CN113687550B - 阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开一种阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置。在一具体实施方式中，用于电子纸显示装置的阵列基板包括位于衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域，至少部分所述像素区域包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线，所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线。该实施方式可降低存储电容的漏电速度，从而增加像素电极电压保持稳定的能力。

Description

阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置。

背景技术

电子纸显示屏，由于具有低功耗、可折叠弯曲、画面显示细腻和可视角度宽等特点而得到了快速发展。电子纸显示屏通过反射环境光线达到可视效果。

现有技术的电子纸显示屏的阵列基板中，每个像素结构均包括数据线、栅线和像素电极，所述数据线和所述栅线的交叉部分处形成有薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅极连接所述栅线，薄膜晶体管的源极连接所述数据线，薄膜晶体管的漏极连接所述像素电极。

现有技术的像素结构和公共电极所构成的结构为：像素电极包括栅线和数据线，薄膜晶体管所连接的像素电极和公共电极之间形成存储电容，当栅极电压正常打开时，栅极高电平将薄膜晶体管打开，电流经过数据线流向薄膜晶体管和像素电极；当栅极电压关闭时，薄膜晶体管的源极没有电压，漏极电压保持，此时薄膜晶体管的源极与漏极之间存在较大电压差，薄膜晶体管的漏电流较大，导致像素放电时残留的直流分量增加而引起存储电容电荷流失，像素电极电压出现衰减。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：

本发明第一方面提供了一种阵列基板，用于电子纸显示装置，所述阵列基板包括位于衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域，

至少部分所述像素区域包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线，所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线；

其中，所述第一像素电极、所述公共电极和所述第二像素电极依次层叠设置在所述衬底上，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影分别与所述公共电极在所述衬底上的正投影和所述第一像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域，所述第二像素电极与所述公共电极形成存储电容，所述公共电极与所述第一像素电极形成补偿电容。

本发明第一方面提供的阵列基板通过形成第一像素电极、公共电极和第二像素电极，既使得第二像素电极与公共电极形成存储电容，公共电极与第一像素电极形成补偿电容，可降低存储电容的漏电速度，从而增加像素电极电压保持稳定的能力；同时，第二像素电极在衬底上的正投影分别与公共电极在衬底上的正投影和第一像素电极在衬底上的正投影存在交叠区域，可使得存储电容与补偿电容叠层设计，不占用额外平面空间，适用于高PPI产品。

可选地，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述公共电极在所述衬底上的正投影，且所述第二像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述第一像素电极在所述衬底上的正投影。

此可选方式，可使得存储电容与补偿电容实现全重叠叠层设计，且存储电容和补偿电容的面积较大，补偿电容面积越大对漏电流的抑制效果越好，从而使得像素电极电压保持稳定的能力更好。

可选地，所述第一像素电极、所述第一薄膜晶体管的第一极、所述第二薄膜晶体管的第二极以及所述数据线同层设置，其中所述第一像素电极包括电极板形成部以及延伸部，所述延伸部延伸到所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极之间，被复用为所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极。

此可选方式，可实现第一像素电极是与数据线、第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极位于同一层，能够充分利用该层的空间，不占用额外平面空间，适用于高PPI产品。

可选地，所述阵列基板还包括：设置在所述第一像素电极所在层上方的第一绝缘层，其中所述公共电极、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述栅线同层设置在所述第一绝缘层上方。

此可选方式，可实现将第一像素电极所在层和公共电极所在层通过第一绝缘层隔开。

可选地，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极为同一栅极金属，其中所述栅极金属在所述衬底上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的沟道区和第二薄膜晶体管的沟道区在所述衬底上的正投影。

此可选方式，可将第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极设置在同一个区域内，并由栅线同时控制第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极进行打开或关断，控制方式容易实现。

可选地，所述阵列基板还包括：设置在所述公共电极所在层上方的第二绝缘层，其中所述第二像素电极设置在所述第二绝缘层上方。

此可选方式，可实现将第二像素电极所在层和公共电极所在层通过第二绝缘层隔开。

可选地，所述阵列基板还包括：形成在所述第二绝缘层中的过孔，其中所述第二像素电极通过所述过孔连接所述第二薄膜晶体管的第一极。

此可选方式，可实现将第二像素电极通过第二绝缘层中的过孔再经第一绝缘层连接到第二薄膜晶体管的源极。

本发明第二方面提供一种电子纸显示装置，包括如本发明第一方面所述的阵列基板。

本发明第三方面提供一种用于电子纸显示装置的阵列基板的制备方法，包括：

在衬底上形成交叉限定出多个像素区域的栅线和数据线，以及至少部分像素区域中的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极；其中，

所述至少部分像素区域被形成为包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线，所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线；

其中，所述第一像素电极、所述公共电极和所述第二像素电极依次层叠设置在所述衬底上，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影分别与所述公共电极在所述衬底上的正投影和所述第一像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域，所述第二像素电极与所述公共电极形成存储电容，所述公共电极与所述第一像素电极形成补偿电容。

可选地，所述在所述衬底上形成交叉限定出多个像素区域栅线和数据线，以及至少部分像素区域中的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极包括：

利用一次构图工艺，在衬底上形成第一像素电极、第一薄膜晶体管的第一极和第二极、第二薄膜晶体管的第一极和第二极、数据线，其中所述第一像素电极包括电极板形成部以及延伸部，所述延伸部延伸到所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极之间，被复用为所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极；

形成覆盖所述第一像素电极、所述第一薄膜晶体管的第一极和第二极、所述第二薄膜晶体管的第一极和第二极、所述数据线的第一绝缘层；

利用一次构图工艺，在所述第一绝缘层上形成公共电极、第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、栅线；

形成覆盖所述公共电极、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极、所述栅线的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层开设过孔；

在所述第二绝缘层上形成通过所述过孔连接所述第二薄膜晶体管的第一极的第二像素电极。

本发明的有益效果如下：

针对目前现有技术中存在的技术问题，本发明提供一种阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置，该阵列基板通过形成第一像素电极、公共电极和第二像素电极，使得第二像素电极与公共电极形成存储电容，公共电极与第一像素电极形成补偿电容，可降低存储电容的漏电速度，从而增加像素电极电压保持稳定的能力；同时，第二像素电极在衬底上的正投影分别与公共电极在衬底上的正投影和第一像素电极在衬底上的正投影存在交叠区域，可使得存储电容与补偿电容叠层设计，不占用额外平面空间，适用于高PPI产品。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出本发明的一个实施例的用于电子纸显示装置的阵列基板的制备方法流程图。

图2-图4分别示出本发明的一个实施例的部分制作流程主要步骤对应的示意图。

图5示出本发明的一个实施例的像素的示意图。

图6示出本发明的一个实施例的沿图5的A-A’线的截面示意图。

图7示出本发明的一个实施例的用于电子纸显示装置的阵列基板的等效电路图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明，下面结合实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。

本发明中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。

需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而，例如，下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本发明的教导。

在本发明中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成，从而可以简化显示基板的制备工艺。

在本发明中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。

电子纸显示屏，由于具有低功耗、可折叠弯曲、画面显示细腻和可视角度宽等特点而得到了快速发展。电子纸显示屏通过反射环境光线达到可视效果。

现有技术的电子纸显示屏的阵列基板中，每个像素结构均包括数据线、栅线和像素电极，所述数据线和所述栅线的交叉部分处形成有薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅极连接所述栅线，薄膜晶体管的源极连接所述数据线，薄膜晶体管的漏极连接所述像素电极。

现有技术的像素结构和公共电极所构成的结构为：像素电极包括栅线和数据线，薄膜晶体管所连接的像素电极和公共电极之间形成存储电容，当栅极电压正常打开时，栅极高电平将薄膜晶体管打开，电流经过数据线流向薄膜晶体管和像素电极；当栅极电压关闭时，薄膜晶体管的源极没有电压，漏极电压保持，此时薄膜晶体管的源极与漏极之间存在较大电压差，薄膜晶体管的漏电流较大，导致像素放电时残留的直流分量增加而引起存储电容电荷流失，像素电极电压出现衰减，导致电子纸显示屏在显示时出现闪烁、残像等现象。

为解决现有技术中存在的技术问题，参考图1所示的方法流程图以及图2-图5所示的结构示意图，来对本发明的实施例提供的一种用于电子纸显示装置的阵列基板的制备方法和结构进行说明。

在如图1所示的具体示例中，该制备方法包括：

S101、利用一次构图工艺，在衬底上形成第一像素电极5、第一薄膜晶体管TFT1的源极81和漏极82、第二薄膜晶体管TFT2的漏极91和源极92、数据线2，其中所述第一像素电极5包括电极板形成部51以及延伸部52，所述延伸部52延伸到所述第一薄膜晶体管的漏极82和所述第二薄膜晶体管的漏极91之间，被复用为所述第一薄膜晶体管的源极81和所述第二薄膜晶体管的源极92，如图2和6所示。

S102、形成覆盖所述第一像素电极5、所述第一薄膜晶体管TFT1的源极81和漏极82、第二薄膜晶体管TFT2的漏极91和源极92、所述数据线2的第一绝缘层41，如图6所示。

其中，第一绝缘层41可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。

S103、利用一次构图工艺，在所述第一绝缘层41上形成公共电极6、第一薄膜晶体管TFT1的栅极83、第二薄膜晶体管TFT2的栅极93和栅线1，其中，栅极83和栅极93为同一金属制成，如图3所示。其中栅极金属在所述衬底上的正投影覆盖第一薄膜晶体管TFT1的沟道区和第二薄膜晶体管TFT2的沟道区在衬底上的正投影。

其中，栅极材料可以包括铝、钛、钴等金属材料。

此实现方式，可将第一薄膜晶体管TFT1的栅极83和第二薄膜晶体管TFT2的栅极93设置在同一个区域内，并由栅线1同时控制第一薄膜晶体管TFT1的栅极8和第二薄膜晶体管TFT2的栅极93进行打开或关断，控制方式容易实现，并且节省了工艺。

然而，本领域技术人员能够理解，第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极可以分开形成，二者均与同一条连接栅线电性连接，由栅线同时控制第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极进行打开或关断。

S104、形成覆盖所述公共电极6、第一薄膜晶体管TFT1的栅极83、第二薄膜晶体管TFT2的栅极93和栅线1的第二绝缘层42，如图6所示。

其中，第二绝缘层42可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。

S105、在所述第二绝缘层42和所述第一绝缘层41开设过孔3，如图5和图6所示。

S106、在所述第二绝缘层42上形成通过所述过孔3连接所述第二薄膜晶体管TFT2的源极92的第二像素电极7，如图4和6所示。

其中，图5示出通过上述示例性方法得到的阵列基板的结构俯视图，图6为沿图5中AA’线的截面图。

上述示例性方法得到的阵列基板包括位于衬底(图中未示出)上的栅线1和数据线2，栅线1和数据线2交叉限定出多个像素区域。

其中，示例性的，每个像素区域包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2、第一像素电极5、公共电极6和第二像素电极7。

第一像素电极5、公共电极6和第二像素电极7依次层叠设置在衬底上，即第一像素电极5所在的层位于底层，公共电极6所在的层位于中间层，第二像素电极7所在的层位于面层。在底层上方设置有第一绝缘层41，将底层和中间层用第一绝缘层隔开，在中间层上方设置有第二绝缘层42，将中间层和面层用第二绝缘层隔开。其中，第一绝缘层和第二绝缘层均可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。

在一个具体示例中，第一像素电极5和公共电极6采用金属电极材料制作，以实现分别与第一薄膜晶体管TFT1的源极81和漏极82、第二薄膜晶体管TFT2的漏极91和源极92、数据线2利用一次构图工艺制备及与第一薄膜晶体管TFT1的栅极83、第二薄膜晶体管TFT2的栅极93和栅线1利用一次构图工艺制备。第二像素电极7既可以采用金属电极材料制作，也可以采用透明的ITO(IndiumTinOxide，掺锡氧化铟)电极材料制作。

第二像素电极7在衬底上的正投影分别与公共电极6在衬底上的正投影和第一像素电极5在衬底上的正投影存在交叠区域，第二像素电极7与公共电极6形成存储电容C2，公共电极6与第一像素电极5形成补偿电容C1。其中，存储电容C2用来保持电子纸显示装置像素电极的电压，以保证电子纸显示装置能够长时间维持显示画面。

在一个具体示例中，如图5和6所示，第二像素电极7在衬底上的正投影分别与公共电极6在衬底上的正投影和第一像素电极5在衬底上的正投影存在交叠部分，且第一像素电极5在衬底上的正投影与公共电极6在衬底上的正投影也存在交叠部分，即本实施例中第二像素电极7、公共电极6与第一像素电极5这三个电极在衬底上的正投影存在交叠。

本实施例通过形成第一像素电极、公共电极和第二像素电极，既使得第二像素电极与公共电极形成存储电容，公共电极与第一像素电极形成补偿电容，可降低存储电容的漏电速度，从而增加像素电极电压保持稳定的能力；同时，第二像素电极在衬底上的正投影分别与公共电极在衬底上的正投影和第一像素电极在衬底上的正投影存在交叠区域，可使得存储电容与补偿电容部分交叠设计，不占用较大的额外平面空间。

在一种更优选地实现方式中，第二像素电极7在衬底上的正投影覆盖公共电极6在所衬底上的正投影，且第二像素电极7在衬底上的正投影覆盖第一像素电极5(包括51和52)在衬底上的正投影。在一个具体示例中，如图6所示，第二像素电极7的面积微大于第一像素电极5的面积，且第二像素电极7的面积微大于公共电极6的面积，第一像素电极5和公共电极6的面积接近第二像素电极7的面积。

此实现方式，可实现存储电容与补偿电容层叠设计，且形成的存储电容和补偿电容的面积较大，补偿电容面积越大对漏电流的抑制效果越好，从而使得像素电极电压保持稳定的能力更好。

本实施例中，第一薄膜晶体管TFT1、第一像素电极5和第二薄膜晶体管TFT2串联于数据线2和第二像素电极7之间，第一像素电极5和第二像素电极7之间设置有公共电极6。第一像素电极5与公共电极6之间形成一补偿电容C1，第二像素电极7和公共电极6之间形成一存储电容C2。

具体连接方式可以参考如下说明：第一薄膜晶体管TFT1的源极81与数据线2电性连接，第一薄膜晶体管TFT1的漏极82和第二薄膜晶体管TFT2的漏极91均与所述第一像素电极5电性连接，第二薄膜晶体管TFT2的源极92与第二像素电极7电性连接，第一薄膜晶体管TFT1的栅极83和第二薄膜晶体管TFT2的栅极93均与栅线1电性连接。

在一种可能的实现方式中，如图2、5和6所示，第一像素电极5、第一薄膜晶体管TFT1的源极81和漏极82、第二薄膜晶体管TFT2的漏极91和源极92以及数据线2同层设置，其中，第一像素电极5包括电极板形成部51以及延伸部52，延伸部52延伸到第一薄膜晶体管TFT1的漏极82和第二薄膜晶体管TFT2的漏极91之间，被复用为第一薄膜晶体管TFT1的源极81和第二薄膜晶体管TFT2的漏极91。

此实现方式，可实现第一像素电极是与数据线、第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极位于同一层，充分利用该层的空间，不占用额外平面空间，适用于高PPI产品。

在一个具体示例中，公共电极6、第一薄膜晶体管TFT1的栅极、第二薄膜晶体管TFT2的栅极以及栅线1同层设置在第一绝缘层上方。

在一个具体示例中，第二像素电极7设置在第二绝缘层上方，在第二绝缘层和第一绝缘层开设过孔，第二像素电极7通过过孔连接与第一像素电极5同层设置的第二薄膜晶体管TFT2的源极。

根据本发明实施例的阵列基板等等效电路如图7所示。像素工作时，栅极高电平将第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2打开，同时为补偿电容C1和存储电容C2充电，充满状态下第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2电压相同，此时第二薄膜晶体管TFT2的源极和漏极之间的电压差为零；栅极电压关闭时，第一薄膜晶体管TFT1的源极和漏极之间存在较大的电压差下，补偿电容C1通过第一薄膜晶体管TFT1的漏电流流失，第二薄膜晶体管TFT2的源极和漏极之间的电压差由零开始变为大于零的电压差，但因为补偿电容C1的作用，第二薄膜晶体管TFT2的源极和漏极之间的电压差远小于第一薄膜晶体管TFT1的源极和漏极之间的电压差，第二像素电极7与第二薄膜晶体管TFT2的漏极之间的压差小，能有效减小第二薄膜晶体管TFT2漏电流，在减小漏电流的基础上能够保持第二像素电极7的电压，从而减少电子纸显示屏在显示时出现闪烁、残像等现象。

需要说明的是，本实施例中的第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以均为N型薄膜晶体管，也可以均为P型薄膜晶体管，或者其一为N型薄膜晶体管，另一为P型薄膜晶体管。从简化制备工艺方面考量，优选第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2均为N型薄膜晶体管或者均为P型薄膜晶体管。

本发明的另一个实施例提供了一种电子纸显示装置，包括如上述实施例中所提供的阵列基板。其中，电子纸显示装置以各种具有双稳态特性的反射式显示技术为主，常见的类型包括电泳显示、旋转球显示、双稳态液晶、电湿润显示和快速应答电子粉流体显示。

电子纸主要由面层、底层以及中间层构成，中间层内有数万个微小的油墨粒子，这些油墨粒子分布在透明的基液中形成悬浮体系，每一个油墨粒子直径约为100μm，且表面易吸附电荷，这些能够感应电荷的微粒可以在外加电场的作用下运动。

电子纸显示装置可以为Kindle电子书、墨水屏电子书等任何具有显示功能的产品或部件，本实施例对此不做限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

还需要说明的是，在本发明的描述中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (9)

1.一种阵列基板，用于电子纸显示装置，所述阵列基板包括位于衬底上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域，其特征在于，

至少部分所述像素区域包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线，所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线；

其中，所述第一像素电极、所述公共电极和所述第二像素电极依次层叠设置在所述衬底上，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影分别与所述公共电极在所述衬底上的正投影和所述第一像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域，所述第二像素电极与所述公共电极形成存储电容，所述公共电极与所述第一像素电极形成补偿电容；

所述第一像素电极、所述第一薄膜晶体管的第一极、所述第二薄膜晶体管的第二极以及所述数据线同层设置，其中所述第一像素电极包括电极板形成部以及延伸部，所述延伸部延伸到所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极之间，被复用为所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述公共电极在所述衬底上的正投影，且所述第二像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述第一像素电极在所述衬底上的正投影。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述第一像素电极所在层上方的第一绝缘层，其中所述公共电极、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述栅线同层设置在所述第一绝缘层上方。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极为同一栅极金属，其中所述栅极金属在所述衬底上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的沟道区和第二薄膜晶体管的沟道区在所述衬底上的正投影。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述公共电极所在层上方的第二绝缘层，其中所述第二像素电极设置在所述第二绝缘层上方。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：形成在所述第二绝缘层中的过孔，其中所述第二像素电极通过所述过孔连接所述第二薄膜晶体管的第一极。

7.一种电子纸显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。

8.一种用于电子纸显示装置的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成交叉限定出多个像素区域的栅线和数据线，以及至少部分像素区域中的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极；其中，

所述至少部分像素区域被形成为包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线，所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线；

其中，所述第一像素电极、所述公共电极和所述第二像素电极依次层叠设置在所述衬底上，所述第二像素电极在所述衬底上的正投影分别与所述公共电极在所述衬底上的正投影和所述第一像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域，所述第二像素电极与所述公共电极形成存储电容，所述公共电极与所述第一像素电极形成补偿电容；

所述在所述衬底上形成交叉限定出多个像素区域栅线和数据线，以及至少部分像素区域中的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极包括：

利用一次构图工艺，在衬底上形成第一像素电极、第一薄膜晶体管的第一极和第二极、第二薄膜晶体管的第一极和第二极、数据线，其中所述第一像素电极包括电极板形成部以及延伸部，所述延伸部延伸到所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极之间，被复用为所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

形成覆盖所述第一像素电极、所述第一薄膜晶体管的第一极和第二极、所述第二薄膜晶体管的第一极和第二极、所述数据线的第一绝缘层；

利用一次构图工艺，在所述第一绝缘层上形成公共电极、第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、栅线；

形成覆盖所述公共电极、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极、所述栅线的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层开设过孔；

在所述第二绝缘层上形成通过所述过孔连接所述第二薄膜晶体管的第一极的第二像素电极。