KR20230068563A - 위상마스크 및 3차원 미세 구조체를 제조하는 방법 - Google Patents

위상마스크 및 3차원 미세 구조체를 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 위상마스크에 관한 것으로, 대칭 또는 비대칭의 패턴을 갖는 고굴절률 물질로 이루어진 제1층 및 상기 제1층 상에 형성되며 탄성중합체로 이루어지는 제2층을 포함하는 위상마스크가 제공된다.
본 발명의 위상마스크는 고굴절률 물질과 탄성중합체를 함께 구성하여, 입사광의 위상 및 회절 특성의 조절을 효과적으로 수행할 수 있는 동시에 노광 공정을 안정적으로 수행할 수 있다.

Description

위상마스크 및 3차원 미세 구조체를 제조하는 방법{PHASE MASK AND METHOD OF MANUFACTURING THREE-DEMENTIONAL MICRO-STRUCTRE}
본 발명은 위상마스크 및 3차원 미세 구조체를 제조하는 방법에 관한 것으로, 광학 리소그래피를 통해 나노 및 마이크로 구조를 구현할 수 있는 위상마스크 및 3차원 미세 구조체를 제조하는 방법에 대한 것이다.
나노 및 마이크로 크기에서 물질의 형상을 구현하는 기술은 다양한 산업 분야에서 많은 수요가 발생하고 있으며, 이를 위한 공정이 개발되고 있다. 특히 3차원의 주기적인 물질 구조는 반도체, 광학, 구조재, 센서, 전기화학 소재 등의 고부가가치 산업에서 주요하게 활용된다. 이를 구현하기 위한 기존의 리소그래피 기술은, 2차원의 구조를 여러 번 반복하여 목표하는 구조를 제작하는 방식을 사용한다. 한 층씩 물질 구조를 제작하기 위해서는 증착, 노광, 식각 등의 공정을 거치기 때문에, 해당 공정은 경제성과 양산성 면에서 단점이 매우 많다. 3차원의 미세 구조를 효율적으로 제작하기 위한 대안으로 간섭 리소그래피 (interference lithography), 근접장 나노패터닝 기술 등이 개발되어 왔다.
간섭 리소그래피는 복수의 가간섭성(coherence) 빛의 광선을 포토레지스트에 입사시켜서 3차원의 간섭무늬를 형성 한 뒤, 일련의 열처리, 식각 공정을 통해 이를 물질화한다. 해당 공정은 입사하는 빛의 개수, 강도, 편광 등을 조절하여 3차원의 브라베 (Bravais) 격자를 구현 할 수 있으며, 높은 자유도로 주기적인 구조 제작이 가능하다. 이를 위해서는 레이저와 같은 단일한 광원을 빔 스플리터 (beam splitter), 렌즈 (lens), 거울 (mirror), 편광자 (polarizer) 등으로 구성된 복잡한 광학계를 활용해야 한다. 이로 인해 공정 면적의 한계, 낮은 안정성과 재현성, 고비용의 단점이 있다.
이러한 단점을 극복할 수 있는 근접장 나노패터닝은 나노-마이크로 주기의 격자가 있는 위상마스크를 포토레지스트에 접촉한 상태에서, 노광 공정으로 간섭 무늬 형성 및 물질화를 통해 주기적인 미세 구조를 제작한다. 위상마스크는 포토레지스트 내부에 회절 현상을 일으키고, 간섭무늬를 발생시키는 중요한 공정 요소이며, PDMS(polydimethylsiloxane)와 같은 탄성중합체 등으로 구성된다. 탄성중합체의 유연성, 낮은 표면에너지로 인해 격자 패턴과 포토레지스트 표면의 균일한 접촉이 가능하며, 이 때의 노광 공정은 매우 안정적으로 진행된다. 단일 광원의 사용과 균일한 접촉으로 인해서, 근접장 나노패터닝은 공정의 대면적화가 용이하고, 안정성, 재현성의 장점과 상대적으로 공정비용이 낮은 이점이 있다.
그러나, PDMS와 같은 탄성중합체로만 이루어진 위상마스크는 굴절률이 낮아, 노광하는 빛의 파장 길이 대비, 격자의 주기가 짧아질 때 발생하는 위상 조절과 회절현상의 한계가 있었다. 또한, 굴절률 2 이상의 고굴절률 물질을 사용하는 경우, 고굴절률 물질은 대부분 세라믹 물질로 기계적인 강도가 매우 높기 때문에 포토레지스트 표면과 균일한 접촉이 불가능한 문제점이 있었다.
미국등록번호 US.7704684.B4
Proc. Natl. Acad. Sci. 2004, 101, 12428 Adv. Opt. Mater. 2014, 2, 1213
본 발명의 목적은 종래의 문제점을 해결하는 것으로, 고굴절률 물질과 탄성중합체를 함께 구성하여, 입사광의 위상 및 회절 특성의 조절을 효과적으로 수행할 수 있는 동시에 노광 공정을 안정적으로 수행할 수 있는 위상마스크를 제공하는 데 있다.
또한 본 발명의 목적은 이와 같은 위상마스크를 이용하여 미세한 나노구조를 높은 해상도로 구현할 수 있는 3차원 미세 구조체를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 대칭 또는 비대칭의 패턴을 갖는 고굴절률 물질로 이루어진 제1층; 및 상기 제1층 상에 형성되며 탄성중합체로 이루어지는 제2층;을 포함하는 위상마스크가 제공된다.
상기 고굴절률 물질은 상기 탄성중합체 보다 굴절률이 큰 것일 수 있다.
상기 고굴절률 물질은 자외선 파장 또는 가시광 파장에서 1.5 내지 3.5의 굴절률을 가질 수 있다.
상기 탄성중합체는 기계적 강도가 0.1 내지 20MPa이고, 표면 에너지가 1 내지 30 mJm-2일 수 있다.
상기 탄성중합체는 PDMS(Polydimethylsiloxane), PFPE(Perfluoropolyether) 및 PUA(Polyurethane acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 패턴은 요철구조, 톱니구조, 물결무늬구조 및 다층형 구조로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 패턴은 요철구조로 형성되며, 상기 요철구조 단일한 높이로 형성되거나, 여러 층의 높이로 형성되어 단차를 갖는 것일 수 있다.
상기 위상마스크는 기판 상에 상기 고굴절률 물질의 패턴을 전사하고, 그 위에 상기 탄성중합체를 증착하여 제조되는 것일 수 있다.
상기 위상마스크는 단일 또는 복수의 상기 고굴절률 물질을 기판 위에 필름 형태로 증착한 후 식각하여 상기 패턴을 형성하고, 상기 패턴 위에 상기 탄성중합체를 증착하여 제조되는 것일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 위상마스크에서,
(a) 제1층과 접하지 않는 제2층 상에 포토레지스트를 접촉 배치시키는 단계; 및 (b) 상기 위상마스크로 빛을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광하여 3차원 미세구조체를 제조하는 단계;를 포함하는 3차원 미세구조체를 제조하는 방법이 제공된다
단계 (b) 이후에, 상기 노광된 포토레지스트를 베이킹 및 현상하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 위상마스크는 고굴절률 물질과 탄성중합체를 함께 구성하여, 입사광의 위상 및 회절 특성의 조절을 효과적으로 수행할 수 있는 동시에 노광 공정을 안정적으로 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 3차원 미세 구조체를 제조하는 방법은 이와 같은 위상마스크를 이용하여 미세한 나노구조를 높은 해상도로 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 위상마스크의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 위상마스크의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 위상마스크의 제조방법을 그림으로 나타낸 개략도이다.
도 4는 본 발명의 위상마스크를 패터닝 공정에 적용하는 방법을 나타낸 개념도이다.
도 5는 본 발명의 비교예에 따른 위상마스크의 회절차수 효율을 계산한 결과이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상마스크의 회절차수 효율을 계산한 결과이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상마스크에 노광하여 포토레지스트를 패터닝할 때, 포토레지스트 내부의 회절 차수 효율을 계산한 결과이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하도록 한다.
그러나, 이하의 설명은 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다", "함유하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이하, 도 1을 참고하여 본 발명의 위상마스크에 대해 설명하도록 한다.
본 발명의 위상마스크는 대칭 또는 비대칭의 패턴을 갖는 고굴절률 물질로 이루어진 제1층 및 상기 제1층 상에 형성되며 탄성중합체로 이루어지는 제2층을 포함한다.
상기 고굴절률 물질은 상기 탄성중합체 보다 굴절률이 큰 것을 특징으로 한다.
상기 고굴절률 물질은 상기 탄성중합체와 굴절률 차이는 입사하는 빛의 위상 조절, 회절 특성 결정에 높은 영향을 미친다. 굴절률 차이가 높을수록 상대적으로 더 낮은 격자 높이에서 원하는 회절 특성을 구현할 수 있다. 또한, 노광하는 빛의 파장 길이 대비, 격자의 주기가 짧아질 때 발생하는 위상 조절과 회절현상의 한계도 극복할 수 있다.
상기 고굴절률 물질은 자외선 파장 또는 가시광 파장에서 1.5 내지 3.5의 굴절률을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며 1.5 이상의 굴절률을 고굴절률 물질은 어느 것이든 사용할 수 있다.
상기 탄성중합체는 기계적 강도가 0.1 내지 20MPa이고, 표면 에너지가 1 내지 30 mJm-2일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 격자 패턴과 포토레지스트 표면의 균일한 접촉이 가능하고, 상기 고굴절률 물질보다 굴절률이 작은 물질은 어느 것이든 사용할 수 있다.
상기 탄성중합체는 PDMS(Polydimethylsiloxane), PFPE(Perfluoropolyether), PUA(Polyurethane acrylate) 등이 가능하다.
상기 패턴은 요철구조, 톱니구조, 물결무늬구조, 다층형 구조 등이 가능하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 종래 기술로는 구현할 수 없었던 복잡한 패턴의 구현이 모두 가능하다.
상기 패턴이 요철구조로 형성되는 경우, 상기 요철구조 단일한 높이로 형성되거나, 여러 층의 높이로 형성되어 단차를 가질 수 있으며, 다른 구조에서도 역시 단차를 포함할 수 있다. 본 발명의 위상마스크는 단차를 포함하는 복잡한 패턴의 구현도 가능하다.
도 2 및 3을 참고하여, 본 발명의 위상마스크의 제조방법을 개시한다.
상기 위상마스크는 기판 상에 상기 고굴절률 물질의 패턴을 전사하고, 그 위에 상기 탄성중합체를 증착하여 제조한다.
종래 마스크와 같이 상기 탄성중합체만 사용하는 경우에는 굴절률이 낮아, 노광하는 빛의 파장 길이 대비, 격자의 주기가 짧아질 때 발생하는 위상 조절과 회절현상의 한계가 있고, 고굴절률 물질만 사용하는 경우에는 기계적인 강도가 매우 높기 때문에 포토레지스트 표면과 균일한 접촉이 불가능한 문제점이 있었다. 본 발명의 위상마스크는 상기와 같이 고굴절률 물질 패턴 상에 탄성중합체를 증착하여 포토레지스트 표면과 균질한 접촉을 하는 동시에 복잡하고 미세한 구조로 인해 격자의 주기가 짧아질 때에도 위상 조절과 회절현상이 용이하다.
또는, 상기 고굴절률 물질의 패턴을 전사하는 대신에 상기 위상마스크는 단일 또는 복수의 상기 고굴절율 물질을 기판 위에 필름 형태로 증착한 후 식각하여 상기 패턴을 형성하고, 상기 패턴 위에 상기 탄성중합체를 증착하여 제조할 수도 있다.
상기 탄성중합체를 증착하는 방법은 스핀코딩, 닥터블레이드, 등의 공지된 증착 방식은 어느 것이든 가능하다.
이하, 본 발명의 3차원 미세 구조체를 제조하는 방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.
먼저, 제1층과 접하지 않는 제2층 상에 포토레지스트를 접촉 배치시킨다(단계 a).
상기 포토레지스트는 노광 공정에 사용되는 공지된 물질은 어느 것이든 사용이 가능하며, 바람직하게는 에폭시 기반의 네거티브 톤(negative-tone) 포토레지스트 또는 DNQ 기반의 포지티브 톤(positive-tone) 포토레지스트를 사용할 수 있다.
상기 포토레지스트는 광가교성을 갖는 유-무기 하이브리드 물질, 하이드로 젤, 페놀릭 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 탄성중합체로 이루어지는 제2층은 상기 포토레지스트와 갭 없이 균질한 접촉을 가능하게 한다. 이로 인해, 후술하는 과정에서 노광 안정성 및 재현성이 향상될 수 있다.
마지막으로, 상기 위상마스크로 빛을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광하여 3차원 주형을 제조한다(단계 b).
상기 위상 마스크로 빛을 조사하면, 포토레지스트 내부에 회절 현상을 일으키고, 간섭무늬를 발생시킬 수 있다.
네거티브 톤의 포토레지스트를 사용하는 경우, 보강 간섭으로 빛이 강하게 형성된 부분만 선택적으로 포토레지스트의 가교가 일어나고 상대적으로 빛이 약한 나머지 부분은 가교를 위한 노광량(exposure dose)이 충분하지 못하기 때문에 후술하는 현상(developing) 과정에서 용해되어 제거될 수 있다. 최종적으로 건조(drying) 과정을 거치면 상기 빛의 파장 및 상기 위상 마스크의 디자인에 따라 수 백 나노미터(nm) ~ 수 마이크로미터(㎛) 수준의 대칭 또는 비대칭 패턴 구조를 갖는 3차원 미세구조체가 형성될 수 있다.
상기 노광된 포토레지스트를 베이킹 및 현상하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 설명하도록 한다. 그러나 이는 예시를 위한 것으로서 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
실시예 1: 본 발명의 위상마스크의 제조(Al 2 O 3 )
투명한 기판 상에 고굴절률 물질(Al2O3)의 격자패턴을 형성한다. 격자 패턴 형성 공정의 첫 번째 단계는 물리적, 화학적 증착 방법으로, 고굴절률 물질의 박막을 투명한 기판에 증착하였다. 그 다음 과정으로, 증착된 고굴절률 박막 표면에 리소그래피 공정을 통해 격자 구조의 고분자 패턴을 형성하였다. 해당 패턴을 건식식각공정(reative ion etching)의 마스크로 활용하여, 식각 공정을 통해 고굴절률 박막을 패턴 형상으로 가공하고, 고분자를 제거하였다. 식각 공정 이후 남은 고체 박막 패턴의 잔여물은 용액공정을 활용하여 선택적으로 제거하고 고굴절률 물질의 패턴을 완성하였다.
상기 격자패턴 상에 탄성중합체(PDMS)를 증착한다. PDMS를 상기 고굴절률 격자 패턴 상에 스핀코팅을 하고, 65℃의 온도에서 10분 동안 가교반응을 한 뒤 위상마스크 제작을 완료하였다.
실시예 2: 본 발명의 위상마스크의 제조(TiO 2 )
고굴절률 물질로 Al2O3 대신에 TiO2를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 위상마스크를 제조하였다.
실시예 3: 본 발명에 따른 3차원 미세 구조체의 제조
실시예 2에 따라 제조된 위상마스크의 상기 탄성중합체 상에 포토레지스트(SU-8, Microchem)를 두께가 10 um가 되도록 스핀코팅하고, 상기 기판 상으로 355 nm 파장의 레이저 광원을 노광하였다. 노광량은 상기 포토레지스트의 두께에 따라 20 mJ/cm2 이었다. 노광 후 베이킹(post-exposure baking)은 60℃에서 10분 동안 수행하였다. 다음으로, PGMEA(Propylene glycol methyl ether acetate) 용액에서 20분 이상 담근 뒤, 이산화탄소를 이용한 초임계건조 공정을 거쳐 현상(develop)하여 3차원 미세 구조체를 제조하였다. 상기 초임계 건조는 CO2 용매를 사용했고, 온도는 40℃, 압력은 1,200 psi 이었다.
비교예 1: 종래 위상마스크의 제조(PDMS)
종래의 PDMS 탄성중합체로 구성된 위상마스크는 다음과 같은 과정을 통해 제작하였다. 먼저, 실리콘 기판에 실시예 1과 동일한 패턴이 제작된, 실리콘 마스터를 준비하고, 상기 실리콘 마스터에 SAM(self-assembly monolayer) 등의 표면 처리를 하였다. 다음으로, PDMS 탄성 중합체(Sylgard 184)를 베이스(base)와 경화제(curing agent) 시약을 대략 10:1의 비율로 섞은 뒤 상기 실리콘 마스터에 증착하고 경화하였다. 이후 경화가 끝나면, 실리콘 마스터에서 물리적으로 분리하여 위상마스크를 완성 하였다. 해당 PDMS는 s-PDMS (soft-PDMS)이다.
비교예 2: 종래 위상마스크의 제조(Al 2 O 3 )
PDMS 대신에 Al2O3를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 위상마스크를 제조하였다.
비교예 3: 종래 위상마스크의 제조(TiO 2 )
PDMS 대신에 TiO2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 위상마스크를 제조하였다.
[시험예]
시험예 1: 종래 위상마스크와 본 발명의 위상마스크의 회절차수의 효율 비교
도 5는 비교예 1 내지 3에 따라 제조된 위상마스크의 패턴 높이(h)와 주기(P)에 따른 0차 회절차수 효율 계산 결과이고, 도 6은 실시예 1 및 2에 따라 제조된 위상마스크의 패턴 높이와 주기에 따른 0차 회절차수 효율 계산 결과이다. 0차 회절차수를 어느 정도까지 줄일 수 있는지를 위상마스크의 성능 지표를 정량적으로 판단 할 수 있다.
도 5를 참고하면, 비교예 1 내지 3의 단일한 1차원의 선형 패턴 형태로, 단일한 물질로 구성된 위상마스크에 355 nm 파장의 빛이 TE 편광상태로 입사하는 경우에는 패턴 높이가 증가해도 굴절률이 낮은 비교예 1의 위상마스크(PDMS, n(굴절률) =1.4, @ 355 nm)의 경우 비교예 3의 위상마스크(TiO2, n(굴절률)=2.87, @ 355 nm)에 비해 0차 회절의 효율 조절이 효과적이지 못한 것으로 나타났다.
도 6을 참고하면, 본 발명의 실시예 1 및 2에 따라 제조된 탄성중합체와 고굴절률 물질로 구성된 위상마스크의 경우, 355 nm 파장의 빛이 TE 편광상태로 입사할 때 위상마스크의 패턴 높이와 주기에 따라서 0차 회절의 효율이 효과적으로 나타나는 것을 알 수 있었다.
따라서, 본 발명의 위상마스크의 회절 효율이 종래 위상마스크에 비해 우수한 것을 알 수 있었다.
시험예 2: 복잡한 선형 패턴에서의 포토레지스트 내부 회절 차수 효율 계산
실시예 3에 따라 3차원 미세 구조체를 제조하는 과정에서 상기 위상마스크에 노광하였을 때, 포토레지스트 내부에서 발생하는 회절 차수들의 효율을 고굴절률 물질(TiO2)의 패턴 높이에 따라 계산하여 도 7에 나타내었다.
도 7을 참고하면, 실시예 3의 고굴절률의 물질이 비대칭적인 패턴의 형상으로 배열되어 있기 때문에, 회절 효율이 비대칭적으로 발생하는 것을 알 수 있었다.
따라서, 기존의 PDMS 기판의 저굴절률 위상마스크 대비 TiO2 패턴으로 구성된 고굴절률 위상마스크는, 종래의 위상마스크가 도달하지 못한 수준으로 0차 회절차수의 효율을 줄였다. 이는 기존 빛의 위상제어 한계를 극복한 것이다. 특히 위상마스크의 주기와 빛의 파장이 비슷한 영역에서는 위상마스크의 단차를 높여도 0차 회절 효율 억제에 한계가 있었으나, 해당 영역에서도 우수한 위상제어 및 0차 회절 효율 억제 특성을 보인다. 이러한 특성은 종래의 광학패터닝보다 구조의 미세도와 복잡도가 심화된 광학패터닝을 가능하게 하고, 공정 안정성을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 대칭 또는 비대칭의 패턴을 갖는 고굴절률 물질로 이루어진 제1층; 및
    상기 제1층 상에 형성되며 탄성중합체로 이루어지는 제2층;을
    포함하는 위상마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고굴절률 물질은 상기 탄성중합체 보다 굴절률이 큰 것을 특징으로 하는 위상마스크.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 고굴절률 물질은 자외선 파장 또는 가시광 파장에서 1.5 내지 3.5의 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 위상마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 탄성중합체는 기계적 강도가 0.1 내지 20MPa이고, 표면 에너지가 1 내지 30 mJm-2인 것을 특징으로 하는 위상마스크.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 탄성중합체는 PDMS(Polydimethylsiloxane), PFPE(Perfluoropolyether) 및 PUA(Polyurethane acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 위상마스크.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 패턴은 요철구조, 톱니구조, 물결무늬구조 및 다층형 구조로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 위상마스크.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 패턴은 요철구조로 형성되며, 상기 요철구조 단일한 높이로 형성되거나, 여러 층의 높이로 형성되어 단차를 갖는 것을 특징으로 하는 위상마스크.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 위상마스크는 기판 상에 상기 고굴절률 물질의 패턴을 전사하고, 그 위에 상기 탄성중합체를 증착하여 제조되는 것을 특징으로 하는 위상마스크.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 위상마스크는 단일 또는 복수의 상기 고굴절률 물질을 기판 위에 필름 형태로 증착한 후 식각하여 상기 패턴을 형성하고, 상기 패턴 위에 상기 탄성중합체를 증착하여 제조되는 것을 특징으로 하는 위상마스크.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항의 위상마스크에서,
    (a) 제1층과 접하지 않는 제2층 상에 포토레지스트를 접촉 배치시키는 단계; 및
    (b) 상기 위상마스크로 빛을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광하여 3차원 미세구조체를 제조하는 단계;를 포함하는 3차원 미세구조체를 제조하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 단계 (b) 이후에,
    상기 노광된 포토레지스트를 베이킹 및 현상하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 미세 구조체를 제조하는 방법.
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