述第二隔离环位于第四位置且第一隔离环位于第五位置时，所述第二隔离环位与所述第一隔离环位匹配贴合形成一个整体隔离环，用于在真空反应腔内进行等离子体处理；所述第二隔离环位于第四位置且第一隔离环位于第二位置时，所述清洁等离子体用于对所述内壁表面进行清洁。。

进一步地，还包括：隔离台阶，所述隔离台阶环绕所述下电极设置，所述隔离台阶的上表面与所述第二隔离环的下表面相匹配，当所述第二隔离环位于第四位置时，所述第二隔离环和所述隔离台阶相匹配连接。

进一步地，所述第一隔离环外侧设有朝上的第一台阶面，所述第二隔离环内侧设有朝下的第二台阶面，所述第一台阶面和所述第二台阶面相匹配。

进一步地，所述第一升降驱动件包括第一驱动源、第一连接件和第一驱动杆，所述第一驱动杆与所述第一隔离环连接，所述第一连接件同时连接第一驱动杆和第一驱动源，用于将第一驱动源的动力传递至第一驱动杆；

所述第二升降驱动件包括第二驱动源、第二连接件和第二驱动杆，所述第二驱动杆与所述第二隔离环连接，所述第二连接件同时连接第二驱动杆和第二驱动源，用于将第二驱动源的动力传递至第二驱动杆。

进一步地，所述第一驱动源为电机或气缸；所述第二驱动源为电机或气缸。

进一步地，所述第一驱动源设于所述第二驱动源的上方且与第二连接件连接。

进一步地，当所述第二隔离环下降至第四位置且所述第一隔离环位于第五位置时，所述第一隔离环的上表面高于所述上电极的下表面。

进一步地，当所述第二隔离环下降至第四位置且所述第一隔离环位于第五位置时，所述第一隔离环最下端距离所述下电极上表面的距离大于第一隔离环的最大厚度。

所述第一隔离环升降至第二位置时，所述第一隔离环的第一位置高于所述下电极的上表面，且所述第一隔离环的最高点低于所述上电极的下表面。

真空反应腔具有用于添加待加工组件的传片口，所述第二隔离环上升至第三位置时，所述第二隔离环与所述下电极之间具有与传片口对应的供待加工组件通过的空间。

所述第一隔离环的最大环厚与所述第二隔离环的最大环厚之比范围为1:5～1:2。

所述第一隔离环的材料为单晶硅、多晶硅或碳化硅材料。

所述第一隔离环与所述第二隔离环贴合匹配时的最大环厚为M，当M大于默认值时，所述第二隔离环的材料为石英材料，当M小于等于默认值时，所述第二隔离环的材料为石英、单晶硅、多晶硅或碳化硅材料。

进一步地，所述默认值为400～600mm。

进一步地，所述第四位置为所述第二隔离环下降的最低位置；所述第二位置为所述第一隔离环下降的最低位置。

另外，本申请还提供一种在等离子体处理装置进行等离子体处理的方法，所述方法在上述提及的装置内进行，进一步地，所述方法包括：

调节所述第一隔离环位于所述第一位置，所述第二隔离环位于所述第三位置，将待处理基片移入所述真空反应腔内；

调节所述第二隔离环向下移动至第四位置，在所述上电极与下电极之间产生射频电场，并将通入所述真空反应腔的反应气体解离为等离子体，用于对所述待处理基片进行等离子体处理；

调节所述第二隔离环向上移动至所述第三位置，将处理完成的基片移出所述真空反应腔；

调节所述第二隔离环向下移动至所述第四位置并调节所述第一隔离环位于第五位置，向所述真空反应腔内通入清洁气体并解离为清洁等离子体，所述清洁等离子体对所述隔离环组件进行清洁；

等离子体清洁过程中，调节所述第一隔离环向下移动到第二位置，所述清洁等离子体对所述第一隔离环环绕所述上电极的内表面进行清洁。

进一步地，方法还包括等离子体清洁完成后，分别控制所述第一隔离环和第二隔离环向上移动至其第一位置和第三位置。

进一步地，方法还包括等离子体清洁完成后，控制所述第一隔离环向上移动并带动第二隔离环向上同步移动。

另外，本申请还提供一种用于等离子体处理装置的隔离环组件，所述等离子体处理装置内设置一上电极，进一步地，所述隔离环组件包括：

第一隔离环，环绕设置在所述上电极的外周，所述第一隔离环可上下移动；

第二隔离环，环绕设置在所述第一隔离环的外周，所述第二隔离环可上下移动；

所述第一隔离环的外壁和所述第二隔离环的内壁之间设有相互匹配的台阶。

进一步地，所述第一隔离环和第二隔离环的材料相同或不相同。

由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：

本发明通过将隔离环设置为两个独立的隔离环组合而成，并且在第一隔离环和第二隔离环上分别设置驱动机构，使得在保持原有的隔离环功能的同时，还能通过驱动第一隔离环和第二隔离环的相对位置的不同而便于对隔离环与电极之间的缝隙进行彻底清理，降低了后续对基片处理造成潜在污染的风险。

通过设置两个隔离环，隔离环的材料选择可以更加多样化，在外侧的隔离环保证隔离效果的同时，内侧的隔离环材料，设置其他一些提高刻蚀工艺结果的导体/半导体材料，便于优化刻蚀工艺结果。

附图说明

图1为本发明实施例一第一隔离环和第二隔离环分别位于第一位置和第三位置时的内部剖视图；

图2为本发明实施例一第二隔离环位于第四位置且第一隔离环位于第五位置时的内部剖视图；

图3为本发明实施例一第一隔离环和第二隔离环分别位于第二位置和第四位置时的内部剖视图；

图4为本发明实施例二第二隔离环位于第三位置时的内部剖视图；

图5为本发明实施例二第二隔离环位于第四位置且第一隔离环位于第五位置时的内部剖视图；

图6为本发明实施例二第一隔离环和第二隔离环分别位于第二位置和第四位置时的内部剖视图。

具体实施方式

下面结合附图对技术方案的实施作进一步的详细描述。

实施例1

如图1-3所示，一种等离子体处理装置，等离子体处理装置包括真空反应腔1和设于真空反应腔的上电极2与下电极3，下电极3设置在上电极的正下方，上电极2与下电极3之间形成一处理区域，下电极与等离子体处理装置的射频电源相连接，上电极2与下电极3之间产生射频电场，用以将反应气体解离为等离子体，反应气体由气体喷头喷入真空反应腔中。本实施例中，等离子体处理装置具体为电容耦合等离子体刻蚀设备，其具体刻蚀原理以及相关组件为本领域所知技术，在此不再赘述，本申请的发明点主要在于：

真空反应腔内设置一隔离环组件，隔离环组件用来约束等离子体的分布，并将反应腔室的金属腔壁4与等离子体隔开，以保护金属腔壁4不受等离子体的侵蚀。

具体地，隔离环组件包括：第一隔离环10，其为中空圆环形，环绕设置于上电极2外周，第一隔离环10包括一内壁表面15，第一隔离环10通过第一升降驱动件和第二升降驱动件的配合驱动，可在第一位置和第二位置之间移动，第一隔离环10位于第一位置时，内壁表面15与上电极2的外周相对，第一隔离环10位于第二位置时，内壁表面15暴露于上电极2和下电极3形成的处理区域内，具体为第一隔离环10升降至第二位置时，第一隔离环10的最低点高于下电极3的上表面。

当第一隔离环10位于第二位置时，可以便于对第一隔离环10的内壁表面15进行清洗，在真空反应腔1内从气体喷头输入具有清洁能力的气体，具有清洁能力的气体被电离为等离子体后与暴露在等离子体中的零部件表面上沉积的聚合物发生化学反应，从而清除掉沉积的聚合物并使反应产物随气体排出真空反应腔1。

另外，还包括第二隔离环20，环绕设置于第一隔离环10外周，第二隔离环20可通过第二升降驱动件的驱动，在第三位置和第四位置之间移动，其中，第四位置为第二隔离环20下降的最低位置；第二位置为第一隔离环10下降的最低位置。

第二隔离环20位于第三位置，用于实现待处理基片在真空反应腔1内、外传输；第二隔离环20位于第四位置，用于对待处理基片进行等离子体处理以及进行等离子体清洁处理。第一隔离环10还可以被驱动至第一位置和第二位置之间的第五位置，当第一隔离环10位于第五位置且第二隔离环20位于第四位置时，两者形成一个整体隔离环。具体地，第一隔离环10外侧设有朝上的第一台阶面14，第二隔离环20内侧设有朝下的第二台阶面24，第一台阶面14和第二台阶面24相匹配。第一隔离环10在第一位置时和第二隔离环20在第三位置时第一台阶面14和第二台阶面24匹配贴合，以形成一个整体隔离环；第一隔离环10在第五位置时和第二隔离环20在第四位置时，第一台阶面14和第二台阶面24匹配贴合，以形成一个整体隔离环；整体隔离环的尺寸及外形和现有技术中的隔离环尺寸相对应，可以满足基本的隔离要求；同时第一隔离环10和第二隔离环20通过分体的设置，可以解决现有技术中因为隔离环尺寸的限制，清洁等离子体不能有效与隔离环内表面上的残留物产生反应，从而不能有效清洗隔离环上与上电极对应的内侧壁的残留物的技术问题。而第一隔离环10外侧设有朝上的第一台阶面14，第二隔离环20内侧设有朝下的第二台阶面24，而不是直接将通过竖直平面匹配，一方面可以使得第一隔离环10和第二隔离环20在特定位置可以很好地贴合，在反应过程中等离子体不会通过两者的缝隙泄露；另一方面，两个台阶面也可以很好地将第一隔离环10和第二隔离环20进行互相限位，当第二隔离环20位于第三位置时，第一隔离环10最高位置不会超过第一位置，以防止第一隔离环10上升过头。同理地，第一隔离环10的外侧面和第二隔离环20的内侧面也可以设置其他相匹配的异形面以保证密封性和限位性。可选地，为了保持外表面的顺滑，第一隔离环10的外侧面和第二隔离环20的上下表面的连接处均平滑过渡设置。

为了进一步保障刻蚀反应中真空反应腔的密封性，本实施例中还包括隔离台阶6，隔离台阶6环绕所述下电极设置，隔离台阶6的上表面与第二隔离环20的下表面相匹配，当第二隔离环20位于第四位置时，第二隔离环20和隔离台阶6相匹配连接。隔离台阶6可以设置于等离子体处理装置的常用部件上，例如环绕所述下电极设置的等离子体约束环上表面设置为与第二隔离环的台阶相匹配的台阶形状等。

优选地，真空反应腔1具有用于添加待加工组件的传片口5，第二隔离环20上升至第三位置时，第二隔离环20与下电极3之间具有与传片口5对应的供待加工组件通过的空间。

当第二隔离环20下降至第四位置且第一隔离环10位于第五位置，其外壁与第二隔离环20的内壁相贴合时，第一隔离环10的上表面高于上电极2的下表面，以使得整个反应空间能够有效地被隔离；同时，当第二隔离环20下降至第四位置且第一隔离环10的外壁与第二隔离环20的内壁相贴合时，第一隔离环10最下端距离下电极3上表面的距离大于第一隔离环10的最大厚度。以使得第一隔离环10具有足够的下降空间，便于对第一隔离环10进行彻底的清洗。

具体地，第一升降驱动件包括第一驱动源11、第一连接件12和第一驱动杆13，第一驱动杆13与第一隔离环10连接，第一连接件12同时连接第一驱动杆13和第一驱动源11，用于将第一驱动源11的动力传递至第一驱动杆13；

第二升降驱动件包括第二驱动源21、第二连接件22和第二驱动杆23，第二驱动杆23与第二隔离环20连接，第二连接件22同时连接第二驱动杆23和第二驱动源21，用于将第二驱动源21的动力传递至第二驱动杆23。可选地，第一驱动源11为电机或气缸；第二驱动源21为电机或气缸。

本实施例中，第一驱动源11和第二驱动源21均具有上工位和下工位；第一驱动源11设置在第二连接件22的上方与其固定连接，这样的设置，第二驱动源21直接控制第二隔离环20的升降位置，且第二驱动源21可以配合第一驱动源11来控制第一隔离环的位置；当第二驱动源21位于上工位时，第二隔离环20位于第三位置，此时若第一驱动源11位于上工位，则第一隔离环10位于第一位置，此时第一隔离环10和第二隔离环20形成一个整体的隔离环，如图1所示；当第二驱动源21位于下工位且第一驱动源11位于上工位时，此时第一隔离环10和第二隔离环20仍然形成一个整体的隔离环，第一隔离环10位于第五位置，第二隔离环20位于第四位置，如图2所示，若此时第一驱动源11再变化为下工位，则第一隔离环10被驱动至第二位置，如图3所示。采用一个驱动源迭加设置在另一个驱动源上的设计，可以使得每个驱动源只需要两个工位的控制，即可实现第一隔离环三个位置以及第二隔离环两个位置的驱动控制。

控制第二驱动源21位于下工位使得第二隔离环20下降至第四位置，并控制第一驱动源11位于下工位，此时第一隔离环10位于第二位置，清洁等离子体对第一隔离环10的环绕上电极2的内表面进行清洁。

优选地，第一隔离环10的最大环厚与第二隔离环20的最大环厚之比范围为1:5～1:2，当第一隔离环10相对于第二隔离环20来说尺寸足够小，才能够有更多的材料设置选择，在同时考虑隔离环材料效果和成本的情况下，第一隔离环10的材料为单晶硅、多晶硅或碳化硅材料，可以有效提高或者调解刻蚀反应效果，而尺寸比较大的第二隔离环20则选用成本相对低且可以大尺寸制作的石英材料，以达到屏蔽效果。

当然，根据实际情况，第二隔离环20在特定尺寸情况下，也可以采用石英、单晶硅、多晶硅或碳化硅材料，例如第一隔离环10与第二隔离环20贴合匹配时的最大环厚为M，当M小于默认值时。优选地，默认值为400～600mm。而当大于默认值时，第二隔离环20的材料还是选择石英为佳。

本实施例中，具体的操作过程如下：

调节第一隔离环10位于第一位置，第二隔离环20位于第三位置，将待处理基片移入真空反应腔1内；

调节第二隔离环20向下移动至第四位置，在上电极2与下电极3之间产生射频电场，并将通入真空反应腔1的反应气体解离为等离子体，用于对待处理基片进行等离子体处理；

调节第二隔离环20向上移动至第三位置且第一隔离环10位于第一位置时，将处理完成的基片移出真空反应腔1；

调节第二隔离环20向下移动至第四位置且第一隔离环10位于第五位置时，向真空反应腔1内通入清洁气体并解离为清洁等离子体，清洁等离子体对隔离环组件进行清洁；

等离子体清洁过程中，调节第一隔离环10向下移动到第二位置，清洁等离子体对第一隔离环10环绕上电极2的内表面进行清洁。

等离子体清洁完成后，控制第一隔离环10向上移动并带动第二隔离环20向上同步移动至其第一位置和第三位置。

实施例2

与实施例1不同之处在于，如图4-6所示，本实施例中，第一升降驱动件和第二升降驱动件为分离设置，互不干扰，可以分别通过控制第一升降驱动件和第二升降驱动件的运动来控制第一隔离环10和第二隔离环20的升降。并且在此实施例中，第一个隔离环10位于第一位置且第二隔离环20位于第三位置时，两者可以贴合也可以不贴合，只要上升至具有供待处理基片移入真空反应腔1内的空间即可。

上述控制升降过程可以通过与第一升降驱动件和第二升降驱动件进行电连接的控制器进行手动控制，也可以通过默认的控制程序使其同步精确地分别控制第一隔离环10和第二隔离环20的升降位置以使得实现不同的功能。

在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征能够相互结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (22)

1.一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括真空反应腔和设于真空反应腔的上电极与下电极，所述上电极与所述下电极之间形成一处理区域，所述上电极与下电极之间产生射频电场，用以将反应气体解离为等离子体，其特征在于，所述真空反应腔内设置一隔离环组件，所述隔离环组件包括：

第一隔离环，环绕设置于所述上电极外周，包括一内壁表面，所述第一隔离环可在第一位置和第二位置之间移动，所述第一隔离环位于所述第一位置，所述内壁表面与所述上电极的外周相对，所述第一隔离环位于所述第二位置，所述内壁表面暴露于所述上电极和所述下电极形成的处理区域内；

第二隔离环，环绕设置于所述第一隔离环外周。

2.如权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于：所述第一隔离环位于所述第二位置时，所述真空反应腔内的等离子体为清洁等离子体，所述清洁等离子体用于对所述内壁表面进行清洁。

3.如权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于：所述第一隔离环还能位于第一位置和第二位置之间的第五位置；所述第二隔离环可在第三位置和第四位置之间移动，所述第二隔离环位于所述第三位置，用于实现待处理基片在所述真空反应腔内、外传输；所述第二隔离环位于第四位置且第一隔离环位于第五位置时，所述第二隔离环位与所述第一隔离环位匹配贴合形成一个整体隔离环，用于在真空反应腔内进行等离子体处理；所述第二隔离环位于第四位置且第一隔离环位于第二位置时，所述清洁等离子体用于对所述内壁表面进行清洁。

4.如权利要求3所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

隔离台阶，所述隔离台阶环绕所述下电极设置，所述隔离台阶的上表面与所述第二隔离环的下表面相匹配，当所述第二隔离环位于第四位置时，所述第二隔离环和所述隔离台阶相匹配连接。

5.如权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述第一隔离环外侧设有朝上的第一台阶面，所述第二隔离环内侧设有朝下的第二台阶面，所述第一台阶面和所述第二台阶面相匹配。

6.如权利要求3所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述第一升降驱动件包括第一驱动源、第一连接件和第一驱动杆，所述第一驱动杆与所述第一隔离环连接，所述第一连接件同时连接第一驱动杆和第一驱动源，用于将第一驱动源的动力传递至第一驱动杆；

所述第二升降驱动件包括第二驱动源、第二连接件和第二驱动杆，所述第二驱动杆与所述第二隔离环连接，所述第二连接件同时连接第二驱动杆和第二驱动源，用于将第二驱动源的动力传递至第二驱动杆。

7.如权利要求6所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述第一驱动源为电机或气缸；所述第二驱动源为电机或气缸。

8.如权利要求6所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述第一驱动源设于所述第二驱动源的上方且与第二连接件连接。

9.如权利要求3所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，当所述第二隔离环下降至第四位置且所述第一隔离环位于第五位置时，所述第一隔离环的上表面高于所述上电极的下表面。

10.如权利要求3所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，当所述第二隔离环下降至第四位置且所述第一隔离环位于第五位置时，所述第一隔离环最下端距离所述下电极上表面的距离大于第一隔离环的最大厚度。

11.如权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述第一隔离环升降至第二位置时，所述第一隔离环的最低点高于所述下电极的上表面，且所述第一隔离环的最高点低于所述上电极的下表面。

12.如权利要求3所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，真空反应腔具有用于添加待加工组件的传片口，所述第二隔离环上升至第三位置时，所述第二隔离环与所述下电极之间具有与传片口对应的供待加工组件通过的空间。

13.如权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述第一隔离环的最大环厚与所述第二隔离环的最大环厚之比范围为1:5～1:2。

14.如权利要求13所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述第一隔离环的材料为单晶硅、多晶硅或碳化硅材料。

15.如权利要求14所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述第一隔离环与所述第二隔离环贴合匹配时的最大环厚为M，当M大于默认值时，所述第二隔离环的材料为石英材料，当M小于等于默认值时，所述第二隔离环的材料为石英、单晶硅、多晶硅或碳化硅材料。

16.如权利要求15所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述默认值为400～600mm。

17.如权利要求3所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述第四位置为所述第二隔离环下降的最低位置；所述第二位置为所述第一隔离环下降的最低位置。

18.一种在等离子体处理装置进行等离子体处理的方法，所述方法在如权利要求1-17任一项所述的装置内进行，其特征在于，所述方法包括：

调节所述第一隔离环位于第一位置，所述第二隔离环位于第三位置，将待处理基片移入所述真空反应腔内；

调节所述第二隔离环向下移动至第四位置并控制并调节所述第一隔离环位于第五位置，在所述上电极与下电极之间产生射频电场，并将通入所述真空反应腔的反应气体解离为等离子体，用于对所述待处理基片进行等离子体处理；

调节所述第二隔离环向上移动至第三位置，同时控制第一隔离环向上移动至第一位置，将处理完成的基片移出所述真空反应腔；

调节所述第二隔离环向下移动至所述第四位置，并调节所述第一隔离环位于第五位置，向所述真空反应腔内通入清洁气体并解离为清洁等离子体，所述清洁等离子体对所述隔离环组件进行清洁；

等离子体清洁过程中，调节所述第一隔离环向下移动到第二位置，所述清洁等离子体对所述第一隔离环环绕所述上电极的内表面进行清洁。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，等离子体清洁完成后，分别控制所述第一隔离环和第二隔离环向上移动至其第一位置和第三位置。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，等离子体清洁完成后，控制所述第一隔离环向上移动并同时控制第二隔离环向上同步移动。

21.一种用于等离子体处理装置的隔离环组件，所述等离子体处理装置内设置一上电极，其特征在于：所述隔离环组件包括：

第一隔离环，环绕设置在所述上电极的外周，所述第一隔离环可上下移动；

第二隔离环，环绕设置在所述第一隔离环的外周，所述第二隔离环可上下移动；

所述第一隔离环的外壁和所述第二隔离环的内壁之间设有相互匹配的台阶。

22.如权利要求21所述的用于等离子体处理装置的隔离环组件，其特征在于：所述第一隔离环和第二隔离环的材料相同或不相同。

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