CN113707671A - 显示装置及其阵列基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- -1 silicon nitride compound Chemical class 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3178—Coating or filling in grooves made in the semiconductor body
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示装置及其阵列基板，其中，阵列基板包括绝缘层、钝化层以及导电层。所述钝化层设置于所述绝缘层的一侧，其朝向所述绝缘层的一侧开设有容纳槽。所述导电层容置于所述容纳槽中，其两侧面分别与所述绝缘层和所述钝化层接触。所述导电层包括相互电连接的源极、漏极以及导电块，所述导电块上开设有多个通孔，所述通孔的两侧开口分别朝向所述绝缘层和所述钝化层，所述通孔的内侧面呈平滑曲面。所述绝缘层在烘烤加工过程中产生的气体可通过所述通孔排出阵列基板，解决了现有技术中阵列基板容易产生鼓包的技术问题，提高了屏幕模组的阵列基板加工的良品率，降低了屏幕模组的生产成本。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示装置及其阵列基板。
背景技术
随着显示屏技术的发展，越来越多的电子设备使用上了各种各样的屏幕模组。但目前在屏幕模组的加工过程中，其阵列基板需要经过高温烘烤处理。在烘烤加工过程中，阵列基板会产生挥发气体。若该挥发气体无法及时排出阵列基板，则会导致阵列基板产生鼓包现象，造成产品异常。
发明内容
本申请实施例提供一种显示装置及其阵列基板，可以解决现有技术中阵列基板容易产生鼓包的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板，包括绝缘层、钝化层以及导电层。钝化层设置于所述绝缘层的一侧，所述钝化层朝向所述绝缘层的一侧开设有容纳槽；导电层容置于所述容纳槽中，其两侧面分别与所述绝缘层和所述钝化层接触；所述导电层包括相互电连接的源极、漏极以及导电块，所述导电块上开设有多个通孔，所述通孔的两侧开口分别朝向所述绝缘层和所述钝化层，所述通孔的内侧面呈平滑曲面。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述通孔于所述导电块上呈多列矩形阵列排布。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述通孔于所述导电块上呈多圈环形阵列排布。
可选的，在本申请的一些实施例中，两所述通孔边缘之间的最小距离不小于100微米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述通孔包括圆形孔，所述通孔的孔径在100微米至150微米之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述通孔包括圆角矩形孔，所述通孔的长边长度在100微米至150微米之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述通孔包括多层嵌套孔，所述嵌套孔包括中心环形孔和环绕在所述中心环形孔外的外围环形孔。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述中心环形孔和所述外围环形孔将所述导电块分割为多个相互嵌套的环形部，两所述相邻的环形部之间设置有连接筋。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述通孔还包括圆形孔，所述圆形孔环绕所述嵌套孔设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述通孔朝向所述绝缘层一侧的开口为第一开口，所述通孔朝向所述钝化层一侧的开口为第二开口，所述第一开口的直径大于所述第二开口的直径。
相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。
本申请实施例中，通过在阵列基板的导电层的导电块上开设多个通孔，将绝缘层在烘烤加工过程中产生的气体排出阵列基板，解决了现有技术中阵列基板容易产生鼓包的技术问题，提高了屏幕模组的阵列基板加工的良品率，降低了屏幕模组的生产成本。同时，通孔的内侧面呈平滑曲面，可以避免通孔边缘由于出现尖角而产生尖端放电的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例的显示装置的结构示意图。
图2是本申请图1示出的显示装置的屏幕模组的结构示意图。
图3是本申请图2示出的屏幕模组的阵列基板外围区的结构示意图。
图4是本申请图2示出的屏幕模组的阵列基板可操作区的结构示意图。
图5是本申请图3-4示出的阵列基板一实施例的部分结构示意图。
图6是本申请图3-4示出的阵列基板另一实施例的部分结构示意图。
图7是本申请图3-4示出的阵列基板的导电块的第一实施例的俯视图。
图8是本申请图3-4示出的阵列基板的导电块的第二实施例的部分结构示意图。
图9是本申请图3-4示出的阵列基板的导电块的第三实施例的部分结构示意图。
图10是图3-4示出的阵列基板的导电块的第四实施例的俯视图。
图11是本申请图3-4示出的阵列基板的导电块的第五实施例的俯视图。
图12是本申请图11示出的阵列基板的剖面图。
图13是本申请图3-4示出的阵列基板的导电块的第六实施例的俯视图。
图14是本申请图13示出的阵列基板的剖面图。
图15是本申请图3-4示出的阵列基板的导电块的第七实施例的俯视图。
附图标记说明：
1、壳体；2、屏幕模组；21、阵列基板；22、控制单元；100、透光层；200、缓冲层；300、绝缘层；400、钝化层；500、导电层；600、栅极层；700、隔离层；800、IGZO层；900、遮光层；410、容纳槽；510、源极；520、漏极；530、导电块；531、通孔；5311、第一开口；5312、第二开口；5313、圆形孔；5314、椭圆孔；5315、圆角矩形孔；5316、圆角方形孔；5317、嵌套孔；5318、环形部；5319、连接筋；53171、中心环形孔；53172、外围环形孔。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示装置及其阵列基板21。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
本申请提供一种显示装置，该显示装置可以安装于各种具有显示功能的产品中。例如，电子产品可以是智能终端、笔记本电脑、摄影设备、可穿戴设备、电子秤、车载显示器以及电视机等。
请参阅图1和图2，该显示装置包括壳体1以及安装于壳体1内的屏幕模组2，屏幕模组2包括阵列基板21和与阵列基板21电连接的控制单元22，控制单元22用于控制阵列基板21进行显示。屏幕模组2可以是各种类型的屏幕模组，在本实施例中以铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)屏幕模组为例进行说明。
其中，请结合参阅图3和图4，阵列基板21包括透光层100、缓冲层200、绝缘层300、钝化层400、导电层500、栅极层600、隔离层700、IGZO层800以及遮光层900。
在阵列基板21的外围区，透光层100、缓冲层200、绝缘层300以及钝化层400依次层叠设置，钝化层400朝向绝缘层300的一侧开设有容纳槽410，容纳槽410内容纳有导电层500，导电层500的两侧面分别与所述绝缘层300和所述钝化层400接触。
在阵列基板21的可操作区，透光层100、缓冲层200、绝缘层300以及钝化层400依次层叠设置，遮光层900设置于缓冲层200内，并与透光层100贴合。栅极层600、隔离层700以及IGZO层800依次层叠设置，并设置于绝缘层300内。其中，IGZO层800还与缓冲层贴合。
其中，透光层100一般由玻璃等耐磨耐刮的透明材料制成，并设置于阵列基板21的最外层，用于保护阵列基板21，同时，也用于传递阵列基板21内产生的视讯信号。
缓冲层200一般由氮硅化合物或氧硅化合物等材料制成，用以隔开遮光层900和IGZO层800。
绝缘层300一般由聚酰亚胺等有机光阻材料制成，以保证阵列基板21背离透光层100一面的平面度以及表面粗糙度符合较高要求，并作为用以承载导电层500、栅极层600、隔离层700以及IGZO层800中各电子元件和电路的基材。
钝化层400一般由氮硅化合物或氧硅化合物等材料制成，以将导电层500与外界隔绝，并起到一定的隔绝氧气和水的作用。
栅极层600一般由导电金属材料制成，其主要包括位于阵列基板21可操作区内的栅极。
隔离层700一般由氮硅化合物或氧硅化合物等材料制成，用以隔开栅极层600和IGZO层800。
IGZO层800一般由IGZO制成，其主要包括位于阵列基板21可操作区内的用于驱动屏幕的薄膜液晶管。
遮光层900一般由不透明的金属材料制成，也可以由树脂等不透明的有机绝缘材料以及铬钼氧化物等不透明的无机绝缘材料制成，其主要用于遮光以及防止显示区缩小并提高显示质量。
导电层500一般由导电材料制成，其包括相互电连接的源极510、漏极520以及导电块530。其中源极510和漏极520位于阵列基板21的可操作区，其中，源极510与绝缘层300贴合的一面还设有多个源极凸起，所述源极凸起分与IGZO层800以及遮光层900贴合连接。漏极520与绝缘层300贴合的一面还设有多个漏极凸起，漏极凸起贯穿绝缘层300朝透光层100延伸，并与IGZO层800贴合连接。
请结合参阅图5，导电块530位于阵列基板21的外围区，其厚度和高度均大于源极510、漏极520以及位于导电层500的其他元件和电路，主要用于测量电路的电性或者测量电路的阻抗等。导电块530上开设有多个通孔531，通孔531的内侧面呈平滑曲面，以避免通孔531边缘由于出现尖角而产生尖端放电的问题。通孔531的两侧开口分别朝向绝缘层300和钝化层400，其中，通孔531朝向绝缘层300一侧的开口为第一开口5311，通孔531朝向钝化层400一侧的开口为第二开口5312。
在阵列基板的加工过程中，一般会先在缓冲层200上成型绝缘层300，再在绝缘层300上安装导电层500，最后再成型钝化层400。再钝化层400成型时，其需要285度至295度的高温，此时再高温烘烤下，绝缘层300会产生大量挥发性气体。由于缓冲层200和钝化层400均由氮硅化合物或氧硅化合物等材料制成，其内部结构具有很多微小孔径，故在绝缘层300与缓冲层200以及钝化层400接触的区域，挥发性气体可以由上述微小孔径散发出。而在绝缘层300与导电块530接触的区域，挥发性气体可以由通孔531以及钝化层400微小孔径散发出。可以避免大量挥发性气体聚集于绝缘层300与导电块530之间，导致阵列基板产生鼓包问题，进而提高了阵列基板21的良品率，提高了生产效率，降低了生产成本。
请结合参阅图6，在本申请的一些实施例中，第一开口5311的直径大于第二开口5312的直径，以加快气体的排出速度，增加气体的排出效率。
在本申请的实施例中，请结合参阅图7至图10，通孔531可以包括圆形孔5313、椭圆孔5314、圆角矩形孔5315、嵌套孔5317以及其组合。椭圆孔5314的长轴长在100微米至150微米之间，圆角矩形孔5315的长边长在100微米至150微米之间，以避免孔径过小导致气体排出不畅，同时也避免孔径过大影响导电块530的性能。同时，由上述的椭圆孔5314的长轴长可知，圆形孔5313的孔径在100微米至150微米之间；由上述的圆角矩形孔5315的长边长可知，圆角方形孔5316的边长在100微米至150微米之间。
在本申请的一些实施例中，请继续结合参阅图7，通孔531仅包括圆形孔5313，且上述的圆形孔5313呈多圈环形阵列排布。圆形孔5313易于加工，且空气阻力小，更易于将气体排出。同时，呈多圈环形阵列排布可以使通孔531排布更密集，在单位面积内的开孔面积相对更大，进而增加了气体的排出效率。
在本申请的另一些实施例中，请继续结合参阅图10，通孔531仅包括圆角方形孔5316，且上述的圆角方形孔5316呈多列矩形阵列排布。单位面积内，圆角方形孔5316的开孔面积大于圆形孔5313，可以使得气体排出效率更高。同时，呈多列矩形阵列排布可以使通孔531排布更均匀，也更易于加工成型。同时，呈多列矩形阵列排布的通孔531可以成列加工，可大大缩短通孔531加工成型的时间，提高单位时间内的产量。而且由于在现实应用中，屏幕模组2一般多为矩形结构，故导电块530也相应为矩形结构，呈多列矩形阵列排布也与导电块530的矩形结构更相适配。
在上述的实施例中，两通孔531边缘之间的最小距离均不小于100微米。在通孔531为圆形孔5313的实施例中，两圆形孔5313的孔间距在200微米至250微米之间；在通孔531为圆角方形孔5316的实施例中，两圆角方形孔5316的孔间距也在200微米至250微米之间。上述的孔间距为两通孔531中心之间的距离，当两通孔531边缘之间的最小距离小于100微米时，通孔531排布过密，不仅大大提高了通孔531加工的难度，还使会影响到导电块530正常功能的施展。当两通孔531之间的孔间距大于250微米时，孔的排布又过于稀疏，导致排气效率过低。
在本申请的一些实施例中，请结合参阅图11和图12，通孔531包括多层嵌套孔5317，嵌套孔5317包括中心环形孔53171和环绕在中心环形孔53171外的多层外围环形孔53172，中心环形孔53171和外围环形孔53172将导电块530分割为多个相互嵌套的环形部5318。中心环形孔53171的外缘到相邻外围环形孔53172之间的最小距离大于100微米，在本实施例中，为100微米。两相邻外围环形孔53172边缘之间的最小距离也不小于100微米，在本实施例中，为100微米。单层嵌套孔5317的面积相对于单个圆形孔5313和单个圆角矩形孔5315面积更大，更有利于及时排出绝缘层300在烘烤时产生的挥发气体。同时嵌套孔5317的数量相对圆形孔5313以及圆角矩形孔5315更少，加工时间更短，成本更低。
在本实施例中，请结合参阅图13和图14，两相邻的环形部5318之间设置有连接筋5319。连接筋5319位于中心环形孔53171和外围环形孔53172中，其厚度不大于各环形部5318本身的厚度。当连接筋5319的厚度等于各环形部5318的厚度时，其将中心环形孔53171以及外围环形孔53172分割为多个扇形区域。由于被中心环形孔53171和外围环形孔53172，上述的各环形部5318之间互不相连。导致加工完成后很难将导电块530安装至绝缘层300上。本实施例通过连接筋5319的设置，成功将各互不相连的环形部5318连接为一个整体，降低了导电块530的安装难度，提高了各环形部5318之间的同轴度。
在本实施例中，请结合参阅图15，上述的通孔531除包括多层嵌套孔5317外，还包括环绕嵌套孔5317设置的圆形孔5313。在现实应用中，屏幕模组2一般多为矩形结构，故导电块530也相应为矩形结构。若上述的通孔531仅包括多层嵌套孔5317，则导电块530的四角就不存在开孔区域。本实施例通过环绕嵌套孔5317再设置圆形孔5313，保证了导电块530的四角也开设有通孔531，避免了挥发性气体淤积于导电块530的四角，导致导电块530的四角产生鼓包现象。
以上对本申请实施例所提供的一种显示装置及其阵列基板21进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (11)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
绝缘层；
钝化层，设置于所述绝缘层的一侧，所述钝化层朝向所述绝缘层的一侧开设有容纳槽；
导电层，容置于所述容纳槽中，其两侧面分别与所述绝缘层和所述钝化层接触；所述导电层包括相互电连接的源极、漏极以及导电块，所述导电块上开设有多个通孔，所述通孔的两侧开口分别朝向所述绝缘层和所述钝化层，所述通孔的内侧面呈平滑曲面。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔于所述导电块上呈多列矩形阵列排布。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔于所述导电块上呈多圈环形阵列排布。
4.如权利要求1至3任意一项所述的阵列基板，其特征在于，两所述通孔边缘之间的最小距离不小于100微米。
5.如权利要求1至3任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔包括圆形孔，所述通孔的孔径在100微米至150微米之间。
6.如权利要求1至3任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔包括圆角矩形孔，所述通孔的长边长度在100微米至150微米之间。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔包括多层嵌套孔，所述嵌套孔包括中心环形孔和环绕在所述中心环形孔外的外围环形孔。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述中心环形孔和所述外围环形孔将所述导电块分割为多个相互嵌套的环形部，两相邻的所述环形部之间设置有连接筋。
9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔还包括圆形孔，所述圆形孔环绕所述嵌套孔设置。
10.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔朝向所述绝缘层一侧的开口为第一开口，所述通孔朝向所述钝化层一侧的开口为第二开口，所述第一开口的直径大于所述第二开口的直径。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110884907.9A CN113707671B (zh) | 2021-08-03 | 2021-08-03 | 显示装置及其阵列基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202110884907.9A CN113707671B (zh) | 2021-08-03 | 2021-08-03 | 显示装置及其阵列基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113707671A true CN113707671A (zh) | 2021-11-26 |
| CN113707671B CN113707671B (zh) | 2023-06-30 |
Family
ID=78651437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110884907.9A Active CN113707671B (zh) | 2021-08-03 | 2021-08-03 | 显示装置及其阵列基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113707671B (zh) |
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- 2021-08-03 CN CN202110884907.9A patent/CN113707671B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113707671B (zh) | 2023-06-30 |
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