CN113703670A - 一种磨损均衡控制方法、装置、设备及可读存储介质 - Google Patents

一种磨损均衡控制方法、装置、设备及可读存储介质 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种磨损均衡控制方法、装置、设备及可读存储介质，该方法包括：从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将block加入自平衡二叉树；接收数据写入请求后，判断在自平衡二叉树之外是否存在空闲block；若是，则从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；若否，则从自平衡二叉树中选出目标block；将数据写入请求对应的数据写入目标block。如此，SSD内部可以根据擦写阈值这一条件，自动控制稳态时的free block数量，动态调整对block磨损均衡的保护能力。即，以动态调整对block的保护能力，从而保障block的PE保持均衡，使得SSD的使用寿命最佳。

Description

一种磨损均衡控制方法、装置、设备及可读存储介质
技术领域
本申请涉及存储技术领域，特别是涉及一种磨损均衡控制方法、装置、设备及可读存储介质。
背景技术
SSD(Solid State Drive，固态硬盘)内部使用NAND Flash(一种非易失闪存，内部采用非线性宏单元模式)作为存储介质，这种介质的PE(Program Erase，擦写)次数是有限的。即，当PE次数超过一定的数量，NAND中存储数据的block(最小存储和处理单位)就会损坏，无法继续使用。因此SSD固件需要保证NAND Flash内部的所有block的PE次数基本均衡，才能使SSD的使用寿命达到最佳。
动态磨损均衡的方式是把NAND中的block按照PE进行排序，当需要写入数据时，选择写入PE最小的block进行使用，以此较少PE较大的block的使用次数。NAND的block具有只能按页写，按block擦除的特性，通常一个block内部包含多个页，由于这一特性，SSD内部需要做垃圾回收，保证SSD内部有充足的空间进行数据写入。随机写进入稳态的时候，SSD内部的空闲block数量会在一个特定的值附近波动。动态磨损均衡的对block的保护能力也会因此受到影响，会降低对block的保护能力，会使得block间的PE差异越来越大。
综上所述，如何有效地提升对block的保护能力等问题，是目前本领域技术人员急需解决的技术问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种磨损均衡控制方法、装置、设备及可读存储介质，以动态调整对block的保护能力，从而保障block的PE保持均衡。
为解决上述技术问题，本申请提供如下技术方案：
一种磨损均衡控制方法，包括：
从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将所述block加入自平衡二叉树；
接收数据写入请求后，判断在所述自平衡二叉树之外是否存在空闲block；
若是，则从所述自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；
若否，则从所述自平衡二叉树中选出所述目标block；
将所述数据写入请求对应的数据写入所述目标block。
优选地，将所述block加入自平衡二叉树，包括：
判断所述自平衡二叉树的空闲block数量是否大于预设数量阈值；其中，所述预设数量阈值为根据磨损不均衡时所允许的最大性能下降而设置稳态空闲block的最大阈值；
如果否，则将所述block直接添加至所述自平衡二叉树中；
如果是，则在所述block的擦写次数大于所述自平衡二叉树中擦写次数最小的block的情况下，将所述自平衡二叉树中擦写次数最小的block替换为所述block。
优选地，所述从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，包括：
获取各个空闲block的擦写次数，各个block的平均擦写次数及预设的最大擦写次数与平均擦写次数的差值上限；
将所述平均擦写次数与所述差值上限之和确定为所述擦写阈值；
从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block。
优选地，还包括：
对所述平均擦写次数进行监测；
在所述平均擦写次数变化后，利用所述平均擦写次数与所述差值上限之和更新所述擦写阈值；
剔除所述自平衡二叉树中擦写次数小于所述擦写阈值的block。
优选地，从所述自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block，包括：
基于擦写次数对所述自平衡二叉树之外的空闲block进行排序；
利用排序结果，选择擦写次数最小的空闲block，并确定为所述目标block。
优选地，从所述自平衡二叉树中选出所述目标block，包括：
将所述自平衡二叉树左子叶节点确定为所述目标block；其中，所述自平衡二叉树基于擦写次数进行存放。
优选地，还包括：
在从所述自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block，无法将所述数据写入请求对应的数据全部写入所述目标block的情况下，从所述自平衡二叉树中选出目标block；
将未写完的数据写入从所述自平衡二叉树中选出所述目标block中。
一种磨损均衡控制装置，包括：
Block添加模块，用于从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将所述block加入自平衡二叉树；
判断模块，用于接收数据写入请求后，判断在所述自平衡二叉树之外是否存在空闲block；
目标block挑选模块，用于若在所述自平衡二叉树之外存在空闲block，则从所述自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；若在所述自平衡二叉树之外不存在空闲block，则从所述自平衡二叉树中选出所述目标block；
数据写入模块，用于将所述数据写入请求对应的数据写入所述目标block。
一种电子设备，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现上述磨损均衡控制方法的步骤。
一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述磨损均衡控制方法的步骤。
应用本申请实施例所提供的方法，从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将block加入自平衡二叉树；接收数据写入请求后，判断在自平衡二叉树之外是否存在空闲block；若是，则从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；若否，则从自平衡二叉树中选出目标block；将数据写入请求对应的数据写入目标block。
从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将该block加入自平衡二叉树。在接收到数据写入请求后，优先选择自平衡二叉树之外的空闲block。具体的，即首先判断在自平衡二叉树之外是否存在空闲block；如果存在，则从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；如果不存在，则再从自平衡二叉树中选出目标block。将数据写入请求对应的数据写入目标block中。如此，通过这种方式，SSD内部可以根据擦写阈值这一条件，自动控制稳态时的free block(空闲block)数量，动态调整对block磨损均衡的保护能力。即，如果SSD内部block磨损程度均衡，随机写稳态时的free block数量较小，磨损均衡保护能力较弱，当磨损不均衡时，随机写稳态时的free block数量较大，磨损均衡保护能力较强。即，以动态调整对block的保护能力，从而保障block的PE保持均衡，使得SSD的使用寿命最佳。
相应地，本申请实施例还提供了与上述磨损均衡控制方法相对应的磨损均衡控制装置、设备和可读存储介质，具有上述技术效果，在此不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例中一种磨损均衡控制方法的实施流程图；
图2为本申请实施例中一种磨损均衡控制装置的结构示意图；
图3为本申请实施例中一种电子设备的结构示意图；
图4为本申请实施例中一种电子设备的具体结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参考图1，图1为本申请实施例中一种磨损均衡控制方法的流程图，该方法包括以下步骤：
S101、从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将block加入自平衡二叉树。
在本实施例中，可以预先构建出一个自平衡二叉树。
为了保障数据的正常写入，在SSD中，会采用写入流量控制方法使得SSD进入稳态，即消耗空间与回收空间大致相同，即在SSD中总会存在若干空闲block。
为了提升磨损均衡保护能力，可从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将其加入到自平衡二叉树中进行保护(即有数据需要写入时，尽量避免写入该block中，从而使得该block的擦除次数基本保持不变)。也就是说，自平衡二叉树的每一个节点均对应一个空闲block(即free block)。
其中，擦写阈值可以为预先根据用户经验进行设置，当然也可以基于实际SSD的使用情况进行动态调整。
为了优化动态磨损均衡能力，可以优先选择使用动态的擦写阈值。具体的，基于动态变化的擦写阈值来选择需要保护的空闲block的具体实现过程，包括：
步骤一、获取各个空闲block的擦写次数，各个block的平均擦写次数及预设的最大擦写次数与平均擦写次数的差值上限；
步骤二、将平均擦写次数与差值上限之和确定为擦写阈值；
步骤三、从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block。
为便于描述，下面将上述三个步骤结合起来进行说明。
首先，需要获取各个空闲block的擦写次数，以及各个block的平均擦写次数，以及预先设置的最大擦写次数与平均擦写次数的差值上限。
将平均擦写次数与差值上限之和确定为擦写阈值。也就是说，若擦写阈值表示为PEprotect，平均擦写次数表示为PEaverage，预先设置的最大擦写次数与平均擦写次数的差值上限表示为PEprotect，则PEprotect＝PEaverage+PEprotect。也就是说，当一个free block的PE>PEaverage+PEprotect时，需要把该block加入到自平衡二叉树进行保护。
优选地，由于稳态时的free block数量会影响SSD内部的OP(Over Provision，额外容量)空间，进而影响到SSD随机写的稳态性能。因此，可根据磨损不均衡时所允许的最大性能下降设置稳态free block的最大阈值FBmax，也就是说，该自平衡二叉树的节点总数需要被限制在预设数量阈值内。具体的，对于将block加入自平衡二叉树，可具体包括：
步骤一、判断自平衡二叉树的空闲block数量是否大于预设数量阈值；其中，预设数量阈值为根据磨损不均衡时所允许的最大性能下降而设置稳态空闲block的最大阈值；
步骤二、如果否，则将block直接添加至自平衡二叉树中；
步骤三、如果是，则在block的擦写次数大于自平衡二叉树中擦写次数最小的block的情况下，将自平衡二叉树中擦写次数最小的block替换为block。
为便于描述，下面将上述三个步骤结合起来进行说明。
即，在发现有空闲block的查询次数大于擦写阈值的情况下，还需考虑当前自平衡二叉树中的block数量是否大于预设数量阈值。即，判断自平衡二叉树中的block数量是否大于根据磨损不均衡时所允许的最大性能下降而设置稳态空闲block的最大阈值。如果不大于，则表明该自平衡二叉树还未达到容量上限，继续采用增加的方式添加空闲block不会影响SSD内部的OP空间，因此可直接将对应的空闲block添加到自平衡二叉树中；如果大于，则表明该自平衡二叉树还未达到容量上限，继续采用增加的方式添加空闲block会影响SSD内部的OP空间，此时不再采用增加的方式添加空闲block，而是通过比对新发现的擦写次数大于擦写阈值的空闲block与自平衡二叉树已有的block的擦写次数，然后基于比较结果，来对自平衡二叉树中的block进行替换处理，或不处理。即，当一个free block的PE>PEaverage+PEprotect时，需要把该block加入到自平衡二叉树，但是，当自平衡二叉树上的block数量大于FBmax时，把自平衡二叉树上PE最小的block和要放入的block的PE进行比较，保留PE大的block在树上。
S102、接收数据写入请求后，判断在自平衡二叉树之外是否存在空闲block。
接收到数据写入请求，即表明需要向block写入数据。此时需要从空闲block中选出block来使用。
从上文可知，在自平衡二叉树中可能存在空闲block，在自平衡二叉树之外也可能存在空闲block。由于自平衡二叉树中的block的擦写次数至少是大于擦写阈值的，即便自平衡二叉树之外也存在大于擦写阈值的block，该block的擦写次数也是小于自平衡二叉树中最新擦写次数对应的block的。因此，在选择空闲block时，需要优先选择自平衡二叉树之外的空闲block，从而均衡各个block的擦写次数。
具体的，可以通过判断自平衡二叉树之外是否存在空闲block的方式，来优先使用自平衡二叉树之外的空闲block来使用。得到在自平衡二叉树之外是否存在空闲block的判断结果之后，便可基于判断结果确定后续执行步骤，具体的，如果判断结果为是，则执行步骤S103的步骤，如果判断结果为否，则执行步骤S104的步骤。
S103、从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block。
当确定自平衡二叉树之外存在空闲block时，则直接从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block。这里仅为了便于区别，将选出即将使用的空闲block称之为目标block，在实际应用中，目标block的数量可根据实际的数据写入请求而定。例如，当数据写入请求对应需要写入的数据需要占用1个block时，则目标block为1个；当数据写入请求对应需要写入的数据需要占用2个block时，则目标block为2个。
优选地，在从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block，具体包括：
步骤一、基于擦写次数对自平衡二叉树之外的空闲block进行排序；
步骤二、利用排序结果，选择擦写次数最小的空闲block，并确定为目标block。
为了实现对擦写次数较多的空闲block进行有效保护，在选择目标block时，可以优先选用擦写次数最小的空闲block。具体的，可以基于擦写次数对自平衡二叉树之外的空闲block进行排序，然后基于排序结果，选出擦写次数最小的空闲block，并将其确定为即将使用的目标block。
S104、从自平衡二叉树中选出目标block。
当发现自平衡二叉树之外没有空闲block时，则可从自平衡二叉树中选出目标block。具体的，从自平衡二叉树中选目标block的方式可以具体参考从自平衡二叉树之外的空闲block中选目标block的具体实现过程。
优选地，考虑到，在将满足条件的空闲block加入到在自平衡二叉树，可以按照擦写次数确定节点位置，在选择目标block时，可以基于自平衡二叉树的结构，快速确定目标block。具体的，从自平衡二叉树中选出目标block，包括：将自平衡二叉树左子叶节点确定为目标block；其中，自平衡二叉树基于擦写次数进行存放。也就是说，自平衡二叉树左子叶节点的擦写次数在整个自平衡二叉树中最小。
S105、将数据写入请求对应的数据写入目标block。
选出目标block后，便可将数据写入请求对应的数据写入到目标block中。
应用本申请实施例所提供的方法，从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将block加入自平衡二叉树；接收数据写入请求后，判断在自平衡二叉树之外是否存在空闲block；若是，则从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；若否，则从自平衡二叉树中选出目标block；将数据写入请求对应的数据写入目标block。
从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将该block加入自平衡二叉树。在接收到数据写入请求后，优先选择自平衡二叉树之外的空闲block。具体的，即首先判断在自平衡二叉树之外是否存在空闲block；如果存在，则从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；如果不存在，则再从自平衡二叉树中选出目标block。将数据写入请求对应的数据写入目标block中。如此，通过这种方式，SSD内部可以根据擦写阈值这一条件，自动控制稳态时的free block(空闲block)数量，动态调整对block磨损均衡的保护能力。即，如果SSD内部block磨损程度均衡，随机写稳态时的free block数量较小，磨损均衡保护能力较弱，当磨损不均衡时，随机写稳态时的free block数量较大，磨损均衡保护能力较强。即，以动态调整对block的保护能力，从而保障block的PE保持均衡，使得SSD的使用寿命最佳。
需要说明的是，基于上述实施例，本申请实施例还提供了相应的改进方案。在优选/改进实施例中涉及与上述实施例中相同步骤或相应步骤之间可相互参考，相应的有益效果也可相互参照，在本文的优选/改进实施例中不再一一赘述。
优选地，若采用动态变化的擦写阈值来选择加入自平衡二叉树中，则随着SSD的使用，擦写阈值会随之变化，这就可能导致原本加入自平衡二叉树不满足其擦写次数大于擦写阈值这一加入条件的block在自平衡二叉树，这就不利于对block进行擦写均衡保护。为解决这一问题，还可以对自平衡二叉树进行有效监控，并剔除不满足条件的block。具体的实现过程，包括：
步骤一、对平均擦写次数进行监测；
步骤二、在平均擦写次数变化后，利用平均擦写次数与差值上限之和更新擦写阈值；
步骤三、剔除自平衡二叉树中擦写次数小于擦写阈值的block。
为了便于说明，下面将上述三个步骤结合起来进行说明。
在各个block的平均擦写次数发生变化之后，由于平均擦写次数与差值上限的和便是擦写阈值。也就是说，平均擦写次数增大之后，擦写阈值也随之增大，如此，便可能导致原本加入自平衡二叉树的block不再符合加入条件。此时，可以直接剔除自平衡二叉树中擦写次数小于擦写阈值的block。
优选地，考虑到在实际应用中，数据读写请求对应的数据需要的block数量可能超出自平衡二叉树之外的空闲block的数量，在此情况下，可以继续从自平衡二叉树选择目标block，以满足数据写入需求。也就是说，在从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block，无法将数据写入请求对应的数据全部写入目标block的情况下，从自平衡二叉树中选出目标block；将未写完的数据写入从自平衡二叉树中选出目标block中。举例说明：当数据写入请求对应的数据需要5个空闲block来进行存储，但自平衡二叉树之外的空闲block仅3个，此时可以将这3个空闲block均确定为目标block，并继续从自平衡二叉树中再选出2个block作为目标block。最终由自平衡二叉树之外的3个目标block和自平衡二叉树中的2个目标block共同存储该数据写入请求对应的数据。
相应于上面的方法实施例，本申请实施例还提供了一种磨损均衡控制装置，下文描述的磨损均衡控制装置与上文描述的磨损均衡控制方法可相互对应参照。
参见图2所示，该装置包括以下模块：
Block添加模块101，用于从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将block加入自平衡二叉树；
判断模块102，用于接收数据写入请求后，判断在自平衡二叉树之外是否存在空闲block；
目标block挑选模块103，用于若在自平衡二叉树之外存在空闲block，则从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；若在自平衡二叉树之外不存在空闲block，则从自平衡二叉树中选出目标block；
数据写入模块104，用于将数据写入请求对应的数据写入目标block。
应用本申请实施例所提供的装置，从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将block加入自平衡二叉树；接收数据写入请求后，判断在自平衡二叉树之外是否存在空闲block；若是，则从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；若否，则从自平衡二叉树中选出目标block；将数据写入请求对应的数据写入目标block。
从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将该block加入自平衡二叉树。在接收到数据写入请求后，优先选择自平衡二叉树之外的空闲block。具体的，即首先判断在自平衡二叉树之外是否存在空闲block；如果存在，则从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；如果不存在，则再从自平衡二叉树中选出目标block。将数据写入请求对应的数据写入目标block中。如此，通过这种方式，SSD内部可以根据擦写阈值这一条件，自动控制稳态时的free block(空闲block)数量，动态调整对block磨损均衡的保护能力。即，如果SSD内部block磨损程度均衡，随机写稳态时的free block数量较小，磨损均衡保护能力较弱，当磨损不均衡时，随机写稳态时的free block数量较大，磨损均衡保护能力较强。即，以动态调整对block的保护能力，从而保障block的PE保持均衡，使得SSD的使用寿命最佳。
在本申请的一种具体实施方式中，Block添加模块101，具体用于判断自平衡二叉树的空闲block数量是否大于预设数量阈值；其中，预设数量阈值为根据磨损不均衡时所允许的最大性能下降而设置稳态空闲block的最大阈值；如果否，则将block直接添加至自平衡二叉树中；如果是，则在block的擦写次数大于自平衡二叉树中擦写次数最小的block的情况下，将自平衡二叉树中擦写次数最小的block替换为block。
在本申请的一种具体实施方式中，Block添加模块101，具体用于获取各个空闲block的擦写次数，各个block的平均擦写次数及预设的最大擦写次数与平均擦写次数的差值上限；将平均擦写次数与差值上限之和确定为擦写阈值；从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block。
在本申请的一种具体实施方式中，还包括：
自平衡二叉树监管模块，用于对平均擦写次数进行监测；在平均擦写次数变化后，利用平均擦写次数与差值上限之和更新擦写阈值；剔除自平衡二叉树中擦写次数小于擦写阈值的block。
在本申请的一种具体实施方式中，目标block挑选模块103，具体用于基于擦写次数对自平衡二叉树之外的空闲block进行排序；利用排序结果，选择擦写次数最小的空闲block，并确定为目标block。
在本申请的一种具体实施方式中，目标block挑选模块103，具体用于将自平衡二叉树左子叶节点确定为目标block；其中，自平衡二叉树基于擦写次数进行存放。
在本申请的一种具体实施方式中，还包括：
目标block跨树挑选模块，具体用于在从自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block，无法将数据写入请求对应的数据全部写入目标block的情况下，从自平衡二叉树中选出目标block；将未写完的数据写入从自平衡二叉树中选出目标block中。
相应于上面的方法实施例，本申请实施例还提供了一种电子设备，下文描述的一种电子设备与上文描述的一种磨损均衡控制方法可相互对应参照。
参见图3所示，该电子设备包括：
存储器332，用于存储计算机程序；
处理器322，用于执行计算机程序时实现上述方法实施例的磨损均衡控制方法的步骤。
具体的，请参考图4，图4为本实施例提供的一种电子设备的具体结构示意图，该电子设备可因配置或性能不同而产生比较大的差异，可以包括一个或一个以上处理器(central processing units，CPU)322(例如，一个或一个以上处理器)和存储器332，存储器332存储有一个或一个以上的计算机应用程序342或数据344。其中，存储器332可以是短暂存储或持久存储。存储在存储器332的程序可以包括一个或一个以上模块(图示没标出)，每个模块可以包括对数据处理设备中的一系列指令操作。更进一步地，中央处理器322可以设置为与存储器332通信，在电子设备301上执行存储器332中的一系列指令操作。
电子设备301还可以包括一个或一个以上电源326，一个或一个以上有线或无线网络接口350，一个或一个以上输入输出接口358，和/或，一个或一个以上操作系统341。
上文所描述的磨损均衡控制方法中的步骤可以由电子设备的结构实现。
相应于上面的方法实施例，本申请实施例还提供了一种可读存储介质，下文描述的一种可读存储介质与上文描述的一种磨损均衡控制方法可相互对应参照。
一种可读存储介质，可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述方法实施例的磨损均衡控制方法的步骤。
该可读存储介质具体可以为U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可存储程序代码的可读存储介质。
本领域技术人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

Claims (10)

1.一种磨损均衡控制方法，其特征在于，包括：
从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将所述block加入自平衡二叉树；
接收数据写入请求后，判断在所述自平衡二叉树之外是否存在空闲block；
若是，则从所述自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；
若否，则从所述自平衡二叉树中选出所述目标block；
将所述数据写入请求对应的数据写入所述目标block。
2.根据权利要求1所述的磨损均衡控制方法，其特征在于，将所述block加入自平衡二叉树，包括：
判断所述自平衡二叉树的空闲block数量是否大于预设数量阈值；其中，所述预设数量阈值为根据磨损不均衡时所允许的最大性能下降而设置稳态空闲block的最大阈值；
如果否，则将所述block直接添加至所述自平衡二叉树中；
如果是，则在所述block的擦写次数大于所述自平衡二叉树中擦写次数最小的block的情况下，将所述自平衡二叉树中擦写次数最小的block替换为所述block。
3.根据权利要求1所述的磨损均衡控制方法，其特征在于，所述从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，包括：
获取各个空闲block的擦写次数，各个block的平均擦写次数及预设的最大擦写次数与平均擦写次数的差值上限；
将所述平均擦写次数与所述差值上限之和确定为所述擦写阈值；
从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block。
4.根据权利要求3所述的磨损均衡控制方法，其特征在于，还包括：
对所述平均擦写次数进行监测；
在所述平均擦写次数变化后，利用所述平均擦写次数与所述差值上限之和更新所述擦写阈值；
剔除所述自平衡二叉树中擦写次数小于所述擦写阈值的block。
5.根据权利要求1所述的磨损均衡控制方法，其特征在于，从所述自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block，包括：
基于擦写次数对所述自平衡二叉树之外的空闲block进行排序；
利用排序结果，选择擦写次数最小的空闲block，并确定为所述目标block。
6.根据权利要求1所述的磨损均衡控制方法，其特征在于，从所述自平衡二叉树中选出所述目标block，包括：
将所述自平衡二叉树左子叶节点确定为所述目标block；其中，所述自平衡二叉树基于擦写次数进行存放。
7.根据权利要求1至6任一项所述的磨损均衡控制方法，其特征在于，还包括：
在从所述自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block，无法将所述数据写入请求对应的数据全部写入所述目标block的情况下，从所述自平衡二叉树中选出目标block；
将未写完的数据写入从所述自平衡二叉树中选出所述目标block中。
8.一种磨损均衡控制装置，其特征在于，包括：
Block添加模块，用于从空闲block中选出擦写次数大于擦写阈值的block，并将所述block加入自平衡二叉树；
判断模块，用于接收数据写入请求后，判断在所述自平衡二叉树之外是否存在空闲block；
目标block挑选模块，用于若在所述自平衡二叉树之外存在空闲block，则从所述自平衡二叉树之外的空闲block中选出目标block；若在所述自平衡二叉树之外不存在空闲block，则从所述自平衡二叉树中选出所述目标block；
数据写入模块，用于将所述数据写入请求对应的数据写入所述目标block。
9.一种电子设备，其特征在于，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述磨损均衡控制方法的步骤。
10.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述磨损均衡控制方法的步骤。
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