CN113740339A - 基材检测方法及装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 181
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 190
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 111
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 41
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 28
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 23
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 17
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 16
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 15
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 25
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 238000005314 correlation function Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011326 mechanical measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
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Abstract
本公开涉及基材检测技术领域,具体涉及一种基材检测装置和方法,基材检测装置包括第一偏振片、第一光源以及第一图像采集机构。第一光源用于提供从第一方向入射至所述第一偏振片的光线;第一图像采集机构用于接收从第二方向透过所述第一偏振片的光线,并形成第一目标图像;且第一方向和第二方向相反。
Description
技术领域
本公开涉及基材检测技术领域,具体而言,涉及一种基材检测装置和方法。
背景技术
在OLED显示屏及其它制造领域,为了有效预防并尽量降低不合格产品的出现,需要对基材进行管控。其中,对基材尺寸测量、外观缺陷检测是最常见的两类检测方式。
现有技术中,对基材的检测普遍使用人工抽或通过机械定位机构的预设位置移动量和马达扭矩值反馈,间接获取产品的长度、厚度、尺寸等物理信息,但是上述两种检测方式存在发现缺陷的时效性差,且检测精度不足的问题。
因此,有必要设计一种新的基材检测装置以及方法。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种基材检测装置和方法,进而至少在一定程度上克服现有技术中的基材检测装置的发现缺陷的时效性差,且检测精度不足的问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的第一方面,提供了一种基材检测装置,包括:
第一偏振片;
第一光源,用于提供从第一方向入射至所述第一偏振片的光线;
第一图像采集机构,所述第一图像采集机构能够接收从第二方向透过所述第一偏振片的光线,并形成第一目标图像;
其中,所述第一方向和所述第二方向相反。
在本公开的一种示例性实施例中,所述基材检测装置还包括:
第二偏振片,与所述第一偏振片同中心轴设置,且设于所述第一偏振片远离所述第一图像采集机构的一侧;且与所述第一偏振片的偏振角度相同;
第二光源,用于提供从第二方向入射至所述第二偏振片的光线。
在本公开的一种示例性实施例中,所述装置还包括:
第二偏振片,与所述第一偏振片同中心轴设置,且设于所述第一偏振片远离所述第一图像采集机构的一侧;
第二光源,用于提供从第二方向入射至所述第二偏振片的光线;
第二图像采集机构5,被配置为接收从第一方向透过所述第二偏振片的光线;
其中,所述第一偏振片和所述第二偏振片中的至少一个包括偏振角度调节装置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一光源包括:
第一阵列光源,用于提供垂直于所述第一方向的光线;
第一直角棱镜,包括第一直角面和第二直角面,其中第一直角面平行于所述第一偏振片,第二直角面平行于所述第一方向,所述第一直角棱镜设置于所述第一偏振片和所述第一图像采集机构之间,用于将垂直于所述第一方向的光线转换为从第一方向入射至所述第一偏振片的光线;
所述第二光源包括:
第二阵列光源,用于提供垂直于所述第二方向的光线;
第二直角棱镜,包括第三直角面和第四直角面,其中第三直角面平行于所述第二偏振片,第四直角面平行于所述第二方向,所述第二直角棱镜设置于所述第二偏振片和所述第二图像采集机构5之间,用于将垂直于所述第二方向的光线转换为从第二方向入射至所述第二偏振片的光线。
在本公开的一种示例性实施例中,所述基材检测装置还包括:
匀光板,包括第一匀光板和第二匀光板,第一匀光板设于所述第一阵列光源和所述第一直角棱镜之间,第二匀光板设于所述第二阵列光源和所述第二直角棱镜之间;
吸光板,包括第一吸光板和第二吸光板,所述第一吸光板设于所述第一直角棱镜远离所述第一阵列光源的一侧,所述第二吸光板设于所述第二直角棱镜远离所述第二阵列光源的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述基材检测装置还包括:
第二偏振片,与所述第一偏振片同中心轴设置,且设于所述第一偏振片远离所述第一图像采集机构的一侧,且与所述第一偏振片的偏振角度相同;
第二图像采集机构5,被配置为接收从第一方向透过所述第一偏振片的光线。
在本公开的一种示例性实施例中,所述基材检测装置还包括:
传动机构,用于固定所述基材,能够使得所述基材以预设速度通过所述第一图像采集机构的入光口;
控制装置,用于根据所述基材与所述入光口的位置控制所述传动机构和所述第一图像采集机构启停。
在本公开的一种示例性实施例中,所述基材检测装置还包括处理器,所述处理器用于:
根据一标准基材获取基准灰度矩阵;
根据所述第一目标图像获取待测灰度矩阵;
确定一检测阈值,并根据所述待测灰度矩阵和基准灰度矩阵确定检测函数;
根据所述检测函数和检测阈值判断所述基材是否存在缺陷。
根据本公开的一个方面,提供一种基材检测方法,包括:
提供从第一方向入射并经过第一偏振片的偏振光线;
采集经由所述基材的第一待测表面反射并从第二方向透过所述第一偏振片的所述偏振光线,并生成第一目标图像;
其中所述第一方向与所述第二方向相反。
在本公开的一种示例性实施例中,所述方法还包括:
根据一标准基材获取基准灰度矩阵;
根据所述第一目标图像获取待测灰度矩阵;
确定第一检测阈值,并根据所述待测灰度矩阵和基准灰度矩阵确定第一检测函数;
根据所述第一检测函数和第一检测阈值判断所述基材的所述第一待测表面是否存在缺陷。
在本公开的一种示例性实施例中,所述基材以预设速度从第一检测点移动至第二检测点,根据所述第一目标图像获取待测灰度矩阵包括;
确定所述第一检测点和第二检测点之间的距离;
确定采集所述第一目标图像时的采样帧率;
根据所述第一目标图像、所述距离、所述预设速度和所述采样帧率确定所述待测灰度矩阵。
在本公开的一种示例性实施例中,所述方法还包括:
根据所述标准基材和所述基准灰度矩阵确定单个像素比;
根据所述待测灰度矩阵和所述单个像素比检测所述基材尺寸。
在本公开的一种示例性实施例中,所述方法还包括:
提供从第二方向入射并经过第二偏振片的偏振光线;
采集经由所述基材的第二待测表面反射并从第一方向透过所述第二偏振片的所述偏振光线,并生成第二目标图像。
在本公开的一种示例性实施例中,所述方法还包括:
确定第二检测阈值,并根据所述待测灰度矩阵和基准灰度矩阵确定第二检测函数;
根据所述第二检测函数和第二检测阈值判断所述基材的第二待测表面是否存在缺陷。
根据本公开的一个方面,提供一种基材检测方法,包括:
提供从第二方向入射并经过第二偏振片的偏振光线;
采集由所述第二方向依次通过所述第二偏振片、所述基材以及第一偏振片的所述偏振光线,并生成第三目标图像;
其中,所述第一偏振片和第二偏振片的偏振角度相同;或
提供从第一方向入射并经过第一偏振片的偏振光线;
采集由所述第一方向依次通过第二偏振片、所述基材以及所述第一偏振片的所述偏振光线,并生成第四目标图像;
其中,所述第一偏振片和第二偏振片的偏振角度相同。
本公开实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:
本公开的一种实施例所提供的基材检测装置中,通过第一光源提供从第一方向入射至所述第一偏振片的光线,第一图像采集机构能够接收从与第一方向相反的第二方向透过第一偏振片的光线,并形成第一目标图像来完成对基材的检测。相较于现有技术,一方面,采用第一图像采集机构获取基材的第一目标图像来完成对基材的检测较人为检测能够得到更高的检测精度;另一方面,光线从第一方向入射至第一偏振片,同时,第一图像采集机构能够接收从图第一方向相反的第二方向透过第一偏振片的光线来实现图像的采集,采用同轴光线通过偏振片来实现提升图像采集的精度和对比度,能够提升对基材检测的精度。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1示意性示出本公开第一种示例性实施例中基材检测装置的结构示意图;
图2示意性示出本公开第三种示例性实施例中基材检测装置的结构示意图;
图3示意性示出本公开示例性实施例中基材检测装置的光学原理示意;
图4示意性示出本公开示例性实施例中基材检测方法的流程图;
图5示意性示出本公开示例性实施例中图像采集机构成像光路示意图;
图6示意性示出本公开示例性实施例中采用基材检测装置测量基材长度的示意图;
图7示意性示出本公开示例性实施例中采用基材检测装置测量基材宽度的示意图;
图8示意性示出本公开示例性实施例中根据采集到的图像对基材进行检测的流程图;
图9示意性示出本公开示例性实施例测量基材表面是否存在缺陷的示意图;
图10示意性示出本公开示例性实施例中第一目标图像的示意图;
图11示意性示出相关技术中获取到的基材图像的示意图;
图12示意性示出本公开示例性实施例中检测基材尺寸的流程图;
图13示意性示出本公开示例性实施例中尺寸测量模拟灰度化效果图;
图14示意性示出本公开示例性实施例中检测基材内部缺陷的流程图。
具体实施方式
现在将参照附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。
此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分,因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体,不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体,或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体,或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
在相关技术中,对基材的测量普遍采用的是人工抽检测量的方法。此外,还可以采用机械测量法来测量。其原理是通过机械定位机构的预设位置移动量和马达扭矩值反馈,间接获取产品的长度、厚度、尺寸等物理信息,但这类测量方法精确度比较差。
或者是,在基材的制造工序中,设立检查工序,以便及时发现并减少不良品的大量出现。上述的检查工序,其本质仍然是人工抽检检查。普遍采用的方法是:利用千分尺、目镜、显微镜等工具,从生产现场按比例抽取产品,进行离线目视检查、尺寸测量、合格性判定。但是,这种依靠人工抽检来来对基材检测,存在大量缺陷,例如,发现缺陷的时效性差,存在较大的滞后;缺陷产品被发现时,不良产品数量较多,造成损失较大等。其次,一旦不合格基材的检出比例超出设定值,面临整批次报废或整批次逐一检查挑样,同样会在成较大的损失。然后,人员目视检查,一般会使用限度样品来进行标定;但是人员之间的判定结果仍然可能存在偏差从而导致测量的结果也可能不一致。最后,随着持续工作时间、工作强度的增加,对基材检测的误检率会进一步增加。同时,人工检测会增加较多人力成本。
在本示例性实施例中,基于上述缺点,参照图1所示,首先提供了一种基材检测装置,基材检测装置可以包括第一偏振片3、第一光源1以及第一图像采集机构2。第一光源1用于提供从第一方向入射至所述第一偏振片3的光线;第一图像采集机构2用于接收从第二方向透过所述第一偏振片3的光线,并形成第一目标图像;且第一方向和第二方向相反。
根据本示例性实施例中所提供的基材检测装置中,相较于现有技术,一方面,采用第一图像采集机构2获取基材9的第一目标图像来完成对基材9的检测较人为检测能够得到更高的检测精度;另一方面,光线从第一方向入射至第一偏振片3,同时,第一图像采集机构2能够接收从与第一方向相反的第二方向透过第一偏振片3的光线来实现图像的采集,采用同轴光线通过偏振片来实现提升图像采集的精度和对比度,能够提升对基材9检测的精度。
在本公开的第一种示例实施方式中,基材9可以是制作显示装置的原材料,也可以是对原材料进行过一定加工的半成品,在本示例实施方式中不做具体限定。
在本示例实施方式中,第一偏振片3可以和第一图像采集机构2的入光口同中心轴设置,以使得上述第一图像采集机构2能够采集从第二方向透过所述第一偏振片3的光线,并形成第一目标图像。
在本示例实施方式中,参照图1所示,第一光源1用于提供从第一方向入射至第一偏振片3的光线,第一光源1可以包括第一阵列光源12和第一直角棱镜11,第一阵列光源12用于提供垂直于所述第一方向的光线,第一光源1可以是LED阵列光源,可以根据不同的检测需求,选择不同波长范围、不同排列数量的LED芯片,以便为检测系统提供不同的波长和不同强度的光线。
在本示例实施方式中,第一直角棱镜11用于将垂直于第一方向的光线转换为第一方向入射至所述第一偏振片3的光线,第一直角棱镜11可以包括第一直角面、第二直角面和第一斜面,其中的第一直角面可以与上述第一偏振片3平行设置,第二直角面平行于第一方向,上述第一阵列光源12提供的光线从第一斜面入射上述第一直角棱镜11,由第一斜面反射并从第一方向穿过上述第一偏振片3。在应用时,基材9平行于第一偏振片3设置于第一偏振片3远离第一图像采集机构2的一侧,从第一方向穿过第一偏振片3的光线变为偏振光线,经由基材9的反射,偏振光线的偏振角度没有发生变化,可以再次通过第一偏振片3,进而通过第一直角棱镜11由第一图像采集机构2接收,并形成关于基材9的第一目标图像。
在本示例实施方式中,根据光源的波长不同,第一直角棱镜11可以采用光学玻璃(K9)棱镜、石英玻璃棱镜等材料,其作用是改变第一光源1发出的光线的传播方向,在本示例实施方式中不对第一直角棱镜的材料做具体限定。
在本公开的一种示例实施方式中,第一图像采集机构2可以包括第一图像采集器21和第一成像镜头22,其中第一图像采集器21可以是线阵列电荷耦合器(LCCD,LineCharge Couple Device),还可以是面阵列电荷耦合器(CCD),还可以是互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor),在本示例实施方式不做具体限定。
在本示例实施方式中,第一成像镜头22连接与上述第一图像采集器21,且第一成像镜头22可以和第一图像采集器21通中心轴设置,具体的连接当时可以是卡扣连接、螺栓连接等,在本示例实施方式中不做具体限定。
在本示例实施方式中,第一成像镜头22用于对基材9的表面或者基材9的预设尺寸范围内区域的进行成像,预设尺寸范围可以根据检测需求进行自定义,在本示例实施方式中不做具体限定,第一成像镜头22完成对基材9的表面或者基材9的预设尺寸范围内区域的成像并经由第一图像采集器21采集得到第一目标图像。
在本示例实施方式中,本公开基材检测装置还可以包括传动机构和控制装置,传动机构可以用于固定上述基材9,使得上述基材9能够以预设速度通过第一图像采集机构2的入光口,控制装置连接于所述传动机构和第一图像采集机构2,用于根据基材9和入光口之间的位置关系调控制传动机构和第一图像采集机构2的启停。
在本示例实施方式中,基材9可以通过粘合的方式固定在传动机构上述,也可以通过卡扣、螺栓等其他方式固定在传动机构上,在本示例实施方式中不做具体限定。
在本示例实施方式中,传动结构可以是传送带,传送带的驱动装置连接于上述控制器,控制器通过控制驱动装置来控制传动带的启停,需要说明的是,传动机构只要能够使得基材9以预设速度通过第一图像采集机构2的入光口即可,在本示例实施方式中不对传动机构的具体结构进行限定。
在本示例实施方式中,在基材9的运动方向为靠近第一图像采集机构2时,当基材9的边缘距离第一图像采集机构2的入光口的距离小于等于预设距离时,控制器开启第一图像采集机构2进行图像采集,在基材9的运动方向为原远离第一图像采集机构2时,当基材9的边缘距离第一图像采集机构2的入光口的距离大于等于预设距离时,控制器关闭第一图像采集机构2,同时关闭上述驱动装置。完成对基材9的图像采集。
在本示例实施方式中,上述预设速度可以根据检测需求进行自定义,在本示例实施方式中不做具体限定。上述预设距离可以根据检测需求以及上述预设速度进行调整,在本示例实时方式中不做具体限定。
在本公开的第二种示例实施方式中,参照图2所示,本公开基材9检测装置还可以包括第二偏振片6和第二光源4,第二偏振片6与第一偏振片3同中心轴设置,第二偏振片6设于所述第一偏振片3远离所述第一图像采集机构2的一侧,且与所述第一偏振片3的偏振角度相同;第二光源4可以提供从第二方向入射至第二偏振片6的光线。
在本示例实施方式中,参照图2所示,第二光源4用于提供从第二方向入射至第二偏振片6的光线,第二光源4可以包括第二阵列光源41和第二直角棱镜42,第二阵列光源41用于提供垂直于所述第二方向的光线,第二光源4可以是LED阵列光源,可以根据不同的检测需求,选择不同波长范围、不同排列数量的LED芯片,以便为检测系统提供不同的波长和不同强度的光线。
第二直角棱镜42用于将垂直于第二方向的光线转换为第二方向入射至所述第二偏振片6的光线,第二直角棱镜42可以包括第三直角面、第四直角面和第二斜面,其中的第三直角面可以与上述第二偏振片6平行设置,第四直角面平行于第二方向,上述第二阵列光源41提供的光线从斜面入射上述第二直角棱镜42,经过第二斜面的反射从第二方向射向第二偏振片,并穿过上述第二偏振片6。在应用时,基材9平行于第二偏振片6设置于第二偏振片6远离第一图像采集机构2的一侧,穿过第二偏振片6的光线变为偏振光线,偏振光线透过基材9,偏振光线的偏振角度没有发生变化,可以通过第二偏振片6,进而通过第一直角棱镜11,由第一图像采集机构2接收,并形成关于基材9的第三目标图像。
在本示例实时方式中,根据光源的波长不同,第二直角棱镜42可以采用光学玻璃(K9)棱镜、石英玻璃棱镜等材料,其作用是改变第二光源4发出的光线的传播方向。
在本公开的另一种示例实施方式,第二光源4只包括上述第二阵列光源41,所述第二光源4设于所述第二偏振片6远离所述第一偏振片3的一侧,且第二阵列光源41的出光口平行于所述第二方向。
在本示例实施方式中,第一光源1关闭,第二光源4提供光线,可以用于检测基材9内部是否存在缺陷。在本示例实施方式中,第一偏振片3和第二偏振片6的偏振角度相同,以使得第二光源4能提供的平行通过第二偏振片6、基材9和第一偏振片3,由第一图像采集机构2进行图像采集,以完成对基材9内部缺陷的检测。
在本示例实施方式中,本公开基材9检测装置还可以包括传动机构和控制装置,传动机构和控制装置的具体结构上述已经进行了详细说明,因此,此处不再是赘述。
在本公开的第三种示例实施方式中,参照图2和图3所示,本公开基材9检测装置还可以包括第第二偏振片6、第二光源4、以及第二图像采集机构5,其中第二光源4包括第二阵列光源41和第二棱镜。第二偏振片6、第二阵列光源41和第二棱镜上述已经进行了详细就说明,因此,此处不在赘述。
在本示例实施方式中,第二图像采集机构5设置于第二偏振片6远离第一偏振片3的一侧,用于接收从第一方向透过所述第二偏振片6的光线。
在本示例实施方式中,第二图像采集机构5可以包括第二图像采集器51和第二成像镜头52,其中第二图像采集器51可以是线阵列电荷耦合器(LCCD,Line Charge CoupleDevice),还可以是面阵列电荷耦合器(CCD),还可以是互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor),在本示例实施方式不做具体限定。
在本示例实施方式中,第二成像镜头52可以和图像采集器51通中心轴设置,第二成像镜头52连接与上述第二图像采集器51具体的连接当时可以是卡扣连接、螺栓连接等,在本示例实施方式中不做具体限定。
在本示例实施方式中,第二成像镜头52用于对基材9的表面或者基材9的预设范围内区域的进行成像,预设范围可以根据检测需求进行自定义,在本示例实施方式中不做具体限定。
在本示例实施方式中,第一偏振片3和第二偏振片6中的至少一个包括偏振角度调节装置31,偏振角度调节装置31能够调节偏振片的偏振角度,在本示例实施方式中,可以通过偏振角度调节装置31调节第一偏振片3和第二偏振片6的偏振角度,以使得第一偏振片3和第二偏振片6的偏振角度相互垂直,例如,将第一偏振片3的偏振角度调节为45度,将第二偏振片6的偏振角度调节为135度,以使得第一光源1的提供的光线无法通过第二偏振片6传输至第二图像采集机构5,第二光源4提供的光线无法通过第偏振片传输至第一图像采集机构2。本示例实施方式的基材检测装置可以同时对基材9的正反两个表面进行检测,能够提升检测效率。
在本示例实施方式中,如图1、2所示,基材9检测装置还可以包括匀光板7和吸光板8,匀光板7可以包括第一匀光板71和第二匀光板72,第一匀光板71可以设于第一阵列光源12和所述第一直角棱镜11之间,第二匀光板72设于第二阵列光源41和第二直角棱镜42之间;匀光板7可以将第一阵列光源12和第二整列光源发出的光线的空间分布更加均匀。
在本示例实施方式中,吸光板8包括第一吸光板81和第二吸光板82,第一吸光板81可以设于所述第一直角棱镜11远离所述第一阵列光源12的一侧,第二吸光板82可以设于第二直角棱镜42远离第二阵列光源41的一侧。吸光板8可以用于吸收无用的光波,避免对检测装置造成干扰。
在本示例实施方式中,本公开基材9检测装置还可以包括传动机构和控制装置,传动机构和控制装置的具体结构上述已经进行了详细说明,因此,此处不再是赘述。
在本公开的第四种示例实施方式中,本公开基材9检测装置还可以包括第二偏振片6和第二图像采集机构5,第二偏振片6和第二图像采集机构5的具体结构上述已近进行了详细说明,因此,此处不再赘述。
在本示例实施方式中,第一图像采集机构2不工作,由第二图像采集机构5来完成图像的采集,进而完成对基材9内部缺陷的检测。
在本示例实施方式中,本公开基材检测装置还可以包括传动机构和控制装置,传动机构和控制装置的具体结构上述已经进行了详细说明,因此,此处不再是赘述。
在本示例实施方式中,基材9检测装置还可以包括处理器,用于对第一目标图像处理,得出检测得到检测缺陷。处理器可以用于执行以下过程,根据一标准基材9获取基准灰度矩阵;根据第一目标图像获取待测灰度矩阵;确定一检测阈值,并根据待测灰度矩阵和基准灰度矩阵确定检测函数;根据检测函数和检测阈值判断所述基材9是否存在缺陷。关于处理器执行的过程得具体说明可以参考如下说明的基材检测方法中的具体说明。
本公开还提供了一种基材9检测方法,参照图4所示,本示例实施方式中的基材9检测方法可以包括以下步骤:
步骤S410,提供从第一方向入射并经过第一偏振片的偏振光线;
步骤S420,采集经由所述基材的待测表面反射并从第二方向透过所述第一偏振片的所述偏振光线,并生成第一目标图像;其中所述第一方向与所述第二方向相反。
下面,将结合附图及实施例对本示例性实施例中的基材检测方法的各个步骤进行更详细的说明。
步骤S410,提供从第一方向入射并经过第一偏振片的偏振光线。
在本公开的一种示例实施例中,上述第一光源1提供第一光线,光线经过第一偏振片3后变为偏振光线,偏振光线是由上述光线从第一方向入射并经过第一偏振片3之后得到的。
步骤S420,采集经由所述基材的待测表面反射并从第二方向透过所述第一偏振片的所述偏振光线,并生成第一目标图像。
在本公开的一种示例实施例中,上述偏振光线照射基材9,并经由基材9反射,再次通过第一偏振片3,由第一图像采集机构2采集并形成第一目标图像。
在本公开的一种示例实施方式中,参照图5所示,首次采用上述基材9检测装置进行检测时,在检测前可以首先对测量系统的成像镜头的工作距离WD(Work Distance)进行初始调节。即基材9表面通过成像镜头可以清晰成像在图像采集器的感光面上。其次,还可以选择合适的固定方式将上述基材9固定在上述传动机构上,具体的固定方式在对上述基材检测装置进行说明时已经进行了详细的说明,因此,此处不再赘述。
在本示例实施方式中,可以首先获取人工测量的基材的初始数据,根据初始数据确定第一检测点和第二检测点,参照图6所示,人工测量基材9的长度L0、宽度W0的初始数据。根据人工测量的基材9尺寸L0,可以以基材检测装置中第一图像采集机构2的轴心为0点,设置第一检测点A点:
-L0/2-2000(um)
第二检测点B点:
L0/2+2000(um)
同理,参照图7所示,以基材9检测装置第一图像采集机构2轴心为0点,在主控制程序中设置第一检测点A点为:-W0/2-2000(um)
第二检测点B点为:
W0/2+2000(um)
在本示例实施方式中,可以首先利用标准基材9代替待测基材9,在同一WD情况下,计算出扫描图像中单个像素值对应的实际大小,并定义像素比例:
R1=标准卡尺寸/像素数
在本示例实施方式中,第一检测点和第二检测点的设定可以根据需求进行自定义,在本示例实施方式中不做具体限定。
参照图8所示,本公开基材检测方法还可以包括如下步骤S810至S840,以下详细进行阐述:
在步骤S810中,根据一标准基材获取基准灰度矩阵。
在本示例实施方式中,可以选择一标准基材9,并将其安装在上述基材检测装置上。控制上述传动机构的预设速度为V3驱动标准基材9由第一检测点A移动到达第二检测点B,同时确定AB之间距离S3,则:
S3=L0/2+2000(um)-[-L0/2-2000(um)]=L0+4000(um)
在本示例实施方式中,可以根据AB之间距离和上述预设速度计算标准基材9从第一检测点A移动到达第二检测点B移动时间t3,具体为:
在本示例实施方式中,可以确定图像采集机构22的分辨率和采样帧率,具体而言,采用分辨率为P第一图像采集机构2,以采样帧率(Frame rate)F3进行扫描采样,每秒内采样得到的图像(一维图像)帧数f3,然后根据采样帧率计算采集到的图像的帧数,具体为:
同时,可以将所述第一图像采集机构2连接至计算机,将采集到的图像数据进行存储。
在本示例实施方式中,当标准基材9到达位置A时,控制第一图像采集机构开始工作,当标准基材9到达位置B,控制器控制第一图像采集机构2停止工作,图像存储结束,得到标准图像。
在本示例实施方式中,可以定义上述标准图像为I3,并计算标准图像的分辨率,具体而言,其纵向分辨率可以为:
其横向分辨率可以为:
Ry=P
在本示例实施方式中,在对标准图像存储结束后,可以将存储的标准图像进行灰度化,生成扫描图像的基准灰度矩阵:
在步骤S820中,根据所述第一目标图像获取待测灰度矩阵。
在本公开的一种示例实施方式中,可以将待测基材9安装在上述传动机构上,并以获取基准灰度矩阵的同样的方式得到待测基材9的表面的第一目标图像对应的待测灰度矩阵:
其中,h(Rx,Ry)是矩阵中Rx行Ry列元素的灰度值。
在本示例实施方式中,每次扫描图像对应的矩阵均为Rx*Ry。但实际测量过程中,因为存在微小的机械振动等因素,需要进行目标图像匹配,减少误判。作为优选的,可以先从基准图像对应的灰度矩阵中截取M×N大小的矩阵,作为第一基准矩阵再以第m行n列开始,截取M×N的扫描图像,转化为待测灰度矩阵 定义匹配函数:
将上述匹配函数展开得:
上式中,第三项实际意义是第一基准矩阵的总能量;第一项则是以第m行n列截取的扫描图像对应的待测灰度矩阵的总能量;第二项则是随m、n的变化,截取的扫描图像与基准图像相关性;当两者越匹配时,这项值越大(接近1)。定义第一相关函数:
在本示例实时方式中,当R(m,n)接近或等于1时,则表示图像基本匹配。如果不匹配,则再次从原图像灰度矩阵中第m行n列开始,截取M×N的扫描图像,转化为待测矩阵(1≤M+m≤Rx,1≤N+n≤Ry)后,重复上述过程,直到结果匹配。
在步骤S830中,确定第一检测阈值,并根据所述待测灰度矩阵和基准灰度矩阵确定第一检测函数。
在本公开的一种示例实施方式中,可以首先定义单像素点绝对误差,具体可以为:
在本示例实施方式中,可以确定第一检测阈值K1,并根据灰度矩阵和基准灰度矩阵确定第一检测函数,第一检测函数可以为:
在本示例实施方式中,第一检测阈值K1的值可以根据实际检测效果进行调节,防止过判和漏判,在本示例实施方式中不对检测阈值的具体数值进行限定。
在步骤S840中,根据所述检测函数和检测阈值判断所述基材9的第一待测表面是否存在缺陷。
在本示例实施方式中,当系统检测到待测基材9表面缺陷存在时,服务器可以会发出报警音提示人员进行确认。若人工判断待测基材的任何一个表面存在缺陷,则该产品可能需要NG/Rework处理;若人工判断不存在缺陷,待测基材9正常流入后一个设备,系统会等待下一片待测基材9进入并进行缺陷测量。
在本公开的另一种示例实施方式中,基材9检测装置还可以包括获取从第二方向入射并经过第二偏振片6的偏振光线;采集经由所述基材9的待测表面反射并从第一方向透过所述第二偏振片6的所述偏振光线,并生成第二目标图像。并对第二目标图像进行如同上述对第一目标图像对应的处理得到第二目标图像对应的待测灰度矩阵,并根据所述待测灰度矩阵和基准灰度矩阵确定第二检测函数;根据上述第二检测函数和检测阈值判断所述基材9的第二待测表面是否存在缺陷。
具体而言,在本示例实施方式中,,可以首先定义单像素点绝对误差,具体可以为:
可以确定第二检测阈值K2,并根据灰度矩阵和基准灰度矩阵确定第二检测函数,第二检测函数可以为:
在本示例实施方式中,第二检测阈值K2的值可以根据实际检测效果进行调节,防止过判和漏判,在本示例实施方式中不对第二检测阈值的具体数值进行限定。
在本示例实施方式中,基材的第一待测表面可以是基材的上表面,基材的第二待测表面可以是基材的下表面,具体而言,在同时对基材双面进行缺陷检测时,参照图9所示,可以首先执行步骤S910,判断是否首次启动,即是否为第一次对基材进行检测,若该次检测为第一次对基材进行检测,则可以首先执行步骤S911、步骤S912、步骤S913、步骤S914、步骤S915和步骤S916;首次检测的具体流程,上述已经进行了详细介绍,可以参照步骤S810和步骤S830;此处不再赘述。
在本示例实施方式中,若不是首次检测,可以首先执行步骤S920、步骤S930、步骤S940、步骤S950、将待测基材安装在传动机构上,使得待测基材懂第一检测点移动至第二检测点,当基材移动至第一检测点时,控制器可以控制第一图像采集机构和第二图像采集机构5开始工作,当待测基材到达第二检测点时,控制器可以控制第一图像采集机构和第二图像采集机构5停止工作,完成对第一目标图像和第二目标图像的采集,利用第一检测点和第二检测点可以获取较为合适的图像,在能够完成对基材准确检测的同时,不会加大服务器的计算量。
在本示例实施方式中,步骤S950、步骤S960以及步骤S961的具体说明可以参照上述步骤S820,此处不再赘述,在确定相关函数接近目标值后,执行步骤S962和步骤S964,其中E1、E2、K1、K2的具体获取方式上述已经进行了详细的说明,因此此处不再赘述。
在本示例实施方式中,在时,可以执行步骤S966,系统报警,并确定基材的上表面存在缺陷,并执行步骤S970,人为判断基材是否存在缺陷,若存在缺陷则执行步骤S990,若认为判定无缺陷,则执行步骤S980,判定改基材的上表面无缺陷。
在本示例实施方式中,在小于K1时,执行步骤S964,判断E2与K2的大小,在E2大于K2时,执行步骤S968,系统报警,并确定基材的下表面存在缺陷,并执行步骤S970,人为判断基材是否存在缺陷,若存在缺陷则执行步骤S990,若认为判定无缺陷,则执行步骤S980,判定改基材的上表面无缺陷。在E2小于等于K2时,执行直接步骤S980,判定改基材的上表面无缺陷。
参照图10和图11所示,本公开的基材9检测方法能够更加有效的检测基材9表面的缺陷,并能够准确判断缺陷位于上表面还是下表面;此外,测量上下边缘弯折量;对于CG玻璃、薄膜材料等透明、半透明产品的检测优势,尤其突出。
在本公开的一种示例实施方式中,还可以对基材的尺寸进行检测,参照图12所示,首先可以执行步骤S1210,判断对基材的检测是否为第一次检测,若为第一次检测,可以首先执行步骤S1211、步骤S1212、步骤S1213、步骤S1214和步骤S1215,具体而言,参照图5所示,首次采用上述基材9检测装置进行检测时,在检测前需要对测量系统的成像镜头的工作距离WD(Work Distance)进行初始调节。即要求基材9表面通过成像镜头可以清晰成像图像采集器的感光面上。其次,选择合适的固定方式固定上述待测基材9,固定在驱动装置上。参照图6所示,人工测量基材9的长度L0、宽度W0的初始数据。根据人工测量的基材9尺寸L0,以基材检测装置第一图像采集机构2的轴心为0点,在主控制程序中,设置第一检测点A点:
-L0/2-2000(um)
第二检测点B点:
L0/2+2000(um)
同理,参照图7所示,以基材9检测装置第一图像采集机构2轴心为0点,在主控制程序中设置第一检测点A点为:-W0/2-2000(um)
第二检测点B点为:
W0/2+2000(um)
在本示例实施方式中,可以利用标准基材9代替待测基材9,在同一WD情况下,计算出扫描图像中单个像素值对应的实际大小,并定义像素比例:
R1=标准卡尺寸/像素数
在本示例实施方式中,第一检测点和第二检测点的定义可以根据需求进行自定义,在本示例实施方式中不做具体限定。
本公开基材9检测种方法还可以检测待测基材9的尺寸,具体而言,在本示例实施方式中,首先执行步骤S1220、步骤S1230和步骤S1240,具体而言,将待测基材9其安装在上述基材9检测装置上。控制上述传动机构的预设速度为V1驱动标准基材9由第一检测点A移动到达第二检测点B,确定AB之间距离S1,当基材到达第一检测点时,控制第一图像采集机构工作,当待测基材到达第二检测点时,控制第一图像检测机构停止工作。其中AB之间距离S1具体可以为:
S1=L0/2+2000(um)-[-L0/2-2000(um)]=L0+4000(um)
在本示例实施方式中,可以根据AB之间距离和上述预设速度计算标准基材9从第一检测点A移动到达第二检测点B移动时间t1,具体为:
在本示例实施方式中,可以确定图像采集机构22的分辨率和采样帧率,具体而言,采用分辨率为P第一图像采集机构2,以采样帧率(Frame rate)F3进行扫描采样,以采样帧率(Frame rate)F1进行扫描采样,每秒内采样得到的图像的帧数f1,则:
同时,可以将所述第一图像采集机构2连接至计算机,将采集到的图像数据进行存储。。
当标准基材9到达位置B,控制器控制第一图像采集机构2停止工作,得到尺寸测量图像。在本示例实施方式中,尺寸测量图像可以是第一目标图像,即可以在检测待测基材是否存在缺陷的同时检测待测基材的尺寸。
在本示例实施方式中,可以定义上述尺寸测量图像为I1,其纵向分辨率为:
其横向分辨率为:
Ry=P
在本示例实施方式中,在存储结束后,可以执行步骤S1250、步骤S1260和步骤S1270,具体而言,计算机中的检测运算模块将存储的尺寸测量图像进行灰度化,生成扫描图像的尺寸测量灰度矩阵:
其中,x和y分别为灰度矩阵中元素的行数和列数;G1(x,y)为尺寸测量灰度矩阵中第x行、第y列的元素的灰度值。
在本示例实施方式中,参照图13所示,尺寸测量灰度矩阵G1 xy可分为两大部分,即背景区域1301、目标区域1302。由于引入了偏振片,背景区域会呈现黑色。设置第一偏振片的设置可以明显提高图像对比度。
在本示例实施方式中,在完成储存测量图像矩阵化之后,还可以执行步骤S1260、步骤S1270和步骤S1280以及步骤S1290。具体而言,可以设灰度矩阵中背景区域、目标区域1302的灰度平均值为g1、g2,则可以设置灰度阈值为g3,且此处g1<g3<g2,灰度阈值只要满足上述条件即可,在本示例实施方式中不做具体限定。然后可以根据灰度阈值对尺寸测量灰度矩阵进行分割。设分割得到的灰度子矩阵为m行(横向)、n列(纵向,其中1<m<x,1<n<y),则待测基材的实际尺寸为:
L1=n×R1
其中,R1是自动测量之前很具标准基材确定的单个像素比值。
在本示例实施方式中,为了避免检测结果出现明显偏差或者错误,,可以定义目标值为T1:
设定特定的置信值如99%,若T1≤99%,则测量结果不可信,返回重新识别、分割待测基材的灰度矩阵区域。
若T1≥99%,则本次待测基材测量结果可信。若此时测量宽度功能启用,则固定待测基材的传动机构旋转90°,按照同样的步骤测量待测基材的宽度W1。如此重复进行,即能实现对基材的自动化检测。
本公开还提出一种基材检测方法,基材9检测方法可以包括提供从第二方向入射并经过第二偏振片6的偏振光线;采集由所述第二方向依次通过所述第二偏振片6、所述基材9以及第一偏振片3的所述偏振光线,并生成第三目标图像;其中,所述第一偏振片3和第二偏振片6的偏振角度相同。
具体而言,在本示例实施方式中,由上述基材9检测装置中的第二光源4提供光线,第一光源1不工作,光线经过第二偏振片6的偏振光线,上述偏振光线透过上述基材9、第一偏振片3由第一图像采集器21采集得到第三目标图像。
在本示例实施方式中,可以对上述第三目标图像进行如同第一目标图像相对应的处理检测基材9内部是否存在缺陷。
具体而言,在本示例实施方式中,参照图14所示,可以首先可以执行步骤S1410,判断对基材的检测是都为第一次检测,若为第一次检测,可以首先执行步骤S1411、步骤S1412、步骤S1413、步骤S1414和步骤S1215以及步骤S1416,具体而言,可以选择一标准基材9,并将其安装在上述基材9检测装置上。控制上述传动机构的预设速度为V3驱动标准基材9由第一检测点A移动到达第二检测点B,确定AB之间距离S4,则:
S4=L0/2+2000(um)-[-L0/2-2000(um)]=L0+4000(um)标准基材9从第一检测点A移动到达第二检测点B移动时间t3,则:
与此同时,采用分辨率为P第二图像采集机构5,以采样帧率(Frame rate)F3进行扫描采样,每秒内采样得到的图像(一维图像)帧数f3,则:
将所述第二图像采集机构5连接至计算机,将采集到的图像数据进行存储。
当标准基材9到达位置B,控制器控制第二图像采集机构5停止工作,图像存储结束,得到标准图像。
在本示例实施方式中,可以定义上述标准图像为I4,其纵向分辨率为:
其横向分辨率为:
Ry=P
存储结束后,计算机中的检测运算模块将存储的标准图像进行灰度化,生成扫描图像的基准灰度矩阵:
其中,Rx和Ry分别为灰度矩阵中元素的行数和列数;g(RxRy)为灰度矩阵中第x行、第y列的元素的灰度值。
在本公开的一种示例实施方式中,在完成上述步骤之后,可以执行步骤S1420、步骤S1430、步骤S1440、步骤S1450和步骤S1460,具体而言,可以将待测基材9安装在上述传动机构上,控制上述传动机构的预设速度为V1驱动待测基材9由第一检测点A移动到达第二检测点B,当基材到达第一检测点时,控制第一图像采集机构工作,当待测基材到达第二检测点时,控制第一图像检测机构停止工作。
并以获取基准灰度矩阵的同样的方式得到待测基材9的表面的第三目标图像对应的待测灰度矩阵:
其中,h(Rx,Ry)是矩阵中Rx行Ry列元素的灰度值。
在本示例实施方式中,每次扫描图像对应的矩阵均为Rx*Ry。但实际测量过程中,因为存在微小的机械振动等因素,需要进行目标图像匹配,减少误判。作为优选的,此处采用以下方法,即先从基准图像对应的灰度矩阵中截取M*N大小的矩阵,作为第三基准矩阵再以第m行n列开始,截取M*N的扫描图像,转化为待测灰度矩阵 定义匹配函数:
将其展开得:
上式中,第三项实际意义是第三基准矩阵的总能量;第一项则是以第m行n列截取的扫描图像对应的待测灰度矩阵的总能量;第二项则是随m,n的变化,截取的扫描图像与基准图像相关性;当两者越匹配时,这项值越大(接近1)。定义相关函数:
在本示例实施方式中,在获取到相关函数后,步骤S1462、步骤S1464、步骤S1466、步骤S1470和步骤S1480以及骤S1490,具体而言,在步骤S1462中,判断相关函数是否与目标至接近,当R(m,n)接近或等于1时,则表示截取的图像匹配。如果不匹配,则再次从原图像灰度矩阵中第m行n列开始,截取M×N的扫描图像,转化为待测矩阵(1≤M+m≤Rx,1≤N+n≤Ry)后,重复上述过程,直到结果匹配。
在本公开的一种示例实施方式中,定义单像素点绝对误差为:
在本示例实施方式中,在步骤S1464中,可以确定一第三检测阈值K3,并根据灰度矩阵和基准灰度矩阵确定第三检测函数,第三检测函数可以为:
在本示例实施方式中,第三检测阈值K3的值可以根据实际检测效果进行调节,防止过判和漏判,在本示例实施方式中不对第三检测阈值的具体数值进行限定。
在本示例实施方式中,当系统检测到待测基材9表内部缺陷存在时,服务器可以会发出报警音提示人员进行确认。若人工判断待测基材的存在缺陷,则该产品可能需要NG/Rework处理;若人工判断不存在缺陷,待测基材9正常流入后一个设备,系统会等待下一片待测基材9进入并进行缺陷测量。
在本公开的另一种示例实施方式中,可以提供从第一方向入射并经过第一偏振片3的偏振光线;采集由所述第一方向依次通过第二偏振片6、所述基材9以及所述第一偏振片3的所述偏振光线,并生成第四目标图像;其中,所述第一偏振片3和第二偏振片6的偏振角度相同。
具体而言,在本示例实施方式中,由上述基材9检测装置中的第以光源提供光线,第二光源4不工作,光线经过第一偏振片3的偏振光线,上述偏振光线透过上述基材9、第二偏振片6由第二图像采集器51采集得到第四目标图像。
在本示例实施方式中,可以对上述第四目标图像进行如同第三目标图像相对应的处理检测基材9内部是否存在缺陷。具体过程可以参照上述对对第三提目标图像得处理过程,此处不再赘述。
此外,上述附图仅是根据本公开示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明,而不是限制目的。易于理解,上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外,也易于理解,这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其他实施例。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是,本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。
本说明书中使用“约”、“大约”的用语通常表示在一给定值或范围的20%之内,较佳是10%之内,且更佳是5%之内。在此给定的数量为大约的数量,意即在没有特定说明的情况下,仍可隐含“约”、“大约”、“大致”、“大概”的含义。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语,例如“高”、“低”、“顶”、“底”、“前”、“后”、“左”、“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
本说明书中,用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
应可理解的是,本发明不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本发明能够具有其他实施方式,并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本发明的范围内。应可理解的是,本说明书公开和限定的本发明延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本发明的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本发明的最佳方式,并且将使本领域技术人员能够利用本发明。
Claims (15)
1.一种基材检测装置,其特征在于,包括:
第一偏振片;
第一光源,用于提供从第一方向入射至所述第一偏振片的光线;
第一图像采集机构,所述第一图像采集机构能够接收从第二方向透过所述第一偏振片的光线,并形成第一目标图像;
其中,所述第一方向和所述第二方向相反。
2.根据权利要求1所述的基材检测装置,其特征在于,所述基材检测装置还包括:
第二偏振片,与所述第一偏振片同中心轴设置,且设于所述第一偏振片远离所述第一图像采集机构的一侧;且与所述第一偏振片的偏振角度相同;
第二光源,用于提供从第二方向入射至所述第二偏振片的光线。
3.根据权利要求1所述的基材检测装置,其特征在于,所述装置还包括:
第二偏振片,与所述第一偏振片同中心轴设置,且设于所述第一偏振片远离所述第一图像采集机构的一侧;
第二光源,用于提供从第二方向入射至所述第二偏振片的光线;
第二图像采集机构5,被配置为接收从第一方向透过所述第二偏振片的光线;
其中,所述第一偏振片和所述第二偏振片中的至少一个包括偏振角度调节装置。
4.根据权利要求3所述的基材检测装置,其特征在于,所述第一光源包括:
第一阵列光源,用于提供垂直于所述第一方向的光线;
第一直角棱镜,包括第一直角面和第二直角面,其中第一直角面平行于所述第一偏振片,第二直角面平行于所述第一方向,所述第一直角棱镜设置于所述第一偏振片和所述第一图像采集机构之间,用于将垂直于所述第一方向的光线转换为从第一方向入射至所述第一偏振片的光线;
所述第二光源包括:
第二阵列光源,用于提供垂直于所述第二方向的光线;
第二直角棱镜,包括第三直角面和第四直角面,其中第三直角面平行于所述第二偏振片,第四直角面平行于所述第二方向,所述第二直角棱镜设置于所述第二偏振片和所述第二图像采集机构5之间,用于将垂直于所述第二方向的光线转换为从第二方向入射至所述第二偏振片的光线。
5.根据权利要求4所述的基材检测装置,其特征在于,所述基材检测装置还包括:
匀光板,包括第一匀光板和第二匀光板,第一匀光板设于所述第一阵列光源和所述第一直角棱镜之间,第二匀光板设于所述第二阵列光源和所述第二直角棱镜之间;
吸光板,包括第一吸光板和第二吸光板,所述第一吸光板设于所述第一直角棱镜远离所述第一阵列光源的一侧,所述第二吸光板设于所述第二直角棱镜远离所述第二阵列光源的一侧。
6.根据权利要求1所述的基材检测装置,其特征在于,所述基材检测装置还包括:
第二偏振片,与所述第一偏振片同中心轴设置,且设于所述第一偏振片远离所述第一图像采集机构的一侧,且与所述第一偏振片的偏振角度相同;
第二图像采集机构5,被配置为接收从第一方向透过所述第一偏振片的光线。
7.根据权利要求1所述的基材检测装置,其特征在于,所述基材检测装置还包括:
传动机构,用于固定所述基材,能够使得所述基材以预设速度通过所述第一图像采集机构的入光口;
控制装置,用于根据所述基材与所述入光口的位置控制所述传动机构和所述第一图像采集机构启停。
8.根据权利要求1所述的基材检测装置,其特征在于,所述基材检测装置还包括处理器,所述处理器用于:
根据一标准基材获取基准灰度矩阵;
根据所述第一目标图像获取待测灰度矩阵;
确定一检测阈值,并根据所述待测灰度矩阵和基准灰度矩阵确定检测函数;
根据所述检测函数和检测阈值判断所述基材是否存在缺陷。
9.一种基材检测方法,其特征在于,包括:
提供从第一方向入射并经过第一偏振片的偏振光线;
采集经由所述基材的第一待测表面反射并从第二方向透过所述第一偏振片的所述偏振光线,并生成第一目标图像;
其中所述第一方向与所述第二方向相反。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据一标准基材获取基准灰度矩阵;
根据所述第一目标图像获取待测灰度矩阵;
确定第一检测阈值,并根据所述待测灰度矩阵和基准灰度矩阵确定第一检测函数;
根据所述第一检测函数和第一检测阈值判断所述基材的所述第一待测表面是否存在缺陷。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述基材以预设速度从第一检测点移动至第二检测点,根据所述第一目标图像获取待测灰度矩阵包括;
确定所述第一检测点和第二检测点之间的距离;
确定采集所述第一目标图像时的采样帧率;
根据所述第一目标图像、所述距离、所述预设速度和所述采样帧率确定所述待测灰度矩阵。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述标准基材和所述基准灰度矩阵确定单个像素比;
根据所述待测灰度矩阵和所述单个像素比检测所述基材尺寸。
13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
提供从第二方向入射并经过第二偏振片的偏振光线;
采集经由所述基材的第二待测表面反射并从第一方向透过所述第二偏振片的所述偏振光线,并生成第二目标图像。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
确定第二检测阈值,并根据所述待测灰度矩阵和基准灰度矩阵确定第二检测函数;
根据所述第二检测函数和第二检测阈值判断所述基材的第二待测表面是否存在缺陷。
15.一种基材检测方法,其特征在于,包括:
提供从第二方向入射并经过第二偏振片的偏振光线;
采集由所述第二方向依次通过所述第二偏振片、所述基材以及第一偏振片的所述偏振光线,并生成第三目标图像;
或者,
提供从第一方向入射并经过第一偏振片的偏振光线;
采集由所述第一方向依次通过第二偏振片、所述基材以及所述第一偏振片的所述偏振光线,并生成第四目标图像;
其中,所述第一偏振片和第二偏振片的偏振角度相同。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010468507.5A CN113740339A (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 基材检测方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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CN113740339A true CN113740339A (zh) | 2021-12-03 |
Family
ID=78724191
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113740339A (zh) |
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