CN114385092B - 固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片，涉及固态硬盘技术领域。所述方法包括：在每次对闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，擦除参数包括擦除电流、擦除时间、Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；根据上一次擦除对应的擦除参数确定本次擦除Block的擦除电压，擦除电压大于预设电压阈值；基于擦除电压对Block进行本次擦除。本发明可在Block的损耗程度较大时采用较小的擦除电压，降低了擦除对Block造成的损耗，从而提高了闪存阵列的寿命。

Description

固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片
技术领域
本发明涉及固态硬盘技术领域，尤其涉及固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片。
背景技术
SSD（固态硬盘）由主控芯片和闪存介质组成，SSD一般采用NAND Flash（NAND型闪存存储器芯片）作为主要的闪存介质。NAND Flash的基本操作包括Read（读）、Program（写）、Erase（擦除），Read和Program均以page（页）为单位，而Erase则以Block（块）为单位，一般一个Block里包含多个Page。对NAND Flash中的数据进行更新、改写时，新数据无法直接program至旧数据所在的Block地址空间中，只能把新数据先写入其他空闲的Block地址空间，再对旧数据所在的Block地址空间执行erase操作，对Block进行Erase之后方可用于后续的数据编程写入。
定义1次Program和Erase操作为1个P/E cycle（循环），NAND Flash在其寿命期限内可以承受的总P/E cycle次数称为endurance（耐久性）。Block的损耗会随着cycle次数的增加而加深，Block会逐渐老化，NAND Flash寿命逐渐降低。在SSD设计中，希望降低Erase对固态硬盘闪存阵列造成的损耗，从而降低Erase对存储器寿命的影响，公开专利CN105788637A、CN108154899A、CN110838329A、CN113488096A、CN103632725A虽然均提供了对闪存阵列进行擦除的方法，但均未给出降低擦除操作对固态硬盘闪存阵列造成的损耗的解决方案。
发明内容
本发明通过提供固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片，解决了如何降低擦除操作对固态硬盘闪存阵列造成的损耗的技术问题。
一方面，本发明实施例提供如下技术方案：
一种固态硬盘闪存阵列的擦除方法，包括：
在每次对所述闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，所述擦除参数包括擦除电流、擦除时间、所述Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；
根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压，所述擦除电压大于预设电压阈值；
基于所述擦除电压对所述Block进行本次擦除。
优选的，所述根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压，包括：
获取所述擦除参数对应的所述闪存阵列的参数标定最大值；
根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值，确定本次擦除所述Block的所述擦除电压。
优选的，所述擦除参数包括第一擦除参数和第二擦除参数；
所述根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值，确定本次擦除所述Block的所述擦除电压，包括：
若第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第一电压；
若满足以下条件之一：第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半；第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第二电压；
若第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第三电压；
所述第一电压、所述第二电压、所述第三电压依次减小。
优选的，所述根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压，包括：
根据上一次擦除对应的所述擦除参数计算上一次擦除后所述Block的损耗系数；
根据上一次擦除后所述Block的所述损耗系数确定本次擦除所述Block的所述擦除电压。
另一方面，本发明实施例还提供如下技术方案：
一种固态硬盘主控芯片，包括：
擦除参数获取模块，用于在每次对闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，所述擦除参数包括擦除电流、擦除时间、所述Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；
擦除电压确定模块，用于根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压，所述擦除电压大于预设电压阈值；
Block擦除模块，用于基于所述擦除电压对所述Block进行本次擦除。
优选的，所述擦除电压确定模块，还用于：
获取所述擦除参数对应的所述闪存阵列的参数标定最大值；
根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值，确定本次擦除所述Block的所述擦除电压。
优选的，所述擦除参数包括第一擦除参数和第二擦除参数；
所述擦除电压确定模块，还用于：
若第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第一电压；
若满足以下条件之一：第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半；第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第二电压；
若第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第三电压；
所述第一电压、所述第二电压、所述第三电压依次减小。
优选的，所述擦除电压确定模块，还用于：
根据上一次擦除对应的所述擦除参数计算上一次擦除后所述Block的损耗系数；
根据上一次擦除后所述Block的所述损耗系数确定本次擦除所述Block的所述擦除电压。
另一方面，本发明实施例还提供如下技术方案：
一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述固态硬盘闪存阵列的擦除方法。
另一方面，本发明实施例还提供如下技术方案：
一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述固态硬盘闪存阵列的擦除方法。
本发明提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本发明在每次对闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，根据上一次擦除对应的擦除参数确定本次擦除Block的擦除电压，基于擦除电压对Block进行本次擦除，擦除参数越大、擦除电压越小，从而对Block的擦除深度越低，可在Block的损耗程度较大时采用较小的擦除电压，降低了擦除对Block造成的损耗，从而提高了闪存阵列的寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中固态硬盘闪存阵列的擦除方法的流程图；
图2为本发明实施例中固态硬盘主控芯片的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例通过提供固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片，解决了如何降低擦除操作对固态硬盘闪存阵列造成的损耗的技术问题。
为了更好的理解本发明的技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对本发明的技术方案进行详细的说明。
首先说明，本文中出现的术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
如图1所示，本实施例的固态硬盘闪存阵列的擦除方法，包括：
步骤S1，在每次对闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，擦除参数包括擦除电流、擦除时间、Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；
步骤S2，根据上一次擦除对应的擦除参数确定本次擦除Block的擦除电压，擦除电压大于预设电压阈值；
步骤S3，基于擦除电压对Block进行本次擦除。
步骤S1中，闪存阵列为NAND Flash。固态硬盘主控芯片在进行垃圾回收（GC，Garbage Collection）等行为时涉及Block的擦除操作，在每次擦除完后，Block已经经历过的总cycle次数加1。擦除参数可包括擦除电流、擦除时间、Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种。一般而言，NAND Flash已经经历过的总cycle次数越多，各个Block会逐渐损耗，随着损耗的加深，每次擦除Block的擦除电流会越来越大、擦除时间会越来越长。因此，擦除电流、擦除时间、Block已经经历过的总cycle次数可以反映Block的损耗程度，Block的损耗程度越大，可采用较小的擦除电压进行擦除操作，即以较低的擦除深度擦除，降低擦除对Block造成的损耗。
步骤S2中，预设电压阈值为保证Block擦除完成的最小电压，即在Block的损耗程度最大时也能保证Block擦除完成的最小电压。本实施例提供两种思路来确定擦除电压。
第一种思路，步骤S2包括：
获取擦除参数对应的闪存阵列的参数标定最大值；
根据上一次擦除对应的擦除参数、擦除参数对应的参数标定最大值，确定本次擦除Block的擦除电压。
其中，擦除参数包括擦除电流时，擦除电流对应的参数标定最大值为NAND Flash芯片手册中标定的擦除电流最大值；擦除参数包括擦除时间时，擦除时间对应的参数标定最大值为NAND Flash芯片手册中标定的擦除时间最大值；擦除参数包括Block已经经历过的总cycle次数时，总cycle次数对应的参数标定最大值为NAND Flash芯片手册中标定的endurance值。如某款芯片手册中擦除电流最大值为15mA、擦除时间最大值为3ms、endurance值为10万次。
本实施例以擦除参数包括擦除电流、擦除时间、Block已经经历过的总cycle次数中的任意两种，对步骤S2的第一种思路进行举例。
例如：擦除参数包括第一擦除参数和第二擦除参数，第一擦除参数和第二擦除参数的组合可以为：第一擦除参数为擦除电流、第二擦除参数为擦除时间；第一擦除参数为擦除电流、第二擦除参数为Block已经经历过的总cycle次数；第一擦除参数为擦除时间、第二擦除参数为Block已经经历过的总cycle次数；
步骤S2中，根据上一次擦除对应的擦除参数、擦除参数对应的参数标定最大值，确定本次擦除Block的擦除电压，包括：
若第一擦除参数低于第一擦除参数对应的参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的参数标定最大值的一半，则将擦除电压确定为第一电压；此时认为Block的损耗程度较轻；
若满足以下条件之一：第一擦除参数低于第一擦除参数对应的参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的参数标定最大值的一半；第一擦除参数高于第一擦除参数对应的参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的参数标定最大值的一半，则将擦除电压确定为第二电压；此时认为Block的损耗程度中等；
若第一擦除参数高于第一擦除参数对应的参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的参数标定最大值的一半，则将擦除电压确定为第三电压；此时认为Block的损耗程度严重；
第一电压、第二电压、第三电压依次减小。
假设第一擦除参数和第二擦除参数的组合为第一擦除参数为擦除时间、第二擦除参数为Block已经经历过的总cycle次数，以某款芯片手册中擦除时间最大值为3ms、endurance值为10万次为例，上述举例中，若某次擦除某Block的擦除时间低于1.5ms且该Block已进行过的总P/E cycle次数低于5万次，则将下一次擦除该Block的擦除电压确定为第一电压；若某次擦除某Block的擦除时间低于1.5ms且该Block已进行过的总P/E cycle次数高于5万次，或某次擦除某Block的擦除时间高于1.5ms且该Block已进行过的总P/Ecycle次数低于5万次，则将下一次擦除该Block的擦除电压确定为第二电压；若某次擦除某Block的擦除时间高于1.5ms且该Block已进行过的总P/E cycle次数高于5万次，则将下一次擦除该Block的擦除电压确定为第三电压。这样相当于在Block的损耗程度越大时采用越小的擦除电压进行擦除，可降低擦除对Block造成的损耗。
上述举例中按照参数标定最大值的一半将Block的损耗程度分为三个档次。容易想到，第一种思路中，还可以将参数标定最大值分为多个档次，从而将Block的损耗程度分为多个档次。
第一种思路为直接通过上一次擦除对应的擦除参数确定下一次擦除Block的擦除电压，这样需要每次擦除完后存储擦除参数，若擦除参数不止一个，会占用较多的存储空间。
第二种思路，步骤S2包括：
根据上一次擦除对应的擦除参数计算上一次擦除后Block的损耗系数；
根据上一次擦除后Block的损耗系数确定本次擦除Block的擦除电压。
具体的，可为每一种擦除参数预先设定权重，然后计算所有擦除参数的加权和得到损耗系数；例如擦除参数为擦除时间，权重设为0.5，某次擦除对应的擦除时间为1.5ms，则此次擦除后Block的损耗系数为0.75，下一次擦除对应的擦除时间为2ms，则下一次擦除后Block的损耗系数为1；擦除参数包括擦除时间和Block已经经历过的总cycle次数，擦除时间和总cycle次数对应的权重分别为0.8/0.2，某次擦除对应的擦除时间为1.5ms、总cycle次数为5万次，则此次擦除后Block的损耗系数为2.2；等等。根据上一次擦除后Block的损耗系数确定本次擦除Block的擦除电压的思路为：损耗系数越大、擦除电压越小。第二种思路同样可以在Block的损耗程度越大时采用越小的擦除电压进行擦除，可降低擦除对Block造成的损耗。
第二种思路在每次擦除后先计算损耗系数，仅需存储损耗系数，可降低占用的存储空间。
由上文可知，本实施例根据上一次擦除对应的擦除参数确定本次擦除Block的擦除电压，基于擦除电压对Block进行本次擦除，擦除参数越大、擦除电压越小，从而对Block的擦除深度越低，可在Block的损耗程度较大时采用较小的擦除电压，降低了擦除对Block造成的损耗，从而提高了闪存阵列的寿命。
传统的擦除方法中，NAND Flash里的各个Block的性能退化速度是有区别的，每个Block的老化速度并不一致，当SSD进入寿命末期时，就有可能出现“一部分Block已经彻底报废、无法使用，但其他Block仍可用”的情况，导致SSD的有效容量减小。而本实施例中，当Block的损耗程度较大时，Block的擦除电压会较小，对Block造成的损耗较小，从而降低了Block的老化速度；当Block的损耗程度较小时，Block的擦除电压较大，对Block造成的损耗较大，Block的老化速度较快；这样所有Block的损耗程度会逐渐趋于接近，解决了NANDFlash中Block老化速度不一致的问题，Block的磨损速度更加均匀，实现了更好的磨损均衡。
如图2所示，本实施例还提供一种固态硬盘主控芯片，包括：
擦除参数获取模块，用于在每次对闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，擦除参数包括擦除电流、擦除时间、Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；
擦除电压确定模块，用于根据上一次擦除对应的擦除参数确定本次擦除Block的擦除电压，擦除电压大于预设电压阈值；
Block擦除模块，用于基于擦除电压对Block进行本次擦除。
本实施例的主控芯片根据上一次擦除对应的擦除参数确定本次擦除Block的擦除电压，基于擦除电压对Block进行本次擦除，擦除参数越大、擦除电压越小，从而对Block的擦除深度越低，可在Block的损耗程度较大时采用较小的擦除电压，降低了擦除对Block造成的损耗，从而提高了闪存阵列的寿命。
其中，擦除电压确定模块，还用于：
获取擦除参数对应的闪存阵列的参数标定最大值；
根据上一次擦除对应的擦除参数、擦除参数对应的参数标定最大值，确定本次擦除Block的擦除电压。
其中，擦除参数包括第一擦除参数和第二擦除参数；
擦除电压确定模块，还用于：
若第一擦除参数低于第一擦除参数对应的参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的参数标定最大值的一半，则将擦除电压确定为第一电压；
若满足以下条件之一：第一擦除参数低于第一擦除参数对应的参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的参数标定最大值的一半；第一擦除参数高于第一擦除参数对应的参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的参数标定最大值的一半，则将擦除电压确定为第二电压；
若第一擦除参数高于第一擦除参数对应的参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的参数标定最大值的一半，则将擦除电压确定为第三电压；
第一电压、第二电压、第三电压依次减小。
这样相当于在Block的损耗程度越大时采用越小的擦除电压进行擦除，可降低擦除对Block造成的损耗。
其中，擦除电压确定模块，还用于：
根据上一次擦除对应的擦除参数计算上一次擦除后Block的损耗系数；
根据上一次擦除后Block的损耗系数确定本次擦除Block的擦除电压。
根据上一次擦除后Block的损耗系数确定本次擦除Block的擦除电压的思路为：损耗系数越大、擦除电压越小。这样可以在Block的损耗程度越大时采用越小的擦除电压进行擦除，可降低擦除对Block造成的损耗。
基于与前文所述的固态硬盘闪存阵列的擦除方法同样的发明构思，本实施例还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现前文所述的固态硬盘闪存阵列的擦除方法的任一方法的步骤。
其中，总线架构（用总线来代表），总线可以包括任意数量的互联的总线和桥，总线将包括由处理器代表的一个或多个处理器和存储器代表的存储器的各种电路链接在一起。总线还可以将诸如外围设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路链接在一起，这些都是本领域所公知的，因此，本文不再对其进行进一步描述。总线接口在总线和接收器和发送器之间提供接口。接收器和发送器可以是同一个元件，即收发机，提供用于在传输介质上与各种其他装置通信的单元。处理器负责管理总线和通常的处理，而存储器可以被用于存储处理器在执行操作时所使用的数据。
由于本实施例所介绍的电子设备为实施本发明实施例中固态硬盘闪存阵列的擦除方法所采用的电子设备，故而基于本发明实施例中所介绍的固态硬盘闪存阵列的擦除方法，本领域所属技术人员能够了解本实施例的电子设备的具体实施方式以及其各种变化形式，所以在此对于该电子设备如何实现本发明实施例中的方法不再详细介绍。只要本领域所属技术人员实施本发明实施例中固态硬盘闪存阵列的擦除方法所采用的电子设备，都属于本发明所欲保护的范围。
基于与上述固态硬盘闪存阵列的擦除方法同样的发明构思，本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序在被处理器执行时实现上述任一固态硬盘闪存阵列的擦除方法。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备（系统）、和计算机程序产品的流程图和／或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和／或方框图中的每一流程和／或方框、以及流程图和／或方框图中的流程和／或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (4)

1.一种固态硬盘闪存阵列的擦除方法，其特征在于，包括：
在每次对所述闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，所述擦除参数包括擦除电流、擦除时间、所述Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；
根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压，所述擦除电压大于预设电压阈值；
基于所述擦除电压对所述Block进行本次擦除；
其中，所述根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压，包括：获取所述擦除参数对应的所述闪存阵列的参数标定最大值；根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值，确定本次擦除所述Block的所述擦除电压；
其中，所述擦除参数包括第一擦除参数和第二擦除参数；所述根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值，确定本次擦除所述Block的所述擦除电压，包括：若第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第一电压；若满足以下条件之一：第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半；第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第二电压；若第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第三电压；所述第一电压、所述第二电压、所述第三电压依次减小。
2.一种固态硬盘主控芯片，其特征在于，包括：
擦除参数获取模块，用于在每次对闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，所述擦除参数包括擦除电流、擦除时间、所述Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；
擦除电压确定模块，用于根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压，所述擦除电压大于预设电压阈值；
Block擦除模块，用于基于所述擦除电压对所述Block进行本次擦除；
其中，所述擦除电压确定模块，还用于：获取所述擦除参数对应的所述闪存阵列的参数标定最大值；根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值，确定本次擦除所述Block的所述擦除电压；
其中，所述擦除参数包括第一擦除参数和第二擦除参数；所述擦除电压确定模块，还用于：若第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第一电压；若满足以下条件之一：第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半；第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第二电压；若第一擦除参数高于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数高于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第三电压；所述第一电压、所述第二电压、所述第三电压依次减小。
3.一种电子设备，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1所述的固态硬盘闪存阵列的擦除方法。
4.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1所述的固态硬盘闪存阵列的擦除方法。
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