CN113721120A

CN113721120A - 检测方法及装置

Info

Publication number: CN113721120A
Application number: CN202110801649.3A
Authority: CN
Inventors: 谢宗哲
Original assignee: Jichuang North Zhuhai Technology Co ltd
Current assignee: Jichuang North Zhuhai Technology Co ltd
Priority date: 2021-07-15
Filing date: 2021-07-15
Publication date: 2021-11-30
Anticipated expiration: 2041-07-15
Also published as: WO2023284270A1; CN113721120B; JP2023537438A

Abstract

本公开涉及检测方法及装置，所述方法包括：配置所述显示面板的各个发光二极管的电源正极端或电源负极端为高阻状态；采集各个发光二极管的电源负极端的端电压；根据所述端电压的变化确定所述显示设备的坏点位于所述驱动电路或所述显示面板。本公开实施例通过配置所述显示面板的各个发光二极管的电源正极端或电源负极端为高阻状态，并根据端电压的变化可以准确、快速地判定坏点的位置，以改善显示设备的制造工艺。

Description

检测方法及装置

技术领域

本公开涉及面板检测技术领域，尤其涉及一种检测方法及装置。

背景技术

随着科技的不断发展，人们生活水平的不断提高，具备显示功能的各种类型的电子设备越来越受到青睐，然而，目前的显示设备常常出现坏点 (defect)，这些坏点会造成不预期的亮点或暗点，坏点产生的原因是多样的，相关技术无法准确、快速地判定坏点的位置及产生坏点的工艺阶段。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种检测方法，所述方法用于检测显示设备的坏点所在的位置及产生所述坏点的工艺阶段，所述显示设备包括驱动电路及显示面板，所述显示面板包括多个发光二极管，所述方法包括：

配置所述显示面板的各个发光二极管的电源正极端或电源负极端为高阻状态；

采集各个发光二极管的电源负极端的端电压；

根据所述端电压的变化确定所述显示设备的坏点位于所述驱动电路或所述显示面板。

在一种可能的实施方式中，所述方法还包括，确定所述显示设备的坏点产生于驱动电路的生产阶段或显示面板的蒸镀阶段。

在一种可能的实施方式中，根据所述端电压的变化确定所述显示设备的坏点位于所述驱动电路或所述显示面板，并确定所述显示设备的坏点产生于驱动电路的生产阶段或显示面板的蒸镀阶段，包括：

当所述端电压在第一预设时长内变化为高于第一参考电压时，确定所述显示设备的坏点位于所述显示面板，并确定所述显示设备的坏点产生于显示面板的蒸镀阶段。

当所述端电压在第二预设时长内均低于第二参考电压时，确定所述显示设备的坏点位于所述驱动电路，并确定所述显示设备的坏点产生于驱动电路的生产阶段，

其中，所述第二预设时长大于所述第一预设时长，所述第二参考电压低于所述第一参考电压。

在一种可能的实施方式中，所述方法还包括：

当确定所述显示设备的坏点位于所述驱动电路时，根据所述端电压的变化进一步确定坏点产生于所述驱动电路本身或驱动电路与显示面板的接口错位。

在一种可能的实施方式中，所述方法还包括：

切换所述第一参考电压及所述第二参考电压的电压大小，以确定所述显示设备的坏点量级。

在一种可能的实施方式中，所述方法还包括：

确定单位时间内所述端电压的变化大小；

根据所述端电压的变化大小确定显示设备的坏点量级。

根据本公开的另一方面，提出了一种检测装置，所述装置用于检测显示设备的坏点所在的位置及产生坏点的工艺阶段，所述显示设备包括驱动电路及显示面板，所述显示面板包括多个发光二极管，所述装置包括：

配置模块，用于配置所述显示面板的各个发光二极管的电源正极端或电源负极端为高阻状态；

采集模块，用于采集各个发光二极管的电源负极端的端电压；

确定模块，连接于所述采集模块，用于根据所述端电压的变化确定所述显示设备的坏点位于所述驱动电路或所述显示面板。

在一种可能的实施方式中，所述确定模块包括：

计时单元，用于在采集到所述端电压时进行计时；

确定单元，用于当所述端电压在第一预设时长内变化为高于第一参考电压时，确定所述显示设备的坏点位于所述显示面板，并确定所述显示设备的坏点产生于显示面板的蒸镀阶段。

在一种可能的实施方式中，所述确定单元还用于：

在一种可能的实施方式中，所述确定单元包括：

比较器，正向输入端连接于发光二极管的电源负极端，负向输入端用于接收参考电压，用于实现所述端电压与参考电压的比较；

电容，一端连接于发光二极管的电源负极端，另一端接地。

在一种可能的实施方式中，所述显示面板包括有机发光二极管显示面板、量子点发光二极管显示面板、迷你发光二极管显示面板和微发光二极管显示面板的至少一种。

本公开实施例通过配置所述显示面板的各个发光二极管的电源正极端或电源负极端为高阻状态；采集各个发光二极管的电源负极端的端电压；根据所述端电压的变化确定所述显示设备的坏点位于所述驱动电路或所述显示面板，可以准确、快速地判定坏点的位置，以改善显示设备的制造工艺。

根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。

附图说明

包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本公开的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本公开的原理。

图1示出了根据本公开一实施例的检测方法的流程图。

图2示出了根据本公开一实施例的检测装置、显示设备的框图。

图3示出了根据本公开一实施例的检测装置、显示设备的示意图。

具体实施方式

以下将参考附图详细说明本公开的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。

在本公开的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、 “前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、 “第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为 “示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。

另外，为了更好的说明本公开，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本公开同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本公开的主旨。

请参阅图1，图1示出了根据本公开一实施例的检测方法的流程图。

请参阅图2，图2示出了根据本公开一实施例的检测装置、显示设备的框图。

请参阅图3，图3示出了根据本公开一实施例的检测装置、显示设备的示意图。

所述方法用于检测显示设备5(如图2所示)的坏点所在的位置及产生所述坏点的工艺阶段，所述显示设备5包括驱动电路51及显示面板52，所述显示面板52包括多个发光二极管521(如图3所示)，如图1所示，所述方法包括：

步骤S11，配置所述显示面板52的各个发光二极管521的电源正极端或电源负极端为高阻状态；

步骤S12，采集各个发光二极管521的电源负极端的端电压；

步骤S13，根据所述端电压的变化确定所述显示设备5的坏点位于所述驱动电路51或所述显示面板52。

在一种可能的实施方式中，所述方法还包括，确定所述显示设备5的坏点产生于驱动电路51的生产阶段或显示面板52的蒸镀阶段。

可见，本公开实施例还可以准确、快速地判定坏点的位置，以改善显示设备的制造工艺。

在一个示例中，在显示设备制造时，通常需要两种公司的工艺能力的匹配，先透过FAB(Fabrication，芯片加工厂代称)工艺产生驱动电路，再通过面板工艺蒸镀发光二极管。其中，驱动电路51也可以称为像素电路、背板电路，用于驱动显示面板中各个发光二极管发光显示。

在一个示例中，显示面板中的发光二极管可以包括LED(Light Emitting Diode，发光二极管)、MiniLED(Mini Light Emitting Diode，迷你发光二极管)、MicroLED(MicroLight Emitting Diode，微发光二极管)、OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)的任意一种或多种。

在一种可能的实施方式中，步骤S11配置所述显示面板52的各个发光二极管521的电源正极端或电源负极端为高阻状态可以包括多种实现方式。

在一个示例中，可以配置各个发光二极管的电源为驱动电路内部产生电源，在这种情况下，本公开实施例可以利用配置寄存器的参数直接配置所述显示面板52的各个发光二极管521的电源正极端或电源负极端为高阻状态。

在一个示例中，可以配置各个发光二极管的电源为外部电源，在这种情况下，所述显示面板52的各个发光二极管521的电源正极端或电源负极端本身即为高阻状态。

在一个示例中，也可以利用接地电容实现，如图3所示，将各个发光二极管521通过电容C接地，接地电容在低频率下，阻抗较大，且频率越低，阻抗越大，因此，通过这样的方式可以配置所述显示面板52的各个发光二极管 521的电源正极端或电源负极端为高阻状态。

当然，以上对配置所述显示面板52的各个发光二极管521的电源正极端或电源负极端为高阻状态的描述是示例性的，不应视为是对本公开实施例的限定，在其他的实施方式中，本领域技术人员也可以采用其他方式配置所述显示面板52的各个发光二极管521的电源正极端或电源负极端为高阻状态。

在一种可能的实施方式中，若显示设备中存在多个坏点，坏点的存在会导致显示设备的等效电阻发生变化(当一个坏点发生时，会产生一个等效电阻，多坏点发生时，总的等效电阻将增大)，不同位置的坏点、不同量级的坏点将导致等效电阻具有较大差异，使得显示设备的RC响应具有显著差异，在此情况下，电源负极端的端电压将具有不同的变化特性，本公开实施例利用这种变化特性确定所述显示设备5的坏点位于所述驱动电路51或所述显示面板52，并确定所述显示设备5的坏点产生于驱动电路51的生产阶段或显示面板52的蒸镀阶段。

在一个示例中，当显示设备正常时，显示设备等效的单位阻抗约0.1GΩ ～1GΩ等级，R时间常数(RC time constant)偏大，VSS缓慢抬升。

在一个示例中，当显示设备中存在坏点短路时，等效的单位阻抗远小于正常的单位阻抗，故R时间常数明显差异，电源负极端的端电压VSS将向 VDD抬升，当坏点的量级越大(数量多)则端电压抬升的越快、越高。

在一种可能的实施方式中，步骤S13根据所述端电压的变化确定所述显示设备5的坏点位于所述驱动电路51或所述显示面板52，并确定所述显示设备5的坏点产生于驱动电路51的生产阶段或显示面板52的蒸镀阶段，可以包括：

当所述端电压在第一预设时长内变化为高于第一参考电压时，确定所述显示设备5的坏点位于所述显示面板52，并确定所述显示设备5的坏点产生于显示面板52的蒸镀阶段。

当所述端电压在第二预设时长内均低于第二参考电压时，确定所述显示设备5的坏点位于所述驱动电路51，并确定所述显示设备5的坏点产生于驱动电路51的生产阶段，

在一个示例中，如果是蒸镀异常形成坏点造成的等效电阻，端电压VSS 会被拉高，拉高充电时间依循RC规则，R越小，充电越快拉越高。如果是FAB 端制作异常或工艺接口错位异常，端电压VSS则会缓慢抬升，与蒸镀异常造成的等效电阻有明显差异。

因此，本公开实施例可以通过计时器对采集端电压的持续时间进行计时，并将计时时长与第一预设时长、第二预设时长进行比较，当所述端电压在第一预设时长内变化为高于第一参考电压时，确定所述显示设备5的坏点位于所述显示面板52，并确定所述显示设备5的坏点产生于显示面板52的蒸镀阶段，当所述端电压在第二预设时长内均低于第二参考电压时，确定所述显示设备5的坏点位于所述驱动电路51，并确定所述显示设备5的坏点产生于驱动电路51的生产阶段。

在一种可能的实施方式中，所述方法还可以包括：

当确定所述显示设备5的坏点位于所述驱动电路51时，根据所述端电压的变化进一步确定坏点产生于所述驱动电路51本身或驱动电路51与显示面板的接口错位。

本公开实施例对根据所述端电压的变化进一步确定坏点产生于所述驱动电路51本身或驱动电路51与显示面板的接口错位的具体实现方式不做限定，本领域技术人员可以根据实际情况或需要选择相关技术中的方式实现。

在一种可能的实施方式中，所述方法还可以包括：

切换所述第一参考电压及所述第二参考电压的电压大小，以确定所述显示设备5的坏点量级。

如前所述，不同数量的坏点会使得端电压上升的速度、高度均呈现差异，当坏点数量越多，端电压上升会越快、端电压达到的高度越高，本公开实施例可以通过切换所述第一参考电压及所述第二参考电压的电压大小，通过确定在对应时间段端电压达到的电压高度确定坏点量级。

在一个示例中，本公开实施例可以提前设置坏点量级与电压的对应关系，当确定单位时间(例如，可以是R时间常数)或第一预设时长、第二预设时长端电压的电压达到参考电压时，本公开实施例即可根据达到的参考电压及该对应关系确定坏点量级，当然，本公开实施例不限于此，例如，本公开实施例也可以通过电压检测电路直接确定单位时间或第一预设时长、第二预设时长端电压的电压大小，并根据确定的电压大小及电压与坏点量级的对应关系确定坏点量级。

在一种可能的实施方式中，所述方法还包括：

确定单位时间内所述端电压的变化大小；

根据所述端电压的变化大小确定显示设备5的坏点量级。

在一个示例中，所述坏点量级可以对应不同的坏点数目，坏点量级越大，对应的坏点数目越多。

当然，以上描述是示例性的，本公开实施例对此不做限定。

本公开实施例通过量测端电压VSS或端电压VDD电性，确认显示设备的坏点的等级跟数量，可以改善亮暗点，提高显示设备的品质。

下面对检测装置进行示例性介绍。

根据本公开的另一方面，提出了一种检测装置，所述装置用于检测显示设备5的坏点所在的位置及产生坏点的工艺阶段，如图2所示，所述显示设备 5包括驱动电路51及显示面板52，所述显示面板52包括多个发光二极管521，所述装置包括：

配置模块10，用于配置所述显示面板52的各个发光二极管521的电源正极端或电源负极端为高阻状态；

采集模块20，用于采集各个发光二极管521的电源负极端的端电压；

确定模块30，连接于所述采集模块20，用于根据所述端电压的变化确定所述显示设备5的坏点位于所述驱动电路51或所述显示面板52。

本公开实施例对配置模块10、采集模块20的具体实现方式不做限定。

在一种可能的实施方式中，所述确定模块30可以包括：

计时单元，用于在采集到所述端电压时进行计时；

确定单元，用于当所述端电压在第一预设时长内变化为高于第一参考电压时，确定所述显示设备5的坏点位于所述显示面板52，并确定所述显示设备5的坏点产生于显示面板52的蒸镀阶段。

在一个示例中，计时单元可以包括计时器，当开始采集端电压时，计时器开始计时，得到计时时长。

在一种可能的实施方式中，所述确定单元还可以用于：

在一个示例中，确定模块30还可以包括运算单元，运算单元可以包括处理组件，所述组件包括但不限于单独的处理器，或者分立元器件，或者处理器与分立元器件的组合。所述处理器可以包括电子设备中具有执行指令功能的控制器，所述处理器可以按任何适当的方式实现，例如，被一个或多个应用专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理设备 (DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现。在所述处理器内部，可以通过逻辑门、开关、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器等硬件电路执行所述可执行指令。

在一个示例中，确定模块30还可以包括存储单元，已存储本公开的各个可执行指令及数据，存储单元可以包括计算机可读存储介质，计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。计算机可读存储介质例如可以是――但不限于――电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、静态随机存取存储器(SRAM)、可编程只读存储器(PROM)、便携式压缩盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能盘 (DVD)、记忆棒、软盘、机械编码设备、例如其上存储有指令的打孔卡或凹槽内凸起结构、以及上述的任意合适的组合。

在一个示例中，运算单元可以获取存储单元中的可执行指令和数据，以实现“根据所述端电压的变化确定所述显示设备5的坏点位于所述驱动电路 51或所述显示面板52，并确定所述显示设备5的坏点产生于驱动电路51的生产阶段或显示面板52的蒸镀阶段”。

在一种可能的实施方式中，如图3所示，所述确定单元可以包括：

比较器CMP，正向输入端连接于发光二极管521的电源负极端VSS，负向输入端用于接收参考电压VREF，用于实现所述端电压VSS与参考电压 VREF的比较；

电容C，一端连接于发光二极管521的电源负极端，另一端接地。

在一个示例中，如图3所示，每个发光二极管521均可以具有对应的驱动单元511，驱动单元511用于根据接收到的数据驱动发光二极管521发光。

在一种可能的实施方式中，所述显示面板52包括有机发光二极管显示面板、量子点发光二极管显示面板、迷你发光二极管显示面板和微发光二极管显示面板的至少一种。

应该说明的是，所述检测装置为与所述检测方法对应的装置项，其具体介绍请参考之前对方法的描述，在此不再赘述。

本公开实施例通过配置所述显示面板的各个发光二极管的电源正极端或电源负极端为高阻状态；采集各个发光二极管的电源负极端的端电压；根据所述端电压的变化确定所述显示设备的坏点位于所述驱动电路或所述显示面板，并确定所述显示设备的坏点产生于驱动电路的生产阶段或显示面板的蒸镀阶段，可以准确、快速地判定坏点的位置及产生坏点的工艺阶段，以改善显示设备的制造工艺。

以上已经描述了本公开的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims

1.一种检测方法，其特征在于，所述方法用于检测显示设备的坏点所在的位置及产生所述坏点的工艺阶段，所述显示设备包括驱动电路及显示面板，所述显示面板包括多个发光二极管，所述方法包括：

采集各个发光二极管的电源负极端的端电压；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括，确定所述显示设备的坏点产生于驱动电路的生产阶段或显示面板的蒸镀阶段。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述端电压的变化确定所述显示设备的坏点位于所述驱动电路或所述显示面板，并确定所述显示设备的坏点产生于驱动电路的生产阶段或显示面板的蒸镀阶段，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述端电压的变化确定所述显示设备的坏点位于所述驱动电路或所述显示面板，并确定所述显示设备的坏点产生于驱动电路的生产阶段或显示面板的蒸镀阶段，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定单位时间内所述端电压的变化大小；

根据所述端电压的变化大小确定显示设备的坏点量级。

8.一种检测装置，其特征在于，所述装置用于检测显示设备的坏点所在的位置及产生坏点的工艺阶段，所述显示设备包括驱动电路及显示面板，所述显示面板包括多个发光二极管，所述装置包括：

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述确定模块包括：

计时单元，用于在采集到所述端电压时进行计时；

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述确定单元还用于：

11.根据权利要求9或10所述的装置，其特征在于，所述确定单元包括：

电容，一端连接于发光二极管的电源负极端，另一端接地。

12.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述显示面板包括有机发光二极管显示面板、量子点发光二极管显示面板、迷你发光二极管显示面板和微发光二极管显示面板的至少一种。