CN113683889A - 一种基于5g信号传输用半导体材料 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于5G信号传输用半导体材料，涉及半导体技术领域。本发明以重量份计，该半导体材料包括：聚合物基底100份、散热复合材料5‑15份、耐穿抗静电复合材料2‑6份、导电材料1‑20份、第一附加剂8‑15份、填料2‑15份、交联剂1‑5份、有机溶剂250‑400份；聚合物基底为聚二甲基硅氧烷、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚氯乙烯的一种。本发明通过散热材料、耐穿刺抗静电材料及导电材料在半导体性上的复合，能够有效提高该半导体的散热、耐穿刺和抗静电性能，通过上述性能的提高，继而能够使之与5G信号的使用环境进行高匹配。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种基于5G信号传输用半导体材料。
背景技术
半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料；半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类；按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。
对于半导体材料而言，一般要求其具有以下性能，即可掺杂性、热敏性、光敏性、可整流性；对于5G信号传输而言，由于信号传输时功率较高，且5G设备工作时会产生大量的静电，因而对于适用于5G信号传输用半导体而言，要求其必须具备良好的散热性能、抗静电穿刺性能；随着半导体产业的发展，越来越多的新型材料开始适用于半导体的生产；
与石墨烯相比黑磷最独特的性质是平面内很强的各向异性，其正交晶系点群中，沿着纵向的锯齿型的有效载流子是沿着横向结构的十倍，这一性质使得黑磷用于设计新型的电子学和光子学器件成为可能，且与石墨烯相比，黑磷的散热性能更加优异，同时，现有技术中，将橡胶制品用于半导体耐穿刺性能和抗静电性能的提高已经成为一种广泛采用的手段。
因而市面上继续一种能够适用于5G型号传输用的新型半导体复合材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于5G信号传输用半导体材料，通过半导体材料的优化，解决了现有的基于5G信号传输用半导体材料散热性能差、抗静电及耐穿刺性能低的问题。
为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：
本发明为一种基于5G信号传输用半导体材料，以重量份计，该半导体材料包括：
聚合物基底100份、散热复合材料5-15份、耐穿抗静电复合材料2-6 份、导电材料1-20份、第一附加剂8-15份、填料2-15份、交联剂1-5份、有机溶剂250-400份。
优选的，所述聚合物基底为聚二甲基硅氧烷、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚氯乙烯的一种。
优选的，所述散热复合材料包括黑磷烯-聚苯胺复合物20份、复合纳米陶瓷颗粒1-8份、第二附加剂8-10份、高分子聚合物30-40份、混合溶剂80-120份。
优选的，所述黑磷烯-聚苯胺复合物包括3-6份黑磷烯、40-80份水、 6-20份氧化剂、3-15份苯胺、2.2-3份的盐酸、0.8-1份的表面活化剂。
优选的，所述复合纳米陶瓷颗粒包括氧化铝纳米陶瓷颗粒和氮化铝纳米陶瓷颗粒；所述氧化铝纳米陶瓷颗粒重量为复合纳米陶瓷颗粒总重量的 60％；所述氮化铝纳米陶瓷颗粒重量为复合纳米陶瓷颗粒总重量的40％；所述氧化铝纳米陶瓷颗粒和复合纳米陶瓷颗粒的粒径范围均为5um-15um。
优选的，所述混合溶剂为N-N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲苯或者丙酮；所述高分子聚合物为低密度聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、高密度聚乙烯或聚甲醛；所述第二附加剂可为引发剂、分散剂、乳化剂、过滤助剂等其中的一种或几种。
优选的，所述导电材料为导电橡胶；所述导电橡胶为玻璃镀银或铝镀银颗粒与硅橡胶的混合物。
优选的，所述耐穿抗静电复合材料包括复合橡胶原料100-170份、石墨烯1-10份、硅烷偶联剂4-6份、高耐磨炭黑10-20份、环保橡胶油0-6 份、活性剂2-3份、硫磺1-3份、促进剂1-8份、石蜡油1-2份、补强剂 5-10份。
优选的，所述复合橡胶原料包括环氧化天然橡胶0-10份、溶聚丁苯橡胶10-20份、顺丁橡胶5～25份、三元乙丙橡胶50-100份；所述活性剂为氧化锌与硬脂酸锌的混合物；所述补强剂为高耐磨炉黑、碳酸钙和白炭黑的混合物；所述补强剂中高耐磨炉黑、碳酸钙和白炭黑的配比比例为3：20： 10。
优选的，所述交联剂为叔丁基过氧化碳酸脂、过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰、亚甲基双丙烯酰胺、1-4-双叔丁基过氧异丙基苯、过氧化异氯丙苯中一种。
本发明具有以下有益效果：
1、本发明通过散热材料、耐穿刺抗静电材料及导电材料在半导体性上的复合，能够有效提高该半导体的散热、耐穿刺和抗静电性能，通过上述性能的提高，继而能够使之与5G信号的使用环境进行高匹配，通过高匹配效果的提升，继而有效提升该半导体在5G信号传输时的稳定性。
2、本发明通过黑磷烯聚苯胺复合物在散热材料中的应用，一方面提升了半导体材料的稳定性降低了其发生团聚现象的概率，另一方面在散热性能提高的同时通过复合物的增加，能够有效提高其表面导电率，继而辅助增强该装置的抗静电性能。
3、本发明通过耐穿抗静电复合材料中多种橡胶的应用，一方面降低了该半导体的生产成本，另一方面通过橡胶材料的应用，在增加该半导体耐抗电击穿性能的基础上还能有效提高橡胶的表面导电率，继而辅助提高其导电和抗静电效果。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明为一种基于5G信号传输用半导体材料，以重量份计，该半导体材料包括：
聚合物基底100份、散热复合材料5份、耐穿抗静电复合材料2份、导电材料1份、第一附加剂8份、填料2份、交联剂1份、有机溶剂250 份，具体的有机溶剂可为石油醚。
该半导体材料的生产方法为首先将聚合物溶于有机溶剂中，然后向其中依次加入耐穿抗静电复合材料、导电材料、第一附加剂、填料、交联剂，物料加入后，对上述混合液进行超声分散，超声时间为5小时，超声功率为500W，即制得预混混合物，将制得的混合物注入高压反应釜中反应1h后，在将反应过的混合物置入密炼机中，密炼时加入有机粘合剂、还原剂，混炼时反应温度为1000℃，混炼时应保证在还原性气体中进行，混炼时间为 2h，混炼完成后，将上述混炼物冷却至200℃后在抽滤机中进行抽滤，抽滤的液体置入螺杆挤出机中熔融、挤出、塑形即得该半导体材料的成品。
通过散热复合材料、耐穿抗静电复合材料和导电材料的增加，一方面能够有效增加该装置的散热能力，另一方面还能够增加该专职的抗击穿、抗静电能力，通过上述能力的增强，继而有效提高该装置的综合性能，通过导电材料的增加，则使该装置能够通过减小该装置电阻的方法增加该装置的导电和抗静电能力。
进一步的，所述聚合物基底为聚二甲基硅氧烷。
进一步的，所述散热复合材料包括黑磷烯-聚苯胺复合物20份、复合纳米陶瓷颗粒1份、第二附加剂8份、高分子聚合物30份、混合溶剂80 份；具体的，散热复合材料的加工方法为将黑磷烯-聚苯胺复合物、复合纳米陶瓷颗粒、第二附加剂和高分子聚合物依序加入混合溶剂中通过超声分散使上述混合物混合均匀，混合均匀后，将上述混合后的物料离心分离，利息分离后将所得的溶液涂膜烘干，即制得散热复合材料；
所述黑磷烯-聚苯胺复合物包括3份黑磷烯、40份水、6份氧化剂、3 份苯胺、2.2份的盐酸、0.8份的表面活化剂；黑磷烯-聚苯胺复合物制备时，将上述3份黑磷烯、40份水、6份氧化剂、3份苯胺、2.2份的盐酸置入反应器中，高速搅拌并使之分散均匀，搅拌均匀后，将氧化剂加入上述混合物中，-2℃下继续反应12h，反应完毕后，将反应为干燥，即制得黑磷烯-聚苯胺复合物，其中物料在高速搅拌时，应在通氮条件下进行，同时搅拌温度控制为-2℃。
进一步的，所述复合纳米陶瓷颗粒包括氧化铝纳米陶瓷颗粒和氮化铝纳米陶瓷颗粒；所述氧化铝纳米陶瓷颗粒重量为复合纳米陶瓷颗粒总重量的60％；所述氮化铝纳米陶瓷颗粒重量为复合纳米陶瓷颗粒总重量的40％；所述氧化铝纳米陶瓷颗粒和复合纳米陶瓷颗粒的粒径均为5um。
进一步的，所述混合溶剂为N-N-二甲基甲酰胺；所述高分子聚合物为低密度聚乙烯；所述第二附加剂可为引发剂；所述导电材料为导电橡胶；所述导电橡胶为玻璃镀银或铝镀银颗粒与硅橡胶的混合物。
进一步的，所述耐穿抗静电复合材料包括复合橡胶原料100份、石墨烯1份、硅烷偶联剂4份、高耐磨炭黑10份、活性剂2份、硫磺1份、促进剂1份、石蜡油1份、补强剂5份。
进一步的，所述复合橡胶原料包括溶聚丁苯橡胶10份、顺丁橡胶5份、三元乙丙橡胶50份；所述活性剂为氧化锌与硬脂酸锌的混合物；所述补强剂为高耐磨炉黑、碳酸钙和白炭黑的混合物；所述补强剂中高耐磨炉黑、碳酸钙和白炭黑的配比比例为3：20：10；进一步的，所述交联剂为叔丁基过氧化碳酸脂；
耐穿抗静电复合材料的制备方法为将复合橡胶原料、石墨烯份、硅烷偶联剂份、高耐磨炭黑份、活性剂份、促进剂份和补强剂投入到密炼机中，密炼温度为100℃以下，混炼6分钟在温度165℃以下进行排胶移至开炼机中进行冷却，冷却至室温后，将制得的物料投入到密炼机中，加入硫磺石蜡油，混炼2分钟后在温度100℃以下排移至开炼机中进行出片冷却，即制得耐穿抗静电复合材料，耐穿抗静电复合材料制取时应保证其粒径低于 10um。
实施例二
本发明为一种基于5G信号传输用半导体材料，以重量份计，该半导体材料包括：
聚合物基底100份、散热复合材料10份、耐穿抗静电复合材料4份、导电材料10份、第一附加剂10份、填料8份、交联剂2.5份、有机溶剂 260份，以实施例一的方案相比，本技术方案通过散热复合材料、耐穿抗静电复合材料和导电材料的增加，能够在实施例一的基础上进一步的增强该半导体材料的抗静电、耐穿刺和散热性能。
该半导体材料的生产方法为首先将聚合物溶于有机溶剂中，然后向其中依次加入耐穿抗静电复合材料、导电材料、第一附加剂、填料、交联剂，物料加入后，对上述混合液进行超声分散，超声时间为5小时，超声功率为500W，即制得预混混合物，将制得的混合物注入高压反应釜中反应1h后，在将反应过的混合物置入密炼机中，密炼时加入有机粘合剂、还原剂，混炼时反应温度为1000℃，混炼时应保证在还原性气体中进行，混炼时间为 2h，混炼完成后，将上述混炼物冷却至200℃后在抽滤机中进行抽滤，抽滤的液体置入螺杆挤出机中熔融、挤出、塑形即得该半导体材料的成品。
进一步的，所述聚合物基底为聚偏氟乙烯。
进一步的，所述散热复合材料包括黑磷烯-聚苯胺复合物20份、复合纳米陶瓷颗粒4份、第二附加剂9份、高分子聚合物35份、混合溶剂90 份，与实施例一相比，通过复合纳米陶瓷颗粒、第二附加剂和高分子聚合物比例的增加，能够有效降低该散热复合材料的生产成本；
具体的，散热复合材料的加工方法为将黑磷烯-聚苯胺复合物、复合纳米陶瓷颗粒、第二附加剂和高分子聚合物依序加入混合溶剂中通过超声分散使上述混合物混合均匀，混合均匀后，将上述混合后的物料离心分离，利息分离后将所得的溶液涂膜烘干，即制得散热复合材料。
进一步的，所述黑磷烯-聚苯胺复合物包括5份黑磷烯、50份水、10 份氧化剂、5份苯胺、2.5份的盐酸、0.8的表面活化剂，与实施例一相比，通过黑磷烯、活化剂和氧化剂比例的增加，能够有效提高该散热材料单位面积内的散热性能及其表面抗氧化性能；黑磷烯-聚苯胺复合物制备时，将上述3份黑磷烯、40份水、6份氧化剂、3份苯胺、2.2份的盐酸置入反应器中，高速搅拌并使之分散均匀，搅拌均匀后，将氧化剂加入上述混合物中，-2℃下继续反应12h，反应完毕后，将反应为干燥，即制得黑磷烯-聚苯胺复合物，其中物料在高速搅拌时，应在通氮条件下进行，同时搅拌温度控制为-2℃。
进一步的，所述复合纳米陶瓷颗粒包括氧化铝纳米陶瓷颗粒和氮化铝纳米陶瓷颗粒；所述氧化铝纳米陶瓷颗粒重量为复合纳米陶瓷颗粒总重量的60％；所述氮化铝纳米陶瓷颗粒重量为复合纳米陶瓷颗粒总重量的40％；所述氧化铝纳米陶瓷颗粒和复合纳米陶瓷颗粒的粒径均为10um，与实施例一相比，通过粒径的提高，能够有效降低该装置的生产难度和生产成本。
进一步的，所述混合溶剂为二甲苯；所述高分子聚合物为乙烯-醋酸乙烯共聚物；所述第二附加剂可为乳化剂；所述导电材料为导电橡胶；所述导电橡胶为玻璃镀银或铝镀银颗粒与硅橡胶的混合物。
进一步的，所述耐穿抗静电复合材料包括复合橡胶原料125份、石墨烯5份、硅烷偶联剂5份、高耐磨炭黑15份、环保橡胶油3份、活性剂2.5 份、硫磺2.5份、促进剂2份、石蜡油2份、补强剂8份，与实施例一相比通过活性剂、补强剂比例的增加，能够有增加耐穿抗静电复合材料的综合性能。
进一步的，所述复合橡胶原料包括环氧化天然橡胶5份、溶聚丁苯橡胶15份、顺丁橡胶10份、三元乙丙橡胶75份；所述活性剂为氧化锌与硬脂酸锌的混合物；所述补强剂为高耐磨炉黑、碳酸钙和白炭黑的混合物；所述补强剂中高耐磨炉黑、碳酸钙和白炭黑的配比比例为3：20：10。
进一步的，所述交联剂为过氧化苯甲酰。
耐穿抗静电复合材料的制备方法为将复合橡胶原料、石墨烯份、硅烷偶联剂份、高耐磨炭黑份、活性剂份、促进剂份和补强剂投入到密炼机中，密炼温度为100℃以下，混炼6分钟在温度165℃以下进行排胶移至开炼机中进行冷却，冷却至室温后，将制得的物料投入到密炼机中，加入硫磺石蜡油，混炼2分钟后在温度100℃以下排移至开炼机中进行出片冷却，即制得耐穿抗静电复合材料，耐穿抗静电复合材料制取时应保证其粒径低于 10um。
实施例三
本发明为一种基于5G信号传输用半导体材料，以重量份计，该半导体材料包括：
聚合物基底100份、散热复合材料15份、耐穿抗静电复合材料6份、导电材料20份、第一附加剂15份、填料15份、交联剂5份、有机溶剂260 份，以实施例一的方案相比，本技术方案通过散热复合材料、耐穿抗静电复合材料和导电材料的增加，能够在实施例一的基础上进一步的增强该半导体材料的抗静电、耐穿刺和散热性能；
该半导体材料的生产方法为首先将聚合物溶于有机溶剂中，然后向其中依次加入耐穿抗静电复合材料、导电材料、第一附加剂、填料、交联剂，物料加入后，对上述混合液进行超声分散，超声时间为5小时，超声功率为500W，即制得预混混合物，将制得的混合物注入高压反应釜中反应1h后，在将反应过的混合物置入密炼机中，密炼时加入有机粘合剂、还原剂，混炼时反应温度为1000℃，混炼时应保证在还原性气体中进行，混炼时间为 3h，与实施例二相比，通过混炼时间的延长，能够有效提高该装置的混炼效果，混炼完成后，将上述混炼物冷却至200℃后在抽滤机中进行抽滤，抽滤的液体置入螺杆挤出机中熔融、挤出、塑形即得该半导体材料的成品。
进一步的，所述聚合物基底为聚氯乙烯。
进一步的，所述散热复合材料包括黑磷烯-聚苯胺复合物20份、复合纳米陶瓷颗粒8份、第二附加剂10份、高分子聚合物40份、混合溶剂120 份，与实施例一相比，通过复合纳米陶瓷颗粒、第二附加剂和高分子聚合物比例的增加，能够有效降低该散热复合材料的生产成本；
具体的，散热复合材料的加工方法为将黑磷烯-聚苯胺复合物、复合纳米陶瓷颗粒、第二附加剂和高分子聚合物依序加入混合溶剂中通过超声分散使上述混合物混合均匀，混合均匀后，将上述混合后的物料离心分离，利息分离后将所得的溶液涂膜烘干，即制得散热复合材料。
进一步的，所述黑磷烯-聚苯胺复合物包括6份黑磷烯、50份水、20 份氧化剂、10份苯胺、3份的盐酸、1份的表面活化剂，与实施例一相比，通过黑磷烯、活化剂和氧化剂比例的增加，能够有效提高该散热材料单位面积内的散热性能及其表面抗氧化性能；黑磷烯-聚苯胺复合物制备时，将上述黑磷烯、水、氧化剂、苯胺、份的盐酸置入反应器中，高速搅拌并使之分散均匀，搅拌均匀后，将氧化剂加入上述混合物中，-2℃下继续反应 12h，反应完毕后，将反应为干燥，即制得黑磷烯-聚苯胺复合物，其中物料在高速搅拌时，应在通氮条件下进行，同时搅拌温度控制为-2℃。
进一步的，所述复合纳米陶瓷颗粒包括氧化铝纳米陶瓷颗粒和氮化铝纳米陶瓷颗粒；所述氧化铝纳米陶瓷颗粒重量为复合纳米陶瓷颗粒总重量的60％；所述氮化铝纳米陶瓷颗粒重量为复合纳米陶瓷颗粒总重量的40％；所述氧化铝纳米陶瓷颗粒和复合纳米陶瓷颗粒的粒径均为10um，与实施例一相比，通过粒径的提高，能够有效降低该装置的生产难度和生产成本。
进一步的，所述混合溶剂为二甲苯；所述高分子聚合物为乙烯-醋酸乙烯共聚物；所述第二附加剂可为乳化剂；所述导电材料为导电橡胶；所述导电橡胶为玻璃镀银或铝镀银颗粒与硅橡胶的混合物。
进一步的，所述耐穿抗静电复合材料包括复合橡胶原料170份、石墨烯10份、硅烷偶联剂6份、高耐磨炭黑20份、环保橡胶油6份、活性剂3 份、硫磺3份、促进剂3份、石蜡油2份、补强剂10份，与实施例一相比通过活性剂、补强剂比例的增加，能够有增加耐穿抗静电复合材料的综合性能。
进一步的，所述复合橡胶原料包括环氧化天然橡胶10份、溶聚丁苯橡胶10份、顺丁橡胶5份、三元乙丙橡胶100份；所述活性剂为氧化锌与硬脂酸锌的混合物；所述补强剂为高耐磨炉黑、碳酸钙和白炭黑的混合物；所述补强剂中高耐磨炉黑、碳酸钙和白炭黑的配比比例为3：20：10。
进一步的，所述交联剂为过氧化异氯丙苯。
耐穿抗静电复合材料的制备方法为将复合橡胶原料、石墨烯份、硅烷偶联剂份、高耐磨炭黑份、活性剂份、促进剂份和补强剂投入到密炼机中，密炼温度为100℃以下，混炼6分钟在温度165℃以下进行排胶移至开炼机中进行冷却，冷却至室温后，将制得的物料投入到密炼机中，加入硫磺石蜡油，混炼2分钟后在温度100℃以下排移至开炼机中进行出片冷却，即制得耐穿抗静电复合材料，耐穿抗静电复合材料制取时应保证其粒径低于 10um。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (10)
1.一种基于5G信号传输用半导体材料，以重量份计，该半导体材料包括：
聚合物基底100份、散热复合材料5-15份、耐穿抗静电复合材料2-6份、导电材料1-20份、第一附加剂8-15份、填料2-15份、交联剂1-5份、有机溶剂250-400份。
2.根据权利要求1所述的一种基于5G信号传输用半导体材料，其特征在于，所述聚合物基底为聚二甲基硅氧烷、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚氯乙烯的一种。
3.根据权利要求1所述的一种基于5G信号传输用半导体材料，其特征在于，所述散热复合材料包括黑磷烯-聚苯胺复合物20份、复合纳米陶瓷颗粒1-8份、第二附加剂8-10份、高分子聚合物30-40份、混合溶剂80-120份。
4.根据权利要求1所述的一种基于5G信号传输用半导体材料，其特征在于，所述黑磷烯-聚苯胺复合物包括3-6份黑磷烯、40-80份水、6-20份氧化剂、3-15份苯胺、2.2-3份的盐酸、0.8-1份的表面活化剂。
5.根据权利要求3所述的一种基于5G信号传输用半导体材料，其特征在于，所述复合纳米陶瓷颗粒包括氧化铝纳米陶瓷颗粒和氮化铝纳米陶瓷颗粒；所述氧化铝纳米陶瓷颗粒重量为复合纳米陶瓷颗粒总重量的60％；所述氮化铝纳米陶瓷颗粒重量为复合纳米陶瓷颗粒总重量的40％；所述氧化铝纳米陶瓷颗粒和复合纳米陶瓷颗粒的粒径范围均为5um-15um。
6.根据权利要求3所述的一种基于5G信号传输用半导体材料，其特征在于，所述混合溶剂为N-N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲苯或者丙酮；所述高分子聚合物为低密度聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、高密度聚乙烯或聚甲醛；所述第二附加剂可为引发剂、分散剂、乳化剂、过滤助剂等其中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的一种基于5G信号传输用半导体材料，其特征在于，所述导电材料为导电橡胶；所述导电橡胶为玻璃镀银或铝镀银颗粒与硅橡胶的混合物。
8.根据权利要求1所述的一种基于5G信号传输用半导体材料，其特征在于，所述耐穿抗静电复合材料包括复合橡胶原料100-170份、石墨烯1-10份、硅烷偶联剂4-6份、高耐磨炭黑10-20份、环保橡胶油0-6份、活性剂2-3份、硫磺1-3份、促进剂1-8份、石蜡油1-2份、补强剂5-10份。
9.根据权利要求3所述的一种基于5G信号传输用半导体材料，其特征在于，所述复合橡胶原料包括环氧化天然橡胶0-10份、溶聚丁苯橡胶10-20份、顺丁橡胶5～25份、三元乙丙橡胶50-100份；所述活性剂为氧化锌与硬脂酸锌的混合物；所述补强剂为高耐磨炉黑、碳酸钙和白炭黑的混合物；所述补强剂中高耐磨炉黑、碳酸钙和白炭黑的配比比例为3：20：10。
10.根据权利要求1所述的一种基于5G信号传输用半导体材料，其特征在于，所述交联剂为叔丁基过氧化碳酸脂、过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰、亚甲基双丙烯酰胺、1-4-双叔丁基过氧异丙基苯、过氧化异氯丙苯中一种。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211123 |
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