CN113741144A - 一种三维梯度渐变图形光刻方法及底托 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种三维梯度渐变图形光刻方法及底托，该三维梯度渐变图形光刻方法包括：提供一衬底；在衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底；在图形衬底上涂覆光刻胶；通过垂直曝光，将第一图形平行转移到光刻胶上；通过倾斜曝光，将第一图形以预设角度转移到光刻胶上；对光刻胶进行显影、坚膜、减薄处理，得到三维梯度渐变图形。

Description

一种三维梯度渐变图形光刻方法及底托

技术领域

本公开涉及半导体微纳加工技术领域，尤其涉及一种三维梯度渐变图形光刻方法及底托。

背景技术

随着以生物、微流控等技术需求的发展，微纳尺度三维渐变图形的制备成为光刻领域急需解决的一项关键技术问题。目前，主要采用纳米压印技术、灰度曝光技术、激光直写技术和自组装光刻的方法来实现三维渐变图形的制备。

纳米压印技术，是通过光刻胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料的技术。利用纳米压印技术来制备三维渐变图形需要梯度渐变特性的模板，用模板压印光刻胶实现图案的转移，此模板的制作通常需要更高级别、更精细的技术路径，同时此模板一旦确定就不能再更改图形参数，一种模板只能制备出一种图形。另外，在压印过程中模板的损耗以及脱膜过程等技术环节可能影响转移图形的保真度。此技术路线受到模板制备工艺，尺寸和脱膜等因素的影响，不利于新产品的研发和制备。

灰度曝光技术是通过控制曝光量来实现光刻胶的梯度分布，该技术需要对曝光过程的曝光量进行精确控制，其增加了技术难度和工艺成本，不利于灵活的新工艺和新结构图形的实现。同时由于需要制作出具有连续表面微结构的复杂器件，灰度曝光一般以具有一定灰阶的灰度掩膜板为基础，并且灰度等级越高，器件表面的微结构越平滑。具有灰度的掩膜板制作非常复杂，对光刻胶有一定的条件要求，因此成本也相当昂贵。

激光直写技术是采用精确控制激光能量和步进过程对基片表面的光刻胶实施变剂量曝光，显影后在光刻胶的表面形成所需求的任意浮雕轮廓，从而获得梯度渐变图形的制备。激光直写技术制作衍射光学元件是把计算机控制和微细加工技术相结合，在制备梯度渐变图形的过程中，因梯度的变化可能产生激光能量和步进过程的多种组合，因此，在前期探究梯度图形制备的过程中可能需要大量的基础数据和工作时间的支持。

自组装光刻法，是指在接触式光刻基础上，通过设计曝光过程来实现梯度图形转移的方法。典型的接触式光刻是利用光催化原理，利用光源产生的均匀光束垂直投影到光刻板上，经光刻板图形化后的光束，照射到涂有光刻胶的目标衬底上，利用光刻胶在显影液中的溶解度的差异，最终将光刻板的图形转移到带有光刻胶的目标衬底上。其中，入射光与光刻胶的作用过程是图形转移结果的重要因素，这个作用过程会受到光刻胶正负性、光路、光强、时间和衍射等因素来影响光刻图形。

发明内容

针对上述技术问题，本公开提供了一种三维梯度渐变图形光刻方法及底托，以期至少部分地解决上述技术问题中的至少之一。

为了解决上述技术问题，作为本公开的一个方面，提供了一种三维梯度渐变图形光刻方法，包括：

提供一衬底；

在上述衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底；

在上述图形衬底上涂覆光刻胶；

通过垂直曝光，将上述第一图形平行转移到上述光刻胶上；

通过倾斜曝光，将上述第一图形以预设角度转移到上述光刻胶上；

对上述光刻胶进行显影、坚膜、减薄处理，得到上述三维梯度渐变图形。

在其中一个实施例中，上述通过倾斜曝光，将上述第一图形以预设角度转移到上述光刻胶上，包括：

将上述图形衬底固定在底托上，上述底托呈楔形，通过以上述预设角度转动上述底托，使得上述图形衬底在垂直光源下倾斜曝光，将上述第一图形以预设角度转移到上述光刻胶上。

在其中一个实施例中，上述第一图形包括以下任意一种：圆形、方形、梯形。

在其中一个实施例中，上述垂直光源的波长包括248nm。

在其中一个实施例中，上述衬底包括石英衬底。

在其中一个实施例中，上述在上述衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底，包括：

在上述衬底上光刻形成第一图形，通过离子束辅助蒸发镀膜法在上述衬底上镀金属膜，得到上述图形衬底。

在其中一个实施例中，上述金属膜包括铝膜。

作为本公开的另一个方面，还提供了一种底托，采用上述任一项实施例的方法，包括：一体成型底面和侧壁，

上述底面设置镂空网格，用于减少垂直光源在上述底托上的反射；

上述侧壁的高度由左至右逐渐降低，上述侧壁呈楔形，用于上述底托相对于上述垂直光源产生倾斜角度；

上述侧壁上设置卡环，用于固定衬底。

在其中另一个实施例中，上述镂空网格的中心包括方形孔，用于定位上述底托，使得上述底托以上述方形孔为中心，以上述垂直光源为轴进行转动。

在其中另一个实施例中，上述卡环上设置定位边。

本公开实施例，在衬底上进行光刻形成第一图形，从而获得带有第一图形的图形衬底；在图形衬底上涂敷光刻胶，先通过垂直曝光的方式，可以将衬底上的第一图形转移到光刻胶上，接着再通过倾斜曝光的方式，图形衬底相对于垂直光路进行以预设角度的转动，可以将图形衬底上的第一图形以预设空间角度转移到光刻胶上。最后通过对图形的光刻胶进行显影、坚膜、减薄的处理，可以得到三维梯度渐变图形。

附图说明

图1是本公开一实施例中三维梯度渐变图形光刻方法的流程图；

图2是本公开一实施例中三维梯度渐变图形光刻底托的结构示意图；

图3是本公开一实施例中采用三维梯度渐变图形光刻方法制备的马蹄形梯度渐变图形的显微镜图；

图4是本公开一实施例中马蹄形梯度渐变图形倒模之后的形貌显微镜图；

图5本公开一实施例中山峰形梯度渐变图形倒模之后的形貌显微镜图。

【附图标记说明】

底面1；侧壁2；卡环3；定位边4；底托10；底面设置镂空网格11。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开的一种三维梯度渐变图形光刻方法及底托作进一步的详细说明。

本公开的实施例提供了一种三维梯度渐变图形光刻方法，包括：提供一衬底；在衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底；在图形衬底上涂覆光刻胶；通过垂直曝光，将第一图形平行转移到光刻胶上；通过倾斜曝光，将第一图形以预设角度转移到光刻胶上；对光刻胶进行显影、坚膜、减薄处理，得到三维梯度渐变图形。

在本公开的实施中，采用透光的图形衬底为后续曝光过程增加了一个控制手段。先利用平面曝光的方法，在衬底上光刻形成带有特定图形的不透光薄膜，在获得特定图形衬底之后，采用不同入射方向的光对衬底进行曝光，这个特定图形在后续的正面垂直曝光、背面倾斜曝光相互配合的过程中，可以实现光强在不同路径上的积累。

在利用垂直曝光的过程中，将第一图形平行转移到光刻胶上。接着，在利用倾斜曝光过程中，将图形衬底固定在楔形的底托上，当图形衬底相对于垂直光路以预设角度进行转动时，可以把第一图形衬底上的图形以预设角度转移到光刻胶上。因此，通过图形衬底、垂直曝光和倾斜曝光工艺的结合，可以改变曝光路径和曝光量；通过对光刻胶进行显影、坚膜和减薄处理，可以制备出三维梯度渐变图形。

图1是本公开一实施例中三维梯度渐变图形光刻方法的流程图。

如图1所示，该三维梯度渐变图形光刻方法包括：步骤S101～S106。

在步骤S101，提供一衬底。

在步骤S102，在衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底。

根据本公开的实施例，在步骤S102中，第一图形可选为圆形、方形、梯形等。

在步骤S103，在图形衬底上涂敷光刻胶。

在步骤S104，通过垂直曝光，将第一图形平行转移到光刻胶上。

在步骤S105，通过倾斜曝光，将第一图形以预设角度转移到光刻胶上。

根据本公开的实施例，在步骤S105中，根据光刻图形梯度的需要，将底托相对于垂直光路旋转预设角度，其中第一图形的预设角度范围包括0～360°，可选为0°、10°、20°、25.5°、50°、85°、100°、150°、175.5°、200°、255°、300°、355°、360°等。

在步骤S106，对光刻胶进行显影、坚膜、减薄处理，得到三维梯度渐变图形。

根据本公开的实施例，上述步骤S101～S106之间可以依次进行。本公开的实施例在衬底上光刻获得第一图形的图形衬底；在图形衬底上涂敷光刻胶，先通过垂直曝光的方式，将图形衬底上的第一图形转移到光刻胶上；接着再通过倾斜曝光的方式，将图形衬底相对于垂直光路进行以预设角度的转动，可以将图形衬底上的第一图形以预设角度转移到光刻胶上。最后再通过对图形光刻胶进行显影、坚膜、减薄的处理，可以得到三维梯度渐变图形。

根据本公开的实施例，在步骤S101中，选用石英作为衬底。

根据本公开的实施例，在步骤S102中，在衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底，包括：在衬底上光刻形成第一图形，通过离子束辅助蒸发镀膜法在衬底上镀金属膜，得到图形衬底。

根据本公开的实施例，金属膜包括铝膜。

根据本公开的实施例，在步骤S103中，在图形衬底上涂敷光刻胶。

根据本公开的实施例，在步骤S104中，通过垂直曝光，将第一图形平行转移到光刻胶上。

根据本公开的实施例，垂直光源的波长包括248nm。

根据本公开的实施例，在步骤S105中，通过倾斜曝光，将第一图形以预设角度转移到光刻胶上，包括：将图形衬底固定在底托上，底托呈楔形，通过以预设角度转动底托，使得图形衬底在垂直光源下倾斜曝光，将第一图形以预设角度转移到光刻胶上。

根据本公开的实施例，在步骤S106中，对光刻胶进行显影、坚膜、减薄处理，得到三维梯度渐变图形。

图2是本公开一实施例中三维梯度渐变图形光刻底托的结构示意图。

如图2所示，该底托10结构包括：一体成型底面1和侧壁2，底面设置镂空网格11，用于减少垂直光源在所述底托上的反射；侧壁2的高度由左至右逐渐降低，侧壁2呈楔形，用于底托相对于垂直光源产生倾斜角度；侧壁2上设置卡环3，用于固定衬底。

根据本公开的实施例，镂空网格11的中心包括方形孔，用于定位底托，使得底托以方形孔为中心，以垂直光源为轴进行转动。

根据本公开的实施例，卡环上设置定位边4。

根据本公开的实施例，底托包括一体成型底面和侧壁，将底托的底面设置成镂空网格，可以减少垂直光源在底托上的反射；底托的侧壁高度从左至右逐渐降低，底托相对于垂直光源产生倾斜角度，可以改变光刻时光的曝光量、光强、光路，克服了现有技术中对光刻胶的光强、光路和曝光量的较高要求。在底托的侧壁上设置卡环，用于固定图形衬底，防止其在光刻的过程中位置发生改变。

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本公开的一种三维梯度渐变图形光刻方法作进一步的详细说明。

实施例1

一种马蹄形梯度渐变图形光刻方法，包括如下步骤：

(1)提供一衬底。

选用4英寸的透光石英作为衬底，用去离子水清洗石英衬底表面的灰尘颗粒并烘干，接着用等离子体清洁石英衬底表面的有机物。此外，为了提高光刻胶在衬底表面的附着能力，在衬底表面涂抹一层化合物，此化合物可选为六甲基乙硅氮烷、三甲基甲硅烷基二乙胺。

(2)在衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底，包括：

匀胶：先将石英衬底固定在匀胶机上；接着，将AZ6130光刻胶溶液喷洒在石英衬底表面上，将匀胶机的转速设置为4000转/min，工作时间为30s，附着在石英衬底表面的光刻胶溶液受到离心力的作用，使光刻胶向着石英衬底外侧移动，从而实现将光刻胶均匀的涂抹在石英衬底上。

前烘：液态光刻胶中含有大量的溶剂，经过甩胶将光刻胶均匀的涂抹在石英衬底上并逐渐固化形成固态的薄膜，但是薄膜内部仍然存在少量的溶剂，容易沾上灰尘。将带有光刻胶的石英衬底放置到真空热板上，在95℃条件下加热5min，利用高温来去除光刻胶中残留的溶剂，降低灰尘的玷污。同时，利用高温加热还可以增强光刻胶与石英衬底之间的粘附性，释放光刻胶膜内应力以及防止其在后续的操作过程中污染设备。

曝光光刻：选用光波长为248nm的紫外光对带有AZ6130光刻胶的石英衬底进行光刻。选用圆孔形作为第一图形，采用接触式对准的方式对光刻胶曝光。光刻胶中的感光剂因受到光的照射会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射的区域发生化学反应，而负光刻胶未被照射的区域则不发生化学反应。

显影：在光刻胶经曝光过程之后，选用四甲基氢氧化铵(TMAH)作为显影液。根据正负光刻胶在显影液中的溶解度的不同，去除衬底上多余的光刻胶，从而可以将光刻胶层中的图形显现出来，并用显微镜检查光刻胶上的图形是否为圆孔形图形。

镀膜：用离子束辅助蒸发镀膜法在圆孔形光刻胶上镀上一层1μm Al膜。

剥离：将圆孔形图形衬底放到真空热板上并在120℃条件下干燥30min，利用高温蒸发掉光刻胶里面的溶剂、增强光刻胶对石英衬底表面的附着力，同时提高光刻胶在后续刻蚀的抗蚀性能力。接着，将圆孔形图形衬底放入丙酮溶液中进行超声并用去离子水清洗，Al膜下面的光刻胶会溶解，从而使光刻胶上面沉积的Al膜从石英衬底上剥离下来，而Al膜的下层没有光刻胶的图形则会保护下来，形成带有圆孔形的掩蔽层。最后，用显微镜检查剥离后衬底上的图形，从而获得与圆孔图形(第一图形)相关联的图形衬底。

(3)在图形衬底上涂覆光刻胶，包括：

匀胶：将获得圆孔形(第一图形)的图形石英衬底固定在匀胶机上；接着，将SU8-2035光刻胶溶液喷洒在石英衬底表面上，将匀胶机的转速设置为3000转/min，工作时间为30s，附着在圆孔形的图形衬底表面的光刻胶溶液受到离心力的作用，使光刻胶向着石英衬底外侧移动，从而实现将光刻胶均匀的涂抹在圆孔形图形的石英衬底上。

前烘：液态SU8-2035光刻胶中含有大量的溶剂，经过甩胶将光刻胶均匀的涂抹在石英衬底上并逐渐固化形成固态的薄膜，但是薄膜内部仍然存在少量的溶剂，容易沾上灰尘。将带有光刻胶的圆孔图形的石英衬底放置到真空热板上，先在65℃条件下干燥1min，然后再在95℃条件下干燥5min，利用阶段性的高温可以去除光刻胶中残留的溶剂，降低灰尘的玷污。同时，利用高温加热还可以增强光刻胶与石英衬底之间的粘附性，释放光刻胶膜内应力以及防止其在后续的操作过程中污染设备。

(4)通过垂直曝光，将第一图形平行转移到光刻胶上。

选用光波长为248nm的紫外光对带有SU8-2035光刻胶的圆孔形图形石英衬底进行正面垂直曝光光刻。光刻胶中的感光剂受到光的照射会发生光化学反应，从而使光刻胶上获得与圆孔形图形衬底相对应的光刻图形。

(5)通过倾斜曝光，将第一图形以预设角度转移到光刻胶上。

将经过垂直曝光后的衬底固定在楔形的底托上，通过以预设角度为25°转动底托，在垂直光源的照射下，对圆孔形的图形衬底进行背面倾斜曝光光刻，从而可以将圆孔形的图形衬底以预设角度25°转移到光刻胶上。

(6)对光刻胶进行显影、坚膜、减薄处理，得到三维梯度渐变图形。

将光刻后的图形衬底放到真空热板上，先在65℃条件下烘干1min，然后再在95℃条件下烘干5min，利用高温可以去除光刻胶中多余的溶剂，同时增强光刻胶与石英衬底之间的粘附性。接着，将带有光刻胶的衬底放入到SU8-deV溶液中超声，SU8-deV溶液可以溶解掉未曝光部分的光刻胶，而曝光过的光刻胶因已交联形成了聚合物，显影液对曝光过的光刻胶没有溶解的作用。然后，用异丙醇进行定影；最后，用去离子水清洗衬底、氮气吹干衬底，并用显微镜观察光刻图形，从而就可以获得马蹄形梯度渐变图形。

图3是采用三维梯度渐变图形光刻方法制备的马蹄形梯度渐变图形的显微镜图。

如图3所示，马蹄形梯度渐变图形沿圆孔向下，阴影逐渐加深，说明图形的梯度逐渐增大。

图4是马蹄形梯度渐变图形经倒模之后的形貌显微镜图。

如图4所示，用圆孔形图形的光刻胶作为模板，将高分子材料倒入模板中，固化后脱模。将倒模后的高分子材料放到显微镜下观察其形貌，可以看出由顶部到底部马蹄形图形的梯度渐变。

实施例2

一种山峰形梯度渐变图形光刻方法，包括如下步骤：

(1)提供一衬底。

选用4英寸的透光石英作为衬底，用去离子水清洗石英衬底表面的灰尘颗粒并烘干，接着用等离子体清洁石英衬底表面的有机物。此外，为了提高光刻胶在衬底表面的附着能力，在衬底表面涂抹一层化合物，此化合物可选为六甲基乙硅氮烷、三甲基甲硅烷基二乙胺。

(2)在衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底，包括：

匀胶：先将石英衬底固定在匀胶机上；接着，将AZ6130光刻胶溶液喷洒在石英衬底表面上，将匀胶机的转速设置为4000转/min，工作时间为30s，附着在石英衬底表面的光刻胶溶液受到离心力的作用，使光刻胶向着石英衬底外侧移动，从而实现将光刻胶均匀的涂抹在石英衬底上。

前烘：液态光刻胶中含有大量的溶剂，经过甩胶将光刻胶均匀的涂抹在石英衬底上并逐渐固化形成固态的薄膜，但是薄膜内部仍然存在少量的溶剂，容易沾上灰尘。将带有光刻胶的石英衬底放置到真空热板上，在95℃条件下加热5min，利用高温来去除光刻胶中残留的溶剂，降低灰尘的玷污。同时，利用高温加热还可以增强光刻胶与石英衬底之间的粘附性，释放光刻胶膜内应力以及防止其在后续的操作过程中污染设备。

光刻：选用光波长为248nm的紫外光对带有AZ6130光刻胶的石英衬底进行光刻。选用方孔形作为第一图形，采用接触式对准的方式对光刻胶曝光。光刻胶中的感光剂受到光的照射会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射的区域发生化学反应，而负光刻胶未被照射的区域则不发生化学反应。

显影：在光刻胶经曝光过程之后，选用四甲基氢氧化铵(TMAH)作为显影液。根据正负光刻胶在显影液中的溶解度的不同，去除衬底上多余的光刻胶，并用显微镜检查光刻胶上的图形，从而实现将方孔形(第一图形)转移到光刻胶上。

镀膜：用离子束辅助蒸发镀膜法在方形孔的光刻胶上镀上一层1μm Al膜。

剥离：将方孔形图形衬底放到真空热板上并在120℃条件下干燥30min，利用高温蒸发掉光刻胶里面的溶剂、增强光刻胶对石英衬底表面的附着力，同时提高光刻胶在后续刻蚀的抗蚀性能力。接着，将方孔形图形衬底放入丙酮溶液中进行超声并用去离子水清洗，Al膜下面的光刻胶会溶解，从而使光刻胶上面沉积的Al膜从石英衬底上剥离下来，而Al膜的下层没有光刻胶的图形则会保护下来，形成带有方孔形的掩蔽层。最后，用显微镜检查剥离后衬底上的图形，从而获得与方孔图形(第一图形)相关联的图形衬底。

(3)在图形衬底上涂覆光刻胶，包括：

匀胶：将获得方孔形(第一图形)的图形石英衬底固定在匀胶机上；接着，将SU8-2035光刻胶溶液喷洒在石英衬底表面上，将匀胶机的转速设置为3000转/min，工作时间为30s，附着在方孔形的图形衬底表面的光刻胶溶液受到离心力的作用，使光刻胶向着石英衬底外侧移动，从而实现将光刻胶均匀的涂抹在方孔形图形的石英衬底上。

前烘：液态SU8-2035光刻胶中含有大量的溶剂，经过甩胶将光刻胶均匀的涂抹在石英衬底上并逐渐固化形成固态的薄膜，但是薄膜内部仍然存在少量的溶剂，容易沾上灰尘。将带有光刻胶的方孔图形的石英衬底放置到真空热板上，先在65℃条件下干燥1min，然后再在95℃条件下干燥5min，利用阶段性的高温可以去除光刻胶中残留的溶剂，降低灰尘的玷污。同时，利用高温加热还可以增强光刻胶与石英衬底之间的粘附性，释放光刻胶膜内应力以及防止其在后续的操作过程中污染设备。

(4)通过垂直曝光，将第一图形平行转移到光刻胶上。

选用光波长为248nm的紫外光对带有SU8-2035光刻胶的方孔形图形石英衬底进行正面垂直曝光光刻。光刻胶中的感光剂受到光的照射会发生光化学反应，从而使光刻胶上获得与方孔形图形衬底相对应的光刻图形。

(5)通过倾斜曝光，将第一图形以预设角度转移到光刻胶上。

将经过垂直曝光后的衬底固定在楔形的底托上，通过以预设角度为25°转动底托，在垂直光源的照射下，对方孔形的图形衬底进行背面倾斜曝光光刻，从而可以将方孔形的图形衬底以预设角度25°转移到光刻胶上。

(6)对光刻胶进行显影、坚膜、减薄处理，得到三维梯度渐变图形。

将光刻后的图形衬底放到真空热板上，先在65℃条件下烘干1min，然后再在95℃条件下烘干5min，利用高温可以去除光刻胶中多余的溶剂，同时增强光刻胶与石英衬底之间的粘附性。接着，将带有光刻胶的衬底放入到SU8-deV溶液中超声，SU8-deV溶液可以溶解掉未曝光部分的光刻胶，而曝光过的光刻胶因已交联形成了聚合物，显影液对曝光过的光刻胶没有溶解的作用。然后，用异丙醇进行定影；最后，用去离子水清洗衬底、氮气吹干衬底，并用显微镜观察光刻图形，从而就可以获得山峰形梯度渐变图形。

图5是山峰形梯度渐变图形经倒模之后的形貌显微镜图。

如图5所示，用方孔形图形的光刻胶作为模板，将高分子聚合物倒入模板中，固化后脱模。将倒模后的高分子聚合物放到扫描电子显微镜下观察其形貌，从底面向上看，图形等高面的梯度呈减小的趋势，并且图形在平行于衬底面上具有取向性。

本公开提供的方法和装置，与纳米压印技术和激光直写技术相比，本公开具有可操作性强、低成本、高效率和易于推广的优势。

以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种三维梯度渐变图形光刻方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底；

在所述图形衬底上涂覆光刻胶；

通过垂直曝光，将所述第一图形平行转移到所述光刻胶上；

通过倾斜曝光，将所述第一图形以预设角度转移到所述光刻胶上；

对所述光刻胶进行显影、坚膜、减薄处理，得到所述三维梯度渐变图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述通过倾斜曝光，将所述第一图形以预设角度转移到所述光刻胶上，包括：

将所述图形衬底固定在底托上，所述底托呈楔形，通过以所述预设角度转动所述底托，使得所述图形衬底在垂直光源下倾斜曝光，将所述第一图形以预设角度转移到所述光刻胶上。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一图形包括以下任意一种：圆形、方形、梯形。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述垂直光源的波长包括248nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括石英衬底。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底，包括：

在所述衬底上光刻形成第一图形，通过离子束辅助蒸发镀膜法在所述衬底上镀金属膜，得到所述图形衬底。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属膜包括铝膜。

8.一种底托，用于权利要求1～7任意一项所述的方法，包括：一体成型底面和侧壁，

所述底面设置镂空网格，用于减少垂直光源在所述底托上的反射；

所述侧壁的高度由左至右逐渐降低，所述侧壁呈楔形，用于所述底托相对于所述垂直光源产生倾斜角度；

所述侧壁上设置卡环，用于固定衬底。

9.根据权利要求8所述的底托，其中，所述镂空网格的中心包括方形孔，用于定位所述底托，使得所述底托以所述方形孔为中心，以所述垂直光源为轴进行转动。

10.根据权利要求8所述的底托，其中，所述卡环上设置定位边。

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