CN113678472A - Mems电容传感器及其制备方法、电子设备 - Google Patents

Mems电容传感器及其制备方法、电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN113678472A
CN113678472A CN201980087006.8A CN201980087006A CN113678472A CN 113678472 A CN113678472 A CN 113678472A CN 201980087006 A CN201980087006 A CN 201980087006A CN 113678472 A CN113678472 A CN 113678472A
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
conductive
electrode structure
type
insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980087006.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113678472B (zh
Inventor
罗松成
詹竣凯
游博丞
谢冠宏
方维伦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gettop Acoustic Co Ltd
Original Assignee
Gettop Acoustic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gettop Acoustic Co Ltd filed Critical Gettop Acoustic Co Ltd
Publication of CN113678472A publication Critical patent/CN113678472A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113678472B publication Critical patent/CN113678472B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/04Microphones

Abstract

一种MEMS电容传感器及其制备方法,该传感器包括第一电极结构(200),该第一电极结构(200)包括位于中间区域的第一导电区域(230a)以及所述第一导电区域周围的绝缘区域(240),第一导电区域(230a)和绝缘区域(240)为一整体结构,且其中至少一个通过掺杂方式形成。上述MEMS电容式传感器,通过在第一电极结构中设置在中间区域的第一导电区域导电,第一导电区域周围的绝缘区域绝缘,降低了MEMS电容式传感器的寄生电容,并且无需设置多层绝缘薄膜,避免了残余应力控制复杂、多层薄膜剥离和弯曲的问题。

Description

PCT国内申请,说明书已公开。

Claims (30)

  1. PCT国内申请,权利要求书已公开。
CN201980087006.8A 2019-05-31 2019-05-31 Mems电容传感器及其制备方法、电子设备 Active CN113678472B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2019/089601 WO2020237651A1 (zh) 2019-05-31 2019-05-31 Mems电容传感器及其制备方法、电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113678472A true CN113678472A (zh) 2021-11-19
CN113678472B CN113678472B (zh) 2024-04-12

Family

ID=73552709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980087006.8A Active CN113678472B (zh) 2019-05-31 2019-05-31 Mems电容传感器及其制备方法、电子设备

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN113678472B (zh)
WO (1) WO2020237651A1 (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070286438A1 (en) * 2006-03-29 2007-12-13 Yamaha Corporation Condenser microphone
JP2011064688A (ja) * 2010-10-18 2011-03-31 Seiko Epson Corp 微小電気機械装置、半導体装置、微小電気機械装置の製造方法、および半導体装置の製造方法
CN104671186A (zh) * 2013-11-27 2015-06-03 英飞凌科技股份有限公司 Mems器件
CN105142086A (zh) * 2015-09-24 2015-12-09 歌尔声学股份有限公司 一种mems麦克风芯片、传声器和音频设备
CN205283813U (zh) * 2015-11-30 2016-06-01 歌尔声学股份有限公司 一种mems麦克风芯片及mems麦克风
CN105681990A (zh) * 2014-11-19 2016-06-15 北京卓锐微技术有限公司 一种硅电容麦克风
CN106303867A (zh) * 2015-05-13 2017-01-04 无锡华润上华半导体有限公司 Mems麦克风
CN106465022A (zh) * 2014-04-01 2017-02-22 罗伯特·博世有限公司 Mems麦克风中的经掺杂的基板区
CN107176584A (zh) * 2016-03-10 2017-09-19 英飞凌科技股份有限公司 Mems器件和mems真空扩音器
CN108467005A (zh) * 2017-02-09 2018-08-31 英飞凌科技股份有限公司 半导体装置和用于形成半导体装置的方法
CN108540911A (zh) * 2017-03-01 2018-09-14 英飞凌科技股份有限公司 Mems设备、声换能器、形成mems设备的方法以及操作mems设备的方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0605576D0 (en) * 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
CN101272636B (zh) * 2007-03-21 2012-07-18 歌尔声学股份有限公司 电容式传声器芯片
US8218286B2 (en) * 2008-11-12 2012-07-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS microphone with single polysilicon film
CN101489170B (zh) * 2009-02-20 2012-08-22 浙江工业大学 自检测硅微机械电容式麦克风及其制备方法
CN202153165U (zh) * 2011-07-14 2012-02-29 无锡芯感智半导体有限公司 一种电容式mems压力传感器
US20150060956A1 (en) * 2013-09-03 2015-03-05 Windtop Technology Corp. Integrated mems pressure sensor with mechanical electrical isolation
TWI547181B (zh) * 2015-02-12 2016-08-21 加高電子股份有限公司 微機電麥克風感測器及其製備方法
CN108226235B (zh) * 2016-12-21 2020-12-15 中国矿业大学 一种电容式mems气体传感器
CN108419193B (zh) * 2018-05-22 2024-03-08 上饶市经纬自动化科技有限公司 具有频率选择功能的电容式mems麦克风及其制作方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070286438A1 (en) * 2006-03-29 2007-12-13 Yamaha Corporation Condenser microphone
JP2011064688A (ja) * 2010-10-18 2011-03-31 Seiko Epson Corp 微小電気機械装置、半導体装置、微小電気機械装置の製造方法、および半導体装置の製造方法
CN104671186A (zh) * 2013-11-27 2015-06-03 英飞凌科技股份有限公司 Mems器件
CN106465022A (zh) * 2014-04-01 2017-02-22 罗伯特·博世有限公司 Mems麦克风中的经掺杂的基板区
CN105681990A (zh) * 2014-11-19 2016-06-15 北京卓锐微技术有限公司 一种硅电容麦克风
CN106303867A (zh) * 2015-05-13 2017-01-04 无锡华润上华半导体有限公司 Mems麦克风
CN105142086A (zh) * 2015-09-24 2015-12-09 歌尔声学股份有限公司 一种mems麦克风芯片、传声器和音频设备
CN205283813U (zh) * 2015-11-30 2016-06-01 歌尔声学股份有限公司 一种mems麦克风芯片及mems麦克风
CN107176584A (zh) * 2016-03-10 2017-09-19 英飞凌科技股份有限公司 Mems器件和mems真空扩音器
CN108467005A (zh) * 2017-02-09 2018-08-31 英飞凌科技股份有限公司 半导体装置和用于形成半导体装置的方法
CN108540911A (zh) * 2017-03-01 2018-09-14 英飞凌科技股份有限公司 Mems设备、声换能器、形成mems设备的方法以及操作mems设备的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113678472B (zh) 2024-04-12
WO2020237651A1 (zh) 2020-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8847289B2 (en) CMOS compatible MEMS microphone and method for manufacturing the same
US8962368B2 (en) CMOS compatible MEMS microphone and method for manufacturing the same
CN109429158B (zh) 双膜mems器件和用于双膜mems器件的制造方法
US6677176B2 (en) Method of manufacturing an integrated electronic microphone having a floating gate electrode
US20090302716A1 (en) Piezoelectric device
KR101578542B1 (ko) 마이크로폰 제조 방법
CN104902400A (zh) 用于感测压力波以及环境压力的变化的mems传感器结构
US9601278B2 (en) Super-capacitor with separator and method of producing the same
US10468201B2 (en) Integrated super-capacitor
JP2012085239A (ja) 電気機械変換装置及びその作製方法
US8031890B2 (en) Electroacoustic transducer
US11493532B2 (en) Micromechanical sensor and methods for producing a micromechanical sensor and a micromechanical sensor element
US11057717B2 (en) MEMS microphone
US20140001581A1 (en) Mems microphone and forming method therefor
KR20130134724A (ko) Cmos 회로가 집적된 마이크로폰 및 그 제조방법
EP2566037A2 (en) Energy Conversion Device and Methods of Manufacturing and Operating the Same
CN108464017B (zh) 麦克风及麦克风制造方法
JP2009272477A (ja) Memsセンサおよびその製造方法
CN210168227U (zh) Mems麦克风
CN113678472B (zh) Mems电容传感器及其制备方法、电子设备
WO2011123552A1 (en) Low noise electret microphone
US11944998B2 (en) Capacitive micromachined ultrasonic transducer and method of fabricating the same
US6825491B2 (en) Integrated variable electrical capacitance device and method for producing said device
CN115714954B (zh) 一种mems器件及其制造方法
EP4017027A2 (en) Triple-membrane mems device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant